隔離式柵極驅(qū)動器的演變（IGBT/SiC/GaN）

報告作者：DAVID SEYMOUR

報告內(nèi)容包含：

效率和功率密度推動變革

基本的 MOSFET 柵極驅(qū)動器功能

驅(qū)動器演進以支持 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）

驅(qū)動器進化以支持 SiC（碳化硅）

驅(qū)動器進化以支持 GaN（氮化鎵）

未來的驅(qū)動器的改進

審核編輯：黃飛

閱讀全文

MOSFET(230975) MOSFET(230975)
IGBT(261269) IGBT(261269)
SiC(68650) SiC(68650)
GaN(79580) GaN(79580)
柵極驅(qū)動器(40292) 柵極驅(qū)動器(40292)

隔離式柵極驅(qū)動器的峰值電流

隔離式柵極驅(qū)動器提供電平轉(zhuǎn)換、隔離和柵極驅(qū)動強度，以便操作功率器件。這些柵極驅(qū)動器的隔離特性允許高側(cè)和低側(cè)器件驅(qū)動，并且能夠在使用合適的器件時提供安全柵。示例應(yīng)用程序如圖 1 所示。VDD1和 V

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德州儀器(TI)推出面向IGBT與MOSFET的隔離式柵極驅(qū)動器

日前，德州儀器 (TI) 宣布推出一款面向絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)與MOSFET的隔離式柵極驅(qū)動器，其速度比同等光學(xué)柵極驅(qū)動器快40%。

2012-10-11 14:04:33

2029

德州儀器推柵極驅(qū)動器旨在滿足IGBT與SiC FET需求

德州儀器（TI）宣布推出業(yè)界首款面向絕緣柵雙極晶體管（IGBT）與碳化硅（SiC） FET 的 35 V 單通道輸出級電源管理柵極驅(qū)動器。TI 支持拆分輸出的最新 UCC27531

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1559

英飛凌提供500多種EiceDRIVER?柵極驅(qū)動器解決方案，用于驅(qū)動MOSFET、IGBT、SiC MOSFET 以及GaN HEMT。其中包括隔離型柵極驅(qū)動器、電平轉(zhuǎn)換柵極驅(qū)動器以及非隔離低邊驅(qū)動器，從而滿足各種功率半導(dǎo)體技術(shù)和功率轉(zhuǎn)換拓?fù)涞脑O(shè)計要求。

2019-01-29 09:58:32

30416

采用 LLC 拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)設(shè)計隔離式柵極驅(qū)動器電源,低成本 LLC 轉(zhuǎn)換器的設(shè)計指南

的相關(guān)內(nèi)容，包括 LLC 拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)在隔離式柵極驅(qū)動器電源設(shè)計中的應(yīng)用、具體設(shè)計方案、變壓器設(shè)計、整流二極管選擇等方面，旨在為 IGBT 和 Si/SiC MOSFET 器件的隔離式柵極驅(qū)動器提供低成本

2025-01-08 14:17:21

2487

SiC/GaN功率開關(guān)有什么優(yōu)勢

的隔離柵是一個重大挑戰(zhàn)。ADuM4135 隔離式柵極驅(qū)動器采用 ADI 公司經(jīng)過驗證的 iCoupler?技術(shù)，可以給高電壓和高開關(guān)速度應(yīng)用帶來諸多重要優(yōu)勢。 ADuM4135 是驅(qū)動 SiC/GaN

2018-10-30 11:48:08

柵極驅(qū)動器隔離柵的耐受性能怎么樣？

在高度可靠、高性能的應(yīng)用中，如電動/混合動力汽車，隔離柵級驅(qū)動器需要確保隔離柵在所有情況下完好無損。隨著Si-MOSFET/IGBT不斷改進，以及對GaN和SiC工藝技術(shù)的引進，現(xiàn)代功率轉(zhuǎn)換器/逆變器的功率密度不斷提高。

2019-08-09 07:03:09

柵極驅(qū)動器隔離柵的耐受性能怎么樣？

本文通過故意損壞IGBT/MOSFET功率開關(guān)來研究柵極驅(qū)動器隔離柵的耐受性能。

2021-06-17 07:24:06

柵極驅(qū)動器是什么

IGBT/功率MOSFET是一種電壓控制型器件，可用作電源電路、電機驅(qū)動器和其它系統(tǒng)中的開關(guān)元件。柵極是每個器件的電氣隔離控制端。MOSFET的另外兩端是源極和漏極，而對于IGBT，它們被稱為集電極

2021-01-27 07:59:24

隔離式柵極驅(qū)動器揭秘

IGBT/功率 MOSFET 是一種電壓控制型器件，可用作電源電路、電機驅(qū)動器和其它系統(tǒng)中的開關(guān)元件。柵極是每個器件的電氣隔離控制端。MOSFET的另外兩端是源極和漏極，而對于IGBT，它們被稱為

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隔離式柵極驅(qū)動器的揭秘

Sanket Sapre摘要IGBT/功率MOSFET是一種電壓控制型器件，可用作電源電路、電機驅(qū)動器和其它系統(tǒng)中的開關(guān)元件。柵極是每個器件的電氣隔離控制端。MOSFET的另外兩端是源極和漏極，而對

2018-11-01 11:35:35

隔離式太陽能柵極驅(qū)動參考設(shè)計包括BOM及層圖

描述TIDA-00638 參考設(shè)計包含具有增強型隔離式 IGBT 柵極驅(qū)動器以及專用柵極驅(qū)動器電源的單個模塊。此緊湊型參考設(shè)計可控制太陽能逆變器中的 IGBT。此設(shè)計使用具有內(nèi)置 IGBT

2018-10-19 15:30:07

隔離型 4 軌推挽式 IGBT 門驅(qū)動電源

`描述此參考設(shè)計在單個 24 伏直流輸入電源中提供絕緣閘極雙極型晶體管 (IGBT) 閘極驅(qū)動器所需的隔離式正負(fù)電壓軌。IGBT 在變頻驅(qū)動器的三相逆變器中用于控制交流電機的轉(zhuǎn)速。此參考設(shè)計使用推挽

2015-03-23 14:35:34

隔離型 4 軌推挽式 IGBT 門驅(qū)動電源

2015-04-27 17:31:57

驅(qū)動新一代SiC/GaN功率轉(zhuǎn)換器的IC生態(tài)系統(tǒng)

，其中SiC MOSFET用于高頻開關(guān)，Si IGBT用于低頻開關(guān)。隔離式柵極驅(qū)動器必須能夠驅(qū)動不同要求的開關(guān)，其中較多的是并聯(lián)且采用硅IGBT/SiC MOS混合式多電平配置。客戶希望一種器件就能

2018-10-22 17:01:41

CMOS隔離柵極驅(qū)動器是怎么強化供電系統(tǒng)的？

隔離電源轉(zhuǎn)換器詳解柵極驅(qū)動器解決方案選項最優(yōu)隔離柵極驅(qū)動器解決方案

2021-03-08 07:53:35

SiLM5350SABCA-DG 30V, 10A單通道隔離柵極驅(qū)動器

有沒有在電機驅(qū)動和電源設(shè)計中被隔離驅(qū)動問題而困擾許久的，直到看到了SiLM5350SABCA-DG這款單通道隔離柵極驅(qū)動器能同時駕馭MOSFET、IGBT和SiC/GaN器件。一、特性： 驅(qū)動

2025-11-15 10:00:15

一文研究柵極驅(qū)動器隔離柵的耐受性能

Si-MOSFET/IGBT不斷改進，以及對GaN和SiC工藝技術(shù)的引進，現(xiàn)代功率轉(zhuǎn)換器/逆變器的功率密度不斷提高。因此，需要高度集成、耐用的新型隔離式柵極驅(qū)動器。這些驅(qū)動器的電隔離裝置體積小巧，可集成到驅(qū)動器芯片

2021-01-22 06:45:02

三相逆變器的隔離式IGBT柵極驅(qū)動器評估系統(tǒng)設(shè)計

描述TIDA-00195 參考設(shè)計包括一個 22kW 功率級以及 TI 全新的增強型隔離式 IGBT 柵極驅(qū)動器 ISO5852S（適用于各種應(yīng)用中的電機控制）。此設(shè)計可對三相逆變器（其中整合了額定

2018-12-27 11:41:40

使用隔離式IGBT和SiC柵極驅(qū)動器的HEV/EV牽引逆變器設(shè)計指南

使用隔離式IGBT和SiC柵極驅(qū)動器的HEV/EV牽引逆變器設(shè)計指南

2022-11-02 12:07:56

可避免柵極電流回路機制的并聯(lián)IGBT驅(qū)動器

驅(qū)動半橋配置中的并聯(lián) IGBT。并聯(lián) IGBT 在柵極驅(qū)動器級（驅(qū)動強度不足）以及系統(tǒng)級均會帶來挑戰(zhàn)：難以在兩個 IGBT 中保持相等電流分布的同時確保更快的導(dǎo)通和關(guān)斷。此參考設(shè)計使用增強型隔離式

2018-12-07 14:05:13

四路輸出隔離式IGBT柵極驅(qū)動Fly-Buck電源包括BOM及層圖

描述TIDA-00174 參考設(shè)計是一款四路輸出隔離式 Fly-Buck 電源，適合于 IGBT 柵極驅(qū)動器偏置。它產(chǎn)生兩組（+16V、-9V）電壓輸出，輸出電流容量為 100mA。正/負(fù)偏置電壓

2018-09-05 08:54:59

如何使用電流源極驅(qū)動器BM60059FV-C驅(qū)動SiC MOSFET和IGBT？

過。另據(jù)報道，與基于IGBT的電機驅(qū)動器相比，使用具有有限dv/dt的SiC-MOSFET和傳統(tǒng)的柵極驅(qū)動器可以帶來更高的效率［3］。在驅(qū)動應(yīng)用中使用 SiC-MOSFET 的優(yōu)勢可以通過 CSD

2023-02-21 16:36:47

實現(xiàn)隔離式半橋柵極驅(qū)動器

闡述這些設(shè)計理念，以展現(xiàn)采用小型封裝的隔離式半橋柵極驅(qū)動器IC在造就高性能方面的卓越能力。采用光耦合器隔離的基本半橋驅(qū)動器(如圖1所示)以極性相反的信號來驅(qū)動高端和低端N溝道MOSFET(或IGBT

2018-10-23 11:49:22

實現(xiàn)隔離式半橋柵極驅(qū)動器的設(shè)計基礎(chǔ)

驅(qū)動器解決方案在提供高性能和小尺寸方面的卓越能力。隔離式半橋驅(qū)動器的功能是驅(qū)動上橋臂和下橋臂N溝道MOSFET(或IGBT)的柵極，通過低輸出阻抗降低導(dǎo)通損耗，同時通過快速開關(guān)時間降低開關(guān)損耗。上橋臂

2018-10-16 16:00:23

實現(xiàn)隔離式半橋柵極驅(qū)動器的設(shè)計途徑

展現(xiàn)采用小型封裝的隔離式半橋柵極驅(qū)動器IC在造就高性能方面的卓越能力?！　〔捎霉怦詈?b class="flag-6" style="color: red">器隔離的基本半橋驅(qū)動器（如圖1所示）以極性相反的信號來驅(qū)動高端和低端N溝道MOSFET（或IGBT）的柵極，由此來控制

2018-09-26 09:57:10

新型功率開關(guān)技術(shù)和隔離式柵極驅(qū)動器不斷變化的格局

將減小元件尺寸，從而減小成本、系統(tǒng)尺寸和重量；這些是汽車和能源等市場中的主要優(yōu)勢。新型功率開關(guān)還將促使其控制元件發(fā)生變化，其中包括柵極驅(qū)動器。本文將探討GaN和SiC開關(guān)與IGBT/MOSFET的一些

2018-10-16 06:20:46

新型功率開關(guān)技術(shù)和隔離式柵極驅(qū)動器不斷變化的格局

頻率將減小元件尺寸，從而減小成本、系統(tǒng)尺寸和重量；這些是汽車和能源等市場中的主要優(yōu)勢。新型功率開關(guān)還將促使其控制元件發(fā)生變化，其中包括柵極驅(qū)動器。本文將探討GaN和SiC開關(guān)與IGBT/MOSFET

2018-10-16 21:19:44

新型功率開關(guān)技術(shù)和隔離式柵極驅(qū)動器的趨勢和格局

減小元件尺寸，從而減小成本、系統(tǒng)尺寸和重量；這些是汽車和能源等市場中的主要優(yōu)勢。新型功率開關(guān)還將促使其控制元件發(fā)生變化，其中包括柵極驅(qū)動器。本文將探討GaN和SiC開關(guān)與IGBT/MOSFET的一些

2018-10-24 09:47:32

汽車類雙通道SiC MOSFET柵極驅(qū)動器包括BOM及層圖

描述此參考設(shè)計是一種通過汽車認(rèn)證的隔離式柵極驅(qū)動器解決方案，可在半橋配置中驅(qū)動碳化硅 (SiC) MOSFET。此設(shè)計分別為雙通道隔離式柵極驅(qū)動器提供兩個推挽式偏置電源，其中每個電源提供 +15V

2018-10-16 17:15:55

用于三相逆變器的IGBT柵極驅(qū)動隔離型電源包括BOM及層圖

描述此參考設(shè)計在單個 24 伏直流輸入電源中提供絕緣柵極雙極型晶體管 (IGBT) 柵極驅(qū)動器所需的隔離式正負(fù)電壓軌。此參考設(shè)計采用 Fly-Buck&trade(...)主要特色? 隔離型

2018-09-06 09:07:35

用于三相逆變器的寬輸入隔離型 IGBT 柵極驅(qū)動 Fly-Buck 電源

`描述此參考設(shè)計在單個 24 伏直流輸入電源中提供絕緣柵極雙極型晶體管 (IGBT) 柵極驅(qū)動器所需的隔離式正負(fù)電壓軌。此參考設(shè)計采用 Fly-Buck? 控制拓?fù)?，從單一變?b class="flag-6" style="color: red">器生成用于三相逆變器

2015-03-23 14:53:06

電子書“IGBT 和 SiC 柵極驅(qū)動器基礎(chǔ)知識”

電子書“IGBT 和 SiC 柵極驅(qū)動器基礎(chǔ)知識”

2022-10-25 17:20:12

適合于IGBT柵極驅(qū)動器偏置的四路輸出隔離式Fly-Buck電源參考設(shè)計

描述TIDA-00174參考設(shè)計是一款四路輸出隔離式 Fly-Buck 電源，適合于 IGBT 柵極驅(qū)動器偏置。它產(chǎn)生兩組（+16V、-9V）電壓輸出，輸出電流容量為 100mA。正/負(fù)偏置電壓用于

2022-09-26 07:54:11

適用于SiC/GaN器件的雙通道隔離驅(qū)動方案SLMi8232BDCG-DG介紹

柵極驅(qū)動器，小體積封裝（SOP16W）和高可靠性設(shè)計特別適合高噪聲環(huán)境下的功率驅(qū)動需求。通過可編程死區(qū)時間和完善的保護功能，該芯片為工業(yè)電源、新能源逆變及電動汽車充電等應(yīng)用提供了緊湊且安全的解決方案。 #隔離驅(qū)動器 #柵極驅(qū)動 #SiC驅(qū)動 #SLMi8232

2025-09-18 08:20:40

適用于UPS和逆變器的碳化硅FET和IGBT柵極驅(qū)動器參考設(shè)計

描述此款碳化硅 (SiC) FET 和 IGBT 柵極驅(qū)動器參考設(shè)計為驅(qū)動 UPS、交流逆變器和電動汽車充電樁（電動汽車充電站）應(yīng)用的功率級提供了藍圖。此設(shè)計基于 TI 的 UCC53xx

2018-09-30 09:23:41

采用MP188XX 隔離式柵極驅(qū)動器系列構(gòu)建電源系統(tǒng)

概述電源對5G 通信、數(shù)據(jù)中心、光伏逆變器、車載電源、充電樁以及LED 控制系統(tǒng)至關(guān)重要。與此同時，所有這些電源系統(tǒng)都需要一個隔離式柵極驅(qū)動器來高效、可靠地驅(qū)動開關(guān)管，以進行電源轉(zhuǎn)換。隔離式柵極

2022-09-30 14:05:41

開源硬件-TIDA-00785-隔離式 GaN 驅(qū)動器 PCB layout 設(shè)計

該參考設(shè)計包含一個增強型雙通道數(shù)字隔離器、一個 GaN 柵極驅(qū)動器和多個隔離式電源。該緊湊型參考設(shè)計旨在控制電源、直流到直流轉(zhuǎn)換器、同步整流、太陽能逆變器和電機控制中的 GaN。適用于柵極驅(qū)動器且

2012-09-12 22:14:06

實現(xiàn)隔離式半橋柵極驅(qū)動器的設(shè)計基礎(chǔ)

隔離式半橋柵極驅(qū)動器可用于許多應(yīng)用，從要求高功率密度和效率的隔離式DC-DC電源模塊，到高隔離電壓和長期可靠性至關(guān)重要的太陽能逆變器等等，不一而足。本文將詳細闡述這些設(shè)計理念，探索隔離式半橋柵極驅(qū)動器解決方案在提供高性能和小尺寸方面的卓越能力。

2017-02-09 17:40:11

3617

實現(xiàn)隔離式半橋柵極驅(qū)動器

許多應(yīng)用都采用隔離式半橋柵極驅(qū)動器來控制大量功率，從要求高功率密度和效率的隔離式DC-DC電源模塊，到高隔離電壓和長期可靠性至關(guān)重要的太陽能逆變器等等，不一而足。本文將詳細闡述這些設(shè)計理念，以展現(xiàn)采用小型封裝的隔離式半橋柵極驅(qū)動器IC在造就高性能方面的卓越能力。

2017-02-10 07:57:41

8497

隔離式GaN驅(qū)動器參考設(shè)計

該參考設(shè)計包含一個增強型雙通道數(shù)字隔離器，一個甘柵極驅(qū)動器和多個隔離式電源。該緊湊型參考設(shè)計旨在控制電源，直流到直流轉(zhuǎn)換器，同步整流，太陽能逆變器和電機控制中甘的。適用于柵極驅(qū)動器且基于開環(huán)推挽拓?fù)?/div>

2017-05-05 11:21:13

開源硬件-TIDA-01160-適用于 UPS 和逆變器的緊湊型、單通道、隔離式 SiC 和 IGBT 柵極驅(qū)動器 PCB layout 設(shè)計

此款碳化硅 (SiC) FET 和 IGBT 柵極驅(qū)動器參考設(shè)計為驅(qū)動 UPS、交流逆變器和電動汽車充電樁（電動汽車充電站）應(yīng)用的功率級提供了藍圖。此設(shè)計基于 TI 的 UCC53xx 3kVRMS

2017-12-25 11:13:00

用于三相逆變器系統(tǒng)的隔離式 IGBT 柵極驅(qū)動器評估平臺參考設(shè)計

本參考設(shè)計采用一個 22kW 功率級以及 TI 全新的增強型隔離式 (IGBT) 柵極驅(qū)動器 ISO5852S，適用于交流驅(qū)動器等各類三相逆變器。

2018-05-08 17:03:25

開源硬件-TIDA-00638-隔離式太陽能柵極驅(qū)動 PCB layout 設(shè)計

該參考設(shè)計包含具有增強型隔離式 IGBT 柵極驅(qū)動器以及專用柵極驅(qū)動器電源的單個模塊。該緊湊型參考設(shè)計可控制光伏逆變器中的 IGBT。該設(shè)計使用具有內(nèi)置 IGBT DESAT 檢測和米勒鉗位保護

2018-06-28 08:00:00

現(xiàn)代IGBT/MOSFET柵極驅(qū)動器提供隔離功能的最大功率限制

通過故意損壞IGBT/MOSFET功率開關(guān)來研究柵極驅(qū)動器隔離柵的耐受性能。

2019-04-16 17:07:39

6332

IGBT柵極驅(qū)動器的隔離式反激轉(zhuǎn)換器的設(shè)計

工業(yè)快速以太網(wǎng) 隔離式IGBT柵極驅(qū)動器需要隔離式電源，以實現(xiàn)安全隔離和電平轉(zhuǎn)換。不幸的是，基于標(biāo)準(zhǔn)電源控制IC的隔離式電源設(shè)計并非易事。要使用離散的組件定制解決方案，就需要專門知識和大量的驗證工作

2021-05-26 18:05:17

3419

現(xiàn)代IGBT/MOSFET柵極驅(qū)動器提供隔離功能的最大功率限制

，隔離柵級驅(qū)動器需要確保隔離柵在所有情況下完好無損。隨著Si-MOSFET/IGBT不斷改進，以及對GaN和SiC工藝技術(shù)的引進，現(xiàn)代功率轉(zhuǎn)換器/逆變器的功率密度不斷提高。因此，需要高度集成、...

2021-01-20 15:00:24

隔離式柵極驅(qū)動器揭秘

摘要 IGBT/功率MOSFET是一種電壓控制型器件，可用作電源電路、電機驅(qū)動器和其它系統(tǒng)中的開關(guān)元件。柵極是每個器件的電氣隔離控制端。MOSFET的另外兩端是源極和漏極，而對于IGBT，它們被稱為

2021-01-28 08:13:38

UG-1194：評估ADuM4138<em>i</em>耦合器、帶隔離式反激控制器的高壓隔離式IGBT柵極驅(qū)動器

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2021-04-21 10:33:55

ADI隔離柵極驅(qū)動器和WOLFSPEED SiC MOSFET

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ACPL-P349/W349評估板特性 IGBT或SiC/GaN MOSFET柵極驅(qū)動器配置分析

本手冊概述了 ACPL-P349/W349 評估板的特性以及評估隔離式 IGBT 或 SiC/GaN MOSFET 柵極驅(qū)動器所需的配置。需要目視檢查以確保收到的評估板處于良好狀態(tài)。

2021-06-23 10:45:21

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隔離式柵極驅(qū)動器的特性及應(yīng)用綜述

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2021-06-25 10:17:30

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意法半導(dǎo)體新推出的兩款雙通道電隔離IGBT和碳化硅（SiC） MOSFET柵極驅(qū)動器在高壓電力變換和工業(yè)應(yīng)用中節(jié)省空間，簡化電路設(shè)計。

2022-02-15 14:23:26

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SiC功率器件的柵極驅(qū)動器電路優(yōu)化?

隨著新型功率晶體管（例如 SiC Mosfets）越來越多地用于電力電子系統(tǒng)，因此有必要使用特殊的驅(qū)動器。隔離式柵極驅(qū)動器通過提供對 IGBT 和 MOSFET 的可靠控制，旨在滿足 SiC（碳化硅

2022-08-09 09:03:00

3179

關(guān)鍵隔離式柵極驅(qū)動器規(guī)格

關(guān)鍵隔離式柵極驅(qū)動器規(guī)格

2022-11-01 08:25:25

1ED3124MU12F單通道隔離柵極驅(qū)動器的特征及應(yīng)用優(yōu)勢

設(shè)備驅(qū)動程序緊湊型單通道隔離柵極驅(qū)動器，在用于IGBT、MOSFET和SiC MOSFET的DSO-8窄體封裝中具有14A的典型吸收和源峰值輸出電流。

2022-11-02 16:47:09

2326

使用隔離式柵極驅(qū)動器的實用設(shè)計指南

使用隔離式柵極驅(qū)動器的實用設(shè)計指南

2022-11-14 21:08:43

隔離式柵極驅(qū)動器輸入級對電機驅(qū)動應(yīng)用的影響

本文介紹了在電機驅(qū)動應(yīng)用中為功率級選擇隔離式柵極驅(qū)動器時，您有多種選擇。柵極驅(qū)動器可簡單可復(fù)雜，具有集成米勒箝位、分離輸出或絕緣柵雙極晶體管（IGBT）發(fā)射極的欠壓（UVLO）鎖定參考等功能。

2022-11-30 09:58:21

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川土微電子發(fā)布CA-IS3211單通道隔離式柵極驅(qū)動器

CA-IS3211是一款光耦兼容的單通道隔離式柵極驅(qū)動器，可用于驅(qū)動MOSFET、IGBT和SiC器件。隔離等級達到5.7kVRMS，芯片可提供5A拉、6A灌輸出峰值電流能力。

2022-12-05 10:00:45

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實現(xiàn)隔離式半橋柵極驅(qū)動器的設(shè)計基礎(chǔ)

隔離式半橋柵極驅(qū)動器用于許多應(yīng)用，從需要高功率密度和效率的隔離式DC-DC電源模塊，到高隔離電壓和長期可靠性至關(guān)重要的太陽能逆變器。本文將詳細討論這些設(shè)計概念，探討隔離式半橋柵極驅(qū)動器解決方案提供高性能和小尺寸解決方案的能力。

2023-01-17 11:08:46

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隔離式柵極驅(qū)動器：什么、為什么以及如何

IGBT/功率MOSFET是一種電壓控制器件，用作電源電路和電機驅(qū)動器等系統(tǒng)中的開關(guān)元件。柵極是每個設(shè)備的電氣隔離控制端子。 MOSFET的其他端子是源極和漏極，對于IGBT，它們被稱為集電極

2023-01-30 17:17:12

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保姆級攻略 | 使用隔離式柵極驅(qū)動器的設(shè)計指南（一）

(onsemi) 的隔離柵極驅(qū)動器針對SiC（碳化硅）和GaN（氮化鎵）等技術(shù)所需的最高開關(guān)速度和系統(tǒng)尺寸限制而設(shè)計，為 MOSFET 提供可靠控制。電力電子行業(yè)的許多設(shè)計人員對于在諸多類型的電力電子應(yīng)用中使用Si MOSFET、SiC和GaN MOSFET 具有豐富的經(jīng)驗，

2023-02-05 05:55:01

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使用隔離式柵極驅(qū)動器的設(shè)計指南（二）：電源、濾波設(shè)計與死區(qū)時間

點擊藍字?關(guān)注我們本設(shè)計指南分為三部分，將講解如何為電力電子應(yīng)用中的功率開關(guān)器件選用合適的隔離柵極驅(qū)動器，并介紹實戰(zhàn)經(jīng)驗。上次為大家梳理了隔離式柵極驅(qū)動器的介紹和選型指南（詳情可點擊查看

2023-02-08 21:40:03

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6.5A，2300V單通道隔離式柵極驅(qū)動器評估板（配SiC MOSFET）

新品6.5A，2300V單通道隔離式柵極驅(qū)動器評估板（配SiCMOSFET）EVAL-1ED3142MX12F-SIC采用半橋電路，用兩個柵極驅(qū)動IC1ED3142MU12F來驅(qū)動IGBT

2023-07-31 17:55:56

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現(xiàn)代IGBT/MOSFET柵極驅(qū)動器提供隔離功能的最大功率限制

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2023-11-22 16:48:15

實現(xiàn)隔離式半橋柵極驅(qū)動器的設(shè)計基礎(chǔ)

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2023-11-22 16:57:32

使用隔離式柵極驅(qū)動器的設(shè)計指南（一）

使用隔離式柵極驅(qū)動器的設(shè)計指南（一）

2023-11-28 16:18:10

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PMP30629.1-具有集成開關(guān)PSR反激式轉(zhuǎn)換器的隔離式2.5W SiC和IGBT柵極驅(qū)動器 PCB layout 設(shè)計

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2024-05-17 14:34:53

TIDA-020030-具有熱敏二極管和感應(yīng) FET 的 SiC/IGBT 隔離式柵極驅(qū)動器 PCB layout 設(shè)計

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2024-05-16 15:09:31

適用于SiC/IGBT器件和汽車應(yīng)用的單通道隔離式柵極驅(qū)動器UCC5350-Q1數(shù)據(jù)表

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2024-03-22 10:17:51

PC86320隔離式雙通道柵極驅(qū)動器

描述 PC86320是一個隔離的雙通道柵極驅(qū)動器具有可編程死區(qū)時間和寬溫度范圍。它設(shè)計有5A峰值源和6A峰值吸收電流來驅(qū)動電源高達2MHz的MOSFET、SiC、GaN和IGBT晶體管開關(guān)頻率

2024-05-09 17:57:33

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Littelfuse宣布推出IX4352NE低側(cè)SiC MOSFET和IGBT柵極驅(qū)動器

Littelfuse宣布推出IX4352NE低側(cè)SiC MOSFET和IGBT柵極驅(qū)動器。這款創(chuàng)新的驅(qū)動器專門設(shè)計用于驅(qū)動工業(yè)應(yīng)用中的碳化硅（SiC）MOSFET和高功率絕緣柵雙極晶體管（IGBT）。

2024-05-23 11:26:30

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Littelfuse發(fā)布IX4352NE低側(cè)SiC MOSFET和IGBT柵極驅(qū)動器

近日，Littelfuse公司發(fā)布了IX4352NE低側(cè)SiC MOSFET和IGBT柵極驅(qū)動器，這款新型驅(qū)動器在業(yè)界引起了廣泛關(guān)注。

2024-05-23 11:34:21

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隔離式柵極驅(qū)動器的影響

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2024-07-13 09:31:18

使用隔離式 IGBT 和 SiC 柵極驅(qū)動器的 HEV/EV 牽引逆變器設(shè)計指南

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2024-09-11 14:21:39

電隔離柵極驅(qū)動器選型指南

電隔離式（GI）柵極驅(qū)動器在優(yōu)化碳化硅（SiC）MOSFET性能方面扮演著至關(guān)重要的角色，特別是在應(yīng)對電氣化系統(tǒng)日益增長的需求時。隨著全球?qū)﹄娏υ诠I(yè)、交通和消費產(chǎn)品中依賴性的加深，SiC技術(shù)憑借其

2024-11-11 17:12:32

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電隔離柵極驅(qū)動器的隔離能力評估

電隔離式 (GI) 柵極驅(qū)動器在優(yōu)化碳化硅 (SiC) MOSFET性能方面扮演著至關(guān)重要的角色，特別是在應(yīng)對電氣化系統(tǒng)日益增長的需求時。隨著全球?qū)﹄娏υ诠I(yè)、交通和消費產(chǎn)品中依賴性的加深，SiC

2024-11-11 17:16:13

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英飛凌推出新型EiceDRIVER? Power全橋變壓器驅(qū)動器系列，適用于結(jié)構(gòu)緊湊、經(jīng)濟高效的柵極驅(qū)動器電源

英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX/OTCQX代碼：IFNNY）推出適用于IGBT、SiC和GaN柵極驅(qū)動器電源的EiceDRIVERPower2EP1xxR全橋變壓器驅(qū)動器系列。2EP1xxR

2024-12-10 01:00:52

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川土微電子發(fā)布CA-IS3212單通道隔離式柵極驅(qū)動器

川土微電子CMOS輸入、帶有源米勒鉗位(可選)單通道隔離式柵極驅(qū)動器新品發(fā)布，該系列產(chǎn)品為驅(qū)動SiC、IGBT和GaN功率管而優(yōu)化設(shè)計。

2025-01-10 18:08:42

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UCC5881-Q1 具有高級保護功能的汽車級 20A 實時可變 IGBT/SiC MOSFET 隔離式柵極驅(qū)動器數(shù)據(jù)手冊

UCC5881-Q1 器件是一款隔離式、高度可配置的可調(diào)驅(qū)動強度柵極驅(qū)動器，旨在驅(qū)動 EV/HEV 應(yīng)用中的高功率 SiC MOSFET 和 IGBT。該器件包括功率晶體管保護，例如基于分流電阻器

2025-05-15 11:32:02

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UCC21550 4A/6A、5kVRMS 雙通道隔離式柵極驅(qū)動器數(shù)據(jù)手冊

UCC21550 是具有可編程死區(qū)時間和寬溫度范圍的隔離式雙通道柵極驅(qū)動器系列。它采用 4A 峰值拉電流和 6A 峰值灌電流設(shè)計，可驅(qū)動功率 MOSFET、SiC、GaN 和 IGBT 晶體管

2025-05-16 09:17:06

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UCC21550-Q1 汽車類 4A/6A、5kVRMS 雙通道隔離式柵極驅(qū)動器，具有用于IGBT的DIS和DT引腳數(shù)據(jù)手冊

UCC21550-Q1 是隔離式雙通道柵極驅(qū)動器系列，具有可編程死區(qū)時間和寬溫度范圍。它采用 4A 峰值拉電流和 6A 峰值灌電流設(shè)計，可驅(qū)動功率 MOSFET、SiC、GaN 和 IGBT 晶體管

2025-05-16 09:30:59

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UCC23113 具有功能隔離（1.2kVRMS）的 4A/5A 單通道光兼容隔離式柵極驅(qū)動器數(shù)據(jù)手冊

UCC23113 適用于 IGBT、MOSFET 和 SiC MOSFET 的光兼容、單通道、隔離式柵極驅(qū)動器，具有 5A 拉電流和 5A 灌電流峰值輸出電流以及 1.5kV 直流功能隔離。30 V

2025-05-16 10:49:24

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ADuM4137具有故障檢測功能的高電壓隔離式IGBT柵極驅(qū)動器技術(shù)手冊

ADuM4137^1^ADuM4138 是一款已專門針對絕緣柵極雙極晶體管 (IGBT) 驅(qū)動進行優(yōu)化的單通道柵極驅(qū)動器。ADI 公司的 **i**Coupler*^?^* 技術(shù)在輸入信號和輸出柵極

2025-05-30 10:32:44

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ADuM4138具有隔離式反激控制器的高電壓隔離式IGBT柵極驅(qū)動器技術(shù)手冊

ADuM4138 是一款已針對絕緣柵極雙極晶體管 (IGBT) 驅(qū)動進行優(yōu)化的單通道柵極驅(qū)動器。ADI 公司的 **i**Coupler^?^ 技術(shù)在輸入信號和輸出柵極驅(qū)動器之間實現(xiàn)隔離。

2025-05-30 14:14:44

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Texas Instruments UCC21330/UCC21330-Q1隔離式柵極驅(qū)動器數(shù)據(jù)手冊

，可驅(qū)動功率MOSFET、SiC、GaN和IGBT晶體管。UCC21330可配置為兩個低側(cè)、兩個高側(cè)或半橋驅(qū)動器。輸入側(cè)通過5kV~RMS~ 隔離柵與兩個輸出驅(qū)動器隔離，該隔離柵具有最小125V/ns的共模瞬態(tài)抗擾度 (CMTI)。

2025-08-03 16:29:23

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Texas Instruments UCC23113隔離式柵極驅(qū)動器數(shù)據(jù)手冊

Texas Instruments UCC23113隔離式柵極驅(qū)動器是一款兼容光耦的單通道隔離式柵極驅(qū)動器，用于IGBT、MOSFET和SiC MOSFET。該器件具有5A峰值輸出拉電流、5A峰值

2025-08-03 17:04:13

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UCC21755-Q1汽車級SiC/IGBT柵極驅(qū)動器技術(shù)解析

Texas Instruments UCC21755-Q1汽車柵極驅(qū)動器設(shè)計用于高達2121V~pk~ 的SiC MOSFET和IGBT。UCC21755-Q1具有高級保護特性、同類最佳的動態(tài)性能和穩(wěn)健性。

2025-08-27 15:17:20

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德州儀器UCC5871-Q1汽車級IGBT/SiC MOSFET柵極驅(qū)動器技術(shù)解析

Texas Instruments UCC5871-Q1 IGBT/SiC MOSFET柵極驅(qū)動器是一款隔離式、高度可配置的單通道柵極驅(qū)動器，設(shè)計用于驅(qū)動EV/HEV應(yīng)用中的大功率SiC

2025-08-29 09:28:22

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UCC21737-Q1 汽車級SiC/IGBT隔離柵極驅(qū)動器技術(shù)解析

Texas Instruments UCC21737-Q1單通道柵極驅(qū)動器是一款電流隔離式柵極驅(qū)動器，設(shè)計用于工作電壓高達2121V DC的SiC MOSFET和IGBT，具有先進的保護特性、同類最佳的動態(tài)性能和穩(wěn)健性。該器件具有高達 ±10A的峰值拉電流和灌電流。

2025-09-09 15:37:02

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?UCC21330 隔離雙通道柵極驅(qū)動器總結(jié)

該UCC21330是一個隔離式雙通道柵極驅(qū)動器系列，具有可編程死區(qū)時間和寬溫度范圍。它采用 4A 峰值源電流和 6A 峰值吸收電流設(shè)計，可驅(qū)動功率 MOSFET、SiC、GaN 和 IGBT 晶體管

2025-10-11 16:20:14

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安森美隔離式雙通道IGBT柵極驅(qū)動器：NCx575y0系列的深度解析

在電子工程領(lǐng)域，IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）的應(yīng)用極為廣泛，而其柵極驅(qū)動器的性能對整個系統(tǒng)的穩(wěn)定性和效率起著關(guān)鍵作用。今天我們就來深入探討安森美（onsemi）的NCx575y0系列隔離式雙通道IGBT柵極驅(qū)動器，包括NCD57530、NCV57530、NCD57540和NCV57540這幾款產(chǎn)品。

2025-12-05 11:18:25

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深入解析 onsemi NCV51561 隔離式雙通道柵極驅(qū)動器

在電子工程師的日常設(shè)計中，柵極驅(qū)動器是驅(qū)動功率 MOSFET 和 SiC MOSFET 等功率開關(guān)的關(guān)鍵組件。今天，我們就來深入探討 onsemi 推出的 NCV51561 隔離式雙通道柵極驅(qū)動器，看看它有哪些特性和優(yōu)勢，以及在實際應(yīng)用中需要注意的要點。

2025-12-05 15:33:08

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深入解析 onsemi NCV51563 隔離式雙通道柵極驅(qū)動器

在電力電子設(shè)計領(lǐng)域，柵極驅(qū)動器是驅(qū)動功率 MOSFET 和 SiC MOSFET 等功率開關(guān)的關(guān)鍵組件。今天我們要詳細探討的是 onsemi 公司的 NCV51563 隔離式雙通道柵極驅(qū)動器，它具備諸多出色特性，適用于多種應(yīng)用場景。

2025-12-05 15:41:49

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探索NCP51563隔離式雙通道柵極驅(qū)動器評估板的奧秘

在電子設(shè)計領(lǐng)域，柵極驅(qū)動器是驅(qū)動功率MOSFET和SiC MOSFET等功率開關(guān)的關(guān)鍵組件。今天，我們將深入探討安森美（onsemi）的NCP51563隔離式雙通道柵極驅(qū)動器評估板（NCP51563 EVB），了解其特性、操作方法以及性能表現(xiàn)。

2025-12-08 14:20:24

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