1. 多維市場持續(xù)推動(dòng)，功率半導(dǎo)體穩(wěn)健增長

1.1 功率半導(dǎo)體介紹及分類

功率半導(dǎo)體，又稱電力電子器件或功率電子器件，是電子產(chǎn)業(yè)鏈中最核心的一類 器件之一。能夠?qū)崿F(xiàn)電能轉(zhuǎn)換和電路控制，在電路中主要起著功率轉(zhuǎn)換、功率放大、 功率開關(guān)、線路保護(hù)、逆變（直流轉(zhuǎn)交流）和整流（交流轉(zhuǎn)直流）等作用。

功率半導(dǎo)體包括功率半導(dǎo)體分立器件（含模塊）以及功率 IC 等。其中，功率半 導(dǎo)體分立器件，按照器件結(jié)構(gòu)劃分，可分為二極管、晶閘管和晶體管等。

據(jù)中商產(chǎn)業(yè)研究院數(shù)據(jù)，功率半導(dǎo)體分立器件中，以 MOSFET 和 IGBT 為代表 的晶體管占比最大，約 28.8%。從目前市場需求來看，硅基 MOSFET、硅基 IGBT 以及碳化硅為目前功率半導(dǎo) 體分立器件的主力產(chǎn)品。本文也將重點(diǎn)圍繞硅基 MOSFET、IGBT 和碳化硅等功率分立器件（含模塊）展開分析和研究。

MOSFET，具有輸入阻抗高、噪聲低、熱穩(wěn)定性好、制造工藝簡單和輻射強(qiáng)等優(yōu) 點(diǎn)，通常被用于放大電路或開關(guān)電路。MOSFET 按照不同的工藝可分為平面型 Planar MOSFET、溝槽型 Trench MOSFET、屏蔽柵 SGT MOSFET 和超級結(jié) SJ MOSFET。按照導(dǎo)電溝道可分為 N 溝道和 P 溝道，即 N-MOSFET 和 PMOSFET。按照柵極電壓幅值可分為耗盡型和增強(qiáng)型。

隨著 MOSFET 技術(shù)和工藝不斷成熟，成本將不斷下調(diào)。中高端產(chǎn)品也將逐漸向 中低端產(chǎn)品下沉。比如 Trench MOSFET 將從中端下沉至中低端，替代部分平面 MOSFET 的低端市場。SGT MOSFET 將部分替代 Trench MOSFET 的低壓應(yīng) 用市場，從中高端下沉至中端。SGT MOSFET、SJ MOSFET 和碳化硅 MOSFET 或是 MOSFET 未來三大主 力產(chǎn)品。自上世紀(jì) 70 年代 MOSFET 誕生以來，從平面 MOSFET 發(fā)展到 Trench MOSFET，再到 SGT MOSFET 和 SJ MOSFET，再到當(dāng)下火熱的第三代寬禁帶 MOSFET（碳化硅、氮化鎵），功率 MOSFET 的技術(shù)迭代方向主要圍繞制程、 設(shè)計(jì)（結(jié)構(gòu)上變化）、工藝優(yōu)化以及材料變更，以實(shí)現(xiàn)器件的高性能——高頻率、 高功率和低損耗等。

IGBT 俗稱電力電子裝置的“CPU”，是能源變換與傳輸?shù)暮诵钠骷?，?BJT 和 MOSFET 組合而成，是一種全控型、電壓驅(qū)動(dòng)的功率半導(dǎo)體器件。IGBT 沒有 放大電壓的功能，導(dǎo)通時(shí)可以看做導(dǎo)線，斷開時(shí)當(dāng)做開路。IGBT 同時(shí)具有 BJT 和 MOSFET 的優(yōu)點(diǎn)，即高輸入阻抗、低導(dǎo)通壓降、驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低等， IGBT 與 BJT 或 MOS 管相比，其優(yōu)勢是它提供了一個(gè)比標(biāo)準(zhǔn)雙極型晶體管更大 的功率增益，以及更高的工作電壓和更低的 MOS 管輸入損耗。因此廣泛應(yīng)用于 直流電壓為 600V 及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開關(guān)電源、照明電路 和牽引傳動(dòng)等場景。

IGBT 相比 MOSFET，可在更高電壓下持續(xù)工作，同時(shí)需要兼顧高功率密度、低 損耗、高可靠性、散熱好、低成本等因素。一顆高性能、高可靠性與低成本的 IGBT 芯片，不僅僅需要在設(shè)計(jì)端不斷優(yōu)化器件結(jié)構(gòu)，對晶圓制造和封裝也提高了更高的要 求。

1.2 中國功率半導(dǎo)體發(fā)展現(xiàn)狀

產(chǎn)品由低端逐步走向中高端，國產(chǎn)替代空間廣闊。我國功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)仍處于起 步階段，總體呈現(xiàn)產(chǎn)業(yè)鏈完整、廠家多、發(fā)展迅速等特點(diǎn)。截止 2022 年 4 月，中國 功率半導(dǎo)體相關(guān)企業(yè)已超 320 家。主要分布在廣東（130 家）和江蘇（56 家）等東 南沿海地區(qū)。

國產(chǎn)功率半導(dǎo)體已在眾多領(lǐng)域應(yīng)用，特別是低端產(chǎn)品，如二極管、三極管、晶閘 管、低壓 MOSFET（非車規(guī)）等，已初現(xiàn)“規(guī)?；?yīng)、國產(chǎn)化率相對較高”等特 點(diǎn)。在中高端領(lǐng)域，如 SJ MOSFET、IGBT、碳化硅等，特別是車規(guī)產(chǎn)品，由于起步 晚、工藝相對復(fù)雜以及缺乏車規(guī)驗(yàn)證機(jī)會(huì)等問題，國內(nèi)廠家依然在追隨海外廠家技術(shù) 發(fā)展路線。但近年來，市場逐漸從依賴進(jìn)口向國內(nèi)自給自足轉(zhuǎn)變，國產(chǎn)替代潛力大。

芯片進(jìn)口金額持續(xù)處于高位，功率半導(dǎo)體市場空間足夠大。據(jù)中國海關(guān)總署數(shù)據(jù)， 2021 年，中國進(jìn)口集成電路 6354.8 億個(gè)，同比增長 16.92%。全年進(jìn)口金額累計(jì)為 4325.54 億美元，同比增漲 23.59%。中國為功率半導(dǎo)體消費(fèi)大國，2021 年中國功率 半導(dǎo)體市場規(guī)模約為 183 億美元，同比增長 6.4%，預(yù)計(jì) 2022 年將進(jìn)一步增長至 191 億美元。

國家和地方政策支持，加速國產(chǎn)替代進(jìn)程。受益于國家和地方政府的鼓勵(lì)政策， 國內(nèi)電動(dòng)汽車與充電樁、光伏與儲(chǔ)能等領(lǐng)域需求增長，功率半導(dǎo)體競爭格局有望被重 塑——國內(nèi)功率半導(dǎo)體的國產(chǎn)化進(jìn)程有望加速。

1.3 功率半導(dǎo)體前景廣闊，汽車、充電樁和光伏多輪驅(qū)動(dòng)

功率半導(dǎo)體應(yīng)用前景廣闊，幾乎涵蓋了所有電子產(chǎn)業(yè)鏈。以 MOSFET、IGBT 以 及 SiC MOSFET 為代表的功率器件需求旺盛。根據(jù)性能不同，廣泛應(yīng)用于汽車、充 電樁、光伏發(fā)電、風(fēng)力發(fā)電、消費(fèi)電子、軌道交通、工業(yè)電機(jī)、儲(chǔ)能、航空航天和軍 工等眾多領(lǐng)域。

據(jù) Yole 數(shù)據(jù)預(yù)測，至 2025 年，全球功率半導(dǎo)體分立器件和模塊的市場規(guī)模將 分別達(dá)到 76 億美元和 113 億美元。據(jù)中國產(chǎn)業(yè)信息網(wǎng)數(shù)據(jù)，2023 年中國大陸地區(qū) IGBT 市場規(guī)模預(yù)計(jì)達(dá)到 290.8 億元，同比增長 11.6%。據(jù)中國半導(dǎo)體器件行業(yè)現(xiàn)狀 深度分析與未來投資預(yù)測報(bào)告數(shù)據(jù)，2023 年中國大陸地區(qū) MOSFET 市場規(guī)模將達(dá) 到 396.2 億元（56.6 億美元，人民幣兌美元匯率按照 7 計(jì)算），同比增長 4.8%。

以 MOSFET 為例，據(jù) Yole 預(yù)測，到 2026 年，全球 MOSFET（包括分立器件 和模塊）市場總規(guī)模預(yù)計(jì)將達(dá)到 94.8 億美元，復(fù)合增長率達(dá) 3.8%（2020 年至 2026 年）。MOSFET 汽車應(yīng)用（電動(dòng)汽車和汽車充電樁）占比居首位，高達(dá) 33%，其中電 動(dòng)汽車和充電樁分別占比 25%和 8%。從耐壓范圍看，到 2026 年，低壓 MOSFET （0-40V）占總需求的 39%，中壓（41V-400V）占 26%，高壓（大于等于 600V）廣 泛應(yīng)用在 220V 系統(tǒng)中，占總需求的 35%。同時(shí)，SiC MOSFET 和 GaN MOSFET 市場滲透率在逐步提高。

2020 年以來，電動(dòng)汽車、汽車充電樁和光伏逆變器可謂拉動(dòng)功率半導(dǎo)體增長的 三駕馬車。

電動(dòng)汽車：電動(dòng)汽車進(jìn)一步滲透終端消費(fèi)市場，帶動(dòng)功率器件和模塊需求快速 增長。特別是 MOSFET 和 IGBT（包括單管及模組）的增長較為顯著。據(jù)貝殼投 研數(shù)據(jù)，2021 年中國車規(guī)級 IGBT 市場規(guī)模為 47.8 億元，預(yù)計(jì)到 2025 年，其 將達(dá)到 151.6 億元。據(jù)芯謀研究數(shù)據(jù)，2021 年和 2025 年中國車規(guī) MOSFET 的 市場規(guī)模分別為 73.5 億元（10.5 億美元，匯率按 7 計(jì)算）和 122.5 億元（預(yù)測 數(shù)據(jù)，17.5 億美元，匯率按 7 計(jì)算）。

充電樁：受益于新能源汽車快速增長，與之配套的充電樁市場亦呈現(xiàn)快速發(fā) 展態(tài)勢。據(jù)億渡數(shù)據(jù)預(yù)測，至 2026 年，中國充電設(shè)施市場規(guī)模將達(dá) 2870.2 億元，2022 年到 2026 年復(fù)合增長率高達(dá) 37.83%。從直流充電樁相關(guān)零部 件分解可以看出，充電機(jī)是充電樁的最核心部件，成本占充電樁的 50%以上， 而功率半導(dǎo)體是充電機(jī)的最核心組成部分，成本占充電機(jī)的一半以上。

光伏：據(jù)中國光伏行業(yè)協(xié)會(huì)數(shù)據(jù)，至 2025 年，中國新增光伏裝機(jī)保守預(yù)測為 90GW，同比增長 10%。據(jù)未來智庫數(shù)據(jù)預(yù)測，2025 年中國光伏逆變器市場 規(guī)模達(dá) 196 億元。逆變器是光伏系統(tǒng)的心臟，中高壓 MOSFET、IGBT 及碳化硅等功率器件是 光伏逆變器的核心，其決定著光伏逆變器的性能高低，進(jìn)而直接影響光伏系 統(tǒng)的穩(wěn)定性、發(fā)電效率以及使用壽命。據(jù)中商產(chǎn)業(yè)研究院數(shù)據(jù)，光伏逆變器 主要由機(jī)械件、電感和半導(dǎo)體器件構(gòu)成，分別占比 27.6%、14.2%、11.8%。

綜上，在電動(dòng)汽車、充電樁以及光伏逆變器等多輪驅(qū)動(dòng)下，功率器件有望穩(wěn)健增 長，為千億賽道奠定堅(jiān)實(shí)路基。

2. 汽車電動(dòng)化大勢所趨，功率半導(dǎo)體深度受益

汽車的百年史里，數(shù)次技術(shù)變革都極大的推動(dòng)了汽車消費(fèi)和汽車工業(yè)的發(fā)展，如 發(fā)動(dòng)機(jī)控制、自動(dòng)變速、底盤、主被動(dòng)安全、通信及多媒體影音等技術(shù)。雖然這些技 術(shù)給汽車的駕駛感受和舒適性都帶來了提升，但汽車能源供給方式、駕駛方式以及驅(qū) 動(dòng)方式都沒有發(fā)生變化。

如今，傳統(tǒng)燃油車動(dòng)力和傳動(dòng)系統(tǒng)將被電動(dòng)車的大、小三電系統(tǒng)取代。自動(dòng)駕駛、 線控底盤、網(wǎng)聯(lián)化和軟件化，車、路和云端協(xié)同等賦予了汽車新的定義和生命力。汽 車已不再單單是一個(gè)載客的交通工具，而是被定義為一個(gè)智能科技終端、可以在其中 工作和休閑的第三移動(dòng)空間。

2.1 電動(dòng)汽車加速滲透，IGBT、MOSFET 最先受益

電動(dòng)汽車作為新能源汽車的最重要載體和代表，是承載先進(jìn)汽車科技的代名詞，也逐漸成為消費(fèi)者選擇的主流。而中國已成為引領(lǐng)全球電動(dòng)汽車技術(shù)發(fā)展的最大的新 能源汽車產(chǎn)銷市場。2016 年中國電動(dòng)汽車市場滲透率僅有 1%。而在疫情等外界因 素影響之下，2022 年前三季度中國電動(dòng)汽車市場滲透率已經(jīng)達(dá)到 24%，實(shí)現(xiàn)了飛躍 式增長。

2022 年 1-9 月份，全球新能源汽車銷量再創(chuàng)新高，達(dá) 726 萬輛，同比增長 67.56%。其中歐洲銷售 166 萬輛，同比增長 6.68%；美國銷量快速提升，達(dá) 72 萬輛，同比增長 59.67%；中國新能源汽車銷量繼續(xù)領(lǐng)跑全球，銷量達(dá)到 400 多萬輛，同比增長 110%。全球新能源汽車?yán)塾?jì)銷量突破 2500 萬輛。2022 年 1-12 月份，中國新能源汽車銷量共計(jì) 688.7 萬輛，同比 2021 年增加 1 倍?？梢?，即使上半年疫情影響帶來的供應(yīng)鏈中斷、動(dòng)力電池上游原材料漲價(jià)以及多數(shù)汽車芯 片依然緊缺的形勢下，新能源汽車銷售市場熱情不減。如比亞迪增長最為顯著，全年累計(jì) 銷售 186.85 萬輛，同比增長 152.5%，其中純電車型銷量突破 91.1 萬輛。

車載功率半導(dǎo)體穩(wěn)健發(fā)展，離不開高壓平臺(tái)應(yīng)用的助推。整車動(dòng)力電池電壓平臺(tái)有 望將逐漸從現(xiàn)有的 400V 升級到 800V 系統(tǒng)，以滿足消費(fèi)者對電動(dòng)汽車的長續(xù)航、快速充 電等期待，而這將對功率半導(dǎo)體的性能參數(shù)提出了更高的要求，中高壓功率器件如 SJMOSFET、IGBT和碳化硅 MOSFET將會(huì)在車端大量應(yīng)用，其單車價(jià)值量有望繼續(xù)提升。據(jù)半導(dǎo)體行業(yè)縱橫數(shù)據(jù)，混動(dòng)和純電動(dòng)汽車上功率半導(dǎo)體價(jià)值量分別占單車半導(dǎo)體 總價(jià)值的 40%和 55%。據(jù)英飛凌統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)，純電動(dòng)汽車半導(dǎo)體價(jià)值量預(yù)估在 1000 美元 左右，而功率半導(dǎo)體達(dá) 550-600 美元左右。而車載功率半導(dǎo)體中最具代表的即 IGBT 和 MOSFET。

車規(guī)功率半導(dǎo)體需求強(qiáng)勁，電動(dòng)化與高壓化是兩大重要推動(dòng)力。隨著汽車電動(dòng)化、高 壓化逐步滲透，功率半導(dǎo)體在電動(dòng)汽車上單車價(jià)值量有望進(jìn)一步提高。

在傳統(tǒng)燃油車上，單車功率半導(dǎo)體價(jià)值量在 71 美元左右。且主要以中、低壓 MOSFET 應(yīng)用為主，比如在車門、車窗、座椅調(diào)節(jié)、后視鏡、儀表、影音、HUD、 自動(dòng)啟停、雨刷、天窗、轉(zhuǎn)向 ECU、制動(dòng) ECU、安全氣囊、空調(diào)電動(dòng)水泵、座 艙儀表燈、前后視大燈驅(qū)動(dòng)等涉及電機(jī)等應(yīng)用場景大量使用。MOSFET 單車用 量超 100 顆。比如單個(gè)轉(zhuǎn)向 ECU 中使用數(shù)量達(dá) 8 顆。平均單價(jià) 2-10 元人民幣 不等。

電動(dòng)汽車包括純電動(dòng)，插電混動(dòng)，混動(dòng)（中混和強(qiáng)混）等。在此類汽車上， 電機(jī)驅(qū)動(dòng)、照明、熱管理、電動(dòng)汽車主驅(qū)逆變器、DC/DC、升壓器和 OBC （車載充電器）等產(chǎn)品將依據(jù)各自的工作功率大小，選擇不同的功率半導(dǎo)體 器件。高、中、低壓硅基 MOSFET、IGBT 和 SiC MOSFET 均有廣泛使用。

不同類型的功率半導(dǎo)體分立器件和模塊，在汽車上都能找到應(yīng)用的落腳點(diǎn)。車載功 率半導(dǎo)體種類多，在做選型時(shí)，成本和效率是最關(guān)鍵的兩大要素。首先需要考慮需要多大 功率，再去匹配多大的電壓和電流，再結(jié)合系統(tǒng)效率和成本最終設(shè)計(jì)出一套最優(yōu)方案。功 率半導(dǎo)體分立器件和模塊根據(jù)在車上不同的系統(tǒng)應(yīng)用，則選用不同規(guī)格的器件。由此可見，功率半導(dǎo)體在電動(dòng)汽車上應(yīng)用場景非常廣泛。不同種類，不同規(guī)格的 產(chǎn)品都能匹配到不同的系統(tǒng)應(yīng)用。電動(dòng)汽車銷量穩(wěn)健增長，最先獲益的有望是當(dāng)前具 代表性的功率半導(dǎo)體——硅基 MOSFET、IGBT 以及碳化硅。

2.2 加快產(chǎn)品開發(fā)驗(yàn)證，重塑車規(guī)競爭格局

海外廠家依然是供貨主體，本土企業(yè)份額有望持續(xù)擴(kuò)大。由于車規(guī)芯片對可靠性、 安全性、試驗(yàn)等要求相對苛刻，且汽車行業(yè)供應(yīng)鏈相對封閉，車規(guī)功率半導(dǎo)體國產(chǎn)化 率一直以來比較低。歐、美、日等地的廠家憑借多年的技術(shù)積累和先進(jìn)的制造能力等 占據(jù)著市場主導(dǎo)地位。據(jù) Omdia 數(shù)據(jù)，英飛凌和安森美穩(wěn)居全球功率半導(dǎo)體銷售額第一和第二的位置， 而其后排名相對動(dòng)態(tài)。日本在全球功率半導(dǎo)體前十的榜單中占據(jù)五席，實(shí)力非常強(qiáng)勁。安世半導(dǎo)體是國內(nèi)為數(shù)不多的被列入全球第一梯隊(duì)的功率半導(dǎo)體廠家，2021 年排名 第八，相比 2019 年上升一名。

英飛凌——全球功率半導(dǎo)體龍頭。英飛凌引領(lǐng)全球功率半導(dǎo)體市場，其功率 半導(dǎo)體出貨量占全球總市場近 40%，已經(jīng)連續(xù)多年居首位。國內(nèi)多數(shù)車廠 都采用英飛凌方案，特別是用于主驅(qū)逆變器里的 IGBT 單管和模塊。同時(shí)也 有不少做模塊封裝的廠家從英飛凌采購晶圓。英飛凌在車載 IGBT 產(chǎn)品上取得的不菲成績離不開其多年持續(xù)的研發(fā)投入、 技術(shù)創(chuàng)新、戰(zhàn)略投資和并購、與供應(yīng)鏈上下游深度合作以及超前的戰(zhàn)略眼光 和對市場未來發(fā)展趨勢的精準(zhǔn)預(yù)判。

安森美——穩(wěn)坐功率半導(dǎo)體第二把交椅。功率半導(dǎo)體一直占據(jù)安森美總營收 的半壁江山。汽車為安森美最大營收來源，2022 年第四季度汽車收入達(dá) 9.89 億美元，占總營收的 47.01%，同比增長 54%，創(chuàng)下新記錄。

美歐日等國功率半導(dǎo)體企業(yè)具備技術(shù)、產(chǎn)能、體系、人才和管理等眾多優(yōu)勢，市 場地位依然穩(wěn)固。而中國作為全球最大功率半導(dǎo)體消費(fèi)市場，近年來發(fā)展勢頭良好。截止 2022 年 4 月份，相關(guān)企業(yè)超 300 家，產(chǎn)業(yè)鏈布局完整，其中不乏一些技術(shù)實(shí)力 深厚的 IDM、Foundry 和 Fabless 企業(yè)。

以安世半導(dǎo)體、比亞迪半導(dǎo)體、斯達(dá)半導(dǎo)、中車時(shí)代電氣和士蘭微等為代表的功 率半導(dǎo)體企業(yè)，在技術(shù)沉淀、車規(guī)認(rèn)證、制造工藝、試驗(yàn)測試、技術(shù)支持、體系搭建、 上車批量驗(yàn)證、問題解決以及產(chǎn)能提升和人才培養(yǎng)方面都積累了寶貴經(jīng)驗(yàn)。

在車規(guī)功率半導(dǎo)體中，MOSFET 和 IGBT 最具代表性。

車規(guī) MOSFET：車規(guī) MOSFET 不論在燃油車上還是電動(dòng)車上，應(yīng)用非常廣泛， 且 MOSFET 產(chǎn)品主要被海外企業(yè)壟斷。自 2020 年以來，海外頭部供應(yīng)商都相繼面臨產(chǎn)能緊張、漲價(jià)和斷供等問題。此 時(shí)，對于一直在等候卻缺乏合適契機(jī)進(jìn)入車載領(lǐng)域的本土廠商來說，正是切入汽 車供應(yīng)鏈的絕佳時(shí)機(jī)。經(jīng)過兩年的蓄勢，國內(nèi)部分相關(guān)企業(yè)在上車批量供貨的同 時(shí)，同步在加快新的車規(guī) MOSFET 的研發(fā)和驗(yàn)證。低壓 MOS——主要以 40V，60V，100V Planar 平面型、Trench 溝槽型和 SGT 屏蔽柵 MOSFET 為主。因?yàn)閱诬囉昧看?、?yīng)用場景多且復(fù)雜，自 2021 年以來， 市場缺貨嚴(yán)重。

中壓 SGT MOSFET：車規(guī)級 SGT MOSFET 工作電壓范圍通常在 30V-250V 之 間的 MOSFET 產(chǎn)品，其中中壓（100V-250V）一般并聯(lián)多個(gè) MOSFET 單管用 于 A00 級小型電動(dòng)汽車或中混車輛（動(dòng)力電池電壓在 200V 上下）的主驅(qū)逆變 器、OBC、DC/DC、空調(diào)壓縮機(jī)等零部件當(dāng)中起到逆變、整流等作用。高壓 SJ MOSFET，車規(guī)級 SJ MOSFET 工作電壓通常在 650V-900V，主要用 于當(dāng)前廣泛搭載的 400V 動(dòng)力電池平臺(tái)汽車的主驅(qū)逆變器、OBC、DCDC 和 PTC 等產(chǎn)品上。

車規(guī) IGBT：IGBT 通常分為單管、模塊和 IPM 模塊。全球車載 IGBT 和 MOSFET 一樣，主要被美歐日等國家的廠家壟斷。如英飛凌、安森美、富士電機(jī)、三菱電 機(jī)和賽米控等。其中，英飛凌占據(jù)車規(guī) IGBT 主要市場份額，英飛凌最早在 2007 年推出車規(guī)級 IGBT 模塊——HybridPACK 系列。在國內(nèi)市場，比亞迪、斯達(dá)半導(dǎo)和時(shí)代電氣穩(wěn)居前十。

IGBT 已發(fā)展至第七代，英飛凌作為 IGBT 龍頭，其技術(shù)早在 2018 年已經(jīng)迭代 至第七代。第五、六、七代均是在第四代技術(shù)基礎(chǔ)上針對大功率、高開關(guān)頻率等 需求進(jìn)行的設(shè)計(jì)優(yōu)化。不同代差對應(yīng)不同的器件設(shè)計(jì)，也對應(yīng)著不同的器件性能 和應(yīng)用場景。目前國內(nèi)多數(shù)廠家已經(jīng)發(fā)展到了等同英飛凌的第四代和第五代技術(shù)， 而第四、五代 IGBT 也正好是目前車規(guī) IGBT 應(yīng)用的主流技術(shù)。

功率半導(dǎo)體器件或模塊是電機(jī)控制器的心臟。電機(jī)控制器、電機(jī)和減速器一起組 成電動(dòng)汽車的電力驅(qū)動(dòng)總成。其中，電機(jī)控制器是功率半導(dǎo)體器件和模塊的重要應(yīng)用 領(lǐng)域，其主要用途是將動(dòng)力電池輸出的直流電轉(zhuǎn)換成驅(qū)動(dòng)電機(jī)所需要的三相交流電。電機(jī)控制器由功率半導(dǎo)體器件或模塊、電容、驅(qū)動(dòng)電路板和控制電路板等零部件 組成。其中功率半導(dǎo)體器件或模塊占總成本的 37%左右，是電機(jī)控制器最為核心的 零部件之一。

由于電機(jī)控制器是功能安全件，通常消費(fèi)級或工規(guī)級的功率半導(dǎo)體器件和模塊不 滿足上車條件。因此長期以來，電機(jī)控制器中的功率半導(dǎo)體器件和模塊一直依賴進(jìn)口。近年來，電機(jī)控制器格局發(fā)生變化，本土電機(jī)控制器廠家市場份額快速增長，這 讓國產(chǎn)功率半導(dǎo)體擁有更多驗(yàn)證和上車機(jī)會(huì)，國產(chǎn)功率半導(dǎo)體市場份額將有望進(jìn)一步 擴(kuò)大。2022 年 Q1，斯達(dá)半導(dǎo)、比亞迪半導(dǎo)體和時(shí)代電氣市占率分別穩(wěn)居國內(nèi)市場第 二、第三和第五，分別占比 16.4%、14.5%和 9%。

本土電機(jī)控制器廠商引領(lǐng)市場，對車載功率半導(dǎo)體競爭格局有著積極影響。2022 年，排名前 20 的電控廠家中，本土廠家占據(jù) 12 席。包括 5 家整車廠自制企業(yè)、9 家 本土第三方非自制企業(yè)（包括聯(lián)合電子）以及 6 家海外廠家（包括日本的電裝、電產(chǎn)、 三菱、日立等四家、法國法雷奧和美國博格華納）。包括整車企業(yè)在內(nèi)（除特斯拉外）， 總共有 14 家本土企業(yè)入圍前 20，占比 7 成。

國產(chǎn)電控引領(lǐng)市場，有望助力國產(chǎn)功率半導(dǎo)體上車。目前國內(nèi)電控產(chǎn)品競爭相對 充分，且由本土廠家引領(lǐng)。而國內(nèi)企業(yè)在電控市場上份額的提升，則有望助力國產(chǎn)功 率半導(dǎo)體上車。原因如下：1）供應(yīng)鏈安全考慮：當(dāng)功率半導(dǎo)體缺貨時(shí)，為保證供應(yīng)鏈安全，車廠通常采取 一品多點(diǎn)采購戰(zhàn)略，即一個(gè)電控產(chǎn)品，多家功率半導(dǎo)體供應(yīng)商按照與車廠約定好的份 額供貨。對車廠而言，國產(chǎn)功率半導(dǎo)體通常是此時(shí)的選項(xiàng)之一；2）電控廠家成本控制需要：國產(chǎn)功率半導(dǎo)體成本相比進(jìn)口器件具備一定優(yōu)勢。特別是 A00 級和 A0 級這類電動(dòng)車，其對整車成本控制要求相對較高，國產(chǎn)功率半導(dǎo) 體應(yīng)用較為廣泛。國內(nèi)電控廠家在面臨海外競爭者壓力的時(shí)候，成本是其核心優(yōu)勢之 一。功率半導(dǎo)體作為電控中占比最高的核心器件，國內(nèi)電控廠家在獲取整車廠項(xiàng)目的 時(shí)候，通常也會(huì)偏愛選用同樣具有成本優(yōu)勢的國產(chǎn)功率半導(dǎo)體。3）多數(shù)國內(nèi)車廠和電控廠家加強(qiáng)和國內(nèi)功率半導(dǎo)體廠家合作，通過投資或戰(zhàn)略 合作或成立合資公司的方式，形成優(yōu)勢互補(bǔ)，共同開發(fā)功率半導(dǎo)體產(chǎn)品。這將對國產(chǎn) 功率半導(dǎo)體上車應(yīng)用起著很強(qiáng)推動(dòng)作用。

缺芯緩解過后，功率半導(dǎo)體的“技術(shù)和成本”或成核心主線。隨著缺芯緩解，海 外頭部廠家產(chǎn)能恢復(fù)，國內(nèi)廠家或面臨一定程度上的市場競爭。如何突破重圍，長期 來看，技術(shù)提升和持續(xù)成本優(yōu)化，以及加快車規(guī)產(chǎn)品研發(fā)和驗(yàn)證速度，將有助于重塑 市場格局，這將成為國內(nèi)廠家可持續(xù)發(fā)展的兩條核心主線。

2.3 車規(guī)器件壁壘重重，國產(chǎn)龍頭曙光破曉

在電動(dòng)汽車銷量快速增長和缺芯的大背景下，國內(nèi)功率半導(dǎo)體廠家趁勢在上車驗(yàn) 證和批量供貨上取得不菲成績。但由于國內(nèi)車載功率半導(dǎo)體發(fā)展起步較晚、器件開發(fā) 經(jīng)驗(yàn)不足、上車驗(yàn)證機(jī)會(huì)不多和可靠性要求高等原因，在“以下諸多方面”與全球第 一梯隊(duì)的車規(guī)功率半導(dǎo)體企業(yè)尚存差距，這也正是車規(guī)功率半導(dǎo)體壁壘所在。諸多壁 壘呈現(xiàn)復(fù)雜性、多樣性、綜合性以及普遍性等特點(diǎn)。設(shè)計(jì)和制造工藝。車規(guī)功率半導(dǎo)體的設(shè)計(jì)和制造工藝相對成熟，結(jié)構(gòu)相對簡單， 對工藝制程要求不高（通常大于 90nm）。車規(guī)功率半導(dǎo)體與其他芯片比較，結(jié)構(gòu)和制 造工藝有一定差別，且逐漸融合更多的特色工藝（微溝槽、深溝槽和屏蔽柵等）。車 規(guī)功率半導(dǎo)體在芯片面積、線寬、通態(tài)飽和壓降、關(guān)斷時(shí)間、功率損耗和封裝等方面 在持續(xù)做設(shè)計(jì)和工藝優(yōu)化，以達(dá)到大電流、高電壓、低損耗、高開關(guān)頻率、魯棒性、 散熱快等性能目標(biāo)。

目前全球車規(guī)級功率半導(dǎo)體器件設(shè)計(jì)、制造工藝和封裝測試等主要由英飛凌等海 外廠商引領(lǐng)。

器件設(shè)計(jì)：功率半導(dǎo)體自誕生以來，從半導(dǎo)體基材的迭代、微溝槽結(jié)構(gòu) 的優(yōu)化、先進(jìn)封裝、大尺寸晶圓的應(yīng)用等多個(gè)方面進(jìn)行技術(shù)創(chuàng)新。據(jù) Yole 數(shù)據(jù)，功率半導(dǎo)體器件每隔二十年將進(jìn)行一次產(chǎn)品迭代。相比其他半導(dǎo)體， 迭代周期相對慢，這將給國內(nèi)功率半導(dǎo)體廠家留有充足的發(fā)展時(shí)間。目前國內(nèi)廠商面臨的挑戰(zhàn)主要包括：1）低功耗與高可靠性以及高功率密度 三者的平衡；2）滿足高性能和小型化以及低成本三者的平衡；3）產(chǎn)品平臺(tái) 化和客戶定制要求之間的沖突和平衡；6）車規(guī)產(chǎn)品設(shè)計(jì)、制造等管理體系 和流程不健全；

晶圓制造工藝：這方面的挑戰(zhàn)有：1）半導(dǎo)體設(shè)備長期依賴進(jìn)口，采購周期 長且成本高，設(shè)備調(diào)試時(shí)間長，缺乏經(jīng)驗(yàn)；2）生產(chǎn)過程管控以達(dá)到晶圓一 致性和可靠性的目的；3）適用于車規(guī)的材料選型，以達(dá)到散熱、高結(jié)溫要 求；4）小尺寸、先進(jìn)封裝與成本之間的沖突等。

封裝測試：這方面的挑戰(zhàn)有：1）封裝環(huán)節(jié)，鍵合引線、模具、框架等材料 的選擇；2）功率半導(dǎo)體模組的散熱問題和可靠性兩者的平衡；2）缺乏車規(guī) 試驗(yàn)條件或測試經(jīng)驗(yàn)，具體試驗(yàn)參數(shù)如何設(shè)定沒有經(jīng)驗(yàn)。

SJ MOSFET、IGBT、碳化硅 MOSFET 作為中高端功率半導(dǎo)體器件，國內(nèi)廠家 在器件設(shè)計(jì)、晶圓制造工藝和封測環(huán)節(jié)都面臨不同程度上的挑戰(zhàn)和壁壘。對于追趕者 的國產(chǎn)功率半導(dǎo)體廠家而言，技術(shù)作為發(fā)展的第一要素，技術(shù)持續(xù)迭代和技術(shù)方案的 創(chuàng)新或是超越國際巨頭、主導(dǎo)市場地位的最重要條件之一。

質(zhì)量管理體系。車規(guī)功率半導(dǎo)體相比消費(fèi)和工業(yè)產(chǎn)品，對可靠性、質(zhì)量一致性、 環(huán)境（耐久、高低溫）、供貨周期以及驗(yàn)證試驗(yàn)等要求更高。需要嚴(yán)格遵守車規(guī)芯片 開發(fā)流程、質(zhì)量管理體系、驗(yàn)證要求等進(jìn)行以確保車輛行駛安全。車載功率半導(dǎo)體與其他車規(guī)芯片一樣，從芯片定義、設(shè)計(jì)、原材料采購、供應(yīng)商 管理、生產(chǎn)制造過程、小批量和批量供貨以及售后等，都需要嚴(yán)格按照 AECQ-100 試 驗(yàn)要求和 IATF16949 生產(chǎn)制造過程中的要求執(zhí)行。對于主驅(qū)逆變器中的功率半導(dǎo)體 單管或模塊，甚至要求按照 ISO 26262 對系統(tǒng)和流程體系進(jìn)行功能安全認(rèn)證。

比如，在車規(guī) IGBT 模塊的安全性方面，IGBT 模塊通常由多個(gè) IGBT 單管、SBD 以及散熱板等結(jié)構(gòu)組成。IGBT 單管由成百上千個(gè) IGBT 元胞構(gòu)成。IGBT 模塊實(shí)際上 車后，若其中一個(gè)元胞出現(xiàn)質(zhì)量問題，則將直接危及整車安全。國內(nèi)從事車載功率半導(dǎo)體開發(fā)和生產(chǎn)制造的廠商，具有數(shù)量多、分布地域廣、產(chǎn) 品種類多、技術(shù)能力水平參差不齊等特點(diǎn)。除了少數(shù)幾家頭部廠家外，車載領(lǐng)域起步 相對晚，從事車規(guī)產(chǎn)品開發(fā)累計(jì)時(shí)間不長。對車規(guī)產(chǎn)品質(zhì)量管理體系認(rèn)知仍有待提高， 需要未來更長時(shí)間上車實(shí)踐以提升。

上車機(jī)會(huì)。傳統(tǒng)燃油車時(shí)代，汽車銷量和核心零部件技術(shù)均由頭部車廠和供應(yīng)商 把握，海外整車廠和頭部 Tier1 話語權(quán)大，故汽車供應(yīng)鏈相對封閉，新玩家進(jìn)入大廠 供應(yīng)鏈體系相對困難。國內(nèi)車規(guī)功率半導(dǎo)體廠家起步晚、技術(shù)經(jīng)驗(yàn)少、對車規(guī)產(chǎn)品認(rèn)知缺乏。由于缺乏 批量上車驗(yàn)證機(jī)會(huì)。即使部分有很強(qiáng)研發(fā)實(shí)力的企業(yè)，同樣缺乏批量供貨、驗(yàn)證產(chǎn)品 長期可靠性的機(jī)會(huì)，從而技術(shù)能力一直處在進(jìn)步緩慢的窘境。且高投入和長期低回報(bào) 導(dǎo)致部分廠家信心不足甚至放棄車載產(chǎn)品的開發(fā)。在此背景下，即形成了對國內(nèi)功率 半導(dǎo)體玩家極為不友好的惡性循環(huán)。新能源汽車的快速上量以及疫情以來的汽車缺芯，特別是特斯拉以及國內(nèi)的造車 新勢力們，打破了汽車供應(yīng)鏈封閉的外墻，愿意嘗試多條腿走路，這給予了國內(nèi)包括 車載功率半導(dǎo)體廠家在內(nèi)的汽車零部件供應(yīng)商們充足的上車機(jī)會(huì)，也增強(qiáng)了國產(chǎn)替代 的確定性，國產(chǎn)車規(guī)功率半導(dǎo)體有望迎來份額進(jìn)一步提升的機(jī)會(huì)。

成本。在汽車客戶面臨器件選型時(shí)，成本將是一項(xiàng)重要考量的點(diǎn)，同樣滿足客戶 需求的產(chǎn)品，分別來自海外廠家和國內(nèi)廠家，在不缺芯和沒有國產(chǎn)替代要求下，通常 客戶可能考慮定點(diǎn)給價(jià)優(yōu)者。車規(guī)功率半導(dǎo)體和其他***類似，因?yàn)槠鸩酵?、?jīng)驗(yàn)缺乏、產(chǎn)業(yè)鏈相對不成 熟等特點(diǎn)，研發(fā)成本（人工、IP、軟件和工具鏈等）攤銷相對較高、核心原材料依賴 進(jìn)口（框架、模具、引線鍵合相關(guān)工藝等）、工藝相對不成熟、良率相對不高、規(guī)模 化效應(yīng)相對不突出、車規(guī)器件試驗(yàn)經(jīng)驗(yàn)相對缺乏以及固定資產(chǎn)尚處在攤銷初期等，而 上述或是造成器件成本相對較高的主要因素。

半導(dǎo)體從業(yè)人才。截止 2020 年，國內(nèi)半導(dǎo)體從業(yè)人員人數(shù)約 54.1 萬，同比增 長 5.7%。預(yù)計(jì)到 2023 年，人才需求將達(dá) 76.7 萬人，人才缺口將近 23 萬人。依前 文所述，功率半導(dǎo)體已超 300 多家。需求旺盛背后也隱藏著行業(yè)對專業(yè)人才的求賢 若渴。人才競爭也同樣是半導(dǎo)體企業(yè)間實(shí)力競爭的重要組成部分。成熟、經(jīng)驗(yàn)豐富的人才隊(duì)伍是行業(yè)發(fā)展基石。

3. 供應(yīng)鏈安全迫在眉睫，國產(chǎn)廠商乘勢而上

2023 年 3 月 3 日，美國商務(wù)部將 28 家中國實(shí)體加入“EL（Entity List，實(shí)體清 單）”。自 2018 年中興和華為相繼被制裁以來，美國對中國企業(yè)和科研機(jī)構(gòu)等實(shí)施多 次貿(mào)易限制和打壓，目標(biāo)直指多家半導(dǎo)體相關(guān)企業(yè)。

3.1 地緣政治+芯片短缺，產(chǎn)業(yè)尋求破局之道

2020 年以來，在多重因素影響下，汽車芯片面臨大缺貨。芯片供求不平衡導(dǎo)致 芯片期貨交期延后，價(jià)格漲價(jià)，現(xiàn)貨價(jià)格更是一路高走。至今，汽車缺芯雖然已有所 緩解，但依然還存在部分芯片供應(yīng)緊張狀況。長安汽車領(lǐng)導(dǎo)層就曾公開表示，因缺芯等因素影響，2022 年前三季度，已經(jīng)減 產(chǎn) 60.6 萬輛。據(jù) AFS 預(yù)測數(shù)據(jù)，2022 年因缺芯致汽車減產(chǎn)預(yù)計(jì)達(dá) 450 萬輛，而 2021 年這一數(shù)據(jù)是 1050 萬輛。

半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈全球化受阻。長期以來，半導(dǎo)體行業(yè)高度依賴全球化產(chǎn)業(yè)鏈的協(xié)同， 彼此分工明確，從設(shè)計(jì)、制造、封裝、設(shè)備、材料、軟件等全球通力合作，得以成就 全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)碩果。但是，近年來國際局勢已經(jīng)徹底改變了半導(dǎo)體制造商面臨的處 境，全球化和自由貿(mào)易變得舉步維艱。國產(chǎn)替代，功率半導(dǎo)體先行。在缺芯之下，功率半導(dǎo)體因?yàn)樾枨蟠蟆⒓夹g(shù)門檻相 對較低、國內(nèi)產(chǎn)業(yè)鏈基礎(chǔ)好，且在消費(fèi)和工業(yè)等有多數(shù)產(chǎn)品量產(chǎn)和應(yīng)用，將有望成為 最先被國產(chǎn)化的領(lǐng)域之一。

***產(chǎn)量逐年增加，國產(chǎn)替代內(nèi)部驅(qū)動(dòng)力增強(qiáng)。據(jù)國家統(tǒng)計(jì)局?jǐn)?shù)據(jù)，2021 年中國集成電路累計(jì)產(chǎn)量達(dá) 3594 億塊，同比增長 37.48%。從 2011 年至今的國內(nèi)集 成電路產(chǎn)量數(shù)據(jù)可以看出，面對日益增長的市場需求，國內(nèi)集成電路行業(yè)發(fā)展穩(wěn)健， 產(chǎn)量逐年提高。

3.2 IDM 及 Fabless 齊發(fā)力，國產(chǎn)替代穩(wěn)步前行

汽車受智能化、電動(dòng)化、網(wǎng)聯(lián)化和軟件化等產(chǎn)業(yè)趨勢驅(qū)動(dòng)。芯片作為智能硬件和 軟件的基石和載體，其重要性不言而喻。功率半導(dǎo)體在汽車電子中價(jià)值量高，且產(chǎn)業(yè) 鏈相對完整，具備國產(chǎn)替代的現(xiàn)實(shí)意義和可操作性。

3.2.1 車企投資不斷，IDM 和 Fabless 齊頭并進(jìn)

當(dāng)下，車規(guī)功率半導(dǎo)體已然成為車企重點(diǎn)布局和投資熱門領(lǐng)域之一。車載芯片種 類多、型號(hào)多、持續(xù)“缺芯”和車廠重要控制器自研，使得車廠開始建立控制器硬件 設(shè)計(jì)和供應(yīng)鏈部門。車廠將直接參與芯片選型，直接建立與芯片廠家溝通渠道，打破 原有供應(yīng)鏈的合作模式。車廠和 Tier1 都在開始往半導(dǎo)體設(shè)計(jì)和制造領(lǐng)域下沉，通過 投資或與芯片企業(yè)成立合資的形式進(jìn)入半導(dǎo)體行業(yè)。他們主要聚焦重要、價(jià)值高的車 規(guī)級芯片并進(jìn)行布局，與芯片企業(yè)共同合作開發(fā)，化被動(dòng)為主動(dòng)，以應(yīng)對將來可能會(huì) 面臨的汽車芯片供應(yīng)鏈安全問題。而其中功率半導(dǎo)體，特別是 IGBT 和 SiC，成為車 企投資熱門之一。

IDM 和 Fabless 各顯其能。在功率半導(dǎo)體設(shè)計(jì)制造環(huán)節(jié)，目前主要有 IDM 模式 和垂直分工模式，兩方競爭力孰強(qiáng)孰弱尚未分明，都在發(fā)揮各自優(yōu)勢。IDM 在缺芯時(shí)， 可以靈活協(xié)調(diào)產(chǎn)能以滿足不同客戶需求。在產(chǎn)品迭代上，IDM 也頗具優(yōu)勢。而代工模 式下，設(shè)計(jì)公司和 Foundry 可以共同合作開發(fā)先進(jìn)工藝以提升產(chǎn)品競爭力。

IDM 模式一般重資產(chǎn)，工廠投入相對較大，對產(chǎn)能規(guī)劃要求相對精準(zhǔn)可控，對各 類專業(yè)人才需求大，在產(chǎn)能協(xié)同、成本控制、需求響應(yīng)速度等多方面或具有較強(qiáng)優(yōu)勢。國內(nèi)功率半導(dǎo)體 IDM 有時(shí)代電氣、華潤微、士蘭微、華微以及揚(yáng)杰科技等。國內(nèi)部分 Fabless 選擇與頭部 Foundry 深度合作，在產(chǎn)品設(shè)計(jì)、工藝融合優(yōu)化、 產(chǎn)品規(guī)劃、產(chǎn)能調(diào)配等方面能達(dá)到良好效果。且該模式下，兩方既有各自分工合作， 又能做到優(yōu)勢互補(bǔ)。設(shè)計(jì)公司可以專注于產(chǎn)品設(shè)計(jì)與推廣、可以更精準(zhǔn)把握市場需求 和供應(yīng)節(jié)奏，而 Foundry 可以專注于工藝控制和優(yōu)化。國內(nèi)成功案例如新潔能與華 虹宏力的合作、捷捷微電與中芯紹興的合作。

目前，全球功率半導(dǎo)體市場上，頭部的功率半導(dǎo)體多數(shù)是“IDM 模式”或“IDM 加委外代工混合模式”。后者即部分 IDM 將部分低端制程、即將 EOP（End Of Production）的產(chǎn)品委外專業(yè)代工廠加工，比如國內(nèi)部分晶圓代工企業(yè)就接到不少此 類海外客戶的訂單。據(jù) ittbank 數(shù)據(jù)統(tǒng)計(jì)：中國大陸地區(qū) Top60 的功率半導(dǎo)體（不含功率 IC）企業(yè) 里，其中 IDM 有 43 家，F(xiàn)oundry 有 5 家，以及 12 家 Fabless。

3.2.2 單車價(jià)值名列前茅，“國產(chǎn)替代”率先突圍

據(jù)英飛凌統(tǒng)計(jì)，在傳統(tǒng)燃油車上，MCU 是其中價(jià)值量最高的半導(dǎo)體器件，占比 約 30%，功率半導(dǎo)體（包括功率半導(dǎo)體器件和功率半導(dǎo)體芯片）占比 20%。而對于電動(dòng)汽車來說，MCU 和功率的價(jià)值占比有所變化。細(xì)分來看，混動(dòng)車型和純電動(dòng)車 型，功率半導(dǎo)體用量和價(jià)值存在差異。混動(dòng)又分輕中混、強(qiáng)混和插混，純電動(dòng)也要看 動(dòng)力電池電壓平臺(tái)，200V 和 800V 對選用的功率半導(dǎo)體分立器件和模塊差異較大， 成本也存在差異。從英飛凌數(shù)據(jù)看出，中混電動(dòng)汽車（MHEV）單車功率半導(dǎo)體價(jià)值 150-200 美元， 自動(dòng)充電混動(dòng)汽車（FHEV）單車功率半導(dǎo)體價(jià)值在400-470美元，純電動(dòng)汽車（BEV） 單車功率半導(dǎo)體價(jià)值在 550-600 美元?？梢娫诟黝愲妱?dòng)汽車上，功率半導(dǎo)體價(jià)值量 高居榜首。

在我國大力發(fā)展新能源汽車的當(dāng)下，車規(guī)級功率半導(dǎo)體具備政策支持、產(chǎn)業(yè)鏈完 整等優(yōu)勢，或?qū)⒙氏韧粐?，?shí)現(xiàn)國產(chǎn)化率穩(wěn)步提升。

4. 碳化硅器件厚積薄發(fā)，產(chǎn)業(yè)布局多點(diǎn)開花

4.1 新材料、新機(jī)遇、新趨勢

作為第三代半導(dǎo)體材料的代表，相較于硅，碳化硅具有禁帶寬度更大（是硅的 3 倍）、熱導(dǎo)率更高（是硅的 4-5 倍）、擊穿電壓更大（是硅的 8- 10 倍）等優(yōu)勢。

碳化硅功率器件主要包括碳化硅二極管（主要是肖特基勢壘二極管 SBD 等）、碳 化硅晶體管（主要是碳化硅 BJT、MOSFET 等）以及碳化硅功率模塊等。碳化硅功 率器件具有耐高壓、大電流、耐高溫、高頻、高功率和低損耗等眾多優(yōu)點(diǎn)，廣泛應(yīng)用 于電動(dòng)汽車及充電樁、光伏、電網(wǎng)、軌道交通和儲(chǔ)能等領(lǐng)域。

據(jù) Yole 數(shù)據(jù)，碳化硅功率器件 2021 年全球市場規(guī)模 10.9 億美金。預(yù)計(jì)到 2027 年將達(dá)到 62.97 億美金，2021-2027 CAGR 達(dá) 34%。發(fā)展勢頭強(qiáng)勁，未來市場空間 可觀。

全球各國對碳化硅投資熱度不減，目前碳化硅器件市場龍頭依然以海外企業(yè)為主， 國內(nèi) 90%需求依賴進(jìn)口。我國碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈布局相對完整，部分頭部企業(yè)技術(shù)實(shí)力 不可小覷，在半絕緣襯底、外延片、射頻器件和碳化硅器件均已量產(chǎn)并批量供貨。

碳化硅性能優(yōu)于 IGBT，兩者在多個(gè)領(lǐng)域或存在應(yīng)用重疊。從成本變化和晶圓尺 寸發(fā)展趨勢分析：碳化硅與 IGBT 成本比較。目前碳化硅功率器件由于技術(shù)和工藝尚不成熟、襯底 良率低以及尚未規(guī)?；瘧?yīng)用等因素，導(dǎo)致當(dāng)前碳化硅成本居高不下。同等規(guī)格、滿足 同個(gè)終端應(yīng)用需求的碳化硅 MOSFET 的價(jià)格是 IGBT 的 2.5-3 倍。而硅基 IGBT 技 術(shù)成熟，規(guī)?；?yīng)已經(jīng)顯現(xiàn)，成本下探空間有限。隨著上述對碳化硅成本不利因素 日漸改善，其價(jià)格有望逐年下調(diào)。對于長續(xù)航電動(dòng)汽車，當(dāng)前碳化硅功率器件的應(yīng)用 帶來的其他周邊零部件的降本，或?qū)⑦M(jìn)一步縮小、或打平與選用IGBT帶來的價(jià)格差。

碳化硅晶圓制造。目前已量產(chǎn)碳化硅襯底多是基于 2 英寸、4 英寸和 6 英寸晶圓 制造，其中 6 英寸逐漸將成為主流。據(jù) NE 時(shí)代數(shù)據(jù)，安森美 8 英寸襯底于 2021 年 已經(jīng)投產(chǎn)。未來，隨著 8 英寸晶圓的襯底逐步量產(chǎn)，單片晶圓產(chǎn)量提升，相比 4 英寸 和 6 英寸晶圓，理論上碳化硅器件價(jià)格或?qū)?huì)有所下調(diào)。

當(dāng)前碳化硅 MOSFET 主要應(yīng)用于一些中高端場景，這些應(yīng)用往往追求更高的性 能表現(xiàn)。如售價(jià) 30 萬以上的中高端智能電動(dòng)汽車，其對續(xù)航、瞬間加速以及充電時(shí) 間有著更高要求，通常其主逆變器中會(huì)采用碳化硅方案。短時(shí)間內(nèi)，IGBT 或依然是 市場主流。長期來看，碳化硅 MOSFET 和 IGBT 市場需求或達(dá)到一個(gè)相對平衡，兩 者將共存以供不同應(yīng)用場景所使用。

4.2 襯底和外延占據(jù)價(jià)值高地

碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈相對復(fù)雜，主要包括襯底、外延、器件設(shè)計(jì)、晶圓制造以及封裝測 試和終端應(yīng)用等。

截至 2021 年，國內(nèi)碳化硅產(chǎn)線已經(jīng)投入超 20 條，產(chǎn)業(yè)鏈上、下游都有相關(guān)企 業(yè)參與。其中襯底代表企業(yè)有天岳先進(jìn)、天科合達(dá)等；外延片代表企業(yè)有東莞天域半 導(dǎo)體、瀚天天成等；布局碳化硅器件的企業(yè)以 IDM 為主，也有少數(shù)幾家 Foundry，還 有多數(shù)設(shè)計(jì)公司。

襯底和外延占據(jù)碳化硅器件的價(jià)值高地，存在較高技術(shù)壁壘。據(jù)未來智庫數(shù)據(jù)， 襯底和外延占碳化硅器件總成本近 70%（其中襯底占 46%，外延占 23%）。兩者同 為碳化硅器件最核心、也是最具瓶頸的兩道制造工藝環(huán)節(jié)。襯底和外延的技術(shù)提升快 慢和良率高低都將對碳化硅器件的應(yīng)用和推廣產(chǎn)生直接影響。

襯底是碳化硅器件的第一內(nèi)核。據(jù) Yole 數(shù)據(jù)，預(yù)計(jì)到 2027 年，全球應(yīng)用 于電動(dòng)汽車和充電樁的碳化硅襯底數(shù)量將達(dá)到 140 萬片，占市場總量的 78.23%。

碳化硅襯底分類——碳化硅襯底按照電阻率大小，碳化硅可以分為導(dǎo)電型和 半絕緣型。導(dǎo)電型襯底常用于制作碳化硅功率器件，應(yīng)用于電動(dòng)汽車、光伏、 儲(chǔ)能等領(lǐng)域。而半絕緣型碳化硅襯底則被常用于制作氮化鎵微波射頻器件和 功率放大器等（GaN-on-SiC），應(yīng)用于 5G 通信等。目前導(dǎo)電型襯底市場依然由歐、美、日企業(yè)主導(dǎo)，美國 Wolfspeed 占全球份 額超 60%以上，其他如美國高意集團(tuán)（II-VI）、德國 SiCrystalAG（被日本 Rohm 收購）、美國 DowCorning 和日本新日鐵住金等緊隨其后，市占率位 居前列。國內(nèi)做導(dǎo)電型襯底起步較晚，整體發(fā)展處于初期階段，該領(lǐng)域國內(nèi) 主要企業(yè)有天科合達(dá)、天岳先進(jìn)等。

國產(chǎn)廠家在半絕緣型襯底產(chǎn)品開發(fā)相對起步較早，有一定經(jīng)驗(yàn)積累。2020 年，天岳先進(jìn)的半絕緣型碳化硅襯底在全球市占率已高達(dá) 30%，位居全球 第三，僅次于海外龍頭企業(yè) II-VI 和 Wolfspeed，形成三足鼎立的局面。

襯底制作方法——襯底的形成通常使用物理氣相傳輸法，在高溫下（＞2000℃），碳化硅粉體分解成硅原子等氣相物質(zhì)，在高低溫形成的溫度梯度 下，氣相物質(zhì)慢慢在低溫區(qū)的碳化硅籽晶表面生長形成碳化硅晶體。再通過 定向、整形、切片、研磨、拋光、檢測和清洗等工藝過程，最后制成碳化硅 襯底。制作優(yōu)良的碳化硅襯底，存在較高的技術(shù)壁壘。碳化硅襯底生長難度大，對 工藝控制和襯底的厚度、翹曲度和彎曲度都有較高要求。其制備過程中，主 要存在以下難點(diǎn)和壁壘：1）碳化硅粉體純度控制要求高，碳和硅的比例控 制要精準(zhǔn)；2）溫度要求高，高溫與低溫需控制精準(zhǔn)；3）長晶時(shí)，生長速率 等需要嚴(yán)格控制；4）襯底生長為物理時(shí)間，且很難加速，時(shí)間成本高，產(chǎn) 能因此受限；5）碳化硅硬度強(qiáng)，切片時(shí)損耗高，產(chǎn)出低；6）涉及設(shè)備種類 多、要求高，如長晶爐，切片機(jī)、研磨機(jī)、拋光機(jī)和清洗設(shè)備等，總投入大。以上眾多壁壘導(dǎo)致目前碳化硅良率較低，單片價(jià)格較高。

外延工藝是碳化硅器件的第二內(nèi)核。由于碳化硅襯底表面或多或少因?yàn)樯L 過程或加工過程中引入微顆粒，直接基于其表面進(jìn)行晶圓制造，或?qū)?dǎo)致最 終器件良率低、性能差等后果。故通常引入外延工藝，即在襯底表面通過化 學(xué)氣相沉積（CVD）生長出一層 4H-SiC 單晶薄膜以提高器件良率和性能， 這一層單晶材料即稱為“外延”。在制作過程中，工藝控制不良會(huì)直接造成 各類缺陷產(chǎn)生而影響良率和產(chǎn)出。據(jù) Yole 數(shù)據(jù)，預(yù)計(jì)到 2027 年，碳化硅外延片全球市場規(guī)模將達(dá) 8.51 億美 元，2021 年到 2027 年，CAGR 為 28%。全球外延片市場主要被美國 Wolfspeed 和日本昭和電工是碳化硅外延片兩家龍頭企業(yè)壟斷。其他廠家有 II-VI、Cree、Norstel、Rohm 和英飛凌等。國內(nèi)從事碳化硅外延片企業(yè)主要 有瀚天天成、東莞天域、中電 55 所和三安光電等。

4.3 碳化硅加速上車，緩解里程焦慮

據(jù) Yole 數(shù)據(jù)，電動(dòng)汽車和汽車充電樁為碳化硅第一大應(yīng)用市場。預(yù)計(jì)到 2027 年，碳化硅器件在電動(dòng)汽車和汽車充電樁上應(yīng)用，全球市場規(guī)模將分別達(dá) 49.86 億美 金和 1.35 億美金，兩者之和占市場總規(guī)模的 81.32%。碳化硅 SBD 和碳化硅 MOSFET 可應(yīng)用于電動(dòng)汽車主驅(qū)逆變器、OBC、DC/DC 以及充電樁等產(chǎn)品中。自 2019 年 Tesla 首次將碳化硅器件（供應(yīng)商：STM）應(yīng)用于 其 Model 3 車型上，碳化硅便正式開啟了上車之路。自 2021 年以來，國內(nèi)自主品牌 車企紛紛在其新車型上應(yīng)用碳化硅器件，如蔚來汽車 ET5 和 ET7（主驅(qū)，自研模塊， 晶圓從安森美采購），吉利 SMART 精靈(主驅(qū)，供應(yīng)商：芯聚能)、小鵬 G9（主驅(qū)， 供應(yīng)商：英飛凌）、比亞迪海豹（主驅(qū)，自研自產(chǎn)模塊，部分晶圓外購）等。

碳化硅將提升電動(dòng)汽車?yán)m(xù)航能力和縮短電動(dòng)汽車充電時(shí)間。相較于燃油車，電動(dòng) 汽車消費(fèi)者對當(dāng)前有限的續(xù)航里程和相對漫長的充電時(shí)間常常感到焦慮。雖然車企在 動(dòng)力電池、BMS、電機(jī)、電控和 OBC 等產(chǎn)品技術(shù)上做了很多優(yōu)化和提升，但相比燃 油車，續(xù)航里程受限和充電時(shí)間長是電動(dòng)汽車推廣的兩大痛點(diǎn)。

續(xù)航里程。相比硅基 IGBT，碳化硅 MOSFET 有著眾多優(yōu)點(diǎn)：1）碳化硅在 關(guān)斷時(shí)無拖尾電流，可以降低損耗；2）碳化硅的高開關(guān)頻率特性，不僅可 降低損耗，由于對散熱效率要求相對低，還可減輕和驅(qū)動(dòng)零部件和散熱零部 件重量和體積，周邊器件的成本隨之降低；3）在車輛勻速和輕載情況下， 因?yàn)榈蛽p耗，可提升 5%-10%的續(xù)航里程。另外，采用 800V 高壓平臺(tái)的電 動(dòng)汽車，同等功率下，系統(tǒng)電流可以比 400V 電壓平臺(tái)更小，故高壓線束直 徑可以做的更細(xì)，線束重量和體積可以更小，電動(dòng)汽車變的更輕，續(xù)航能力 也會(huì)得到相應(yīng)提升。

充電時(shí)間。汽車充電樁一般分為交流慢充和直流快充。交流慢充指的是電動(dòng)汽車通過公共或個(gè)人充電樁，需要借用車載充電器 （OBC）交直流轉(zhuǎn)換給汽車充電。交流慢充的優(yōu)點(diǎn)是成本低，電池?fù)p耗慢；缺點(diǎn)是充電時(shí)間長，充電時(shí)間長短取決于 OBC 的額定功率（常規(guī)在 3kW9kW）。目前 OBC 主要采用硅基 IGBT 或 SJ MOSFET 方案，電池充滿電 時(shí)間一般需要 4-8 小時(shí)。相比之下，碳化硅 MOSFET 可以耐受更高電壓， 使得 OBC 擁有更高的額定功率。例如采用意法半導(dǎo)體的碳化硅技術(shù)，可以 將 OBC 的額定功率提升至 22kW 甚至更高，充電時(shí)間可以大大縮短。直流快充是指充電樁自身內(nèi)部實(shí)現(xiàn)交直流轉(zhuǎn)換模塊，無需借用 OBC，將電 網(wǎng)或儲(chǔ)能設(shè)備中的交流電轉(zhuǎn)換成直流電，直接給汽車充電。直流快充功率取 決于充電樁自身輸出功率和 BMS（電池管理系統(tǒng)），如電池電壓升級至 800V， 直流快充功率通常將超過 120 kW，碳化硅器件的高功率特性即可有其用武 之地，進(jìn)而提高充電效率和縮短充電時(shí)間。

另外，800V 動(dòng)力電池平臺(tái)相比 400V 動(dòng)力電池平臺(tái)，在相同的系統(tǒng)電流和高壓 線束直徑下，電池的充電時(shí)間或?qū)⒖s短一半。

5. 投資分析

5.1 斯達(dá)半導(dǎo)

斯達(dá)半導(dǎo)成立于 2005 年，總部位于浙江嘉興，國內(nèi) IGBT 模塊龍頭企業(yè)。目前 公司主要產(chǎn)品是以 IGBT 為主的功率器件的設(shè)計(jì)和模塊的封裝。對標(biāo)英飛凌第七代 IGBT 的 FS-Trench 型產(chǎn)品目前進(jìn)展順利。除 IGBT 外，斯達(dá)半導(dǎo)的快恢復(fù)二極管以 及 MOSFET、碳化硅模塊等產(chǎn)品同樣廣泛應(yīng)用各領(lǐng)域。2022 年，公司營收大幅增長， 新能源業(yè)務(wù)占比從 2022 年上半年的 47.37%進(jìn)一步提升至 2022 年年終的 54.3%。目前電動(dòng)汽車主要客戶有長安、上汽、江淮大眾和奇瑞等，以及雷諾、通用等海外車 企。

最新業(yè)績預(yù)告顯示：公司預(yù)計(jì) 2022 年全年實(shí)現(xiàn)營收 28.03 億元，同比增長 64.28%，歸屬于上市公司股東的凈利潤為 81,200 萬元至 82,500 萬元，與上年同期 相比大幅增長。

公司在利潤率方面表現(xiàn)同樣不俗，2022 年前三季度，公司銷售毛利率和凈利率 分別達(dá) 41.07%和 31.60%。2021 年全年銷售毛利率和凈利潤分別為 36.73%和 23.40%，不論是毛利率，還是凈利率，均實(shí)現(xiàn)穩(wěn)健增長。公司已經(jīng)獲取多個(gè) 800V 高壓電動(dòng)汽車項(xiàng)目定點(diǎn)。碳化硅模塊也將在 2023 年陸 續(xù)迎來驗(yàn)證上車（宇通客車已經(jīng)定點(diǎn)等）。此外，光伏儲(chǔ)能對功率器件的持續(xù)需求也 有利于公司能持續(xù)發(fā)揮在 IGBT 模塊產(chǎn)品上所產(chǎn)生的規(guī)模效應(yīng)。公司在車規(guī) IGBT 模 塊上針對設(shè)計(jì)、封裝和測試的經(jīng)驗(yàn)均可以很好的借鑒到碳化硅 MOSFET 模塊的開發(fā) 上，為碳化硅 MOSFET 模塊進(jìn)入車廠供應(yīng)鏈奠定基礎(chǔ)。

5.2 聞泰科技

聞泰科技業(yè)務(wù)覆蓋較廣，可提供產(chǎn)品包括半導(dǎo)體、光學(xué)模組、智能終端類產(chǎn)品（手 機(jī)、平板電腦、筆記本電腦、服務(wù)器、汽車電子）等。而半導(dǎo)體業(yè)務(wù)也是其眾多業(yè)務(wù)版圖中的亮點(diǎn)之一。2019 年，被聞泰科技以 200 多億元收購安世半導(dǎo)體。其原為恩智浦（NXP）半 導(dǎo)體標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品事業(yè)部，是一家全球知名的半導(dǎo)體 IDM 公司。在德國和英國有自建晶 圓廠，在中國和東南亞設(shè)有封測工廠。客戶分布全球各地，產(chǎn)品豐富，主要有功率器 件（二極管、MOSFET、IGBT 和 SiC）、邏輯和模擬 IC 等。在二極管、小信號(hào)管及 車載 MOSFET 等產(chǎn)品出貨量位居全球前列。2021 年，安世在功率半導(dǎo)體業(yè)務(wù)營收 6.72 億美元，同比增長 43.3%。在最新的 全球功率分立器件廠家排名中，安世位列第五名，是唯一一家挺近榜單前十的國內(nèi)企 業(yè)。業(yè)績快報(bào)顯示：2022 年前三季度，聞泰科技預(yù)計(jì)營收達(dá) 420.85 億元，同比增長 8.9%。歸母凈利為 19.44 億元，同比下滑 4.79%。

從 2022 年半年度公司公告數(shù)據(jù)看，公司半導(dǎo)體業(yè)務(wù)實(shí)現(xiàn)營收 76.59 億元，同比 增長 13.72%，業(yè)務(wù)毛利率為 41.97%，實(shí)現(xiàn)凈利潤 17.26 億元，同比增長 31.72%。2022 年上半年，第二季度收入和利潤實(shí)現(xiàn)同比和環(huán)比均增長。

5.3 時(shí)代電氣

時(shí)代電氣——中車集團(tuán)子公司，時(shí)代電氣是軌交裝備領(lǐng)域的領(lǐng)軍企業(yè)，最早為軌 交研發(fā)和生產(chǎn)功率器件（包括模塊），具有很深厚的功率器件研發(fā)和生產(chǎn)經(jīng)驗(yàn)。業(yè)務(wù) 分為軌道交通裝備產(chǎn)品、新型裝備產(chǎn)品及其他業(yè)務(wù)三大業(yè)務(wù)板塊。新型裝備業(yè)務(wù)板塊 包括功率半導(dǎo)體器件（含模塊）、電動(dòng)汽車電驅(qū)系統(tǒng)、工業(yè)變流、海工裝備、傳感器 件等產(chǎn)品。其中，功率半導(dǎo)體器件產(chǎn)品（含 IGBT 模塊），在國內(nèi)位列第一梯隊(duì)，在 IGBT、碳化硅、先進(jìn)封裝和組件以及可靠性技術(shù)等擁有很深的經(jīng)驗(yàn)積累。目前在功 率半導(dǎo)體業(yè)務(wù)板塊，建成有 6 英寸雙極器件、8 英寸 IGBT 和 6 英寸碳化硅的產(chǎn)業(yè)化 基地，其中，8 英寸車規(guī) IGBT 目前年產(chǎn)能達(dá) 24 萬片，6 英寸 SiC 芯片（溝槽柵）的 年產(chǎn)能將于 2024 年達(dá) 2.5 萬片。

業(yè)績快報(bào)顯示：公司 2022 年?duì)I收達(dá) 180.34 億元，同比增長 19.26%，歸母凈利 潤達(dá) 25.56 億元，同比增長 26.67%。

近年來，公司銷售毛利率和凈利率相對比較平穩(wěn)，受行業(yè)景氣度、公司運(yùn)營管理 等因素影響而上下微動(dòng)。毛利率和凈利率分別處于 33%-36%和 14%-17%之間。

5.4 士蘭微

目前士蘭微已發(fā)展成為國內(nèi)功率器件 IDM 龍頭企業(yè)，重點(diǎn)圍繞功率器件（含模 塊）、MCU、MEMS 傳感器、模擬 IC（DCDC、LDO、LED 驅(qū)動(dòng)以及數(shù)字音視頻 IC 等）等不斷完善自身產(chǎn)品生態(tài)。2022 年分立器件（含功率器件、功率 IPM 模塊、肖 特基管等）營收為 44.64 億元，同比增長 17.13%。功率器件：用于主電機(jī)驅(qū)動(dòng)模塊的 IGBT 和 FRD 芯片于 2022 年開始在國內(nèi)多 家汽車客戶通過測試驗(yàn)證，在部分客戶端實(shí)現(xiàn)批量供貨（IGBT 相當(dāng)于英飛凌第五代）；多顆車規(guī)高、中、低壓車規(guī) MOSFET 和 IGBT 芯片陸續(xù)批產(chǎn)（車規(guī) IGBT 客戶有比 亞迪和零跑等）；SiC MOSFET 研發(fā)穩(wěn)步推進(jìn)。

未來展望：隨著電動(dòng)汽車、光伏等新能源行業(yè)快速發(fā)展，芯片國產(chǎn)替代持續(xù)推進(jìn)， 產(chǎn)品體系完備的士蘭微將有機(jī)會(huì)脫穎而出。

5.5 新潔能

國內(nèi)功率器件設(shè)計(jì)龍頭企業(yè)，主營 MOSFET 和 IGBT 的設(shè)計(jì)和銷售。MOSFET 為公司拳頭產(chǎn)品，涵蓋不同類型、不同電壓等級的平面 MOSFET、深溝槽 MOSFET、 SGT MOSFET 和 SJ MOSFET。亮點(diǎn)：公司作為功率器件 Fabless 公司，與國內(nèi)龍頭 Foundry——華虹宏力戰(zhàn)略 合作多年。雙方在產(chǎn)品設(shè)計(jì)、晶圓制造、工藝優(yōu)化、產(chǎn)能等方面深度配合，致力于共 同打造工藝出色、質(zhì)量可靠、成本可控的各類高性能功率器件。目前公司各類功率器 件已超 1300 多種。主要汽車客戶有蔚來、小鵬、理想、上汽、比亞迪、奇瑞、江淮、 五菱和聯(lián)合電子等十余家車企。2022 年新潔能用于汽車電子的相關(guān)產(chǎn)品的銷售額同 比增長 700%。

業(yè)績快報(bào)顯示：2021 年新潔能全年實(shí)現(xiàn)營收 14.98 億元，同比增長 56.89%。其 中營收約 9 成以上是來自 MOSFET 產(chǎn)品（包括高、中、低壓）。得益于功率器件在各 行業(yè)需求增長，2022 年全年?duì)I收達(dá) 18.11 億元，同比增長 19.87%，歸母凈利預(yù)計(jì)達(dá) 4.35 億元，同比增長 4.51%。

未來，隨著陸續(xù)量產(chǎn)的 IGBT 單管產(chǎn)品在光伏和電動(dòng)汽車上持續(xù)拓展，公司營收 和盈利能力有望進(jìn)一步得到提升。

5.6 捷捷微電

國內(nèi)領(lǐng)先的功率器件公司，正由 Fabless 模式向 Fabless+封測模式蛻變。公司 功率產(chǎn)品涵蓋晶閘管、二極管、防護(hù)類器件、MOSFET、IGBT 器件和芯片和碳化硅 器件等，其中晶閘管市占率排全球前三，國內(nèi)第一。車規(guī)低壓（40V，60V）MOSFET 出貨量在國內(nèi)遙遙領(lǐng)先。MOSFET 已經(jīng)上升為公司第一大業(yè)務(wù)。目前主要汽車客戶有：比亞迪、東風(fēng)、羅思韋爾等。

5.7 民德電子

公司成立于 2004 年，深耕條碼識(shí)別設(shè)備的研發(fā)及產(chǎn)銷近 20 年，該板塊為行業(yè) 龍頭且營收居前，作為業(yè)務(wù)基本盤持續(xù)為公司增量業(yè)務(wù)輸血。公司通過收購泰博迅睿 涉足電子元器件分銷業(yè)務(wù)，切入半導(dǎo)體行業(yè)。隨后經(jīng)過多輪精準(zhǔn)的收購和參股，成為 國內(nèi)少有的在功率半導(dǎo)體設(shè)計(jì)、上游硅片制造和晶圓制造均有布局的企業(yè)，形成一套 獨(dú)特的功率半導(dǎo)體"Smart IDM" 生態(tài)圈。條碼識(shí)別技術(shù)自主研發(fā)，業(yè)務(wù)穩(wěn)健增長。公司為國內(nèi)首家具備獨(dú)立自主條碼識(shí)讀 技術(shù)研發(fā)的企業(yè)，所有核心技術(shù)均系通過自主研發(fā)所取得；財(cái)務(wù)上，客戶回款及時(shí)， 現(xiàn)金流充沛，營收穩(wěn)定，同時(shí)成本極低，可達(dá)到 30%的凈利；發(fā)展動(dòng)力上，影像掃描 設(shè)備滲透率提升疊加物聯(lián)網(wǎng)的加速發(fā)展支撐條碼業(yè)務(wù)的推進(jìn)；客戶上，產(chǎn)品已得到下 游眾多知名客戶的認(rèn)可，與富士康、比亞迪、新加坡航空、中國移動(dòng)等建立廣泛、長 期的合作伙伴關(guān)系。

元器件分銷業(yè)務(wù)逐漸拓展新應(yīng)用領(lǐng)域。2018 年 6 月收購泰博迅睿。作為全資子 公司，泰博迅睿下游客戶廣泛，代理分銷產(chǎn)品豐富，已開拓了新能源動(dòng)力和儲(chǔ)能電池 業(yè)務(wù)，發(fā)展態(tài)勢向好。

5.8 天岳先進(jìn)

國內(nèi)第三代半導(dǎo)體襯底龍頭企業(yè)，業(yè)務(wù)覆蓋導(dǎo)電和半絕緣型碳化硅襯底的設(shè)計(jì)、 生產(chǎn)和銷售。其中，2020 年半絕緣型襯底出貨量位列全球第三，目前半絕緣襯底為 公司的主要營收來源。公司已經(jīng)掌握襯底制備的全產(chǎn)業(yè)鏈技術(shù)，包括設(shè)備制造、碳硅 粉體合成、熱場搭建和長晶等。導(dǎo)電型碳化硅襯底（主要應(yīng)用于光伏、電動(dòng)汽車等） 制備技術(shù)已具備批量生產(chǎn)能力，有望為公司成長增加動(dòng)力。業(yè)績快報(bào)顯示：公司 2022 年預(yù)計(jì)實(shí)現(xiàn)營收 4.17 億元，同比下滑 15.56%，歸母 凈利潤達(dá)-1.75 億元，同比下滑 294.02%。

公司除了襯底技術(shù)有著深厚沉淀外，還具備強(qiáng)大的科研平臺(tái)，目前在研重點(diǎn)項(xiàng)目 15 個(gè)以上，同時(shí)具備強(qiáng)大的生產(chǎn)制造能力、優(yōu)質(zhì)的客戶體系以及充足的人才儲(chǔ)備優(yōu) 勢。射頻器件需求持續(xù)增長，有利于半絕緣型襯底市場份額逐步擴(kuò)大。電動(dòng)汽車和光 伏等景氣度上揚(yáng)，對碳化硅器件的應(yīng)用將會(huì)提速，而用于制備碳化硅器件的導(dǎo)電型襯 底的需求量將有望迎來增長機(jī)遇。

編輯：黃飛

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