場(chǎng)效應(yīng)管（fet）是電場(chǎng)效應(yīng)控制電流大小的單極型半導(dǎo)體器件。在其輸入端基本不取電流或電流極小，具有輸入阻抗高、噪聲低、熱穩(wěn)定性好、制造工藝簡(jiǎn)單等特點(diǎn)，在大規(guī)模和超大規(guī)模集成電路中被應(yīng)用。

　　FET由各種半導(dǎo)體構(gòu)成，目前硅是最常見(jiàn)的。大部分的FET是由傳統(tǒng)塊體半導(dǎo)體制造技術(shù)制造，使用單晶半導(dǎo)體硅片作為反應(yīng)區(qū)，或者溝道。

　　場(chǎng)效應(yīng)管的測(cè)量方法主要有電壓測(cè)量法、電流測(cè)量法、電阻測(cè)量法、電容測(cè)量法、晶體管特性測(cè)量法等。

　　1、電壓測(cè)量法是通過(guò)測(cè)量晶體管的輸入電壓和輸出電壓來(lái)確定晶體管的特性；

　　2、電流測(cè)量法是通過(guò)測(cè)量晶體管的輸入電流和輸出電流來(lái)確定晶體管的特性；

　　3、電阻測(cè)量法是通過(guò)測(cè)量晶體管的輸入電阻和輸出電阻來(lái)確定晶體管的特性；

　　4、電容測(cè)量法是通過(guò)測(cè)量晶體管的輸入電容和輸出電容來(lái)確定晶體管的特性；

　　5、晶體管特性測(cè)量法是通過(guò)測(cè)量晶體管的靜態(tài)電流比、靜態(tài)電壓比、動(dòng)態(tài)電流比和動(dòng)態(tài)電壓比來(lái)確定晶體管的特性。

　　在使用場(chǎng)效應(yīng)管時(shí)，應(yīng)注意以下幾點(diǎn)：

　　1、應(yīng)確保場(chǎng)效應(yīng)管的工作電壓不超過(guò)其額定電壓；

　　2、應(yīng)確保場(chǎng)效應(yīng)管的工作電流不超過(guò)其額定電流；

　　3、應(yīng)確保場(chǎng)效應(yīng)管的工作溫度不超過(guò)其額定溫度；

　　4、應(yīng)確保場(chǎng)效應(yīng)管的工作環(huán)境溫度不超過(guò)其額定溫度；

　　5、應(yīng)確保場(chǎng)效應(yīng)管的工作環(huán)境濕度不超過(guò)其額定濕度；

　　6、應(yīng)確保場(chǎng)效應(yīng)管的工作環(huán)境沒(méi)有腐蝕性氣體；

　　7、應(yīng)確保場(chǎng)效應(yīng)管的工作環(huán)境沒(méi)有強(qiáng)烈的電磁干擾；

　　8、應(yīng)確保場(chǎng)效應(yīng)管的工作環(huán)境沒(méi)有強(qiáng)烈的熱源。

　　場(chǎng)效應(yīng)管的工作方式有兩種：當(dāng)柵壓為零時(shí)有較大漏極電流的稱為耗盡型；當(dāng)柵壓為零，漏極電流也為零，必須再加一定的柵壓之后才有漏極電流的稱為增強(qiáng)型。

　　審核編輯：郭婷