文章的內(nèi)容來(lái)閱讀本文。 通過(guò)雙脈沖測(cè)試評(píng)估MOSFET反向恢復(fù)特性 為了評(píng)估MOSFET的反向恢復(fù)特性，我們使用4種MOSFET實(shí)施了雙脈沖測(cè)試。4種MOSFET均為超級(jí)結(jié)MOSFET（以下簡(jiǎn)稱(chēng)“SJ MOSFET”），我們使用快速恢復(fù)型和普通型分別進(jìn)行了比較。 先來(lái)看具有快速恢復(fù)
2020-12-21 14:25:45
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反向恢復(fù)過(guò)程： ? ? 通常把二極管從正向?qū)ㄞD(zhuǎn)為反向截止所經(jīng)過(guò)的轉(zhuǎn)換過(guò)程稱(chēng)為反向恢復(fù)過(guò)程 。由于反向恢復(fù)時(shí)間的存在，使二極管的開(kāi)關(guān)速度受到限制。 ??? 試想一下，如果二極管的反向恢復(fù)時(shí)間長(zhǎng)，那就
2022-12-10 17:06:3820943 
碳化硅二極管是單極器件，因此與傳統(tǒng)的硅快速恢復(fù)二極管(硅FRD)相比，碳化硅二極管具有理想的反向恢復(fù)特性。當(dāng)器件從正向切換到反向阻斷方向時(shí)，幾乎沒(méi)有反向恢復(fù)功率，反向恢復(fù)時(shí)間小于20ns，甚至600V10A碳化硅二極管的反向恢復(fù)時(shí)間也小于10ns。
2023-02-08 17:23:233979 
除了上面的伏安特性曲線(xiàn)以外，對(duì)于二極管，你還需要知道兩個(gè)特性：二極管電容和反向恢復(fù)時(shí)間。這兩個(gè)特性掌握了之后，那對(duì)于通常的二極管來(lái)說(shuō)，你該知道的基本上就算都知道了。
2023-02-14 11:44:271779 
為解決功率二極管反向恢復(fù)問(wèn)題已經(jīng)出現(xiàn)了很多種方案。一種思路是從器件本身出發(fā)，尋找新的材料力圖從根本上解決這一問(wèn)題，比如碳化硅二極管的出現(xiàn)帶來(lái)了器件革命的曙光，它幾乎不存在反向恢復(fù)的問(wèn)題。
2024-03-27 11:25:343652 
IGBT模塊的反向恢復(fù)現(xiàn)象是指在IGBT關(guān)斷時(shí)，其內(nèi)部集成的續(xù)流二極管（FWD）從正向?qū)顟B(tài)轉(zhuǎn)變?yōu)?b class="flag-6" style="color: red">反向截止?fàn)顟B(tài)過(guò)程中出現(xiàn)的一些特定物理現(xiàn)象和電氣特性變化。
2025-03-13 14:39:283761 
脈沖下當(dāng)做開(kāi)關(guān)使用。如果反向脈沖的持續(xù)時(shí)間比tr 短, 則二極管在正、反向都可導(dǎo)通, 起不到開(kāi)關(guān)作用。因此了解二極管反向恢復(fù)時(shí)間對(duì)正確選取管子和合理設(shè)計(jì)電路至關(guān)重要。開(kāi)關(guān)從導(dǎo)通狀態(tài)向截止?fàn)顟B(tài)轉(zhuǎn)變
2019-12-03 10:16:05
利用IGBT雙脈沖測(cè)試電路，改變電壓及電流測(cè)量探頭的位置，即可對(duì)IGBT并聯(lián)的續(xù)流二極管（下文簡(jiǎn)稱(chēng)FRD）的相關(guān)參數(shù)進(jìn)行測(cè)量與評(píng)估。一、FRD工作時(shí)的風(fēng)險(xiǎn)評(píng)估IGBT模塊中的并聯(lián)FRD，是一個(gè)
2019-09-27 14:04:00
過(guò)程是否有電壓尖峰，
評(píng)估實(shí)際應(yīng)用是否需要吸收電路；5、
評(píng)估二極管的
反向恢復(fù)行為和安全裕量；6、測(cè)量母排的雜散電感；
雙脈沖測(cè)試原理圖1
雙脈沖測(cè)試平臺(tái)的電路及理想波形IGBT
雙脈沖測(cè)試的實(shí)測(cè)電路及電路拓?fù)?/div>
2019-09-11 09:49:33
相比，在啟動(dòng)過(guò)程中，這些空電容會(huì)使低端開(kāi)關(guān)Q2的體二極管深度導(dǎo)通。因此流經(jīng)開(kāi)關(guān)Q2體二極管的反向恢復(fù)電流非常高，致使當(dāng)高端開(kāi)關(guān)Q1導(dǎo)通時(shí)足夠引起直通問(wèn)題。啟動(dòng)狀態(tài)下，在體二極管反向恢復(fù)時(shí)，非?？赡?b class="flag-6" style="color: red">發(fā)生
2019-09-17 09:05:04
滿(mǎn)足了發(fā)生反向恢復(fù)的條件。D1的反向電流iD1疊加上負(fù)載電流iload就會(huì)在S2的集電極電流上表現(xiàn)為電流尖峰，如圖2所示?！ D2. 雙脈沖測(cè)試波形 關(guān)于二極管反向恢復(fù)特性更為詳細(xì)的測(cè)試說(shuō)明，大家
2020-12-08 15:44:26
需要談到在半導(dǎo)體中移動(dòng)的電子和空穴。先通過(guò)波形圖來(lái)了解SiC-SBD和Si-PND反向恢復(fù)特性的不同。右側(cè)波形圖為SiC-SBD和高速PND即Si-FRD反向恢復(fù)時(shí)的電流和時(shí)間。從波形圖可見(jiàn)紅色
2018-11-29 14:34:32
進(jìn)行了比較，通過(guò)實(shí)驗(yàn)及仿真得出有用的結(jié)論。1 二極管反向恢復(fù)原理以普通PN結(jié)二極管為例，PN結(jié)內(nèi)載流子由于存在濃度梯度而具有擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)，同時(shí)由于電場(chǎng)作用存在漂移運(yùn)動(dòng)，兩者平衡后在PN結(jié)形成空間電荷區(qū)。當(dāng)
2017-08-17 18:13:40
——測(cè)試平臺(tái)搭建泰克推出了IGBT Town功率器件支持單脈沖，雙脈沖及多脈沖測(cè)試方案，集成強(qiáng)大的發(fā)生裝置，數(shù)據(jù)測(cè)試裝置及軟件。用戶(hù)可以自定義測(cè)試條件，測(cè)試項(xiàng)目包含：Toff, td(off), tf
2020-02-14 11:16:06
本帖最后由 熊宇豪 于 2022-2-16 16:45 編輯
`在學(xué)習(xí)評(píng)估板的user guide之后，了解其基本功能和組成電路組成，首先對(duì)SiC管做雙脈沖測(cè)試考察其開(kāi)關(guān)特性。對(duì)于雙脈沖測(cè)試
2020-06-18 17:57:15
二極管是單向?qū)?，那?b class="flag-6" style="color: red">反向恢復(fù)時(shí)間是什么，需要怎么測(cè)試
2023-09-27 07:51:57
。
（1）如果脈沖持續(xù)時(shí)間比二極管反向恢復(fù)時(shí)間長(zhǎng)得多，這時(shí)負(fù)脈沖能使二極管徹底關(guān)斷，起到良好的開(kāi)關(guān)作用；
（2） 如果脈沖持續(xù)時(shí)間和二極管的反向恢復(fù)時(shí)間差不多甚至更短的話(huà)，這時(shí)由于反向恢復(fù)過(guò)程的影響，負(fù)
2024-07-16 10:52:56
什么是反向恢復(fù)過(guò)程？二極管在開(kāi)關(guān)轉(zhuǎn)換過(guò)程中出現(xiàn)的反向恢復(fù)過(guò)程是由于什么原因引起的？
2021-06-29 07:28:24
)：1.5V芯片尺寸：120MIL浪涌電流Ifsm：300A漏電流(Ir)：10uA工作溫度：-50~+150℃恢復(fù)時(shí)間(Trr)：35nS引線(xiàn)數(shù)量：3 二極管SFF3006反向恢復(fù)過(guò)程，現(xiàn)代脈沖電路中大
2021-11-30 16:28:50
以AC/DC Boost開(kāi)關(guān)電源為例，如圖1所示，主電路中輸人整流橋二極管產(chǎn)生的反向恢復(fù)電流的di/dt遠(yuǎn)比輸出二極管D反向恢復(fù)電流的|di/dt|要小得多。圖2是圖1開(kāi)關(guān)電源中輸人整流橋二極管
2021-06-30 16:37:09
上一篇文章我們?cè)敿?xì)討論了二極管的結(jié)電容：勢(shì)壘電容和擴(kuò)散電容。我們也知道了數(shù)據(jù)手冊(cè)中所給出的結(jié)電容參數(shù)，它的大小和反向恢復(fù)時(shí)間沒(méi)有關(guān)系。如下表所示：序號(hào)種類(lèi)型號(hào)結(jié)電容反向恢復(fù)時(shí)間封裝品牌1普通
2021-10-18 10:28:06
一、二極管的反向恢復(fù)時(shí)間①舉例理解如上圖，在二極管正極輸入正負(fù)脈沖方波信號(hào)，理想二極管輸出應(yīng)該是高電平和低電平，但實(shí)際上二極管有一個(gè)反向恢復(fù)時(shí)間trr。如上圖，在電壓從正向突然變成負(fù)向的瞬間，二極管
2023-02-15 14:24:47
轉(zhuǎn)換器內(nèi)所使用的MOSFET體二極管的反向恢復(fù)。氮化鎵—GaN器件不會(huì)表現(xiàn)出反向恢復(fù)特性，并因此避免了損耗和其它相關(guān)問(wèn)題。借助于我的LMG5200和一個(gè)差不多的基于硅FET的TPS40170EVM-597
2018-09-03 15:17:44
轉(zhuǎn)換器內(nèi)所使用的MOSFET體二極管的反向恢復(fù)。氮化鎵—GaN器件不會(huì)表現(xiàn)出反向恢復(fù)特性，并因此避免了損耗和其它相關(guān)問(wèn)題。借助于我的LMG5200和一個(gè)差不多的基于硅FET的TPS40170EVM-597
2022-11-17 06:32:52
或者說(shuō)過(guò)程，我們稱(chēng)之為反向恢復(fù)過(guò)程。只要是雙極型器件，就會(huì)有非平衡載流子的注入，那么就存在所謂的反向恢復(fù)過(guò)程。這種特性嚴(yán)重限制了器件在高頻需求下的性能，我們要做的就是研究并減小反向恢復(fù)這個(gè)過(guò)程的時(shí)間。(a
2023-02-14 15:46:54
二極管反向恢復(fù)時(shí)間測(cè)試儀 長(zhǎng)春艾克思科技有限責(zé)任公司滿(mǎn)足國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)：GB/T8024-2010，使用矩形波法測(cè)試反向恢復(fù)時(shí)間。一：主要特點(diǎn)A：測(cè)量多種二極管B：二極管反向電流峰值100A（定制）C
2015-03-05 09:30:50
在啟動(dòng)期間，由于反向恢復(fù)dv/dt，零電壓開(kāi)關(guān)運(yùn)行可能會(huì)丟失并且MOSFET可能發(fā)生故障。 在啟動(dòng)之前諧振電容和輸出電容完全放電。這些空電容導(dǎo)致Q2體二極管進(jìn)一步導(dǎo)通并且在Q1導(dǎo)通前不會(huì)完全恢復(fù)
2019-01-15 17:31:58
?快恢復(fù)二極管反向恢復(fù)時(shí)間（tr）的定義：電流通過(guò)零點(diǎn)由正向轉(zhuǎn)換到規(guī)定低值的時(shí)間間隔。它是衡量高頻續(xù)流及整流器件性能的重要技術(shù)指標(biāo)。在快恢復(fù)二極管里，IF為正向電流，IRM為最大反向恢復(fù)電流。Irr
2021-05-14 14:12:50
10mA；通過(guò)電位器螺絲刀，調(diào)節(jié)反向恢復(fù)電流20mA。二極管具有方向，方向如果接得不對(duì)，接入錯(cuò)誤指示燈亮，此時(shí)更換二極管方向第五步：示波器讀數(shù)。將抓取到的測(cè)試波形進(jìn)行展開(kāi)為25nS一格，得到如下圖所示的波形
2015-03-11 14:02:20
已經(jīng)上傳了驅(qū)動(dòng)部分的原理圖，我剛進(jìn)一個(gè)做MOS的公司，有個(gè)客戶(hù)是這樣的，他說(shuō)我們的管子溫度比他的高了20度，MOS的Trr和Qrr都比較大，反向恢復(fù)損耗比較高，有什么辦法可以降低嗎，讓MOS的溫度的降下來(lái)
2019-09-11 04:23:31
`<div> 揭秘肖特基二極管的反向恢復(fù)時(shí)間 肖特基二極管和一般二極管的差異在于反向恢復(fù)時(shí)間，也就是肖特基二極管由流過(guò)正向電流的導(dǎo)通狀態(tài)，切換到不導(dǎo)通狀態(tài)所需的時(shí)間
2018-11-02 11:54:12
整流二極管的反向恢復(fù)過(guò)程
2021-01-08 06:22:44
的IGBT 的性能。（2）獲取IGBT 在開(kāi)關(guān)過(guò)程的主要參數(shù)，以評(píng)估Rgon及Rgoff 的數(shù)值是否合適，評(píng)估是否需要配吸收電路等。（3） 考量IGBT在變換器中工作時(shí)的實(shí)際表現(xiàn)。例如二極管的反向恢復(fù)
2021-02-25 10:43:27
+TCP0030A+IGBT town軟件五、方案優(yōu)勢(shì)：1.可靠、可重復(fù)地測(cè)試IGBT及MOSFET (包括第三代半導(dǎo)體器件SiC、GaN )功率半導(dǎo)體動(dòng)態(tài)特征2.測(cè)量的特征包括開(kāi)啟、關(guān)閉、開(kāi)關(guān)切換、反向恢復(fù)、柵極
2021-05-20 11:17:57
連線(xiàn)的電源短路。圖2顯示的是經(jīng)修改的評(píng)估模塊 (EVM) 電路原理圖。圖2：用于反向恢復(fù)測(cè)量的經(jīng)修改的硅橋圖3顯示了插入分流電阻器后的TPS40170 EVM。圖3：EVM探測(cè)技術(shù)圖4顯示的是開(kāi)關(guān)
2018-09-03 15:17:37
低功耗的、以極快的反向恢復(fù)時(shí)間（trr）為特點(diǎn)的ROHM獨(dú)創(chuàng)的功率MOSFET。＜提高設(shè)計(jì)靈活度的關(guān)鍵＞開(kāi)關(guān)速度的高速化與誤開(kāi)啟現(xiàn)象、噪聲干擾是相悖的，用戶(hù)在電路設(shè)計(jì)時(shí)需要通過(guò)調(diào)整柵極電阻來(lái)進(jìn)行優(yōu)化
2020-03-12 10:08:31
低功耗的、以極快的反向恢復(fù)時(shí)間（trr）為特點(diǎn)的ROHM獨(dú)創(chuàng)的功率MOSFET。＜提高設(shè)計(jì)靈活度的關(guān)鍵＞開(kāi)關(guān)速度的高速化與誤開(kāi)啟現(xiàn)象、噪聲干擾是相悖的，用戶(hù)在電路設(shè)計(jì)時(shí)需要通過(guò)調(diào)整柵極電阻來(lái)進(jìn)行優(yōu)化
2020-03-12 10:08:47
效應(yīng)引起的, 反向恢復(fù)時(shí)間就是存儲(chǔ)電荷耗盡所需要的時(shí)間。該過(guò)程使二極管不能在快速連續(xù)脈沖下當(dāng)做開(kāi)關(guān)使用。如果反向脈沖的持續(xù)時(shí)間比tr 短, 則二極管在正、反向都可導(dǎo)通, 起不到開(kāi)關(guān)作用。
2020-02-25 07:00:00
請(qǐng)教一下大佬二極管的反向恢復(fù)時(shí)間是什么意思？
2023-04-04 14:39:39
超高速二極管反向恢復(fù)時(shí)間測(cè)試儀一：主要特點(diǎn)A：測(cè)量多種二極管B：二極管反向電流2.5~10mAC：二極管正向電流2.5~50mA D：測(cè)量精度1nSE：二極管接反、短路開(kāi)路保護(hù)F：示波器圖形顯示G
2015-03-11 13:56:18
在本文中，我們將通過(guò)雙脈沖測(cè)試來(lái)確認(rèn)驅(qū)動(dòng)器源極引腳的效果。驅(qū)動(dòng)器源極引腳的效果：雙脈沖測(cè)試比較為了比較沒(méi)有驅(qū)動(dòng)器源極引腳的MOSFET和有驅(qū)動(dòng)源極引腳的MOSFET的實(shí)際開(kāi)關(guān)工作情況，我們按照右圖
2022-06-17 16:06:12
測(cè)量電路如下圖。由直流電流源供規(guī)定的IF，脈沖發(fā)生器經(jīng)過(guò)隔直電容器C加脈沖信號(hào)，利用電子示波器觀察到的trr值，即是從I=0的時(shí)刻到IR=Irr時(shí)刻所經(jīng)歷的時(shí)間。當(dāng)IRM為一定時(shí)，反向恢復(fù)電荷愈小，反向恢復(fù)時(shí)間就愈短。
2019-10-11 13:08:35
二極管反向恢復(fù)時(shí)間及簡(jiǎn)易測(cè)試在開(kāi)關(guān)電路中應(yīng)用的二極管，反向恢復(fù)時(shí)間是一個(gè)主要參數(shù)。用圖示儀器直接觀察特性曲錢(qián)是理想的測(cè)試方法，但需要專(zhuān)用測(cè)試設(shè)備。本文闡述了二
2008-11-19 18:09:16
116 :本文簡(jiǎn)要地介紹了超快速二極的性能管對(duì)電力電子電路的影響和現(xiàn)代功率變換對(duì)超快速二極管反向恢復(fù)特性的要求，超快速二極管的反向恢復(fù)參數(shù)與使用條件的關(guān)系和一些最新超快
2009-10-19 10:24:0939 測(cè)量功率二極管的反向恢復(fù)時(shí)間簡(jiǎn)單有效方法
在互聯(lián)網(wǎng)上很少看到測(cè)量二極管的反向恢復(fù)時(shí)間(trr and Irr)簡(jiǎn)單有效方法。一些在網(wǎng)上提供的方法,或者需要特別的
2009-11-11 09:48:31101 超快速二極管的反向恢復(fù)特性摘要:本文簡(jiǎn)要地介紹了超快速二極的性能管對(duì)電力電子電路的影響和現(xiàn)代功率變換對(duì)超快速二極管反向恢復(fù)特性的要求，超快速
2009-11-11 11:22:4819 恒流工作模式和脈沖恒流工作模式， 測(cè)試二極管反向恢復(fù)時(shí)間穩(wěn)定可靠。 二 應(yīng)用范圍 高速信號(hào)二極管 三 測(cè)量原理 它包括下降
2023-07-11 11:43:47
一 概述DI-1000D 是在 DI-1000的基礎(chǔ)上進(jìn)一步改進(jìn)的二極管反向恢復(fù)測(cè)試儀，相比較DI-1000，它配備的電腦，可通過(guò)電腦設(shè)定 di/dt,If，等參數(shù)，它可以自動(dòng)測(cè)試二極管，工作最高
2023-10-16 14:52:16
日前，東芝開(kāi)發(fā)了提高內(nèi)置二極管恢復(fù)特性的構(gòu)造MOSFET“DTMOS”，并將于5-14日至16日在PCM 2013大會(huì)上展示。據(jù)悉，該產(chǎn)品耐壓為600V，縮短了內(nèi)置二極管反向恢復(fù)時(shí)間。
2013-05-20 11:40:331122 ，仿真時(shí)將端口激勵(lì)文件轉(zhuǎn)換成對(duì)應(yīng)于驗(yàn)證電路端口的時(shí)序信號(hào)。通過(guò)對(duì)通用同步／異步串行接收／發(fā)送器、中斷及定時(shí)器等功能模塊的驗(yàn)證，證明了激勵(lì)發(fā)生機(jī)制具有較強(qiáng)的可觀察性、可控制性及可重用性。驗(yàn)證結(jié)果分析表明，在驗(yàn)證
2017-11-28 17:43:390 測(cè)試二極管的反向恢復(fù)特性一般都需要復(fù)雜的測(cè)試設(shè)備。必須能夠建立正向?qū)l件、正向閉鎖狀態(tài)、及兩者間的過(guò)渡。還需要有一種從所得到的波形中提取特征的手段?？偠灾?，這并不是一項(xiàng)很簡(jiǎn)單的例行操，作應(yīng)由專(zhuān)業(yè)人員來(lái)完成這項(xiàng)復(fù)雜的工作。這個(gè)事實(shí)說(shuō)明了工程師們?yōu)槭裁赐ǔ６紩?huì)依賴(lài)于公布的數(shù)據(jù)。
2020-08-03 08:49:545431 
通過(guò)雙脈沖測(cè)試評(píng)估 MOSFET 的反向恢復(fù)特性我們開(kāi)設(shè)了 Si 功率元器件的新篇章——“評(píng)估篇”。在“通過(guò)雙脈沖測(cè)試評(píng)估 MOSFET 的反向恢復(fù)特性”中，我們將通過(guò)雙脈沖測(cè)試來(lái)評(píng)估 MOSFET 體二極管的反向恢復(fù)特性，并確認(rèn) MOSFET 損耗情況。
2020-12-28 06:00:0024 ，它有普通整流二極管、快恢復(fù)二極管、超快恢復(fù)二極管、肖特基二極管等。那么什么是二極管的反向恢復(fù)時(shí)間呢？它和結(jié)電容之間有什么關(guān)系呢？下面列舉常用二極管的反向恢復(fù)時(shí)間： 普通二極管：反向恢復(fù)時(shí)間一般 500ns以上； 快恢復(fù)二極管：反向
2021-09-22 15:07:0339425 
快恢復(fù)二極管工作原理及特點(diǎn)作用快恢復(fù)二極管（簡(jiǎn)稱(chēng)FRD）是一種具有開(kāi)關(guān)特性好、反向恢復(fù)時(shí)間短特點(diǎn)的半導(dǎo)體二極管，主要應(yīng)用于開(kāi)關(guān)電源、PWM脈寬調(diào)制器、變頻器等電子電路中，作為高頻整流二極管、續(xù)流
2021-11-07 13:35:5929 更加深入的了解時(shí)，這個(gè)波形變得復(fù)雜了很多。不斷困擾開(kāi)關(guān)轉(zhuǎn)換器的一個(gè)特別明顯的非理想狀態(tài)就是同步降壓或升壓轉(zhuǎn)換器內(nèi)所使用的MOSFET體二極管的反向恢復(fù)。氮化鎵—GaN器件不會(huì)表現(xiàn)出反向恢復(fù)特性，并因此
2021-11-10 09:40:226883 
二極管從正向?qū)ǖ浇刂褂幸粋€(gè)反向恢復(fù)過(guò)程
2022-02-09 11:34:043 內(nèi)部二極管的trr特性。 01?反向恢復(fù)時(shí)間trr對(duì)逆變器電路的影響 在逆變器電路中，開(kāi)關(guān)器件的反向恢復(fù)時(shí)間trr（Reverse recovery time）特性對(duì)損耗的影響很大。在這里，我們將使
2022-08-13 22:50:203175 
650 V SUPERFET III FRFET 新型快速反向恢復(fù)超結(jié) MOSFET，適用于高效率和可靠的電動(dòng)汽車(chē)充電應(yīng)用
2022-11-15 20:17:570 我們開(kāi)設(shè)了Si功率元器件的新篇章——“評(píng)估篇”。在“通過(guò)雙脈沖測(cè)試評(píng)估MOSFET的反向恢復(fù)特性”中，我們將通過(guò)雙脈沖測(cè)試來(lái)評(píng)估MOSFET體二極管的反向恢復(fù)特性，并確認(rèn)MOSFET損耗情況。
2023-02-10 09:41:084173 
本文我們將根據(jù)使用了幾種MOSFET的雙脈沖測(cè)試結(jié)果，來(lái)探討MOSFET的反向恢復(fù)特性。該評(píng)估中的試驗(yàn)電路將使用上一篇文章中給出的基本電路圖。另外，相應(yīng)的確認(rèn)工作也基于上次內(nèi)容，因此請(qǐng)結(jié)合上一篇文章的內(nèi)容來(lái)閱讀本文。
2023-02-10 09:41:081904 
在“通過(guò)雙脈沖測(cè)試評(píng)估MOSFET的反向恢復(fù)特性”中，重點(diǎn)關(guān)注了由于逆變器電路、Totem Pole型功率因數(shù)校正（PFC）電路等是兩個(gè)MOSFET串聯(lián)連接的橋式電路，因此存在因上下橋臂的直通電流導(dǎo)致導(dǎo)通損耗增加的現(xiàn)象。
2023-02-13 09:30:043939 
本文的關(guān)鍵要點(diǎn)?在LLC轉(zhuǎn)換器中，如果偏離預(yù)期的諧振條件，MOSFET體二極管的反向恢復(fù)電流會(huì)引發(fā)直通電流，這可能會(huì)造成開(kāi)關(guān)損耗增加，最壞的情況下可能會(huì)導(dǎo)致MOSFET損壞。
2023-02-13 09:30:142429 
面對(duì)SiC-SBD和Si-PND的特征進(jìn)行了比較。接下來(lái)比較SiC-SBD和Si-PND的反向恢復(fù)特性。反向恢復(fù)特性是二極管、特別是高速型二極管的基本且重要的參數(shù)，所以不僅要比較trr的數(shù)值，還要理解其波形和溫度特性，這樣有助于有效使用二極管。
2023-02-22 09:17:07986 
（一）IGBT雙脈沖測(cè)試的意義 對(duì)比不同IGBT的參數(shù)及性能； 獲取IGBT開(kāi)通和關(guān)斷過(guò)程的參數(shù)； 評(píng)估驅(qū)動(dòng)電阻是否合適； 開(kāi)通和關(guān)斷過(guò)程是否有不合適的震蕩； 評(píng)估二極管的反向恢復(fù)行為和安全裕量
2023-02-22 15:07:1519 反向恢復(fù)時(shí)間（trr）：正向二極管電流衰減為零后，由于兩層中存在存儲(chǔ)電荷，二極管繼續(xù)反向導(dǎo)通。反向流動(dòng)的時(shí)間稱(chēng)為反向恢復(fù)時(shí)間（trr）。二極管保持其阻斷能力，直到反向恢復(fù)電流衰減為零。
2023-02-23 15:50:308887 
內(nèi)部二極管的trr特性。01 ? 反向恢復(fù)時(shí)間trr對(duì)逆變器電路的影響 在逆變器電路中，開(kāi)關(guān)器件的反向恢復(fù)時(shí)間trr（Reverse recovery time）特性對(duì)損耗的影響很大。在這里，我們將使用唯
2023-03-03 09:59:130 當(dāng)我們對(duì)于用實(shí)際組件來(lái)實(shí)現(xiàn)轉(zhuǎn)換器有更加深入的了解時(shí)，這個(gè)波形變得復(fù)雜了很多。不斷困擾開(kāi)關(guān)轉(zhuǎn)換器的一個(gè)特別明顯的非理想狀態(tài)就是同步降壓或升壓轉(zhuǎn)換器內(nèi)所使用的MOSFET體二極管的反向恢復(fù)。氮化鎵
2023-04-15 09:15:125736 
肖特基二極管的反向恢復(fù)時(shí)間表示的是從正向?qū)顟B(tài)切換到反向截止?fàn)顟B(tài)時(shí)所需的時(shí)間。它是指當(dāng)肖特基二極管從正向?qū)ǖ?b class="flag-6" style="color: red">反向截止時(shí)，電流停止流動(dòng)，并且由于電荷存儲(chǔ)效應(yīng)而需要一定的時(shí)間才能完全恢復(fù)到截止?fàn)顟B(tài)的時(shí)間。
肖特基二極管是一種特殊構(gòu)造的二極管，具有快速開(kāi)關(guān)速度和低反向恢復(fù)時(shí)間的特點(diǎn)。
2023-08-24 15:45:115895 并不能像理想二極管那樣完美的工作，它在正向偏置電壓瞬間變?yōu)?b class="flag-6" style="color: red">反向偏置電壓的時(shí)候，并不能立刻恢復(fù)到截止?fàn)顟B(tài)，這里存在一個(gè)逐漸轉(zhuǎn)變的過(guò)程，這個(gè)過(guò)程我們稱(chēng)之為反向恢復(fù)過(guò)程。 反向恢復(fù)過(guò)程 通常我們把二極管從正向?qū)ㄞD(zhuǎn)為反
2023-11-01 16:48:032295 
【科普小貼士】肖特基勢(shì)壘二極管（SBD）的反向恢復(fù)特性
2023-12-13 14:42:082109 
器件損壞。為了保護(hù)二極管不受反向擊穿的影響，可以使用二極管反向恢復(fù)電路。 二極管反向恢復(fù)電路是一種用于減小反向恢復(fù)電流的電路，通常由二極管和電感器構(gòu)成。當(dāng)二極管處于正向?qū)顟B(tài)時(shí)，電感器存儲(chǔ)了能量；當(dāng)二極管從導(dǎo)
2023-12-18 11:23:574138 領(lǐng)域。本文將詳細(xì)介紹信號(hào)發(fā)生器如何設(shè)置雙窄脈沖同步輸出，包括步驟、原理和注意事項(xiàng)。 第一部分：背景介紹 在電子設(shè)備的測(cè)試和測(cè)量中，通過(guò)設(shè)置雙窄脈沖同步輸出可以模擬各種特定的輸入信號(hào)，進(jìn)行性能評(píng)估和功能測(cè)試。信號(hào)
2023-12-21 14:13:312544 反向恢復(fù)過(guò)程。 反向恢復(fù)過(guò)程是指當(dāng)二極管的正向電壓減小到零或反向電壓增加到零時(shí)，電流不能立即停止流動(dòng)，而是經(jīng)過(guò)一個(gè)反向電流的過(guò)程。這個(gè)過(guò)程通常包括兩個(gè)階段：反向恢復(fù)時(shí)間和存儲(chǔ)時(shí)間。 反向恢復(fù)時(shí)間（Recovery Time）：反
2024-01-12 17:06:116950 
二極管的反向恢復(fù)時(shí)間（Reverse Recovery Time）是衡量其從導(dǎo)通狀態(tài)切換到截止?fàn)顟B(tài)時(shí)性能的一個(gè)重要參數(shù)。 反向恢復(fù)時(shí)間是指二極管從正向?qū)顟B(tài)切換到反向截止?fàn)顟B(tài)時(shí)，反向電流下降到其
2024-01-31 15:15:478266 
雙脈沖測(cè)試的基本原理是什么？雙脈沖測(cè)試可以獲得器件哪些真實(shí)參數(shù)？ 雙脈沖測(cè)試是一種常用的測(cè)試方法，用于測(cè)量和評(píng)估各種器件的性能和特性。它基于一種簡(jiǎn)單而有效的原理，通過(guò)發(fā)送兩個(gè)脈沖信號(hào)并分析其響應(yīng)來(lái)
2024-02-18 09:29:233717 ），并測(cè)量其響應(yīng)來(lái)工作。 雙脈沖測(cè)試是一種專(zhuān)門(mén)用于評(píng)估功率開(kāi)關(guān)元件，如MOSFET和IGBT的開(kāi)關(guān)特性及與之并聯(lián)的體二極管或快速恢復(fù)二極管（FRD）的反向恢復(fù)特性的測(cè)試方法。這種測(cè)試特別適用于分析在導(dǎo)通過(guò)程中由于反向恢復(fù)現(xiàn)象而產(chǎn)生損耗的電路。 通過(guò)施加兩連
2024-02-23 15:56:2710453 
對(duì)于經(jīng)驗(yàn)豐富的專(zhuān)業(yè)人士來(lái)說(shuō)，不言而喻的事情有時(shí)可能會(huì)給經(jīng)驗(yàn)不足的人帶來(lái)誤解。作為測(cè)試設(shè)備制造商，我們意識(shí)到用戶(hù)對(duì)雙脈沖測(cè)試有不同的看法。
2024-03-11 14:39:002371 
二極管反向恢復(fù)是二極管在特定操作條件下展現(xiàn)出的一個(gè)重要特性，它涉及到二極管從正向?qū)顟B(tài)轉(zhuǎn)換到反向偏置狀態(tài)（或相反過(guò)程）時(shí)的動(dòng)態(tài)行為。以下是對(duì)二極管反向恢復(fù)的定義、原理以及相關(guān)特性的詳細(xì)闡述。
2024-09-10 15:31:424644 二極管反向恢復(fù)的頻率響應(yīng)是一個(gè)涉及二極管在高頻操作條件下性能的重要概念。它主要描述了二極管在經(jīng)歷從正向?qū)顟B(tài)到反向偏置狀態(tài)（或相反過(guò)程）時(shí)，其電流和電壓變化對(duì)頻率的依賴(lài)關(guān)系。以下是對(duì)二極管反向恢復(fù)頻率響應(yīng)的詳細(xì)闡述。
2024-09-13 16:31:301437 圍繞 SiC 和 GaN MOSFET 構(gòu)建的新型電源轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)需要精心設(shè)計(jì)和測(cè)試以?xún)?yōu)化性能。 雙脈沖測(cè)試 (DPT) 可有效測(cè)量開(kāi)啟、關(guān)閉和反向恢復(fù)期間的一系列重要參數(shù)。設(shè)置和執(zhí)行這些測(cè)量可以手動(dòng)
2024-09-30 08:57:34951 
二極管作為一種重要的半導(dǎo)體器件，在電子電路中扮演著至關(guān)重要的角色。然而，在二極管的實(shí)際應(yīng)用中，反向恢復(fù)損耗是一個(gè)不容忽視的問(wèn)題。本文將對(duì)二極管的反向恢復(fù)損耗進(jìn)行詳細(xì)探討，包括其定義、產(chǎn)生機(jī)理、計(jì)算方法以及降低損耗的措施等方面。
2024-10-12 16:53:545158 功率二極管的反向恢復(fù)現(xiàn)象是電力電子領(lǐng)域中一個(gè)至關(guān)重要的概念，它涉及到二極管在正向?qū)顟B(tài)與反向偏置狀態(tài)之間轉(zhuǎn)換時(shí)的動(dòng)態(tài)行為。以下是關(guān)于功率二極管的反向恢復(fù)現(xiàn)象的詳細(xì)闡述，包括其定義、原理、特性、影響以及應(yīng)用等。
2024-10-15 17:57:453274 高效率二極管在電力電子和開(kāi)關(guān)電源中扮演著關(guān)鍵角色，它們通過(guò)提供快速的開(kāi)關(guān)速度和低導(dǎo)通壓降，顯著提升電源系統(tǒng)的效率。在相同負(fù)載條件下，不同二極管反向恢復(fù)時(shí)間的表現(xiàn)可能會(huì)有所不同，影響開(kāi)關(guān)頻率、系統(tǒng)效率
2024-12-23 11:11:251567 
現(xiàn)代集成電路中MOSFET的體二極管的反向恢復(fù)特性對(duì)系統(tǒng)安全具有重要影響，本文探討了Diode的反向恢復(fù)特性的機(jī)理和模型原理。 ? 半橋、全橋和 LLC 的電源系統(tǒng)以及電機(jī)控制系統(tǒng)的主功率
2025-01-03 10:36:292015 
在電子電路中，二極管是一種基本的半導(dǎo)體器件，用于整流、穩(wěn)壓、信號(hào)調(diào)制等多種應(yīng)用。二極管的
反向恢復(fù)時(shí)間是衡量其在高頻開(kāi)關(guān)應(yīng)用中性能的關(guān)鍵參數(shù)。 一、
反向恢復(fù)時(shí)間的定義 當(dāng)二極管從正向?qū)顟B(tài)突然變?yōu)?/div>
2025-02-07 09:34:432589 在開(kāi)關(guān)電源、高頻整流和逆變器等電路中，二極管的反向恢復(fù)時(shí)間直接關(guān)系到系統(tǒng)效率、EMI表現(xiàn)甚至可靠性。合科泰通過(guò)芯片設(shè)計(jì)與工藝創(chuàng)新，為市場(chǎng)提供了反向恢復(fù)時(shí)間性能優(yōu)異的二極管產(chǎn)品。那么，什么是二極管的反向恢復(fù)時(shí)間?它會(huì)產(chǎn)生哪些影響?合科泰又是如何應(yīng)對(duì)這一問(wèn)題的呢?
2025-09-22 11:00:341021 已全部加載完成
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