為了安全使用SiC模塊，需要計算工作條件下的功率損耗和結(jié)溫，并在額定值范圍內(nèi)使用。MOSFET損耗計算與IGBT既有相似之處，也有不同。相對IGBT，MOSFET可以反向?qū)ǎ垂ぷ髟谕秸髂Ｊ?。本文簡要介紹其損耗計算方法。
2025-06-18 17:44:46
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本文介紹了LED結(jié)溫及其產(chǎn)生的原因，最后給出了LED結(jié)溫的降低方法。LED的基本結(jié)構(gòu)是一個半導體的P—N結(jié)。實驗指出，當電流流過LED元件時，P—N結(jié)的溫度將上升，嚴格意義上說，就把
2011-10-31 12:05:193168 介紹了如何用英飛凌IPOSIM仿真工具對過載輸出時IGBT模塊結(jié)溫進行仿真，以及不同工況下IGBT瞬時結(jié)溫的仿真結(jié)果。本文可對電動車電機驅(qū)動器設(shè)計中IGBT輸出限值的動態(tài)選取提供參考依據(jù)。
2013-07-23 01:05:449769 
操作高于制造商建議的最高溫度的LED會降低設(shè)備的效率和光輸出，并可能導致過早失效。 LED的熱點定義為形成二極管的p型和n型半導體之間的結(jié)。本文使用示例照明應用程序來說明如何計算LED的結(jié)溫并確定它是否可能超過指定的上限。
2019-02-15 08:09:008275 
IGBT的損耗功率隨著開關(guān)頻率的增高而增大，大功率運行時，損耗功率易急劇增加發(fā)熱，由于IGBT的結(jié)溫不超過125℃，基于IGBT的功率開關(guān)電路不能長期工作在結(jié)溫點上限，否則，IGBT將過熱損毀，因此，設(shè)計出溫度檢測電路，實現(xiàn)對IGBT的結(jié)溫檢測，從而達到保護目的。
2022-07-04 12:36:376179 
【導讀】與大多數(shù)功率半導體相比，IGBT 通常需要更復雜的一組計算來確定芯片溫度。 這是因為大多數(shù) IGBT 都采用一體式封裝，同一封裝中同時包含 IGBT 和二極管芯片。 為了知道每個芯片的溫度
2023-02-24 17:05:241653 IGBT 模塊損耗模型和結(jié) 溫預估算型準確性。該損耗模型及結(jié)溫估算的方法對于提高功率模塊可靠性及降低成本具有較大工程實際意義。
2023-03-06 15:02:514187 IGBT模塊中通常都會在陶瓷基板（DBC）上設(shè)有熱敏電阻（NTC或PTC，由于NTC較為常用，以下統(tǒng)稱NTC）用于溫度檢測。在實際應用中，工程師最直接也是最常見的一個問題就是：我檢測到了NTC的溫度，那么IGBT真實的結(jié)溫是多少？或者是：IGBT芯片和NTC之間的溫差是多少？
2023-05-05 10:52:144424 
提出一種Si IGBT和SiC MOSFET功率器件導通壓降及電流在線檢測電路，設(shè)計了兼具結(jié)溫監(jiān)測功能的驅(qū)動電路，并提出了- -種結(jié)溫反推方法，提升了結(jié)溫在線監(jiān)測精度。
2023-05-23 11:08:15906 
IGBT作為電力電子領(lǐng)域的核心元件之一，其結(jié)溫Tj高低，不僅影響IGBT選型與設(shè)計，還會影響IGBT可靠性和壽命。
2023-07-07 16:11:3013775 
IGBT模塊中通常都會在陶瓷基板（DBC）上設(shè)有熱敏電阻（NTC或PTC，由于NTC較為常用，以下統(tǒng)稱NTC）用于溫度檢測，如圖1所示。在實際應用中，工程師最直接也是最常見的一個問題就是：我檢測到了NTC的溫度，那么IGBT真實的結(jié)溫是多少？或者是：IGBT芯片和NTC之間的溫差是多少？
2023-08-03 09:31:333707 
? 針對汽車 IGBT 模塊的主要失效原理和引線鍵合壽命短板，結(jié)合仿真分析進行了功率循環(huán)試驗設(shè)計，結(jié)溫差?ΔTj 和流經(jīng)鍵合線的電流 IC 是影響鍵合點壽命的主要加速因子，中間溫度（Tjm）是影響鍵
2023-08-08 10:59:382320 
由于IGBT模塊自身有一定的功耗，IGBT模塊本身會發(fā)熱。在一定外殼散熱條件下，功率器件存在一定的溫升（即殼溫與環(huán)境溫度的差異）。
2024-03-22 09:58:0859502 
*本論文摘要由PCIM官方授權(quán)發(fā)布/摘要/在xEV應用的主驅(qū)逆變器中，關(guān)于IGBT分立器件熱阻網(wǎng)絡(luò)建模和虛擬結(jié)溫計算的研究和論文相對較少。本文基于最新的可回流焊接分立式IGBT產(chǎn)品(TO247
2025-02-08 11:26:211756 
IPM模塊是電機驅(qū)動變頻器的最重要的功率器件， 近些年隨著IPM模塊的小型化使模塊Rth（j-c）變大，從而對溫升帶來了越來越多的挑戰(zhàn)。
2021-08-10 16:29:182928 
本文對IGBT模塊的等效熱路模型展開基礎(chǔ)介紹，所述方法及思路也可用于其他功率器件的熱設(shè)計。
2021-08-20 16:56:498422 
IGBT功率模塊是電壓型控制，輸入阻抗大，驅(qū)動功率小，控制電路簡單，開關(guān)損耗小，通斷速度快，工作頻率高，元件容量大等優(yōu)點。
2020-03-24 09:01:13
，如圖6所示，優(yōu)化的組裝技術(shù)顯著改善了功率循環(huán)（PC）周期。這至少能確保在工作結(jié)溫增大的情況下，輸出電流增大，但功率器件壽命不變。 圖6：1200V標準模塊的功率循環(huán)（PC）可靠性圖和搭載IGBT
2018-12-07 10:23:42
在實際工作過程中通過測量模塊的殼溫及功率，得到實時工作過程中的結(jié)溫變化，并將鍵合引線的損傷作為總體損傷的一部分及時反饋到系統(tǒng)中，從而增加IGBT模塊的壽命預測精度。
2020-12-10 15:06:03
IGBT模塊進行高溫反偏試驗而進行設(shè)計,是IGBT出廠檢測的重要設(shè)備。該試驗系統(tǒng)可對相應的IGBT器件進行適配器匹配。測試標準符合MIL-STD-750，IEC60747。本設(shè)備采用計算機自動控制系統(tǒng)
2018-08-29 21:20:11
IGBT作為電力電子領(lǐng)域的核心元件之一，其結(jié)溫Tj高低，不僅影響IGBT選型與設(shè)計，還會影響IGBT可靠性和壽命。因此，如何計算IGBT的結(jié)溫Tj，已成為大家普遍關(guān)注的焦點。由最基本的計算公式Tj=Ta+Rth(j-a)*Ploss可知，損耗Ploss和熱阻Rth(j-a)是Tj計算的關(guān)鍵。
2019-08-13 08:04:18
電流密度分別為前兩者的數(shù)十至數(shù)倍，這就決定了它的抗浪涌電流能力強，安全工作區(qū)寬，并聯(lián)連接容易。從現(xiàn)有商品化IGBT及其發(fā)展趨勢看，在高頻大功率開關(guān)電源、變頻調(diào)速、電機控制、通信電源、逆變電源、不間斷電源
2016-06-21 18:25:29
普通的高亮度 (HB) LED 僅將約 45% 的應用能量轉(zhuǎn)換給可見光子，其余的則產(chǎn)生熱量。 如果產(chǎn)生的這些熱量不能從 LED 充分散去，將會導致過熱，并可能造成災難性故障。 即使不出現(xiàn)災難性故障，LED 結(jié)溫升高也會造成光輸出下降、顏色發(fā)生變化和/或預期壽命顯著縮短。
2019-08-12 07:57:16
ad8346汽車級最高工作環(huán)境溫度是125度，最高結(jié)溫是多少攝氏度？
2023-12-05 07:44:20
Fullpack和TO247）和芯片面積。最終給出了一組完整的公式，來計算結(jié)溫。利用本文的結(jié)果，設(shè)計工程師將能夠準確而輕松地計算器件的真實結(jié)溫。導言對于電子器件原型的評估通常包括對功率晶體管和二極管最大結(jié)溫
2018-12-05 09:45:16
請問怎么確定可控硅的結(jié)溫？？？超過結(jié)溫時會有哪些危害？
2014-05-24 11:35:10
電機驅(qū)動市場特別是家電市場對系統(tǒng)的能效、尺寸和穩(wěn)健性的要求越來越高?！ 闈M足市場需求，意法半導體針對不同的工況提供多種功率開關(guān)技術(shù)，例如， IGBT和最新的超結(jié)功率MOSFET?！ ”疚脑趯嶋H
2018-11-20 10:52:44
的功率耗散也不同，各自要求單獨計算。此外，每個裸片互相提供熱能，故必須顧及到這種交互影響。 本文將闡釋怎樣測量兩個元件的功率耗散，使用IGBT及二極管的θ值計算平均結(jié)溫及峰值結(jié)溫。 圖1： 貼裝在
2018-09-30 16:05:03
模塊輸出電流能力會約束整個逆變器的功率密度，最大結(jié)溫是IGBT開關(guān)運行的限制因素，本文介紹了PrimePACKTM封裝將IGBT工作結(jié)溫提高到150℃，并給出了在苛刻條件下逆變器性能和電流利用率的情況
2018-12-03 13:56:42
發(fā)光二極管進行熱流分析及散熱優(yōu)化設(shè)計。理論計算結(jié)果表明,PN結(jié)到環(huán)境之間的總熱阻為28.67℃/W;當LED耗散功率為1 W、環(huán)境溫度為25℃時,結(jié)溫為53.67℃。模擬結(jié)果顯示,在同樣工作條件下,大功率
2010-04-24 09:17:43
我如何計算VIPER37HD / LD的結(jié)溫 以及頻率（60k，115k hz）如何影響結(jié)溫？
2019-08-05 10:50:11
測量和校核開關(guān)電源、電機驅(qū)動以及一些電力電子變換器的功率器件結(jié)溫，如 MOSFET 或 IGBT 的結(jié)溫，是一個不可或缺的過程，功率器件的結(jié)溫與其安全性、可靠性直接相關(guān)。測量功率器件的結(jié)溫常用二種方法：
2021-03-11 07:53:26
通過電流和電壓探頭以及標準的示波器進行數(shù)據(jù)記錄和獲得。在逆變器運行過程中，芯片的結(jié)溫很少通過實驗方法確定。熱處理通常是供應商提供典型值或最差值（如IGBT模塊和冷卻板的熱阻）與仿真產(chǎn)生的損耗情況結(jié)合
2018-12-07 10:19:13
測量功率器件的結(jié)溫常用二種方法
2021-03-17 07:00:20
摘要：本文介紹了分立IGBT和二極管的結(jié)和塑封料（MC）之間溫度差異的總體相關(guān)性。我們以引線架背面為基準，通過分立功率器件的相關(guān)參數(shù)說明這種差異。這些參數(shù)包括封裝類型（TO220，To220
2018-12-03 13:46:13
芯片和封裝、周圍環(huán)境之間的溫度差按以下公式進行計算。其中項目解說θｊａ結(jié)溫（Ｔｊ）和周圍溫度（Ｔａ）之間的熱阻ψｊｔ結(jié)溫（Ｔｊ）和封裝外殼表面溫度（Ｔｃ 1）之間的熱阻θｊｃ結(jié)溫（Ｔｊ）和封裝外殼背面
2019-09-20 09:05:08
上一個輸錯了型號，AD8436BRQZ 的datasheet里沒有最大結(jié)溫
2023-12-05 06:37:12
=111.83℃/W ；計算方式2： θJA=42℃/wTJ=Ta+θJA*PD=26℃+0.826w*42℃/w=60.7℃。兩者相差太大，方式2中結(jié)溫60.7℃小于方式1中表面溫度73℃，這個就很難理解
2019-03-25 10:54:06
不同，兩個裸片的功率耗散也不同，各自要求單獨計算。此外，每個裸片互相提供熱能，故必須顧及到這種交互影響。 本文將闡釋怎樣量測兩個組件的功率耗散，使用IGBT及二極管的θ值計算平均結(jié)溫及峰值結(jié)溫。 功率計算
2018-10-08 14:45:41
，LED 結(jié)溫升高也會造成光輸出下降、顏色發(fā)生變化和/或預期壽命顯著縮短。本文介紹了如何計算結(jié)溫，并說明熱阻的重要性。 文中探討了較低熱阻 LED 封裝替代方法，如芯片級和板載 (COB) 設(shè)計，并介紹
2017-04-10 14:03:41
的、分立式設(shè)備尺寸或額定值數(shù)據(jù)庫中找到。因此，設(shè)計人員常常束手束腳，不得已地采用次優(yōu)器件。圖2顯示了一個模型跟蹤超級結(jié)MOSFETS的挑戰(zhàn)性縮放CRSS特性并在IGBT中傳遞特性的能力。
以前
2019-07-19 07:40:05
IGBT損耗計算和損耗模型研究：器件的損耗對系統(tǒng)設(shè)計堯器件參數(shù)及散熱器的選擇相當重要。損耗模型主要分為兩大類院基于物理結(jié)構(gòu)的IGBT損耗模型淵physics-based冤和基于數(shù)學方法的IG
2009-06-20 08:33:53
98 大功率IGBT驅(qū)動模塊2SD315A 的特性及其應用:介紹了一種適用于大功率IGBT 的新型驅(qū)動模塊,該模塊工作頻率高,驅(qū)動電流大,具有完善的短路、過流保護和電源監(jiān)控功能。關(guān)鍵詞:模塊
2010-01-07 11:04:27195 利用仿真來估計功率半導體的結(jié)溫關(guān)鍵詞：仿真半導體結(jié)溫摘要：本文設(shè)計了一個利用仿真來估計功率半導體的結(jié)溫的方法設(shè)計師在減輕熱問題時常常需要做出很多折衷，
2010-02-05 22:16:4534 1、什么是LED 的結(jié)溫？LED 的基本結(jié)構(gòu)是一個半導體的P—N 結(jié)。實驗指出，當電流流過LED 元件時，P—N 結(jié)的溫度將上升，嚴格意義上說，就把P—N 結(jié)區(qū)的溫度定義為LED 的結(jié)溫
2010-10-26 17:05:0334 LED結(jié)溫產(chǎn)生原因是什么?降低LED結(jié)溫的途徑有哪些？ 1、什么是LED的結(jié)溫？LED的基本結(jié)構(gòu)是一個半導體的P—N結(jié)。實驗指出，當電流流過LED元件時，P—N結(jié)的溫
2009-11-13 10:07:211440 任何器件在工作時都有一定的損耗，大部分的損耗變成熱量。小功率器件損耗小，無需散熱裝置。而大功率器件損耗大，若不采取散熱措施，則管芯的溫 度可達到或超過允許的結(jié)溫，器
2011-11-14 18:07:399006 雙饋風電機組變流器IGBT結(jié)溫計算與穩(wěn)態(tài)分析_李輝
2017-01-08 11:51:417 本文介紹了如何計算結(jié)溫，并說明熱阻的重要性。 文中探討了較低熱阻 LED 封裝替代方法，如芯片級和板載 （COB） 設(shè)計，并介紹了影響散熱器性能的因素。
2017-05-08 09:57:478 本文介紹了如何計算結(jié)溫，并說明熱阻的重要性。文中探討了較低熱阻LED封裝替代方法，如芯片級和板載（COB）設(shè)計，并介紹了影響散熱器性能的因素。
2017-09-18 19:32:4611 ; 驅(qū)動電流大于額定電流時， 熱阻上升速率變緩。其他顏色LED 熱阻隨驅(qū)動電流變化速率基本不變。結(jié)溫也隨驅(qū)動電流的增加而變大。相同驅(qū)動電流下， 基于AlGaInP 材料的1W 紅色、橙色LED 的結(jié)溫要低于基于InGaN 材料的藍色、綠色、白色LED 的結(jié)溫。分別用正向電壓法和紅外
2017-11-13 15:08:394 單層與多層熱網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu)的結(jié)溫運行規(guī)律以及簡化標準與方法。在此基礎(chǔ)上，以器件到系統(tǒng)對IGBT傳熱模型的不同需求為主線，以器件封裝結(jié)構(gòu)各層時間常數(shù)的不同時間尺度為切入點，建立適用于器件級到系統(tǒng)級熱仿真的IGBT傳熱模型。仿真與實驗結(jié)果驗證了
2018-01-25 16:55:203 壓接式絕緣柵極雙極性晶體管（ IGBT）模塊因優(yōu)越的電氣性能和封裝設(shè)計，受到柔性直流輸電等大功率應用場合的青睞，其模塊可靠性也成為大功率應用場合研究的重點，而IGBT模塊結(jié)溫是影響器件可靠性
2018-02-01 10:20:499 在大功率系統(tǒng)中，為了擴大電路的功率等級，開關(guān)器件往往會并聯(lián)使用。為了保證絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）模塊工作在安全范圍，需要建立并聯(lián)器件的瞬態(tài)電熱模型。首先，重點分析了結(jié)溫變化對損耗產(chǎn)生
2018-02-01 14:09:060 目前已有場終止型絕緣柵雙極性晶體管（ IGBT）行為模型以及仿真軟件中的IGBT模型末專門針對中電壓大功率IGBT模塊搭建，不能準確模擬其區(qū)別于中小功率IGBT的行為特性。在已有行為模型基礎(chǔ)上，提出
2018-03-08 09:21:360 絕緣柵雙極型晶體管（Insulated Gate Bipolai Transistor．IGBT）模塊是一種由多個IGBT芯片和功率二極管芯片、陶瓷覆銅基板（ direct bonding
2018-03-22 16:19:492 LED元件的熱散失能力是決定結(jié)溫高低的又一個關(guān)鍵條件。散熱能力強時，結(jié)溫下降，反之，散熱能力差時結(jié)溫將上升。
2020-04-17 10:57:321298 JA是熱阻的單位，用來表示空氣到結(jié)溫的阻值，單位是℃/W或Ｋ/W。做電路設(shè)計都需要用到以下的公式來計算元器件的結(jié)溫： TJ=TA+JAPH 式子中：TJ表示元器件的結(jié)溫，單位是℃； TA表示環(huán)境
2020-10-23 16:49:129036 
*ΔVge*f或者P=Ciss*5*ΔVge2*f，今天小R就與大家來聊聊IGBT驅(qū)動器驅(qū)動功率的計算。 關(guān)于IGBT的使用，我們在評估完IGBT本身特性參數(shù)的時候，可以最重要的就是驅(qū)動器的選擇和設(shè)計了
2022-12-01 11:45:087702 功率器件結(jié)溫和殼頂溫度，差多少？ 測量和校核開關(guān)電源、電機驅(qū)動以及一些電力電子變換器的功率器件結(jié)溫，如MOSFET或IGBT的結(jié)溫，是一個不可或缺的過程，功率器件的結(jié)溫與其安全性、可靠性直接相關(guān)
2020-10-19 10:26:574793 
測量和校核開關(guān)電源、電機驅(qū)動以及一些電力電子變換器的功率器件結(jié)溫，如 MOSFET 或 IGBT 的結(jié)溫，是一個不可或缺的過程，功率器件的結(jié)溫與其安全性、可靠性直接相關(guān)。測量功率器件的結(jié)溫常用二種方法：
2020-11-23 14:53:005 車輛運行時，特別實在擁堵的路況時的頻繁啟停，此時控制器的IGBT模塊工作電流會相應的頻繁升降，從而導致IGBT的結(jié)溫快速變化，對于IGBT模塊的壽命是個很大的考驗；
2021-02-01 13:58:035824 
150℃。結(jié)溫較高的情況下，特別是結(jié)溫與數(shù)據(jù)表規(guī)格不符時，可能會損壞LED并縮短LED壽命。那么，應如何做來降低LED的結(jié)溫呢？
?
?
等式1表示每個LED消耗的電功率：
?
其中
2021-12-23 17:28:442991 
一條設(shè)計規(guī)則顯示組件在65℃以上的環(huán)境下工作時，溫度每上升10℃，故障率便增加一倍。所以給IGBT模塊散熱也是極其重要的工作！ IGBT模塊是大功率半導體器件，損耗功率使其發(fā)熱較多，加之IGBT的結(jié)溫不能超過125℃，不宜長期工作在較高溫度下，一般
2022-04-22 17:32:126212 隨著新一代 IGBT 芯片結(jié)溫及功率密度的提高，對功率電子模塊及其封裝技術(shù)的要求也越來越高。文
章主要介紹了功率電子模塊先進封裝互連技術(shù)的最新發(fā)展趨勢，重點比較了芯片表面互連、貼片焊接互連、導電端
2022-05-06 15:15:556 拿一款MiniSKiiP系列的 35NAB12T4V1的CIB模塊來舉例。模塊內(nèi)部包含了三相不可控整流橋，制動單元和兩電平三相逆變橋，每個IGBT包括Brake IGBT電壓是1200V，電流是50A，最高結(jié)溫175°C，運行結(jié)溫150°C。
2022-06-07 10:56:268483 本文詳細敘述了實際使用時對IPM模塊的各種結(jié)溫的計算和測試方法，從直接紅外測試法，內(nèi)埋熱敏測試，殼溫的測試方法，都進行詳細說明，以指導技術(shù)人員通過測量模塊自帶的Tntc的溫度估算或測試IPM變頻模塊的結(jié)溫，然后利用開發(fā)樣機測試結(jié)果對實際產(chǎn)品進行結(jié)溫估算標定，評估IPM模塊運行的可靠性。
2022-08-01 14:30:004184 
與大多數(shù)功率半導體相比，IGBT 通常需要更復雜的一組計算來確定芯片溫度。這是因為大多數(shù) IGBT 都采用一體式封裝，同一封裝中同時包含 IGBT 和二極管芯片。為了知道每個芯片的溫度，有必要知道每個芯片的功耗、頻率、θ 和交互作用系數(shù)。還需要知道每個器件的 θ 及其交互作用的 psi 值。
2023-02-01 09:47:273519 功率循環(huán)試驗中最重要的是準確在線測量結(jié)溫，直接影響試驗結(jié)果和結(jié)論。比較總結(jié)了各種溫度測量方法的一致性、線性、靈敏度、難度和物理意義?；谕☉B(tài)特性的電學參數(shù)法更適用于設(shè)備導向狀態(tài)的測試。國際電工
2023-02-06 12:27:362777 英飛凌IGBT模塊開關(guān)狀態(tài)下最高工作結(jié)溫一般是150度，而IGBT7短時過載情況下的最高工作結(jié)溫可達175度。
2023-02-06 14:30:242044 
結(jié)溫是IGBT功率模塊中功率器件的重要狀態(tài)變量，能直接反映器件安全裕量、健康狀態(tài)及運行性能等。
2023-02-07 16:59:434873 
驅(qū)系統(tǒng)中，IGBT作為電驅(qū)系統(tǒng)中最為關(guān)鍵的功率器件，其工作的熱穩(wěn)定性成為評價電驅(qū)系統(tǒng)性能高低的關(guān)鍵。因
此，需要對其在不同工況下傳熱的過程以及影響作深入的研究。我們知道，在IGBT的封裝模塊內(nèi)部廠商會集成測溫的NTC用
于監(jiān)控IGBT溫
2023-02-22 13:53:086 IGBT功率模塊是指采用lC驅(qū)動，利用最新的封裝技術(shù)將IGBT與驅(qū)動電路、控制電路和保護電路高度集成在一起的模塊。其類別從復合功率模塊PIM發(fā)展到智能功率模塊IPM、電力電子積木PEBB、電力模塊IPEM.
2023-02-22 15:02:557250 IGBT結(jié)溫估算（算法+模型），多年實際應用，準確度良好 能夠同時對IGBT內(nèi)部6個三極管和6個二極管溫度進行估計，并輸出其中最熱的管子對應溫度。 可用于溫度保護，降額，提高
2023-02-23 09:45:0518 IGBT結(jié)溫估算
2023-02-23 09:23:1410 IGBT結(jié)溫估算模型。
2023-02-24 10:48:429 IGBT模塊損耗包含IGBT損耗和Diode損耗兩部分
2023-05-26 11:21:235725 
前邊介紹了IGBT/Diode損耗的計算，那么得到了損耗之后，如何轉(zhuǎn)化為溫升呢？
2023-05-26 11:24:313562 
///在IGBT應用中，結(jié)溫是經(jīng)常使用的一個參數(shù)，大部分讀者應該都很熟悉這個概念，但是這和元宇宙有什么關(guān)系呢？我想先請大家考慮一個問題：IGBT結(jié)溫到底是指具體哪兒的溫度？。。。你們是不是已經(jīng)開始
2022-05-24 15:05:136572 電動汽車驅(qū)動電機控制器基本結(jié)構(gòu)可分為：殼體、高低壓連接器、電子控制元件、電氣控制元件、電氣功率元件。 電氣功率元件主要為IGBT集成功率模塊，是電氣控制器關(guān)鍵零部件。 通過電子控制元件與電氣控制
2023-07-28 11:03:453706 
摘要: 針對傳統(tǒng)結(jié)構(gòu)超結(jié) IGBT 器件在大電流應用時的電導調(diào)制效應較弱，削弱了 IGBT 器
件低飽和導通壓降優(yōu)點的問題，設(shè)計了 p 柱浮空的超結(jié) IGBT 器件 ( FP-SJ-IGBT
2023-08-08 10:20:000 針對汽車 IGBT 模塊的主要失效原理和引線鍵合壽命短板，結(jié)合仿真分析進行了功率循環(huán)試驗設(shè)計，結(jié)溫差 ΔTj 和流經(jīng)鍵合線的電流 IC 是影響鍵合點壽命的主要加速因子，中間溫度（Tjm）是影響鍵合點
2023-08-08 10:56:363723 
IGBT結(jié)溫是功率電子器件最重要的參數(shù)之一，器件在運行中測量此溫度是非常困難的。一個方法是通過使用IGBT模塊內(nèi)部的NTC(熱敏電阻)近似估計芯片穩(wěn)定工作狀態(tài)的溫度，此方法不適用與測量快速變化的IGBT溫度。
2023-08-11 09:03:223813 
IGBT功率模塊失效的主要原因是溫度過高導致的熱應力，良好的熱管理對于IGBT功率模塊穩(wěn)定性和可靠性極為重要。新能源汽車電機控制器是典型的高功率密度部件，且功率密度隨著對新能源汽車性能需求的提高仍在
2023-08-23 09:33:233280 
ChatGPT變聰明了嗎？如何計算IGBT器件的工作結(jié)溫Tvj
2023-09-09 08:16:111931 功率半導體冷知識：IGBT短路結(jié)溫和次數(shù)
2023-12-15 09:54:251817 
車用 IGBT 模塊對產(chǎn)品性能和質(zhì)量的要求要明顯高于消費和工控領(lǐng)域, 需要通過嚴格的車規(guī)認證, 汽車 IGBT 模塊測試標準主要參照 AEC-Q101 和 AQG-324, 其中溫度沖擊, 功率循環(huán)
2023-12-01 15:48:311918 
聊聊什么是IGBT的膝電壓？ IGBT是一種半導體器件，常用于功率放大和電流控制應用。作為一種開關(guān)器件，IGBT能夠在低驅(qū)動電壓下實現(xiàn)較高的電流和電壓控制能力。膝電壓是其關(guān)鍵的特性之一，本文將對膝
2024-02-03 16:23:433287 IGBT模塊關(guān)斷截止時，I(t)≈0，損耗的功率可忽略。為了便于分析，將IGBT損耗分為導通損耗和開關(guān)損耗。
2024-05-31 09:06:3117234 
IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）功率模塊作為電力電子系統(tǒng)中的核心部件，其散熱問題直接影響到系統(tǒng)的穩(wěn)定性、可靠性和效率。以下是對IGBT功率模塊散熱問題的詳細分析，包括散熱機制、影響因素、散熱方法及優(yōu)化策略等。
2024-07-26 17:24:422562 變化量及其對應的循環(huán)次數(shù)（n）。 最后，根據(jù)等效疲勞損傷模型，可以估算出IGBT的疲勞損傷度，并據(jù)此計算其預期壽命。 基于整車的預期壽命和路譜信息，我們可以估算出IGBT的預期壽命，為控制器耐久性測試的循環(huán)次數(shù)和持續(xù)時間提供依據(jù)
2024-07-31 17:18:381829 
IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種廣泛應用于電力電子領(lǐng)域的半導體器件，具有高輸入阻抗、低導通壓降、快速開關(guān)速度等特點。在IGBT的應用過程中，VCE（集電極-發(fā)射極電壓）和結(jié)溫是兩個非常重要的參數(shù)
2024-08-08 09:13:354325 結(jié)溫是判定IGBT是否處于安全運行的重要條件，IGBT的工作結(jié)溫限制著控制器的最大輸出能力。如果IGBT過熱，可能會導致?lián)p壞，影響設(shè)備的性能、壽命甚至引發(fā)故障。而過熱損壞可能由多種因素導致，如設(shè)計因素、復雜工況、高震動、溫度沖擊、硅脂的老化等。
2024-11-13 10:19:422324 
和集成Pin-Fin基板兩種常見車規(guī)級IGBT模塊進行了相同熱力測試條件（結(jié)溫差100K，最高結(jié)溫150℃）下的功率循環(huán)試驗，結(jié)果表明，散熱更強的Pin-Fin模塊功
2025-09-09 07:20:232096 
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