繼6月6日，工信部正式發(fā)放了5G商用牌照，便加快了5G商用步伐，駛向“高速公路”。運(yùn)營(yíng)商、設(shè)備商、終端廠(chǎng)商在5G領(lǐng)域持續(xù)發(fā)力。廣泛應(yīng)用于通信基站、手機(jī)等移動(dòng)通訊終端的射頻器件也在緊抓5G機(jī)遇推陳出新。

在今日舉行的“2019年IMT-2020(5G)峰會(huì)”上，南京國(guó)博電子副總經(jīng)理錢(qián)峰發(fā)表了主題演講，分享了國(guó)博電子在5G微波毫米波方向的技術(shù)進(jìn)展。

眾所周知，在5G射頻產(chǎn)品上，大蛋糕是通訊終端射頻，小蛋糕是通信基站射頻，但從產(chǎn)業(yè)鏈?zhǔn)芤嫦群蟮慕嵌葋?lái)看，先受益的是通信基站射頻，其次才是通訊終端射頻。

據(jù)了解，國(guó)博電子對(duì)兩大射頻器件均有涉及。在基站領(lǐng)域主要有氮化鎵的功率器件，基站、微基站功率放大器，以及一些小信號(hào)產(chǎn)品和多功能模組；在移動(dòng)通信終端領(lǐng)域，主要有一些手機(jī)功放、WiFi PA、開(kāi)關(guān)以及其他的產(chǎn)品。面對(duì)5G商用的逐步落地，錢(qián)峰表示，希望有驅(qū)動(dòng)的放大器、各頻段產(chǎn)品、LNA產(chǎn)品等主要頻段能夠形成的射頻貨架系列產(chǎn)品。

此外，國(guó)博電子通過(guò)對(duì)毫米波技術(shù)的研發(fā)，錢(qián)峰指出，在小型號(hào)5G毫米波芯片中，一般采用硅的技術(shù)，如硅的CMOS技術(shù)實(shí)現(xiàn)產(chǎn)品化；后端和前端采用砷化鎵或者氮化鎵的技術(shù)，可形成一個(gè)更具靈活性的毫米波前端，而且具有更好性?xún)r(jià)比。值得注意的是，國(guó)博電子總體方案采用硅基的技術(shù)實(shí)現(xiàn)多通道波控芯片，采用化合物實(shí)現(xiàn)毫米波收發(fā)前端芯片，使用高密度集成實(shí)現(xiàn)前端的FEM模組。

錢(qián)峰表示，國(guó)博電子在基站和終端的小信號(hào)產(chǎn)品以及中功率產(chǎn)品方面都實(shí)現(xiàn)了批量化的量產(chǎn)，目前正在進(jìn)入的領(lǐng)域主要有氮化鎵的大功率的器件，以及毫米波的基站的多通道硅基相控陣芯片以及III-V族毫米波射頻收發(fā)前端芯片。

針對(duì)產(chǎn)品整體的形態(tài)的形態(tài)，錢(qián)峰介紹到三大類(lèi)封裝形式。

一是傳統(tǒng)的BGA的封裝形式。錢(qián)峰并對(duì)此表示，將來(lái)標(biāo)準(zhǔn)的幅相多功能芯片都會(huì)采用BGA的封裝形式；

二是針對(duì)一些具有散熱需要的形式，將背面裸露出來(lái)方便用戶(hù)進(jìn)行散熱器的貼裝；

三是晶元級(jí)的封裝模式，把多顆芯片集中在一個(gè)封裝里面。

最后錢(qián)峰說(shuō)道，在未來(lái)發(fā)展中，國(guó)博電子將構(gòu)建以三代半導(dǎo)體制造為核心，涵蓋一、二、三代半導(dǎo)體設(shè)計(jì)與封測(cè)射頻集成電路產(chǎn)業(yè)鏈，隨著5G快速推進(jìn)，國(guó)博電子也會(huì)呈現(xiàn)出更快的經(jīng)濟(jì)發(fā)展速度和技術(shù)創(chuàng)新能力。