LTC3783 是一款電流模式 LED 驅(qū)動(dòng)器及升壓、反激和 SEPIC 型控制器，用于驅(qū)動(dòng)一個(gè) N 溝道功率 MOSFET 和一個(gè) N 溝道負(fù)載 PWM 開(kāi)關(guān)。
2014-03-06 10:39:59
3787 
LTC4226的ON針腳具備外部可調(diào)的UVLO,同時(shí)還負(fù)責(zé)檢測(cè)連接器是否插緊。一個(gè)集成型充電泵用于為標(biāo)準(zhǔn)的N溝道MOSFET提供柵極驅(qū)動(dòng)，并利用內(nèi)部12V箝位來(lái)保護(hù)其柵極氧化物。
2019-10-10 09:12:45
MOSFET 和 IGBT 柵極驅(qū)動(dòng)器電路的基本原理
2019-08-29 13:30:22
MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)器LTC44411資料下載內(nèi)容包括：LTC4441-1功能和特點(diǎn)LTC4441-1引腳功能LTC4441-1內(nèi)部方框圖LTC4441-1典型應(yīng)用電路LTC4441-1電氣參數(shù)
2021-03-24 07:13:00
MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)器LTC4441資料下載內(nèi)容主要介紹了：LTC4441功能和特點(diǎn)LTC4441引腳功能LTC4441內(nèi)部方框圖LTC4441典型應(yīng)用電路LTC4441電氣參數(shù)
2021-03-29 06:26:56
你好，我正在尋找這兩個(gè)MOSFET的驅(qū)動(dòng)器IC，F(xiàn)DD7N20TMCT-ND和FQD7P20TMCT-ND。我的邏輯由CPLD產(chǎn)生，為3.3V。我在想使用MD1822K6-GCT-ND。這些
2018-10-25 14:27:53
MOSFET驅(qū)動(dòng)器LTC1154資料下載內(nèi)容主要介紹了：LTC1154引腳功能LTC1154功能和特點(diǎn)LTC1154內(nèi)部方框圖LTC1154典型應(yīng)用電路
2021-03-24 06:18:36
N溝道MOSFET驅(qū)動(dòng)電路LTC4446資料下載內(nèi)容主要介紹了：LTC4446功能和特點(diǎn)LTC4446引腳功能LTC4446內(nèi)部方框圖LTC4446應(yīng)用電路
2021-04-15 06:53:16
為正時(shí)，它充當(dāng)增強(qiáng)型MOSFET。N溝道場(chǎng)效應(yīng)管與P溝道場(chǎng)效應(yīng)管介紹N溝道MOSFET的源極接地，漏極連接到負(fù)載，當(dāng)柵極施加正電壓時(shí)，F(xiàn)ET導(dǎo)通。N 溝道 MOSFET是最常用且最容易使用的。它們
2023-02-02 16:26:45
和發(fā)射極。為了操作MOSFET/IGBT，通常須將一個(gè)電壓施加于柵極（相對(duì)于器件的源極/發(fā)射極而言）。使用專(zhuān)門(mén)驅(qū)動(dòng)器向功率器件的柵極施加電壓并提供驅(qū)動(dòng)電流。本文討論柵極驅(qū)動(dòng)器是什么，為何需要柵極驅(qū)動(dòng)器，以及如何定義其基本參數(shù)，如時(shí)序、驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度和隔離度。
2021-01-27 07:59:24
驅(qū)動(dòng)器，以及如何定義其基本參數(shù)，如時(shí)序、驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度和隔離度。需要柵極驅(qū)動(dòng)器IGBT/功率MOSFET的結(jié)構(gòu)使得柵極形成一個(gè)非線性電容。給柵極電容充電會(huì)使功率器件導(dǎo)通，并允許電流在其漏極和源極引腳之間流動(dòng)
2021-07-09 07:00:00
為何需要柵極驅(qū)動(dòng)器柵極驅(qū)動(dòng)器的關(guān)鍵參數(shù)
2020-12-25 06:15:08
本文通過(guò)故意損壞IGBT/MOSFET功率開(kāi)關(guān)來(lái)研究柵極驅(qū)動(dòng)器隔離柵的耐受性能。
2021-06-17 07:24:06
`AON7544 N溝道MOSFET采用最新的Trench Power AlphaMOS（αMOSLV）技術(shù)，具有極低的RDS（on），低柵極電壓和高電流能力，非常適合應(yīng)用在DC/DC電路中
2020-05-29 08:39:05
N8322 是一款可驅(qū)動(dòng)高端和低端 N 溝道 MOSFET 柵極驅(qū)動(dòng)芯片，可用于同步降壓、升降壓和半橋拓?fù)渲?。LN8322 內(nèi)部集成欠壓鎖死電路可以確保 MOSFET 在較低的電源電壓下處于關(guān)斷狀態(tài)
2022-01-12 13:39:25
LT1160的典型應(yīng)用 - 半橋/全橋N溝道功率MOSFET驅(qū)動(dòng)器。 LT 1160 / LT1162是經(jīng)濟(jì)高效的半橋/全橋N溝道功率MOSFET驅(qū)動(dòng)器
2019-05-14 09:23:01
的優(yōu)點(diǎn)包括以下幾點(diǎn)內(nèi)容：設(shè)計(jì)非常簡(jiǎn)單，因此適用于空間受限的地方，例如低壓驅(qū)動(dòng)器和非隔離POL應(yīng)用。這是高端開(kāi)關(guān)位置內(nèi)的簡(jiǎn)化柵極驅(qū)動(dòng)方法，可以降低總體成本。在低電壓下工作時(shí)，MOSFET提供的效率更高
2022-09-27 08:00:00
MOSFET最常用作輸入電壓低于15VDC的降壓穩(wěn)壓器中的高側(cè)開(kāi)關(guān)。根據(jù)應(yīng)用的不同，N溝道MOSFET也可用作降壓穩(wěn)壓器高側(cè)開(kāi)關(guān)。這些應(yīng)用需要自舉電路或其它形式的高側(cè)驅(qū)動(dòng)器。圖1：具有電平移位器的高側(cè)驅(qū)動(dòng)
2018-03-03 13:58:23
記本電腦電源切換SCSI終端電源切換蜂窩電話電源管理電池充電和管理高端工業(yè)和汽車(chē)開(kāi)關(guān)步進(jìn)電機(jī)和直流電機(jī)控制說(shuō)明LTC1154單高側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器允許使用低高側(cè)交換應(yīng)用的成本N溝道場(chǎng)效應(yīng)晶體管。內(nèi)部電荷泵提高柵極
2020-09-08 17:28:16
什么是MOSFET驅(qū)動(dòng)器？MOSFET驅(qū)動(dòng)器功耗包括哪些部分？如何計(jì)算MOSFET的功耗？
2021-04-12 06:53:00
LT1336的典型應(yīng)用是具有成本效益的半橋N溝道功率MOSFET驅(qū)動(dòng)器。浮動(dòng)驅(qū)動(dòng)器可以驅(qū)動(dòng)頂部N溝道功率MOSFET工作在高達(dá)60V（絕對(duì)最大值）的高壓（HV）軌道上工作
2019-05-10 06:46:05
LTC1155雙高端柵極驅(qū)動(dòng)器的典型應(yīng)用允許使用低成本N溝道FET用于高端開(kāi)關(guān)應(yīng)用
2020-04-16 10:14:10
`最近我在做D類(lèi)放大。要放大1Mhz正弦波信號(hào)，比較用的三角波為10Mhz。需要開(kāi)關(guān)頻率能大于20Mhz的mosfet驅(qū)動(dòng)器。請(qǐng)問(wèn)mosfet驅(qū)動(dòng)器的最高工作頻率是由什么參數(shù)決定的？有能達(dá)到20Mhz以上的mosfet驅(qū)動(dòng)器嗎？`
2018-04-11 23:31:46
您好，我正在嘗試使用 MC34GD3000 柵極驅(qū)動(dòng)器，但我們遇到了設(shè)備故障和損壞高側(cè) MOSFET 柵極驅(qū)動(dòng)器的問(wèn)題。首先，是否有任何關(guān)于正確設(shè)置柵極驅(qū)動(dòng)器輸出的應(yīng)用說(shuō)明。我們看到的是在沒(méi)有任何
2023-04-19 06:36:06
溝道MOSFET也可用作降壓穩(wěn)壓器高側(cè)開(kāi)關(guān)。這些應(yīng)用需要自舉電路或其它形式的高側(cè)驅(qū)動(dòng)器。圖1：具有電平移位器的高側(cè)驅(qū)動(dòng)IC。圖2：用自舉電路對(duì)高側(cè)N溝道MOSFET進(jìn)行柵控。極性決定了MOSFET的圖形
2021-04-09 09:20:10
LTC2924，采用外部N溝道MOSFET的電源排序的簡(jiǎn)單緊湊型解決方案
2019-04-16 06:07:32
驅(qū)動(dòng)器，以及如何定義其基本參數(shù)，如時(shí)序、驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度和隔離度。為什么需要柵極驅(qū)動(dòng)器IGBT/功率MOSFET的結(jié)構(gòu)使得柵極形成一個(gè)非線性電容。給柵極電容充電會(huì)使功率器件導(dǎo)通，并允許電流在其漏極和源極引腳之間
2018-10-25 10:22:56
是什么，為何需要柵極驅(qū)動(dòng)器，以及如何定義其基本參數(shù)，如時(shí)序、驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度和隔離度。需要柵極驅(qū)動(dòng)器IGBT/功率MOSFET的結(jié)構(gòu)使得柵極和源極/發(fā)射極之間形成一個(gè)非線性電容。給柵極電容充電會(huì)使功率器件導(dǎo)
2018-11-01 11:35:35
，低側(cè)FET導(dǎo)通并開(kāi)始通過(guò)其通道導(dǎo)通。相同的原理適用于通常在DC / DC電源和電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)中發(fā)現(xiàn)的其它同步半橋配置。負(fù)責(zé)高速接通的一個(gè)重要的柵極驅(qū)動(dòng)器參數(shù)是導(dǎo)通傳播延遲。這是在柵極驅(qū)動(dòng)器的輸入端
2019-03-08 06:45:10
高速同步MOSFET驅(qū)動(dòng)器LTC4447資料下載內(nèi)容包括：LTC4447引腳功能LTC4447內(nèi)部方框圖LTC4447典型應(yīng)用電路LTC4447極限參數(shù)
2021-03-26 07:14:06
LTC7001 是一款快速、高壓側(cè) N 溝道 MOSFET 柵極驅(qū)動(dòng)器，采用高達(dá) 135V 的輸入電壓工作。該器件包含一個(gè)負(fù)責(zé)全面增強(qiáng)外部 N 溝道 MOSFET 開(kāi)關(guān)的內(nèi)部充電泵，因而使其能夠
2023-04-20 11:36:57
單通道MOSFET或IGBT柵極驅(qū)動(dòng)器集成電路IR2117
IR2117是美國(guó)IR公司專(zhuān)為驅(qū)動(dòng)單個(gè)MOSFET或IGBT而設(shè)計(jì)的柵極驅(qū)動(dòng)器集成電路。文中介紹了它的引腳排列、功能
2009-12-08 10:21:008772 
凌力爾特推出高速同步MOSFET驅(qū)動(dòng)器LTC4449
凌力爾特(Linear)推出高速同步 MOSFET 驅(qū)動(dòng)器 LTC4449，該器件為在同步整流轉(zhuǎn)換器拓?fù)渲?b class="flag-6" style="color: red">驅(qū)動(dòng)高端和低端 N 溝道功率 MOSFET 而設(shè)計(jì)。
2010-02-04 08:40:551641 
高壓MOSFET驅(qū)動(dòng)器電路的LTC1154被用作電荷泵，從而來(lái)驅(qū)動(dòng)一個(gè)高壓側(cè)功率MOSFET的柵極。
2011-12-17 00:02:005529 
10 月 1 日 – 凌力爾特公司 （Linear Technology Corporation） 推出高端、高頻率 N 溝道 MOSFET 柵極驅(qū)動(dòng)器 LTC4440A-5，該器件能以高達(dá) 80V
2013-10-09 15:41:271392 
東京—東芝公司（TOKYO：6502）旗下半導(dǎo)體&存儲(chǔ)產(chǎn)品公司今天宣布，推出單通道高邊N溝道功率金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET）柵極驅(qū)動(dòng)器“TPD7104F”。
2014-11-05 18:54:362105 在電壓降壓（降壓調(diào)節(jié)器）應(yīng)用中獲得非常高的效率通常需要使用N溝道、低通電阻MOSFET開(kāi)關(guān)。在轉(zhuǎn)換器的高側(cè)驅(qū)動(dòng)這些增強(qiáng)模式設(shè)備的困難是，它們需要在輸入電源上方的柵極電壓來(lái)導(dǎo)通。這必然要求一個(gè)額外
2017-07-02 09:18:51
20 在電壓降壓（降壓調(diào)節(jié)器）應(yīng)用中獲得非常高的效率通常需要使用N溝道、低通電阻MOSFET開(kāi)關(guān)。在轉(zhuǎn)換器的高側(cè)驅(qū)動(dòng)這些增強(qiáng)模式設(shè)備的困難是，它們需要在輸入電源上方的柵極電壓來(lái)導(dǎo)通。這必然要求一個(gè)額外
2017-07-04 15:46:2016 ，簡(jiǎn)稱(chēng) ADI） 旗下凌力爾特公司 （Linear Technology Corporation） 推出高速、高壓側(cè) N 溝道 MOSFET 驅(qū)動(dòng)器 LTC7001，該器件以高達(dá) 150V 電源電壓運(yùn)行。
2017-07-07 15:00:374031 LTC7001 強(qiáng)大的 1Ω 柵極驅(qū)動(dòng)器可憑借非常短的轉(zhuǎn)換時(shí)間和 35ns 傳播延遲，非常方便地驅(qū)動(dòng)柵極電容很大的 MOSFET，因此很適合高頻開(kāi)關(guān)和靜態(tài)開(kāi)關(guān)應(yīng)用。
2017-09-06 10:48:5011335 
。其內(nèi)部充電泵全面增強(qiáng)了外部 N 溝道 MOSFET 開(kāi)關(guān)，從而使該器件能夠保持接通時(shí)間無(wú)限長(zhǎng)。LTC7004 強(qiáng)大的 1Ω 柵極驅(qū)動(dòng)器能夠以非常短的轉(zhuǎn)換時(shí)間和 35ns 傳播延遲，容易地驅(qū)動(dòng)柵極電容很大的 MOSFET，非常適合高頻開(kāi)關(guān)和靜態(tài)開(kāi)關(guān)應(yīng)用。
2017-09-11 09:36:585265 
LTC7004 強(qiáng)大的 1Ω 柵極驅(qū)動(dòng)器能夠以非常短的轉(zhuǎn)換時(shí)間和 35ns 傳播延遲，容易地驅(qū)動(dòng)柵極電容很大的 MOSFET，非常適合高頻開(kāi)關(guān)和靜態(tài)開(kāi)關(guān)應(yīng)用。
2017-09-18 10:49:385833 高壓MOSFET驅(qū)動(dòng)器電路的LTC1154被用作電荷泵，從而來(lái)驅(qū)動(dòng)一個(gè)高壓側(cè)功率MOSFET的柵極。高壓MOSFET驅(qū)動(dòng)器電路：
2017-10-19 16:02:3723 LTC7000 是一款快速、受保護(hù)的高壓側(cè) N 溝道 MOSFET 柵極驅(qū)動(dòng)器，該器件包含一個(gè)內(nèi)部充電泵，因而允許外部 N 溝道 MOSFET 無(wú)限期地保持導(dǎo)通。LTC7000 接收一個(gè)低電壓數(shù)字
2018-06-06 13:45:004622 
LTC7000 是一款快速、受保護(hù)的高壓側(cè) N 溝道 MOSFET 柵極驅(qū)動(dòng)器，該器件包含一個(gè)內(nèi)部充電泵，因而允許外部 N 溝道 MOSFET 無(wú)限期地保持導(dǎo)通。LTC7000 接收一個(gè)低電壓數(shù)字
2018-06-28 09:33:006631 
LTC?7001 是一款快速、高壓側(cè) N 溝道 MOSFET 柵極驅(qū)動(dòng)器，采用高達(dá) 135V 的輸入電壓工作。該器件包含一個(gè)負(fù)責(zé)全面增強(qiáng)外部 N 溝道 MOSFET 開(kāi)關(guān)的內(nèi)部充電泵，因而使其能夠無(wú)限期地保持導(dǎo)通。
2018-07-11 15:38:003821 
新年伊始，Allegro祝各位朋友新的一年健康快樂(lè)，事業(yè)有成！今天Allegro這里介紹的是符合ISO-26262標(biāo)準(zhǔn)的全新N溝道功率MOSFET驅(qū)動(dòng)器AMT49105，新產(chǎn)品能夠簡(jiǎn)化電機(jī)系統(tǒng)設(shè)計(jì)，并通過(guò)集成所需的功率模擬系統(tǒng)而減小PCB面積。
2019-01-10 14:29:514415 1.4知道你的柵極驅(qū)動(dòng)器：VDD
2019-04-23 06:09:004697 電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供ADI(ti)LTC7001相關(guān)產(chǎn)品參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊(cè)，更有LTC7001的引腳圖、接線圖、封裝手冊(cè)、中文資料、英文資料，LTC7001真值表，LTC7001管腳等資料，希望可以幫助到廣大的電子工程師們。
2019-02-22 14:37:34
電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供ADI(ADI)LTC4441相關(guān)產(chǎn)品參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊(cè)，更有LTC4441的引腳圖、接線圖、封裝手冊(cè)、中文資料、英文資料，LTC4441真值表，LTC4441管腳等資料，希望可以幫助到廣大的電子工程師們。
2019-02-22 12:19:34
電源系統(tǒng)中的恒定電流源，固態(tài)繼電器，電信開(kāi)關(guān)和高壓直流線路等應(yīng)用需要N溝道耗盡型功率MOSFET，當(dāng)柵極至源極電壓為零時(shí)，該MOSFET用作常開(kāi)的開(kāi)關(guān)。本文將介紹IXYS最新的N溝道耗盡型功率
2021-05-27 12:18:589886 
LTC7001: Fast 150V High Side NMOS Static Switch Driver Data Sheet
2021-02-05 15:07:301 LTC7001: Fast 150V High Side NMOS Static Switch Driver Data Sheet
2021-03-06 14:41:535 LTC4444MP-5 - 100V 高速同步 N 溝道 MOSFET 驅(qū)動(dòng)器在 -55°C 至 125°C 的溫度范圍內(nèi)工作
2021-03-18 22:10:113 6A N 溝道 MOSFET 柵極驅(qū)動(dòng)器在 -55°C 至 125°C 的節(jié)溫范圍內(nèi)工作
2021-03-19 01:44:181 150V 快速高壓側(cè)受保護(hù)的 N 溝道 MOSFET 驅(qū)動(dòng)器提供 100% 占空比能力
2021-03-19 04:35:1211 用于高效率降壓型或升壓型 DC/DC 轉(zhuǎn)換器的高速同步 N 溝道 MOSFET 驅(qū)動(dòng)器具有強(qiáng)大的柵極驅(qū)動(dòng)
2021-03-19 07:15:032 快速 150V 高壓側(cè) N 溝道 MOSFET 驅(qū)動(dòng)器 提供 100% 占空比能力
2021-03-20 11:56:482 LTC4442/LTC4442-1 - 高速同步 N 溝道 MOSFET 驅(qū)動(dòng)器為高效率降壓或升壓型 DC/DC 轉(zhuǎn)換器提供 5A 電流
2021-03-20 20:09:435 LTC4444 - 100V 高速同步 N 溝道 3A MOSFET 驅(qū)動(dòng)器用于高效率降壓或升壓型 DC/DC 轉(zhuǎn)換器
2021-03-21 11:25:073 LTC3780/LTC4444演示電路-使用N溝道MOSFET驅(qū)動(dòng)器(8-48V至12V@3A)的同步降壓-升壓控制器
2021-04-13 09:15:0814 LTC4444：高壓同步N溝道MOSFET驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)表
2021-04-27 09:13:316 LTC4449：高速同步N溝道MOSFET驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)表
2021-04-27 19:51:577 LTC7000/LTC7001：快速150V保護(hù)高端nMOS靜電交換機(jī)驅(qū)動(dòng)程序數(shù)據(jù)表
2021-05-11 10:02:375 LTC4444-5：高壓同步N溝道MOSFET驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)表
2021-05-11 17:18:146 LTC3725：?jiǎn)伍_(kāi)關(guān)正向控制器和柵極驅(qū)動(dòng)器產(chǎn)品手冊(cè)
2021-05-17 16:46:095 LT1336：帶升壓穩(wěn)壓器的半橋N溝道功率MOSFET驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)表
2021-05-19 16:12:341 LTC1693：高速單/雙N溝道MOSFET驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)表
2021-05-19 16:35:075 LT1158：半橋N溝道功率MOSFET驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)表
2021-05-20 18:32:194 LTC4441：N溝道MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)表
2021-05-26 08:42:545 ADI隔離柵極驅(qū)動(dòng)器和WOLFSPEED SiC MOSFET
2021-05-27 13:55:0830 LTC7001接近150V高中NMOS StationSwitch Driver Diseet
2021-05-29 17:20:155 帶MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)器的LTC3803LTC4441演示電路升壓轉(zhuǎn)換器(6-24V至52V@2A)
2021-06-04 14:54:385 LTC3780 LTC4444演示電路-使用N溝道MOSFET驅(qū)動(dòng)器的同步降壓-升壓控制器(8-48V至12V@3A)
2021-06-16 19:04:4313 ROHM不僅提供電機(jī)驅(qū)動(dòng)器IC，還提供適用于電機(jī)驅(qū)動(dòng)的非隔離型柵極驅(qū)動(dòng)器，以及分立功率器件IGBT和功率MOSFET。 我們將先介紹羅姆非隔離型柵極驅(qū)動(dòng)器，再介紹ROHM超級(jí)結(jié)MOSFET
2021-08-09 14:30:513305 MOSFET和IGBT柵極驅(qū)動(dòng)器電路的基本原理
2021-11-29 16:29:1773 MOSFET驅(qū)動(dòng)器是一款高頻高電壓柵極驅(qū)動(dòng)器，可利用一個(gè)同步 DC/DC 轉(zhuǎn)換器和高達(dá)100V的電源電壓來(lái)驅(qū)動(dòng)兩個(gè)N溝道MOSFET。強(qiáng)大的驅(qū)動(dòng)能力降低了具高柵極電容MOSFET中的開(kāi)關(guān)損耗。針對(duì)
2022-10-25 09:19:342412 
和發(fā)射極。為了工作MOSFET/IGBT，通常必須向柵極施加相對(duì)于器件源極/發(fā)射極的電壓。專(zhuān)用驅(qū)動(dòng)器用于向功率器件的柵極施加電壓并提供驅(qū)動(dòng)電流。本文討論這些柵極驅(qū)動(dòng)器是什么，為什么需要它們，以及如何定義它們的基本參數(shù)，如時(shí)序、驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度和隔離度。
2023-01-30 17:17:122922 
柵極驅(qū)動(dòng)參考 1.PWM直接驅(qū)動(dòng)2.雙極Totem-Pole驅(qū)動(dòng)器3.MOSFET Totem-Pole驅(qū)動(dòng)器4.速度增強(qiáng)電路5.dv/dt保護(hù) 1.PWM直接驅(qū)動(dòng) 在電源應(yīng)用中，驅(qū)動(dòng)主開(kāi)關(guān)
2023-02-23 15:59:0024 高側(cè)非隔離柵極驅(qū)動(dòng) 1.適用于P溝道的高側(cè)驅(qū)動(dòng)器2.適用于N溝道的高側(cè)直接驅(qū)動(dòng)器 1.適用于P溝道的高側(cè)驅(qū)動(dòng)器 高側(cè)非隔離柵極驅(qū)動(dòng)可按照所驅(qū)動(dòng)的器件類(lèi)型或涉及的驅(qū)動(dòng)電路類(lèi)型來(lái)分類(lèi)。相應(yīng)地，無(wú)論是
2023-02-23 15:35:241 功率 MOSFET 是一種電壓控制型器件，可用作電源電路、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器和其他系統(tǒng)中的開(kāi)關(guān)元件。柵極是每個(gè)器件的電氣隔離控制端。MOSFET 的其他端子是源極和漏極。
為了操作 MOSFET，通常須將一個(gè)電壓施加于柵極（相對(duì)于源極或發(fā)射極）。使用專(zhuān)用驅(qū)動(dòng)器向功率器件的柵極施加電壓并提供驅(qū)動(dòng)電流。
2023-05-17 10:21:392544 
在電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)中，柵極驅(qū)動(dòng)器或“預(yù)驅(qū)動(dòng)器” IC常與N溝道功率MOSFET一起使用，以提供驅(qū)動(dòng)電機(jī)所需的大電流。在選擇驅(qū)動(dòng)器IC、MOSFET以及某些情況下用到的相關(guān)無(wú)源元件時(shí)，有很多需要考量的設(shè)計(jì)因素。如果對(duì)這個(gè)過(guò)程了解不透徹，將導(dǎo)致實(shí)現(xiàn)方式的差強(qiáng)人意。
2023-08-02 18:18:342087 
本應(yīng)用筆記介紹了采用表面貼裝封裝的 n 通道雙 MOSFET 的低壓電機(jī)驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)。它描述了使用不同電壓應(yīng)用的設(shè)計(jì)，以及自適應(yīng) MOSFET 柵極驅(qū)動(dòng)器，這是驅(qū)動(dòng)雙 n 溝道半橋的第三種方法。
2023-10-05 15:20:002928 
柵極驅(qū)動(dòng)器芯片的原理是什么 柵極驅(qū)動(dòng)器芯片是一種用于控制功率電子器件（如IGBT、MOSFET等）柵極電壓的集成電路。它在電力電子領(lǐng)域中具有重要應(yīng)用，如電機(jī)驅(qū)動(dòng)、開(kāi)關(guān)電源、太陽(yáng)能逆變器等。本文將詳細(xì)
2024-06-10 17:23:003609 柵極驅(qū)動(dòng)器（Gate Driver）是一種電路，主要用于增強(qiáng)場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET）或絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）的柵極信號(hào)，以便控制器能夠更好地控制這些半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)的操作。它通過(guò)將控制器輸出
2024-07-19 17:15:2724573 一、柵極驅(qū)動(dòng)器介紹
1）為什么需要柵極驅(qū)動(dòng)器？
2）功率器件開(kāi)關(guān)過(guò)程介紹
3）三種常見(jiàn)驅(qū)動(dòng)芯片介紹
二、隔離方案介紹
1）為什么需要隔離驅(qū)動(dòng)
2）主流隔離方案介紹
3）納芯微隔離方案介紹
2024-09-10 09:26:131577 
MOSFET驅(qū)動(dòng)器功耗 MOSFET驅(qū)動(dòng)器的功耗包含三部分： 由于MOSFET柵極電容充電和放電產(chǎn)生的功耗。 由于 MOSFET 驅(qū)動(dòng)器吸收靜態(tài)電流而產(chǎn)生的功耗。 MOSFET 驅(qū)動(dòng)器交越導(dǎo)通（穿通
2024-10-29 10:45:212504 
Nexperia（安世半導(dǎo)體）近日宣布推出一系列高性能柵極驅(qū)動(dòng)器IC，可用于驅(qū)動(dòng)同步降壓或半橋配置中的高邊和低邊N溝道MOSFET。這些驅(qū)動(dòng)器包含車(chē)規(guī)級(jí)和工業(yè)級(jí)版本，性能上兼具高電流輸出和出色的動(dòng)態(tài)性能，可大幅提高應(yīng)用效率和魯棒性。
2024-11-20 17:23:411292 Analog Devices Inc. LTC7068 150V半橋驅(qū)動(dòng)器是一款半橋雙N溝道MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)器，在高達(dá)150V的輸入電壓下工作，具有獨(dú)立于電源的三態(tài)脈寬調(diào)制 (PWM) 輸入邏輯
2025-06-06 10:29:16714 
Analog Devices Inc. LTC7065半橋雙N溝道MOSFET驅(qū)動(dòng)器是一款柵極驅(qū)動(dòng)器，在高達(dá)100V的輸入電壓下工作，具有獨(dú)立于電源的三態(tài)PWM輸入邏輯。強(qiáng)大的1.3Ω下拉和1.6
2025-06-06 16:00:49912 
Analog Devices Inc. LTC7063半橋驅(qū)動(dòng)器驅(qū)動(dòng)兩個(gè)采用半橋配置的N溝道MOSFET，供電電壓高達(dá)140V。高側(cè)和低側(cè)驅(qū)動(dòng)器可以通過(guò)提供瞬態(tài)抗擾度和噪聲來(lái)驅(qū)動(dòng)具有不同接地
2025-06-14 16:36:57832 
Texas Instruments DRV8770EVM柵極驅(qū)動(dòng)器評(píng)估模塊 (EVM) 可以輕松評(píng)估DRV8770 100V器件。DRV8770器件提供兩個(gè)半橋柵極驅(qū)動(dòng)器，每個(gè)驅(qū)動(dòng)器可驅(qū)動(dòng)高側(cè)和低側(cè)N溝道功率MOSFET。DRV8770設(shè)有BST欠壓閉鎖、GVDD欠壓和熱關(guān)斷等保護(hù)功能。
2025-09-25 14:31:39524 
DRV8351-SEP是一款三相半橋柵極驅(qū)動(dòng)器，能夠驅(qū)動(dòng)高側(cè)和低側(cè)N溝道功率MOSFET。DRV8351-SEPD 使用集成自舉二極管和用于高端 MOSFET 的外部電容器產(chǎn)生正確的柵極驅(qū)動(dòng)電壓
2025-10-11 14:38:251089 
DRV8329系列器件是用于三相應(yīng)用的集成柵極驅(qū)動(dòng)器。這些器件提供三個(gè)半橋柵極驅(qū)動(dòng)器，每個(gè)驅(qū)動(dòng)器都能夠驅(qū)動(dòng)高側(cè)和低側(cè)N溝道功率MOSFET。該器件使用內(nèi)部電荷泵產(chǎn)生正確的柵極驅(qū)動(dòng)電壓，并使用自舉電路
2025-10-13 15:32:07528 
DRV8300U是100V三半橋柵極驅(qū)動(dòng)器，能夠驅(qū)動(dòng)高側(cè)和低側(cè)N溝道功率MOSFET。該DRV8300UD使用集成的自舉二極管和用于高側(cè)MOSFET的外部電容器產(chǎn)生正確的柵極驅(qū)動(dòng)電壓。GVDD用于為低側(cè)MOSFET生成柵極驅(qū)動(dòng)電壓。柵極驅(qū)動(dòng)架構(gòu)支持高達(dá)750mA的峰值源電流和1.5A的灌電流。
2025-10-13 15:53:14454 
DRV8300 -Q1 是 100V 三半橋柵極驅(qū)動(dòng)器，能夠驅(qū)動(dòng)高側(cè)和低側(cè) N 溝道功率 MOSFET。DRV8300 -Q1 使用集成自舉二極管和用于高側(cè) MOSFET 的外部電容器產(chǎn)生正確的柵極
2025-10-13 17:23:45893 
DRV8770器件提供兩個(gè)半橋柵極驅(qū)動(dòng)器，每個(gè)驅(qū)動(dòng)器能夠驅(qū)動(dòng)高側(cè)和低側(cè)N溝道功率MOSFET。集成自舉二極管和外部電容器為高側(cè) MOSFET 產(chǎn)生正確的柵極驅(qū)動(dòng)電壓，而 GVDD 驅(qū)動(dòng)低側(cè) MOSFET 的柵極。柵極驅(qū)動(dòng)架構(gòu)支持高達(dá) 750mA 的柵極驅(qū)動(dòng)電流和 1.5A 的灌電流。
2025-10-14 11:42:20525 
mm封裝，具有下拉和中心柵極設(shè)計(jì)，可提高功率密度、效率和散熱性能。該N溝道MOSFET無(wú)鉛、無(wú)鹵/無(wú)BFR，符合RoHS指令。NTMFSS0D9N03P8 MOSFET非常適合用于ORing、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器、電源負(fù)載開(kāi)關(guān)和直流/直流應(yīng)用。
2025-11-24 15:35:18263 
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