氮化鎵（GaN）是一種寬帶隙半導(dǎo)體材料，在上世紀(jì)90年代已經(jīng)有了氮化鎵的應(yīng)用，多年來氮化鎵已經(jīng)成為全球半導(dǎo)體研究的熱點(diǎn)，被稱為第三代半導(dǎo)體，它具有更高的擊穿強(qiáng)度、更快的開關(guān)速度、更高的熱導(dǎo)率和更低的導(dǎo)通電阻，因此可以減少損耗，減少熱量，提供高效率和節(jié)能，使得組件的體積可以更為精簡(jiǎn)，正因?yàn)槿绱?，氮化鎵技術(shù)的應(yīng)用正在增加。

　　在新一代電力電子產(chǎn)品的制造過程中，如果使用氮化鎵，它的尺寸會(huì)比原來的硅材料更小，運(yùn)行速度更快，效率更高。這可以減少電力電子部件的質(zhì)量、體積和便攜性，并且還可以增加電力電子部件使用壽命，從而降低壽命周期成本。GaN技術(shù)的支持允許器件在更高的溫度、電壓和頻率下工作，從而允許電子器件使用更少的能量實(shí)現(xiàn)更高的性能。

　　充電器也是GaN技術(shù)的一個(gè)主要應(yīng)用方面。氮化鎵技術(shù)的快速開關(guān)優(yōu)勢(shì)增加了充電器的開關(guān)頻率，減少了變壓器體積，降低了設(shè)備的散熱要求，從而顯著降低了充電器的體積，使充電器具有更大的輸出功率和更多的輸出接口，深得消費(fèi)者的喜愛。與普通充電器不同，由于點(diǎn)煙器接口的尺寸限制，汽車充電器通常無法更大，如果使用傳統(tǒng)的電源設(shè)備，輸出功率很難進(jìn)一步提高。然而，氮化鎵功率器件在汽車充電產(chǎn)品中的應(yīng)用可以增加輸出功率并保持原始體積不變。

　　GaN充電器的優(yōu)點(diǎn)和缺點(diǎn)：

　　優(yōu)點(diǎn)：體積小，安全

　　與普通半導(dǎo)體的硅材料相比，氮化鎵具有更寬的帶隙和良好的導(dǎo)熱性，可以匹配更小的變壓器和大功率電感器，因此氮化鎵充電器具有體積小、效率高和安全的優(yōu)點(diǎn)。最近的旗艦手機(jī)平板電腦為了實(shí)現(xiàn)更快的充電速度，充電器功率相對(duì)較大，40W50W充電器非常常見。更多的充電功率意味著充電器的尺寸也越來越大，發(fā)熱嚴(yán)重。

　　通過切換到GaN技術(shù)，充電器可以大大減小尺寸并非常便攜，而GaN充電器也可以保持高效和低溫操作，以獲得更好的安全性。

　　缺點(diǎn)：成本高

　　GaN充電器的主要缺點(diǎn)是成本高。氮化鎵作為一種新的第三代化合物，其合成環(huán)境要求非常高，從制造工藝來看，氮化鎵沒有液態(tài)，不能使用傳統(tǒng)的單晶硅直接提拉法來提拉單晶，純通過氣體反應(yīng)合成，在氨氣流超過1000度時(shí)加熱鎵金屬半小時(shí)形成粉末狀氮化鎵，因此氮化鎵充電器的成本更高，相應(yīng)的市場(chǎng)上氮化鎵充電器價(jià)格也高于傳統(tǒng)充電器。

　　GaN器件現(xiàn)在常用于GaN高電子遷移率晶體管（HEMT）中以構(gòu)建放大器電路。大多數(shù)GaN HEMT用于功率放大應(yīng)用。然而，GaN HEMT和其他晶體管變體也可以用于低噪聲和寬帶放大器。如今，GaN開關(guān)和二極管也變得越來越常見，通常可以用來替代砷化鎵（GaAs）、硅（Si）、硅鍺（SiGe）或磷化銦（InP）器件。

　　綜合NXP和綠聯(lián)整合

　　審核編輯：郭婷