繼上一篇屏蔽柵MOSFET技術(shù)簡介后，我們這次介紹下GaN HEMT器件。GaN 半導體材料是一種由鎵元素與氮元素組成的Ⅲ-Ⅴ族化合物半導體，在消費電子領(lǐng)域，特別是快速充電器產(chǎn)品的成功商用，昭示了其成熟的市場地位與廣闊應(yīng)用前景。
2025-09-02 17:18:33
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GaN（氮化鎵）器件由于具有諸如高開關(guān)速度，更高的功率密度和效率之類的能力而在設(shè)計電源轉(zhuǎn)換器時變得越來越流行[2]，[3]，但是GaN器件的一個缺點是電流損耗會導致電流崩潰。器件關(guān)閉和熱電子
2021-03-22 12:42:2312951 
摘要 在本文中，我們研究了測試晶圓和PERC太陽能電池的不同工業(yè)適用清洗順序，并與實驗室類型的RCA清洗進行了比較。清潔順序pSC1、HF/HCl、HF/O3和HF/O3顯示出1 ms至2 ms之間
2021-12-31 09:45:552170 
已經(jīng)為基于 GaN 的高電子遷移率晶體管 （HEMT）的增強模式開發(fā)了兩種不同的結(jié)構(gòu)。這兩種模式是金屬-絕緣體-半導體 （MIS） 結(jié)構(gòu)，2具有由電壓驅(qū)動的低柵極漏電流，以及柵極注入晶體管 （GIT
2022-07-25 08:05:315216 
基于氮化鎵 (GaN) 的高電子遷移率晶體管 (HEMT) 器件具有出色的電氣特性，是高壓和高開關(guān)頻率電機控制應(yīng)用中 MOSFET 和 IGBT 的有效替代品。我們在這里的討論集中在 GaN HEMT 晶體管在高功率密度電動機應(yīng)用的功率和逆變器階段提供的優(yōu)勢。
2022-07-27 14:03:562999 
使用較低的Rds（on）可以降低傳導損耗，而使用GaN可以減小芯片尺寸并降低動態(tài)損耗。當GaN與鋁基異質(zhì)結(jié)構(gòu)結(jié)合時形成二維電子氣體（2DEG）的能力導致了備受青睞的高電子遷移率晶體管（HEMT）功率器件
2023-11-06 09:39:2914900 
Teledyne e2v HiRel為其基于GaN Systems技術(shù)的650伏行業(yè)領(lǐng)先高功率產(chǎn)品系列新增兩款耐用型GaN功率HEMT（高電子遷移率晶體管）。 這兩款全新大功率HEMT
2021-01-09 11:14:213627 電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/梁浩斌）在我們談?wù)摰谌雽w的時候，常說的碳化硅功率器件一般是指代SiC MOSFET（金屬-氧化物半導體場效應(yīng)晶體管），而氮化鎵功率器件最普遍的則是GaN HEMT（高電子
2023-12-27 09:11:366224 的垂直GaN HEMT功率器件技術(shù)。 ? 致能半導體全球首次在硅襯底上實現(xiàn)了垂直的GaN/AlGaN結(jié)構(gòu)生長和垂直的二維電子氣溝道(2DEG)。以此為基礎(chǔ)，致能實現(xiàn)了全球首個具有垂直2DEG的常開器件(D-mode HEMT)和全球首個垂直常關(guān)器件(E-mode HEMT)。通過去除生長用硅襯底并在
2025-07-22 07:46:004783 
GaN功率轉(zhuǎn)換器件的文件，但它僅建立了測試這些器件的開關(guān)可靠性的方法。 硅MOSFET與氮化鎵HEMT的開關(guān)特性。圖片由富士通提供克萊斯勒，福特和通用汽車在1990年代成立了汽車電子協(xié)會（AEC），以
2020-09-23 10:46:20
電機設(shè)計中對于GaN HEMT的使用GaN HEMT的電氣特性使得工程師們選擇它來設(shè)計更加緊湊、承受高壓和高頻的電動機，綜上所述這類器件有如下優(yōu)點：較高的擊穿電壓，允許使用更高（大于1000V
2019-07-16 00:27:49
。每個階段都會對效率產(chǎn)生影響。這里，通過實現(xiàn)不同的電路拓撲和較少的階段來提高電力系統(tǒng)的效率。圖2顯示了這個問題的解決方案。PFC級拓撲結(jié)構(gòu)隨著可以在更高電壓和更高速度下工作的GaN晶體管而改變。較高
2017-05-03 10:41:53
以及Class D半橋逆變測試，配套測試設(shè)備可實現(xiàn)對系統(tǒng)的效率監(jiān)測以及GaN器件的溫度監(jiān)測。測試平臺的電路原理圖如圖2所示，對應(yīng)系統(tǒng)的實物圖如圖3所示，該測試平臺的驅(qū)動IC為Si8274，利用驅(qū)動IC
2023-06-25 15:59:21
進展[1~ 3] ，在國外工作于綠光到紫光可見光區(qū)內(nèi)的GaN LED 早已實現(xiàn)了商業(yè)化[2]；國內(nèi)多家單位成功制作了藍色發(fā)光二極管，并初步實現(xiàn)了產(chǎn)業(yè)化[3]。而眾多的研究[4~ 14] 表明，GaN
2019-06-25 07:41:00
` 本帖最后由 射頻技術(shù) 于 2021-4-8 09:16 編輯
Wolfspeed的CG2H80015D是氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT）。GaN具有比硅或砷化鎵更高的性能，包括
2021-04-07 14:31:00
安路 SALEAGLE? （以下簡稱 AL3）系列 FPGA 有 5 個器件，定位低成本、低功耗可編程市場。AL3 器件旨在用于大批量，成本敏感的應(yīng)用，使系統(tǒng)設(shè)計師在降低成本的同時又能夠滿足不斷增長
2022-10-27 07:58:23
SGK5872-20A
類別：GaN 產(chǎn)品 > 用于無線電鏈路和衛(wèi)星通信的 GaN HEMT
外形/封裝代碼：I2C
功能：C 波段內(nèi)部匹配 GaN-HEMT
高輸出功率：P5dB
2025-06-16 16:18:36
Qorvo 的 T2G6001528-Q3 是 15 W (P3dB) 寬帶無與倫比的分立式 GaN on SiC HEMT，可在直流至 6 GHz 和 28V 電源軌范圍內(nèi)運行。該器件采用行業(yè)標準
2021-08-04 11:50:58
和 AlGaN。AlGaN 材料對于紫外 (UV) 發(fā)射器和高電子遷移率晶體管 (HEMT) 結(jié)構(gòu)很重要，因此已經(jīng)在整個 Al 成分范圍內(nèi)研究了 AlGaN 光學特性。InGaN材料（In含量< 50
2021-07-08 13:08:32
介微波陶瓷主要是以AL2O3和AIN的應(yīng)用，低介微波陶瓷基覆銅板用絕緣散熱材料的理想性能是既要導熱性能好，散熱好，還要在高頻微波作用下產(chǎn)生損耗盡量小。BeO陶瓷是目前陶瓷基覆銅板中絕緣散熱的絕佳材料
2017-09-19 16:32:06
諸多應(yīng)用難點，極高的開關(guān)速度容易引發(fā)振蕩，過電流和過電壓導致器件在高電壓場合下容易失效[2]。 GaN HEMT 的開通門限電壓和極限柵源電壓均明顯低于 MOS鄄FET，在橋式拓撲的應(yīng)用中容易發(fā)生誤
2023-09-18 07:27:50
在過去的十多年里，行業(yè)專家和分析人士一直在預(yù)測，基于氮化鎵(GaN)功率開關(guān)器件的黃金時期即將到來。與應(yīng)用廣泛的MOSFET硅功率器件相比，基于GaN的功率器件具有更高的效率和更強的功耗處理能力
2019-06-21 08:27:30
大家好！我是ADS的新手。我需要CREE GaN HEMT，這在我的版本（ADS 2013）中沒有。請?zhí)崆皫椭?，謝謝。 以上來自于谷歌翻譯 以下為原文Hello everyone! i am
2018-11-13 10:21:37
/BCB)上制作了CPW結(jié)構(gòu)的傳輸線,通過仿真、測量、比較和分析其傳輸損耗特性得出Si/Al2O3/BCB多層薄膜復(fù)合結(jié)構(gòu)襯底有效地降低了普通硅襯底的高頻損耗(20GHz時CPW傳輸線的損耗為1.18dB
2010-04-24 09:02:35
您好，有人能告訴我如何在原理圖窗口中添加GaN器件，因為當我在ADS的原理圖窗口中搜索它時，它只顯示GaAs，JFET和BJT器件。我想做一個功率放大器模擬，我需要一個GaN器件。請?zhí)岢瞿愕慕ㄗh
2019-01-17 15:55:31
受益于集成器件保護，直接驅(qū)動GaN器件可實現(xiàn)更高的開關(guān)電源效率和更佳的系統(tǒng)級可靠性。高電壓（600V）氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT）的開關(guān)特性可實現(xiàn)提高開關(guān)模式電源效率和密度的新型
2020-10-27 06:43:42
鋰電池用納米氧化鋁（Al2O3 VK-L30D）在鋰離子電池充放電過程中，鋰離子在正負極材料中反復(fù)嵌入與脫嵌，使LiCo02活性材料的結(jié)構(gòu)在多次收縮和膨脹后發(fā)生改變，同時導致LiCoO2發(fā)生層間
2014-05-12 13:44:47
普通型氧化鋁陶瓷系按Al2O3含量不同分為99瓷、95瓷、90瓷、85瓷等品種，有時Al2O3含量在80％或75％者也劃為斯利通普通氧化鋁陶瓷系列。
2019-06-20 17:09:31
單晶α-Al2O3、MgO、YSZ和TiO2在室溫下分別注入Ni＋和Zn＋離子，然后在氧化氣氛中退火，以形成金屬及其氧化物納米晶。形成的納米復(fù)合結(jié)構(gòu)分別采用X射線光電子能譜(XPS)表征各元素
2009-05-12 21:40:20
23 通過對陽極氧化多孔Al2O3 薄膜感濕材料的制備工藝及其電容濕敏特性進行研究,將陽極氧化參數(shù)對多孔Al2O3 薄膜的結(jié)構(gòu)和形態(tài)的影響與多孔Al2O3 薄膜作為濕度傳感器感濕材料的濕敏特
2009-06-22 11:24:5013 藍寶石（Al2O3）,硅 (Si),碳化硅（SiC）LED襯底材料的選用比較
對于制作LED芯片來說，襯底材料的選用是首要考慮的問題。應(yīng)該采用
2009-11-17 09:39:205804 金屬氧化物膜濕敏元件的結(jié)構(gòu)及特點
Fe2O3、Fe3O4、Cr2O3、Al2O3、Mg2O3及ZnO、TiO2，等金屬氧化物的細粉，吸收水分后有極快的速干特性，
2009-11-30 09:37:521267 MIS器件,MIS器件是什么意思
以SiO2為柵介質(zhì)時，叫MOS器件，這是最常使用的器件形式。歷史上也出現(xiàn)過以Al2O3為柵介質(zhì)的MAS器件和以Si3N4
2010-03-04 16:01:241641 什么是MIS
金屬－絕緣體－半導體（簡寫為 MIS）系統(tǒng)的三層結(jié)構(gòu)如圖1所示。如絕緣層采用氧化物,則稱為金屬-氧化物-半導體(簡寫為MOS)
2010-03-04 16:04:269021 Toshiba推出C-BAND SATCOM應(yīng)用的高增益50W GaN HEMT功率放大器，東芝美國電子元器件公司推出其功率放大器產(chǎn)品系列中的50W C頻段氮化鎵(GaN)半導體高電子遷移晶體管(HEMT)。
Toshiba 的
2010-06-10 10:47:332406 Fe2O3、Fe3O4、Cr2O3、Al2O3、Mg2O3及ZnO、TiO2，等金屬氧化物的細粉，吸收水分后有極快的速干特性，利用這種特性可以研制生產(chǎn)出多種金屬氧化物膜濕敏元件。 &nb
2010-11-25 18:10:032226 油紙絕緣的熱老化特性是影響變壓器壽命的重要因素。為獲得具有優(yōu)良抗熱老化性能的油紙絕緣，在絕緣紙抄造的過程中摻雜納米A1203，通過測試復(fù)合絕緣紙的電氣強度確定最佳摻雜質(zhì)量分數(shù)為2%。將復(fù)合絕緣紙
2018-01-19 14:21:160 松下宣布研發(fā)出新型MIS結(jié)構(gòu)的Si基GaN功率晶體管，可以連續(xù)穩(wěn)定的工作，柵極電壓高達10V，工作電流在20A，擊穿電壓達到730V。
2018-03-15 09:56:087522 
EiceDRIVER。籍此我們梳理了一下GaN功率器件在全球市場、產(chǎn)品應(yīng)用和技術(shù)特性方面的信息，以及英飛凌相關(guān)業(yè)務(wù)和此次量產(chǎn)產(chǎn)品的細節(jié)。
2018-12-06 18:06:215266 據(jù)外媒報道，韓國漢陽大學（Hanyang University）的一組研究人員利用非晶Al2O3實現(xiàn)石墨表面改良（surface modification of graphite），這是一種高效的方式，旨在提升鋰離子電池石墨陽極材料的快充性能表現(xiàn)。
2019-03-25 14:53:551145 LED襯底材料是半導體照明產(chǎn)業(yè)的基礎(chǔ)材料，其決定了半導體照明技術(shù)的發(fā)展路線。目前，能作為LED襯底的材料包括Al2O3、SiC、Si、GaN、GaAs、Zno等，但商用最廣泛的是Al2O3、SiC
2019-07-30 15:14:034226 基于溫度步進應(yīng)力實驗，研究了 AlGaN /GaN HEMT 器件在不同溫度應(yīng)力下的退化規(guī)律及退化機理。實驗發(fā)現(xiàn)： 在結(jié)溫為 139 ～ 200 ℃ 時，AlGaN /GaN HEMT 器件的漏源
2020-06-23 08:00:006 充電、電源開關(guān)、包絡(luò)跟蹤、逆變器、變流器等市場。而按工藝分，GaN器件則分為HEMT、HBT射頻工藝和SBD、 Power FET電力電子器件工藝兩大類。
2020-07-27 10:26:001 本文將 3D 打印技術(shù)與注射成型工藝相結(jié)合用于 Al2O3 陶瓷坯體的快速成型，即采用注射成型的原理制備低粘度、高固相量、穩(wěn)定均勻的熱塑性 Al2O3 陶瓷漿料，通過 FDM 3D 打印成型技術(shù)制備
2020-07-13 08:00:000 的AlGaN/GaN HEMT器件，沿Ga面方向外延生長的結(jié)構(gòu)存在較強的極化效應(yīng)，導致在AlGaN/GaN異質(zhì)結(jié)界面處產(chǎn)生大量的二維電子氣（2DEG），且在零偏壓下肖特基柵極無法耗盡溝道中高濃度的二維電子氣。 當柵極電壓VGS=0時，HEMT溝道中仍有電流通過，需要在柵極施加負偏置耗盡柵極下二維電
2020-09-21 09:53:014378 
在實際應(yīng)用中，為實現(xiàn)失效安全的增強模式（E-mode）操作，科研人員廣泛研究了基于凹槽柵結(jié)構(gòu)的MIS柵、p-GaN regrowth柵增強型GaN HEMT器件。在實際的器件制備過程中，精確控制柵極凹槽刻蝕深度、減小凹槽界面態(tài)密度直接影響器件閾值電壓均勻性
2020-10-09 14:18:5011848 本周《漲知識啦》主要給大家介紹的是MIS（Metal-Insulator-Semiconductor）結(jié)構(gòu)的能帶分布的變化與其電容-電壓特性。 圖 1 ?(a) MIS結(jié)構(gòu)示意圖 ?(b) MIS
2020-12-10 11:09:447845 
，導致嚴重的熱衰退（thermal droop）現(xiàn)象。 根據(jù)我司技術(shù)團隊前期關(guān)于MIS結(jié)構(gòu)的相關(guān)仿真結(jié)果可知，MIS型
2021-12-21 13:55:501150 
氮化鎵高電子遷移率晶體管GaN HEMT(High Electron Mobility Transistors)作為寬禁帶(WBG)功率半導體器件的代表，器件在高頻功率應(yīng)用方面有巨大的潛力。GaN材料相比于 Si 和SiC 具有更高的電子遷移率、飽和電子速度和擊穿電場，如圖1所示。
2022-02-10 15:27:4330174 
作者研究了四個商用 GaN 器件在 400 K 和 4.2 K 之間的寬溫度范圍內(nèi)的性能。據(jù)作者介紹，正如原始文章中所報道的，所有測試的器件都可以在低溫下成功運行，性能整體有所提高。然而，不同的 GaN HEMT 技術(shù)意味著器件柵極控制的顯著變化。
2022-07-25 09:20:281840 
雖然乍一看似乎比較簡單，但這些器件的柵極驅(qū)動器電路需要仔細設(shè)計。首先，通常關(guān)閉的基于 GaN 的 HEMT 需要負電壓來將其關(guān)閉并將其保持在關(guān)閉狀態(tài)，從而避免意外開啟。
2022-07-29 09:27:172427 
已經(jīng)為基于 GaN 的高電子遷移率晶體管(HEMT)的增強模式開發(fā)了兩種不同的結(jié)構(gòu)。這兩種模式是金屬-絕緣體-半導體 (MIS) 結(jié)構(gòu)，2具有由電壓驅(qū)動的低柵極泄漏電流，以及柵極注入晶體管 (GIT
2022-07-29 09:19:442002 ?；诘?(GaN) 的高電子遷移率晶體管 (HEMT) 器件具有卓越的電氣特性，是高壓和高開關(guān)頻率電機控制應(yīng)用中 MOSFET 和 IGBT 的有效替代品。我們在這里的討論集中在 GaN HEMT 晶體管在高功率密度電動機應(yīng)用的功率和逆變器級中提供的優(yōu)勢。
2022-08-08 09:15:481660 
針對熱效應(yīng)機理和熱電模型,我們將著重考慮熱導率和飽和速率隨晶格溫度的變化。由于熱電效應(yīng)最直接的外部反映是就是直流I-V特性,因此這里主要模擬GaN HEMT器件的直流特性曲線。通過編寫 Silvaco程序來模擬 GaN HEMT器件的特性曲線,再與實驗曲線作對比,獲得準確的模型參數(shù)。
2022-09-08 10:44:052995 2,000 cm2/V·s 的 1.3 倍電子遷移率，這意味著與 RDS(ON) 和擊穿電壓相同的硅基器件相比，GaN RF 高電子遷移率晶體管（HEMT）的尺寸要小得多。因此，GaN RF HEMT 的應(yīng)用超出了蜂窩基站和國防雷達范疇，在所有 RF 細分市場中獲得應(yīng)用。
2022-09-19 09:33:213472 氮化鎵高電子遷移率晶體管GaN HEMT(High Electron Mobility Transistors)作為寬禁帶(WBG)功率半導體器件的代表，器件在高頻功率應(yīng)用方面有巨大的潛力。GaN材料相比于 Si 和SiC 具有更高的電子遷移率、飽和電子速度和擊穿電場，如圖1所示。
2022-09-27 10:30:177365 Wolfspeed的CG2H80060D是種氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT）。與硅或砷化鎵相比較，GaN具備優(yōu)異的性能指標；CG2H80060D包含更高的擊穿場強；更高的飽和電子漂移
2022-11-01 09:29:511577 GaN功率HEMT設(shè)計+GaN寬帶功率放大器設(shè)計
2023-01-30 14:17:441435 第三代半導體器件CaN高電子遷移率晶體管（HEMT）具備較高的功率密度，同時具有較強的自熱效應(yīng)，在大功率工作條件下會產(chǎn)生較高的結(jié)溫。根據(jù)半導體器件可靠性理論，器件的工作溫度、性能及可靠性有著極為密切的聯(lián)系，因此準確檢測GaN HEMT的溫度就顯得極為重要。
2023-02-13 09:27:523312 
帶電壓解析模型，然后考慮柵絕緣層和勢壘層界面電荷對兩個模型進行對比，提取出了MIS-HEMT和MOS-HEMT兩種器件的有效界面電荷密度。
2023-02-13 09:33:583244 
C-V測試是研究絕緣柵HEMT器件性能的重要方法，采用Keithley 4200半導體表征系統(tǒng)的CVU模塊測量了肖特基柵和絕緣柵異質(zhì)結(jié)構(gòu)的C-V特性。
2023-02-14 09:17:154987 
關(guān)態(tài)漏電是制約HEMT器件性能提升的重要因素之一，采用絕緣柵HEMT器件結(jié)構(gòu)可以有效減小器件關(guān)態(tài)漏電。圖1給出了S-HEMT、MIS-HEMT、MOS-HEMT三種器件結(jié)構(gòu)的關(guān)態(tài)柵漏電曲線，漏極電壓Vd設(shè)定在0V，反向柵極電壓從0V掃描至-10V，正向柵電壓掃描至5V。
2023-02-14 09:18:546784 
絕緣柵和肖特基柵HEMT器件結(jié)構(gòu)如圖1所示， AlGaN/GaN異質(zhì)結(jié)采用MOCVD技術(shù)在2英寸c面藍寶石襯底上外延得到，由下往上依次為180nm高溫AlN成核層、13μm非摻雜GaN緩沖層、1nm AlN界面插入層、22nm AlGaN勢壘層、及2nm GaN帽層，勢壘層鋁組分設(shè)定為30%。
2023-02-14 09:31:165006 
配對；Beo盡管具備出色的綜合型能，但是其具有很高的產(chǎn)品成本和有毒的缺陷限制它項目研究。因此不論是特性、成本費、環(huán)保規(guī)定方面來講AL2O3和Beo陶瓷早已無法滿足電子器件電力電子器件發(fā)展和要求了，取代它
2023-02-16 14:44:572395 
氮化鎵 ( GaN) 作為第三代半導體材料的典型代表，具有高擊穿電場強度和高熱導率 等優(yōu)異的物理特性，是制作高頻微波器件和大功率電力電子器件的理想材料。GaN 外延材料的 質(zhì)量決定了高電子遷移率
2023-02-20 11:47:223015 氧化鋁有許多同質(zhì)異晶體，例如α-Al2o3、β-Al2o3、γ-Al2o3等，其中以α-Al2o3的穩(wěn)定性較高，其晶體結(jié)構(gòu)緊密、物理性能與化學性能穩(wěn)定，具有密度與機械強度較高的優(yōu)勢，在工業(yè)中的應(yīng)用也較多。
2023-03-22 09:48:571507 氧化鋁有許多同質(zhì)異晶體，例如α-Al2o3、β-Al2o3、γ-Al2o3等，其中以α-Al2o3的穩(wěn)定性較高，其晶體結(jié)構(gòu)緊密、物理性能與化學性能穩(wěn)定，具有密度與機械強度較高的優(yōu)勢，在工業(yè)中的應(yīng)用也較多。
2023-03-30 14:10:222737 BeO為纖鋅礦型結(jié)構(gòu)，單胞為立方晶系。其熱傳導能力極高，BeO質(zhì)量分數(shù)為99%的BeO陶瓷，室溫下其熱導率（熱導系數(shù)）可達310W/(m·K)，為同等純度Al2O3陶瓷熱導率的10倍左右。
2023-04-12 10:48:276971 藍寶石陶瓷基板是一種高硬度、高強度、高熔點的陶瓷材料，其主要成分是氧化鋁（Al2O3）。藍寶石陶瓷基板的制備方法是在高溫高壓下燒結(jié)制成。藍寶石陶瓷基板的晶體結(jié)構(gòu)具有六方晶系，其晶體密度為3.98 g/cm3，熔點為2040℃。
2023-04-25 15:38:041219 
傳統(tǒng)GaN-on-Si功率器件歐姆接觸主要采用Ti/Al/X/Au多層金屬體系，其中X金屬可為Ni，Mo，PT，Ti等。這種傳統(tǒng)有Au歐姆接觸通常采用高溫退火工藝（＞800℃），第1層Ti在常溫下
2023-04-29 16:46:002558 
GaN基功率開關(guān)器件能實現(xiàn)優(yōu)異的電能轉(zhuǎn)換效率和工作頻率，得益于平面型AlGaN/GaN異質(zhì)結(jié)構(gòu)中高濃度、高遷移率的二維電子氣（2DEG）。圖1示出絕緣柵GaN基平面功率開關(guān)的核心器件增強型AlGaN/GaN MIS/MOS-HEMT的基本結(jié)構(gòu)。
2023-04-29 16:50:002554 
藍寶石是一種高硬度、高強度、高熔點的陶瓷材料，其主要成分是氧化鋁（Al2O3）。藍寶石陶瓷基板的制備方法是在高溫高壓下燒結(jié)制成。藍寶石陶瓷基板的晶體結(jié)構(gòu)具有六方晶系，其晶體密度為3.98 g/cm3，熔點為2040℃。
2023-05-05 16:35:281040 
GaN HEMT 為功率放大器設(shè)計者提供了對 LDMOS、GaAs 和 SiC 技術(shù)的許多改進。更有利的特性包括高電壓操作、高擊穿電壓、功率密度高達 8W/mm、fT 高達 25 GHz 和低靜態(tài)
2023-05-24 09:40:013467 
GaN HEMT（高電子遷移率晶體管：High Electron Mobility Transistor）是新一代功率半導體，具有低工作電阻和高抗損性，有望應(yīng)用于大功率和高頻電子設(shè)備。
2023-05-25 15:14:065126 
最重要的器件之一，在功率器件和射頻器件領(lǐng)域擁有廣泛的應(yīng)用前景。HEMT器件通常是在硅(Si)、藍寶石(Al2O3)、碳化硅(SiC)等異質(zhì)襯底上通過金屬有機氣象外延(MOCVD)進行外延制備。由于異質(zhì)
2023-06-14 14:00:554118 
已經(jīng)大規(guī)模生產(chǎn)的應(yīng)用較為廣泛的陶瓷基板主要有：Al2O3、BeO、SiC、AlN、Si3N4等。 ? ? 作為技術(shù)成熟度最高的陶瓷基板材料，Al2O3基板綜合性能較好，目前應(yīng)用最成熟。Al2O3原料豐富、價格低廉，具有良好的絕緣性、化學穩(wěn)定性及與金屬附著
2023-07-17 15:06:164517 速度，能夠顯著提升功率變換器的性能，受到電源工程師的青睞。同時，極快的開關(guān)速度又對其動態(tài)特性的測試提出了更高的要求，稍有不慎就會得到錯誤結(jié)果。 為了能夠?qū)崿F(xiàn)對GaN HEMT功率器件動態(tài)特性進行精準測試，對應(yīng)的測試系統(tǒng)往往需要 注意以下幾
2023-07-17 18:45:022345 
α-Al2O3、β-Al2O3、γ-Al2O3等。其中，α-Al2O3具有較高的穩(wěn)定性。其晶體結(jié)構(gòu)致密，理化性能穩(wěn)定，具有密度和力學性能。高強度的優(yōu)勢在行業(yè)中有更多的應(yīng)用。 氧化鋁陶瓷按氧化鋁純度分類。氧化鋁純度為“99%稱為剛玉瓷，氧化鋁純度為99%、95%和90%的氧化鋁稱為9
2023-08-02 17:02:462485 
寬帶隙GaN基高電子遷移率晶體管(HEMTs)和場效應(yīng)晶體管(fet)能夠提供比傳統(tǒng)Si基高功率器件更高的擊穿電壓和電子遷移率。常關(guān)GaN非常需要HEMT來降低功率并簡化電路和系統(tǒng)架構(gòu)，這是GaN HEMT技術(shù)的主要挑戰(zhàn)之一。凹進的AlGaN/GaN結(jié)構(gòu)是實現(xiàn)常關(guān)操作的有用選擇之一。
2023-10-10 16:21:111555 
很多關(guān)注，由寬禁帶半導體所制備的功率器件可作為具有低導通電阻的高壓開關(guān)，可以取代硅功率器件。此外，寬禁帶異質(zhì)結(jié)場效應(yīng)晶體管具有較高的載流子密度和二維電子氣通道，以及較大的臨界電場強度等物理特性，其中的氮化鎵 (Gallium Nitride, GaN）已被認為可制備極佳的功率開關(guān)。
2023-11-09 11:26:433371 
GaN HEMT為什么不能做成低壓器件? GaN HEMT（氮化鎵高電子遷移率晶體管）是一種迅速嶄露頭角的高頻功率器件，具有很高的電子遷移率、大的電子飽和漂移速度、高的飽和電子流動速度以及較低的電阻
2023-12-07 17:27:201905 報告內(nèi)容包含：
微帶WBG MMIC工藝
GaN HEMT 結(jié)構(gòu)的生長
GaN HEMT 技術(shù)面臨的挑戰(zhàn)
2023-12-14 11:06:58897 
隨著電動汽車（EVs）的銷售量增長，整車OBC（車載充電器）的性能要求日益提高。原始設(shè)備制造商正在尋求最小化這些組件的尺寸和重量以提高車輛續(xù)航里程。因此，我們將探討如何設(shè)計、選擇拓撲結(jié)構(gòu)，以及如何通過GaN HEMT設(shè)備最大化OBCS的功率密度。
2023-12-17 11:30:001866 
晶體管）結(jié)構(gòu)。GaN HEMT由以下主要部分組成： 襯底：氮化鎵功率器件的襯底采用高熱導率的材料，如氮化硅（Si3N4），以提高器件的熱擴散率和散熱能力。 二維電子氣層：氮化鎵襯底上生長一層氮化鎵，形成二維電子氣層。GaN材料的禁帶寬度大，由于
2024-01-09 18:06:416137 氮化鎵具有許多內(nèi)在材料優(yōu)勢，如寬能隙和高電子遷移率。當用作橫向高電子遷移率晶體管(HEMT)器件時，這些特性可用于獲得功率轉(zhuǎn)換性能優(yōu)勢，因為其無反向恢復(fù)損失且電容相對較小。隨著這項技術(shù)在更廣
2024-04-18 11:49:423139 
在本文中，我們將討論氮化鎵 (GaN) HEMT 功率器件中的一個關(guān)鍵參數(shù)，即短路耐受時間 (SCWT)。
2024-05-09 10:43:262002 
和更低的導通電阻，因此在高頻、高功率和高溫應(yīng)用中具有顯著優(yōu)勢。 GaN MOSFET器件結(jié)構(gòu) GaN MOSFET的基本結(jié)構(gòu)包括以下幾個部分： 1.1 襯底：GaN MOSFET通常采用硅或碳化硅作為襯底
2024-07-14 11:39:364189 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《QPD1026L采用SiC HEMT的1300W(PsdB)分立GaN器件管英文手冊.pdf》資料免費下載
2024-07-31 13:24:400 GaN（氮化鎵）晶體管，特別是GaN HEMT（高電子遷移率晶體管），是近年來在電力電子和高頻通信領(lǐng)域受到廣泛關(guān)注的一種新型功率器件。其結(jié)構(gòu)復(fù)雜而精細，融合了多種材料和工藝，以實現(xiàn)高效、高頻率和高功率密度的性能。
2024-08-15 11:01:063440 GaN HEMT（氮化鎵高電子遷移率晶體管）作為一種先進的功率半導體器件，在電力電子、高頻通信、汽車電子等多個領(lǐng)域展現(xiàn)出了顯著的優(yōu)勢，但同時也存在一些缺點。以下是對GaN HEMT優(yōu)缺點的詳細分析：
2024-08-15 11:09:204131 關(guān)于陶瓷材料，美國等西方國家很早便開始了Al2O3陶瓷的研究與應(yīng)用，還開展了Al2O3陶瓷金屬化等領(lǐng)域的研究，這為Al2O3陶瓷在電子封裝領(lǐng)域的應(yīng)用提供了更加完善的技術(shù)支持和更加可靠的應(yīng)用性
2024-10-23 08:03:141646 
硅太陽能電池和組件在光伏市場占主導，但半電池切割產(chǎn)生的新表面會加劇載流子復(fù)合，影響電池效率，邊緣鈍化技術(shù)可解決此問題。Al2O3薄膜穩(wěn)定性高、介電常數(shù)高、折射率低，在光學和光電器件中有應(yīng)用前景，常用
2025-01-13 09:01:392278 
硅基半導體經(jīng)過多年發(fā)展，其性能逐漸接近極限，在進一步降本增效的背景下，第三代寬禁帶半導體氮化鎵功率器件GaN HEMT被寄予厚望。
2025-02-27 09:38:48905 
高速GaN E-HEMT的測量技巧總結(jié) 一、概述 ? 重要性 ?：GaN E-HEMT（氮化鎵增強型高電子遷移率晶體管）具有極高的開關(guān)速度，因此準確的測量技術(shù)對評估其性能至關(guān)重要。 ? 內(nèi)容概覽
2025-02-27 18:06:411062 GaN HEMT的SPICE模型使用指南及示例總結(jié) 本文檔基于GaN HEMT的實測特性描述了當前版本的模型。該模型專為與PSpice和LTspice配合使用而開發(fā)。本文檔首先介紹該模型，然后提供將
2025-03-11 17:43:112142 
IGBT/SiC/GaN HEMT功率芯片/模塊/模組 一、核心器件定義 ? IGBT（絕緣柵雙極型晶體管） ? 電力電子領(lǐng)域核心開關(guān)器件，通過柵極電壓控制導通狀態(tài)： ? 結(jié)構(gòu)特性 ?：融合
2025-05-26 14:37:052286 尺寸小得多、工作頻率高得多的AlN/GaN HEMT。 該團隊的突破涉及原位鈍化和使用選擇性刻蝕工藝添加再生長重摻雜n型接觸。 AlN/GaN HEMT是一類極具前景的晶體管，可用于射頻和功率器件
2025-06-12 15:44:37800 
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