本文主要介紹瑞薩電子(又稱：Renesas注1)高壓MOS在客戶電源等產(chǎn)品開發(fā)時(shí)的選型以及特性的說明，為客戶的產(chǎn)品開發(fā)提供參考性的設(shè)計(jì)意見。

　　MOSFET以其電壓控制、開關(guān)頻率高、開關(guān)速度快等優(yōu)點(diǎn)，廣泛應(yīng)用于電源等產(chǎn)品中。Renesas高壓MOS涵蓋漏源電壓(VDSS)等級(jí)600V、800V、900V、1400V，具有極低的RDS(ON)和豐富的封裝系列，應(yīng)用十分廣泛。

　　MOSFET最重要的兩個(gè)參數(shù)是漏源電壓(VDSS)和導(dǎo)通電阻RDS(ON)。電流值和最大耗散功率值必須仔細(xì)觀察，因?yàn)樗鼈冎挥挟?dāng)背板溫度到25OC時(shí)才能達(dá)到，切換時(shí)間僅在滿足數(shù)據(jù)說明書中所描述的特定條件下才適用。

　　一般來說Renesas高壓MOS數(shù)據(jù)手冊(cè)主要包含以下幾個(gè)部分：特性、極限值、電氣特性以及典型特性。

　　Renesas高壓MOS所具有的性能優(yōu)勢(shì)：

　　1、具有比較低的Qg

　　2、Vgs電壓±30 V

　　3、具有比較低的導(dǎo)通阻抗

　　4、很好的防雪崩能力

　　Renesas MOS采用了五代UMOS工藝，可以把RDS(ON)做的比較小，2SK3298B的導(dǎo)通電阻只有0.75歐姆，可以大大減少M(fèi)OS的損耗。

　　極限值部分給出了10個(gè)參數(shù)的絕對(duì)最大值。器件運(yùn)行的時(shí)候一定不能超過此值，否則會(huì)造成MOS永久的損壞。其中，尤其需要注意漏極電流和耗散功率的值是在25OC時(shí)給出的，在實(shí)際運(yùn)行中只能作為參考。

　　電氣特性部分主要含有幾個(gè)重要的參數(shù)：開啟關(guān)斷時(shí)間參數(shù)、跨導(dǎo)參數(shù)、結(jié)電容參數(shù)以及體內(nèi)二極管參數(shù)等。Renesas高壓MOS一般要比同類型的其它牌子的MOS開關(guān)速度快，但有個(gè)很重要的先決條件就是：柵極驅(qū)動(dòng)電壓要在10V以上，因?yàn)镽enesas高壓MOS結(jié)電容參數(shù)比較大。

　　典型特性部分給出了很多參數(shù)的動(dòng)態(tài)曲線。比較重要的參數(shù)曲線有：熱阻曲線、轉(zhuǎn)移特性曲線、跨導(dǎo)曲線、導(dǎo)通電阻和漏極電流的關(guān)系曲線以及耗散功率和溫度的關(guān)系曲線等。耗散功率隨著溫度的升高而下降，導(dǎo)通電阻隨著溫度的升高而增大。

　　Renesas高壓MOS具有比較明顯的導(dǎo)通阻抗低、開關(guān)速度快的優(yōu)點(diǎn)，但驅(qū)動(dòng)電路的好壞直接影響了MOS的特性。為了達(dá)到良好的驅(qū)動(dòng)波形和開關(guān)特性，使管子能夠工作在比較理想的狀態(tài)，現(xiàn)結(jié)合數(shù)據(jù)手冊(cè)中的幾個(gè)參數(shù)影響和典型曲線注2加以分析。

　　1、RDS(ON)隨VGS的變化曲線：

　　由圖可知，當(dāng)VGS在小于10V的時(shí)候，RDS(ON)是比較大的，特別是在小于7-8V的時(shí)候，RDS(ON)幾乎是無窮大,管子幾乎沒有開啟。所以我們建議驅(qū)動(dòng)電壓一般要在10V以上，這樣可以獲得比較低的導(dǎo)通阻抗和減小MOS的損耗。

　　2、由數(shù)據(jù)手冊(cè)得到Renesas高壓MOS的CISS、COSS、、CRSS是比較大的，所以為了獲得比較好的驅(qū)動(dòng)波形，建議柵極驅(qū)動(dòng)電阻不要太大，盡量在幾十歐姆。

　　3、跨導(dǎo)參數(shù)及曲線?？鐚?dǎo)是MOS一個(gè)很重要的參數(shù)，反映了柵極驅(qū)動(dòng)電壓對(duì)漏極電流的控制能力。由下圖的轉(zhuǎn)移特性曲線可知：當(dāng)MOS柵極驅(qū)動(dòng)電壓在10V左右的時(shí)候，MOS漏極電流才能達(dá)到標(biāo)稱的值。

　　以上分析了Renesas高壓MOS的一些特性和為了達(dá)到比較好的開關(guān)特性的一些參數(shù)配合?，F(xiàn)針對(duì)以上幾點(diǎn)做總結(jié)，Renesas授權(quán)代理商世強(qiáng)電訊給出以下幾點(diǎn)意見，供大家在產(chǎn)品的開發(fā)中做參考：

　　1、柵極驅(qū)動(dòng)電壓要在10V以上，可以獲得比較好的驅(qū)動(dòng)波形和較低的導(dǎo)通阻抗，可以減少M(fèi)OS的發(fā)熱和損耗。

　　2、柵極驅(qū)動(dòng)電阻最好在EMI和驅(qū)動(dòng)波形之間做合適的選擇，最好在幾十歐姆，Renesas數(shù)據(jù)手冊(cè)中參數(shù)的測(cè)試條件中驅(qū)動(dòng)電阻為25歐姆。

　　3、因?yàn)镽enesas高壓MOS柵源極耐壓比較高，可以達(dá)到30V。所以在負(fù)載比較重或漏極電流比較大的情況下，為了避免漏極電流失控MOS進(jìn)入放大區(qū)工作，柵極驅(qū)動(dòng)電壓適當(dāng)?shù)倪€要加大，只要不超過標(biāo)稱的30V就可以。