相比傳統(tǒng)的硅器件，氮化鎵器件的開關(guān)速度要比硅快20倍，體積和重量更小，在一些系統(tǒng)里可以節(jié)能40%以上。同時相比于硅，氮化鎵功率器件的功率密度可以提升3倍，搭配快充方案，同體積下充電速度可以提升3倍
2021-11-26 09:42:13
6891 在氮化鎵和碳化硅之后，氧化鎵(Ga?O?)正以超高擊穿電壓與低成本潛力，推動超寬禁帶功率器件進入大規(guī)模落地階段。
2025-07-11 09:12:482948 
隨著氮化鎵器件性能的提高，人們對這些器件的可靠性和可用性有了更大的信心后，氮化鎵器件被用于廣闊的全新應(yīng)用。
2020-11-19 14:57:094006 電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/黃晶晶）以碳化硅、氮化鎵為主的第三代半導(dǎo)體材料得以大力發(fā)展，譬如氮化鎵功率器件在充電器和手機等消費類電子上得到越來越多的采用。在經(jīng)過消費電子的歷煉后，氮化鎵器件的應(yīng)用逐漸向工業(yè)
2022-08-19 17:53:185556 
本推文簡述氮化鎵器件，主要包括GaN HEMT和二極管，幫助讀者了解Sentaurus TCAD仿真氮化鎵器件的相關(guān)內(nèi)容。
2023-11-27 17:12:015665 
過去兩年中，氮化鎵雖然發(fā)展迅速，但似乎已經(jīng)遇到了瓶頸。與此同時，不少垂直氮化鎵的初創(chuàng)企業(yè)倒閉或者賣盤，這引發(fā)大家對垂直氮化鎵未來的擔(dān)憂。為此，在本文中，我們先對氮化鎵未來的發(fā)展進行分析，并討論了垂直氮化鎵器件開發(fā)的最新進展以及相關(guān)的可靠性挑戰(zhàn)。
2025-02-17 14:27:362016 
氮化鎵(GaN)功率集成電路集成與應(yīng)用
2023-06-19 12:05:19
的存在。1875年，德布瓦博德蘭（Paul-émile Lecoq de Boisbaudran）在巴黎被發(fā)現(xiàn)鎵，并以他祖國法國的拉丁語 Gallia (高盧)為這種元素命名它。純氮化鎵的熔點只有30
2023-06-15 15:50:54
氮化鎵功率半導(dǎo)體技術(shù)解析基于GaN的高級模塊
2021-03-09 06:33:26
氮化鎵為單開關(guān)電路準諧振反激式帶來了低電荷（低電容）、低損耗的優(yōu)勢。和傳統(tǒng)慢速的硅器件，以及分立氮化鎵的典型開關(guān)頻率（65kHz）相比，集成式氮化鎵器件提升到的 200kHz。
氮化鎵電源 IC 在
2023-06-15 15:35:02
更?。篏aNFast? 功率芯片，可實現(xiàn)比傳統(tǒng)硅器件芯片 3 倍的充電速度，其尺寸和重量只有前者的一半，并且在能量節(jié)約方面，它最高能節(jié)約 40% 的能量。
更快：氮化鎵電源 IC 的集成設(shè)計使其非常
2023-06-15 15:32:41
；這也說明市場對于充電器功率的市場需求及用戶使用的范圍；隨著小米65W的充電器的發(fā)布，快速的走進氮化鎵快充充電器時代。目前市面上已經(jīng)量產(chǎn)商用的氮化鎵方案主要來自PI和納微半導(dǎo)體兩家供應(yīng)商。其中PI
2020-03-18 22:34:23
、開關(guān)速度和可靠性都在不斷提高。這些器件已成功解決低電壓(低于100伏)或高電壓容差(IGBT和超結(jié)器件)中的效率和開關(guān)頻率問題。然而，由于硅的限制，因此無法在單個硅功率FET中提供所有這些功能。寬帶隙
2018-11-20 10:56:25
度大、擊穿電場高、熱導(dǎo)率大、電子飽和漂移速度高、介電常數(shù)小等獨特的性能，被譽為第三代半導(dǎo)體材料。氮化鎵在光電器件、功率器件、射頻微波器件、激光器和探測器件等方面展現(xiàn)出巨大的潛力，甚至為該行業(yè)帶來跨越式
2022-06-14 11:11:16
現(xiàn)在越來越多充電器開始換成氮化鎵充電器了，氮化鎵充電器看起來很小，但是功率一般很大，可以給手機平板，甚至筆記本電腦充電。那么氮化鎵到底是什么，氮化鎵充電器有哪些優(yōu)點，下文簡單做個分析。一、氮化鎵
2021-09-14 08:35:58
的代替材料就更加迫切。
氮化鎵（GaN）被稱為第三代半導(dǎo)體材料。相比硅，它的性能成倍提升，而且比硅更適合做大功率器件、體積更小、功率密度更大。氮化鎵芯片頻率遠高于硅，有效降低內(nèi)部變壓器等原件體積，同時優(yōu)秀
2025-01-15 16:41:14
干燥、血液和組織的加熱和消融等在內(nèi)的工業(yè)、科學(xué)和醫(yī)療(ISM)領(lǐng)域的應(yīng)用。支持這些系統(tǒng)的射頻器件必須達到性能、電源效率、精小外形和可靠性的最佳平衡，且價位適合進行主流商業(yè)推廣，硅基氮化鎵正是理想之選
2017-08-15 17:47:34
本文展示氮化鎵場效應(yīng)晶體管并配合LM5113半橋驅(qū)動器可容易地實現(xiàn)的功率及效率。
2021-04-13 06:01:46
開關(guān)必須可靠且能夠經(jīng)濟高效地制造。
幾十年來，硅電源開關(guān)的功效、開關(guān)速度和可靠性都在不斷提高。這些器件已成功解決低電壓（低于100伏）或高電壓容差（IGBT和超結(jié)器件）中的效率和開關(guān)頻率問題。然而，由于
2019-03-14 06:45:11
數(shù)據(jù)已證實，硅基氮化鎵符合嚴格的可靠性要求，其射頻性能和可靠性可媲美甚至超越昂貴的碳化硅基氮化鎵(GaN-on-SiC)替代技術(shù)。 硅基氮化鎵成為射頻半導(dǎo)體行業(yè)前沿技術(shù)之時正值商用無線基礎(chǔ)設(shè)施發(fā)展
2018-08-17 09:49:42
。
與硅芯片相比：
1、氮化鎵芯片的功率損耗是硅基芯片的四分之一
2、尺寸為硅芯片的四分之一
3、重量是硅基芯片的四分之一
4、并且比硅基解決方案更便宜
然而，雖然 GaN 似乎是一個更好的選擇，但它
2023-08-21 17:06:18
AN011: NV612x GaNFast功率集成電路(氮化鎵)的熱管理
2023-06-19 10:05:37
車、工業(yè)電機等領(lǐng)域具有巨大的發(fā)展?jié)摿Α１痉謺闹黝}涵蓋大尺寸襯底上橫向或縱向氮化鎵器件外延結(jié)構(gòu)與生長、氮化鎵電力電子器件的新結(jié)構(gòu)與新工藝開發(fā)、高效高速氮化鎵功率模塊設(shè)計與制造，氮化鎵功率應(yīng)用與可靠性等。本屆
2018-11-05 09:51:35
兼首席執(zhí)行官John Croteau表示：“本協(xié)議是我們引領(lǐng)射頻工業(yè)向硅上氮化鎵技術(shù)轉(zhuǎn)化的漫長征程中的一個里程碑。截至今天，MACOM通過化合物半導(dǎo)體小廠改善并驗證了硅上氮化鎵技術(shù)的優(yōu)勢，射頻性能和可靠性
2018-02-12 15:11:38
應(yīng)用。MACOM的氮化鎵可用于替代磁控管的產(chǎn)品，這顆功率為300瓦的硅基氮化鎵器件被用來作為微波爐里磁控管的替代。用氮化鎵器件來替代磁控管帶來好處很多：半導(dǎo)體器件可靠性更高，氮化鎵器件比磁控管驅(qū)動電壓
2017-09-04 15:02:41
`射頻器件市場前景5G 提出要覆蓋毫米波頻段，將可用通信頻率提升至 6GHz-300GHz 區(qū)間。這些技術(shù)場景對射頻器件的性能，比如功率、線性度、 工作頻率、效率、可靠性等提出了極高的要求。有數(shù)
2017-07-18 16:38:20
`SUMITOMO的GaN-HEMT SGN2729-250H-R為S波段雷達應(yīng)用提供2.7至2.9 GHz的高功率，高效率和更高的一致性，具有50V工作電壓和高達120μsec脈沖寬度的脈沖條件
2021-03-30 11:14:59
氮化鎵(GaN)的重要性日益凸顯，增加。因為它與傳統(tǒng)的硅技術(shù)相比，不僅性能優(yōu)異，應(yīng)用范圍廣泛，而且還能有效減少能量損耗和空間的占用。在一些研發(fā)和應(yīng)用中，傳統(tǒng)硅器件在能量轉(zhuǎn)換方面，已經(jīng)達到了它的物理
2023-06-15 15:47:44
度為1.1 eV，而氮化鎵的禁帶寬度為3.4 eV。由于寬禁帶材料具備高電場強度，耗盡區(qū)窄短，從而可以開發(fā)出載流子濃度非常高的器件結(jié)構(gòu)。例如，一個典型的650V橫向氮化鎵晶體管，可以支持超過800V
2023-06-15 15:53:16
氮化鎵(GaN)功率芯片，將多種電力電子器件整合到一個氮化鎵芯片上，能有效提高產(chǎn)品充電速度、效率、可靠性和成本效益。在很多案例中，氮化鎵功率芯片，能令先進的電源轉(zhuǎn)換拓撲結(jié)構(gòu)，從學(xué)術(shù)概念和理論達到
2023-06-15 14:17:56
通過SMT封裝，GaNFast? 氮化鎵功率芯片實現(xiàn)氮化鎵器件、驅(qū)動、控制和保護集成。這些GaNFast?功率芯片是一種易于使用的“數(shù)字輸入、電源輸出” (digital in, power out
2023-06-15 16:03:16
盡可能提高（和降低）。氮化鎵在任何功率級別都很關(guān)鍵。工程師正努力提高切換速度、效率和可靠性，同時減小尺寸、重量和元件數(shù)量。從歷來經(jīng)驗來看，您必須至少對其中的部分因素進行權(quán)衡，但德州儀器正通過所有這些優(yōu)勢
2020-10-27 09:28:22
、高功率、高效率的微電子、電力電子、光電子等器件方面的領(lǐng)先地位?！喝c半說』經(jīng)多方專家指點查證，特推出“氮化鎵系列”，告訴大家什么是氮化鎵（GaN）？
2019-07-31 06:53:03
的 3 倍多，所以說氮化鎵擁有寬禁帶特性（WBG）。
禁帶寬度決定了一種材料所能承受的電場。氮化鎵比傳統(tǒng)硅材料更大的禁帶寬度，使它具有非常細窄的耗盡區(qū)，從而可以開發(fā)出載流子濃度非常高的器件結(jié)構(gòu)。由于氮化
2023-06-15 15:41:16
帶寬度的半導(dǎo)體材料，和第一代的Si以及第二代的GaAs等前輩相比，其在特性上優(yōu)勢突出。由于禁帶寬度大、導(dǎo)熱率高，GaN器件可在200℃以上的高溫下工作，能夠承載更高的能量密度，可靠性更高；較大禁帶寬
2019-07-08 04:20:32
組件來實現(xiàn)產(chǎn)品設(shè)計。也因為消費性市場存在可觀的潛在需求，相較于碳化硅組件基本上是整合組件制造商(IDM)的天下，氮化鎵制程已經(jīng)吸引臺積電等晶圓代工業(yè)者投入。不過，氮化鎵陣營的業(yè)者也有問鼎大功率
2021-09-23 15:02:11
和優(yōu)化、EMC優(yōu)化和整改技巧、可靠性評估和分析。第一步：元器件選型對于工程師來說，GaN元器件相較于傳統(tǒng)的MOSFET而言有很多不同和優(yōu)勢，但在設(shè)計上也帶來一定挑戰(zhàn)。課程從硅、砷化鎵、碳化硅、氮化鎵
2020-11-18 06:30:50
如何帶工程師完整地設(shè)計一個高效氮化鎵電源，包括元器件選型、電路設(shè)計和PCB布線、電路測試和優(yōu)化技巧、磁性元器件的設(shè)計和優(yōu)化、環(huán)路分析和優(yōu)化、能效分析和優(yōu)化、EMC優(yōu)化和整改技巧、可靠性評估和分析。
2021-06-17 06:06:23
幾個月前，我還沒發(fā)現(xiàn)這一點，因為我女兒問我GaN長什么樣子，我才意識到，在家中的節(jié)日彩燈中有數(shù)百個GaN?。耗鞘荊aN LED里使用的GaN。GaN可靠性是一個不錯的合作主題。即使GaN晶體管現(xiàn)在通過了
2022-11-16 06:43:23
導(dǎo)讀：將GaN FET與它們的驅(qū)動器集成在一起可以改進開關(guān)性能，并且能夠簡化基于GaN的功率級設(shè)計。氮化鎵 (GaN) 晶體管的開關(guān)速度比硅MOSFET快很多，從而有可能實現(xiàn)更低的開關(guān)損耗。然而，當(dāng)
2022-11-16 06:23:29
使用更小、成本更低且更可靠的陶瓷電容器，可增加功率密度。
氮化鎵器件使得電機驅(qū)動器在減小尺寸和重量的同時，可以實現(xiàn)更平穩(wěn)的運行。這些優(yōu)勢對于倉儲和物流機器人、伺服驅(qū)動器、電動自行車和電動滑板車、協(xié)作
2023-06-25 13:58:54
盡可能提高（和降低）。氮化鎵在任何功率級別都很關(guān)鍵。工程師正努力提高切換速度、效率和可靠性，同時減小尺寸、重量和元件數(shù)量。從歷來經(jīng)驗來看，您必須至少對其中的部分因素進行權(quán)衡，但德州儀器正通過所有這些優(yōu)勢
2022-11-10 06:36:09
功率密度計算解決方案實現(xiàn)高功率密度和高效率。
誤解2：氮化鎵技術(shù)不可靠
氮化鎵器件自2010年初開始量產(chǎn)，而且在實驗室測試和大批量客戶應(yīng)用中,氮化鎵器件展現(xiàn)出具備極高的穩(wěn)健性。EPC器件已經(jīng)通過數(shù)千億個
2023-06-25 14:17:47
日前，在廣州舉行的2013年LED外延芯片技術(shù)及設(shè)備材料最新趨勢專場中，晶能光電硅襯底LED研發(fā)副總裁孫錢博士向與會者做了題為“硅襯底氮化鎵大功率LED的研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化”的報告，與同行一道分享了硅襯底
2014-01-24 16:08:55
氮化鎵GaN是什么？
2021-06-16 08:03:56
candence中的Spice模型可以修改器件最基本的物理方程嗎？然后提取參數(shù)想基于candence model editor進行氮化鎵器件的建模，有可能實現(xiàn)嗎？求教ICCAP軟件呢？
2019-11-29 16:04:02
雖然低電壓氮化鎵功率芯片的學(xué)術(shù)研究，始于 2009 年左右的香港科技大學(xué)，但強大的高壓氮化鎵功率芯片平臺的量產(chǎn)，則是由成立于 2014 年的納微半導(dǎo)體最早進行研發(fā)的。納微半導(dǎo)體的三位聯(lián)合創(chuàng)始人
2023-06-15 15:28:08
”的器件。它有多好呢？擊穿電壓是功率晶體管的關(guān)鍵指標之一，達到這個臨界點，半導(dǎo)體阻止電流流動的能力就會崩潰。東脅研究的開創(chuàng)性晶體管的擊穿電壓大于250伏。相比之下，氮化鎵花了近20年的時間才達到這一
2023-02-27 15:46:36
就可以實現(xiàn)。正是由于我們推出了LMG3410—一個用開創(chuàng)性的氮化鎵 (GaN) 技術(shù)搭建的高壓、集成驅(qū)動器解決方案，相對于傳統(tǒng)的、基于硅材料的技術(shù)，創(chuàng)新人員將能夠創(chuàng)造出更加小巧、效率更高、性能更佳
2022-11-16 07:42:26
TI GaN開關(guān)的集成電路。這些器件在硅材料兼容晶圓制造工廠內(nèi)生產(chǎn)，并且用我們數(shù)十年工藝技術(shù)經(jīng)驗提供品質(zhì)保證?！敖柚?百萬小時以上的可靠性測試，LMG3410使得電源設(shè)計人員有信心挖掘GaN的潛能，并且
2018-08-30 15:05:50
首批商用氮化鎵集成功率級器件
國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出行業(yè)首個商用集成功率級產(chǎn)品系列，采用了IR革命性的氮化鎵 (GaN) 功率
2010-03-06 09:44:011094 
IR推出首批商用氮化鎵集成功率級器件iP2010和iP2011
國際整流器公司(IR)推出行業(yè)首個商用集成功率級產(chǎn)品系列，采用了IR革命性的氮化鎵 (GaN) 功率器件技術(shù)平臺。嶄新的i
2010-03-09 10:24:501243 
IR推出高效率氮化鎵功率器件
目前，硅功率器件主要通過封裝和改善結(jié)構(gòu)來優(yōu)化性能提升效率，不過隨著工藝技術(shù)的發(fā)展這個改善的空間已經(jīng)不大了
2010-05-10 17:50:571347 RFMD公司推出氮化鎵有線電視表面貼裝功率倍增模塊。RFCM2680 是業(yè)界首款專門針對有線電視網(wǎng)絡(luò)的表面貼裝氮化鎵功率倍增模塊。該器件同時采用了氮化鎵 HEMT 和砷化鎵 pHEMT 技術(shù)，可在
2011-11-16 10:06:461607 氮化鎵功率器件及其應(yīng)用(一)氮化鎵器件的介紹
2019-04-03 06:10:007864 
氮化鎵功率器件及其應(yīng)用(四)TI氮化鎵器件在無橋PFC設(shè)計中的應(yīng)用(下)
2019-04-03 06:20:003496 
氮化鎵功率器件及其應(yīng)用(三)TI氮化鎵器件在無橋PFC設(shè)計中的應(yīng)用(上)
2019-04-03 06:14:005722 
氮化鎵功率器件及其應(yīng)用(二)TI用氮化鎵器件實現(xiàn)的DCDC設(shè)計方案
2019-04-03 06:13:006339 
近日，氮化鎵射頻及功率器件項目樁基開工。這個項目總投資25億元，占地111.35畝，分兩期實施，全部達產(chǎn)后預(yù)計實現(xiàn)年銷售30億元以上，可進一步推動嘉興集成電路新一代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)。
2020-07-06 08:46:052191 氮化鎵器件的應(yīng)用與集成化綜述
2021-07-22 09:52:38
0 現(xiàn)在越來越多充電器開始換成氮化鎵充電器了，氮化鎵充電器看起來很小，但是功率一般很大，可以給手機平板，甚至筆記本電腦充電。那么氮化鎵到底是什么，氮化鎵充電器有哪些優(yōu)點，下文簡單做個分析。一、氮化鎵
2021-11-07 13:36:0043 本文重點討論氮化鎵功率器件在陣列雷達收發(fā)系統(tǒng)中的應(yīng)用。下面結(jié)合半導(dǎo)體的物理特性，對氮化鎵高電子遷移率晶體管（GaN HEMT）的特點加以說明。
2022-04-24 16:54:336940 
功率場效應(yīng)管（FET）的最新可靠性指標。可靠性采用失效率（FIT）來衡量，這種分析方式考慮了在應(yīng)用現(xiàn)場使用時客戶報告的故障器件數(shù)量。到目前為止，基于超過850億小時的現(xiàn)場操作進行測量，該公司全部產(chǎn)品組合的可靠性已達到平均值小于0.1 FIT的水平。這一指標在業(yè)界名類前茅，也是目前
2023-02-03 18:19:053013 樣的背景下，一種新型的功率半導(dǎo)體——氮化鎵（GaN）的出現(xiàn)，那么氮化鎵工藝優(yōu)點和缺點有哪些呢？ 氮化鎵是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙的半導(dǎo)體，該化合物結(jié)構(gòu)類似纖鋅礦，硬度很高。氮化鎵的能隙很寬，為3．4電子伏特，
2023-02-05 11:31:314543 氮化鎵是一種二元III/V族直接帶隙半導(dǎo)體晶體，也是一般照明LED和藍光播放器最常使用的材料。另外，氮化鎵還被用于射頻放大器和功率電子器件。氮化鎵是非常堅硬的材料;其原子的化學(xué)鍵是高度離子化的氮化鎵化學(xué)鍵，該化學(xué)鍵產(chǎn)生的能隙達到3.4 電子伏特。
2023-02-05 15:38:1810907 
硅基氮化鎵技術(shù)是一種將氮化鎵器件直接生長在傳統(tǒng)硅基襯底上的制造工藝。在這個過程中，由于氮化鎵薄膜直接生長在硅襯底上，可以利用現(xiàn)有硅基半導(dǎo)體制造基礎(chǔ)設(shè)施實現(xiàn)低成本、大批量的氮化鎵器件產(chǎn)品的生產(chǎn)。
2023-02-06 15:47:337273 
硅基氮化鎵是一個正在走向成熟的顛覆性半導(dǎo)體技術(shù)，硅基氮化鎵技術(shù)是一種將氮化鎵器件直接生長在傳統(tǒng)硅基襯底上的制造工藝。在這個過程中，由于氮化鎵薄膜直接生長在硅襯底上，可以利用現(xiàn)有硅基半導(dǎo)體制造基礎(chǔ)設(shè)施實現(xiàn)低成本、大批量的氮化鎵器件產(chǎn)品的生產(chǎn)。
2023-02-06 16:44:264975 
氮化鎵根據(jù)襯底不同可分為硅基氮化鎵和碳化硅基氮化鎵：碳化硅基氮化鎵射頻器件具有高導(dǎo)熱性能和大功率射頻輸出優(yōu)勢，適用于5G基站、衛(wèi)星、雷達等領(lǐng)域；硅基氮化鎵功率器件主要應(yīng)用于電力電子器件領(lǐng)域。雖然
2023-02-10 10:52:524734 
硅基氮化鎵技術(shù)原理是指利用硅和氮化鎵的特性，將其結(jié)合在一起，形成一種新的復(fù)合材料，以滿足電子元件、電子器件和電子零件的制造要求。硅基氮化鎵具有良好的熱穩(wěn)定性和電磁屏蔽性，可以用于制造電子元件、電子器件和電子零件，而氮化鎵則可以提供良好的電子性能和絕緣性能。
2023-02-14 14:46:582277 硅基氮化鎵充電器是一種利用硅基氮化鎵材料作為電池正極材料的充電器，具有高功率密度、高安全性和高可靠性等優(yōu)點。
2023-02-14 15:41:074636 氮化鎵屬于第三代半導(dǎo)體材料，相對硅而言，氮化鎵間隙更寬，導(dǎo)電性更好，將普通充電器替換為氮化鎵充電器，充電的效率更高。
2023-02-14 17:35:509676 氮化鎵功率器件可以分為三類：MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管）、IGBT（晶閘管）和JFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管）。
2023-02-19 14:32:393120 氮化鎵可以取代砷化鎵。氮化鎵具有更高的熱穩(wěn)定性和電絕緣性，可以更好地抵抗高溫和電磁干擾，因此可以替代砷化鎵。
2023-02-20 16:10:1429358 在電源領(lǐng)域掀起了翻天覆地的變革。 為簡化電路設(shè)計，加強器件可靠性，降低系統(tǒng)成本，納微半導(dǎo)體基于成功的GaNFast?氮化鎵功率芯片及先進的GaNSense?技術(shù)，推出新一代GaNSense? Control合封氮化鎵功率芯片，進一步加速氮化鎵市場普及
2023-03-28 13:58:021876 
合封氮化鎵芯片是一種新型的半導(dǎo)體器件，它具有高效率、高功率密度和高可靠性等優(yōu)點。與傳統(tǒng)的半導(dǎo)體器件相比，合封氮化鎵芯片采用了全新的封裝技術(shù)，將多個半導(dǎo)體器件集成在一個芯片上，使得器件的體積更小、功率
2023-04-11 17:46:232506 提升硅基氮化鎵橫向功率器件可靠性的難點在于如何準確測試出器件在長期高壓大電流應(yīng)力工作下的安全工作區(qū)，如何保證器件在固定失效率下的壽命。硅基氮化鎵橫向功率器件在高壓大電流場景下的“可恢復(fù)退化”與“不可恢復(fù)退化”一直以來很難區(qū)分，這給器件安全工作區(qū)的識別和壽命評估帶來了極大挑戰(zhàn)。
2023-06-08 15:37:121561 
相對于傳統(tǒng)的硅材料，氮化鎵電源在高功率工作時產(chǎn)生的熱量較少，因為氮化鎵具有較低的電阻和較高的熱導(dǎo)率。這意味著在相同功率輸出下，氮化鎵電源相對于傳統(tǒng)的硅電源會產(chǎn)生較少的熱量。
2023-07-31 15:16:2310672 氮化鎵功率器件具有較低的導(dǎo)通阻抗和較高的開關(guān)速度，使其適用于高功率和高頻率應(yīng)用，如電源轉(zhuǎn)換、無線通信、雷達和太陽能逆變器等領(lǐng)域。由于其優(yōu)異的性能，氮化鎵功率器件在提高功率密度、提高系統(tǒng)效率和減小尺寸方面具有很大的潛力。
2023-08-24 16:09:154484 氮化鎵功率器以氮化鎵作為主要材料，具有優(yōu)異的電特性，例如高電子遷移率、高飽和漂移速度和高擊穿電場強度。這使得氮化鎵功率器具有低導(dǎo)通電阻、高工作頻率和高開關(guān)速度等優(yōu)勢，能夠在較小體積下提供大功率和高效率。
2023-09-11 15:47:561027 氮化鎵功率器件與硅基功率器件的特性不同本質(zhì)是外延結(jié)構(gòu)的不同，本文通過深入對比氮化鎵HEMT與硅基MOS管的外延結(jié)構(gòu)
2023-09-19 14:50:3410640 
在當(dāng)今的高科技社會中，氮化鎵（GaN）功率器件已成為電力電子技術(shù)領(lǐng)域的明星產(chǎn)品，其具有的高效、高頻、高可靠性以及高溫工作能力等優(yōu)勢在眾多領(lǐng)域得到廣泛應(yīng)用。然而，為了確保氮化鎵功率器件的性能和可靠性，制定一套科學(xué)、規(guī)范的測試方案至關(guān)重要。
2023-10-08 15:13:231900 
，再次推出高集成度氮化鎵功率芯片KT65C1R120D，將控制器、氮化鎵驅(qū)動器、GaN功率管集成到DFN8*8個小體積封裝。通過將它們?nèi)考傻揭粋€封裝中，降低了寄生參數(shù)對高頻開關(guān)的影響，在提高可靠性的同時提高了效率，并簡化了氮化鎵充電器的設(shè)計。
2023-10-11 15:33:301155 
不，氮化鎵功率器（GaN Power Device）與電容是不同的組件。氮化鎵功率器是一種用于電力轉(zhuǎn)換和功率放大的半導(dǎo)體器件，它利用氮化鎵材料的特性來實現(xiàn)高效率和高功率密度的電力應(yīng)用。
2023-10-16 14:52:442506 10月18日，智芯公司所屬深圳智芯“高可靠性氮化鎵功率器件及其電源模組”項目入選第二十二屆深圳企業(yè)創(chuàng)新紀錄，斬獲最高等級認定。
2023-10-26 09:38:411351 氮化鎵芯片是什么？氮化鎵芯片優(yōu)缺點 氮化鎵芯片和硅芯片區(qū)別? 氮化鎵芯片是一種用氮化鎵物質(zhì)制造的芯片，它被廣泛應(yīng)用于高功率和高頻率應(yīng)用領(lǐng)域，如通信、雷達、衛(wèi)星通信、微波射頻等領(lǐng)域。與傳統(tǒng)的硅芯片相比
2023-11-21 16:15:3011008 的能隙很寬，為3.4電子伏特，可以用在高功率、高速的光電元件中，例如氮化鎵可以用在紫光的激光二極管，可以在不使用非線性半導(dǎo)體泵浦固體激光器(Diode-pumped solid-state laser)的條件下，產(chǎn)生紫光(405nm)激光。 GaN是極穩(wěn)定的化合物，又是堅硬的高熔點材料，熔點約為17
2023-11-24 11:05:117181 氮化鎵功率器和氮化鎵合封芯片在快充市場和移動設(shè)備市場得到廣泛應(yīng)用。氮化鎵具有高電子遷移率和穩(wěn)定性，適用于高溫、高壓和高功率條件。氮化鎵合封芯片是一種高度集成的電力電子器件，將主控MUC、反激控制器、氮化鎵驅(qū)動器和氮化鎵開關(guān)管整合到一個...
2023-11-24 16:49:221796 氮化鎵功率器件的電壓限制主要是由以下幾個原因造成的。 首先，氮化鎵是一種寬能帶隙半導(dǎo)體材料，具有較高的擊穿電場強度和較高的耐壓能力。盡管氮化鎵材料具有較高的擊穿電場強度，但在制備器件時，仍然存在一定
2023-12-27 14:04:292188 氮化鎵功率器件是一種新型的高頻高功率微波器件，具有廣闊的應(yīng)用前景。本文將詳細介紹氮化鎵功率器件的結(jié)構(gòu)和原理。 一、氮化鎵功率器件結(jié)構(gòu) 氮化鎵功率器件的主要結(jié)構(gòu)是GaN HEMT（氮化鎵高電子遷移率
2024-01-09 18:06:416137 氮化鎵技術(shù)（GaN技術(shù)）是一種基于氮化鎵材料的半導(dǎo)體技術(shù)，被廣泛應(yīng)用于電子設(shè)備、光電子器件、能源、通信和國防等領(lǐng)域。本文將詳細介紹氮化鎵技術(shù)的用途和應(yīng)用，并從不同領(lǐng)域深入探討其重要性和優(yōu)勢。 一
2024-01-09 18:06:363961 氮化鎵（GaN）芯片是一種新型的功率半導(dǎo)體器件，具有很多優(yōu)點和一些缺點。以下是關(guān)于氮化鎵芯片的詳細介紹。 優(yōu)點： 1.高頻率特性：GaN芯片具有優(yōu)秀的高頻特性，可以實現(xiàn)高頻率工作，適合用于射頻和微波
2024-01-10 10:16:526202 珠海鎵未來科技有限公司是行業(yè)領(lǐng)先的高壓氮化鎵功率器件高新技術(shù)企業(yè)，致力于第三代半導(dǎo)體硅基氮化鎵 (GaN-on-Si) 研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化。
2024-04-10 18:08:092856 
氮化鎵（GaN），作為一種具有獨特物理和化學(xué)性質(zhì)的半導(dǎo)體材料，近年來在電子領(lǐng)域大放異彩，其制成的氮化鎵功率芯片在功率轉(zhuǎn)換效率、開關(guān)速度及耐高溫等方面優(yōu)勢盡顯，在5G通信、新能源汽車、數(shù)據(jù)中心、消費電子等熱門領(lǐng)域，發(fā)揮重要的作用。
2024-10-29 16:23:151570 
”)正式建立了戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系，共同致力于車載氮化鎵功率器件的開發(fā)與量產(chǎn)。 此次合作，雙方將充分利用各自的技術(shù)優(yōu)勢。羅姆將貢獻其卓越的氮化鎵器件開發(fā)技術(shù)，而臺積公司則以其行業(yè)領(lǐng)先
2024-12-10 17:24:441182
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