金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)(MOS)晶體管可分為N溝道與P溝道兩大類， P溝道硅MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管在N型硅襯底上有兩個(gè)P+區(qū)，分別叫做源極和漏極，兩極之間不通導(dǎo)，柵極上加有足夠的正電壓(源極接地)時(shí)，柵極下的N型硅表面呈現(xiàn)P型反型層，成為連接源極和漏極的溝道。
2023-02-23 17:00:04
35697 
Littelfuse P溝道功率MOSFETs，雖不及廣泛使用的N溝道MOSFETs出名，在傳統(tǒng)的應(yīng)用范圍也較有限，然而，隨著低壓（LV）應(yīng)用需求的增加， P溝道功率MOSFET的應(yīng)用范圍得到拓展。
2024-04-02 14:27:302757 
供產(chǎn)品運(yùn)用的技術(shù)支持。阿里店鋪：阿里 “供應(yīng)商 ”搜索 ，深圳市三佛科技有限公司，咨詢客服購買?！?**賴,0755-85279055】【30V MOS N/P溝道 推薦：】HN3400
2021-03-18 14:21:33
型號(hào)：30P03VDS：-30VIDS： -30A封裝：DFN3*3-8 溝道：P溝道30P03原裝正品,30P03現(xiàn)貨熱銷供應(yīng)售后服務(wù)：公司免費(fèi)提供30P03樣品，并提供產(chǎn)品運(yùn)用的技術(shù)支持。阿里店鋪
2021-03-18 14:16:53
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2021-03-30 14:33:48
`深圳市三佛科技有限公司 供應(yīng) 3415 20V SOT-23 P溝道MOS 帶ESD保護(hù) HN3415D，庫存現(xiàn)貨HN3415D采用先進(jìn)的溝道技術(shù)，提供優(yōu)良的RDS（開），低柵極電荷和低至1.8V
2021-03-11 11:14:52
Ω@VGS=2..5V-極低導(dǎo)通電阻RDS（開）-低CRSS-快速切換-100%雪崩測(cè)試-提高dv/dt能力。應(yīng)用：PWM應(yīng)用,負(fù)載開關(guān),電源管理。售后服務(wù)：公司免費(fèi)提供樣品，并提供產(chǎn)品運(yùn)用的技術(shù)
2021-03-30 14:22:40
在公共漏極和參考GND之間的電機(jī)，使用雙電源簡(jiǎn)單地連接以生成雙向開關(guān)。一旦輸入電壓為低，則連接在電路中的P溝道 MOSFET將被打開，而N溝道MOSFET將被關(guān)閉，因?yàn)槠鋿艠O到源極結(jié)為負(fù)偏置，因此電路中
2022-09-27 08:00:00
MOSFET或N溝道MOSFET作為主開關(guān)。同步整流器應(yīng)用幾乎總是使用N溝道技術(shù)，這主要是因?yàn)镹溝道的RDS(on)小于P溝道的，并且通過在柵極上施加正電壓導(dǎo)通。 MOSFET多數(shù)是載流子器件， N溝道
2018-03-03 13:58:23
概述：CN2305是上海如韻電子出品的一款P溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，它采用先進(jìn)工藝，提供較低的導(dǎo)通電阻，低柵極電荷和低工作電壓，柵極電壓可低至2.5V。CN2305適合用于電池保護(hù)，或PWM開關(guān)中的應(yīng)用。
2021-04-13 06:46:20
RDS技術(shù)
2012-08-11 09:30:00
`AON7544 N溝道MOSFET采用最新的Trench Power AlphaMOS（αMOSLV）技術(shù)，具有極低的RDS（on），低柵極電壓和高電流能力，非常適合應(yīng)用在DC/DC電路中
2020-05-29 08:39:05
銓力授權(quán)一級(jí)代理商 AP2222D 20V N溝道增強(qiáng)型MOSFET
描述：
AP2222D采用先進(jìn)的溝槽技術(shù)
可提供出色的RDS（ON）
低柵極電荷和低至2.5V的柵極電壓操作
該器件適用于用作
2024-10-08 11:34:42
的技術(shù)支持。阿里店鋪：阿里 “供應(yīng)商 ”搜索 ，深圳市三佛科技有限公司，咨詢客服購買?！?**賴,0755-85279055】【30V MOS N/P溝道 推薦：】HN3400：30V5.8ASOT23N溝道
2020-11-05 16:48:43
（1）Rds（on）和導(dǎo)通損耗直接相關(guān)，RDSON越小，功率MOSFET的導(dǎo)通損耗越小、效率越高、工作溫升越低。
（2）Rds（on）時(shí)正溫度系數(shù)，會(huì)隨著MOSFET溫度升高而變大，也就是Rds
2025-12-23 06:15:35
編輯-Z場(chǎng)效應(yīng)晶體管是一種電壓控制器件，根據(jù)場(chǎng)效應(yīng)管的結(jié)構(gòu)分為結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)（簡(jiǎn)稱JFET）和絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)（簡(jiǎn)稱MOSFET）兩大類。按溝道材料：結(jié)型和絕緣柵型分為N溝道和P溝道。根據(jù)導(dǎo)電方式：耗盡型
2021-12-28 17:08:46
為正時(shí)，它充當(dāng)增強(qiáng)型MOSFET。N溝道場(chǎng)效應(yīng)管與P溝道場(chǎng)效應(yīng)管介紹N溝道MOSFET的源極接地，漏極連接到負(fù)載，當(dāng)柵極施加正電壓時(shí)，F(xiàn)ET導(dǎo)通。N 溝道 MOSFET是最常用且最容易使用的。它們
2023-02-02 16:26:45
的兩種結(jié)構(gòu)：N溝道型和P溝道型由于制造工藝的原因，P溝的MOS管通常比N溝的MOS管具有更大的導(dǎo)通電阻，這意味著導(dǎo)通功耗會(huì)更大。這是選擇時(shí)需要注意的地方。一般而言，如果是低邊開關(guān)應(yīng)用，使用N溝MOS管
2023-02-17 14:12:55
[table=98%]N溝道增強(qiáng)型MOSFET TDM31066[/td][td][/td][td=363]一般描述一般特征[tr]該TDM31066采用先進(jìn)的溝槽技術(shù)[td=331]RDS（ON）
2018-11-12 15:55:20
`N溝道增強(qiáng)型MOSFET TDM31066[/td][/td][td=499]一般描述一般特征該TDM31066采用先進(jìn)的溝槽技術(shù)RDS（ON）<18.2mΩ@ VGS = 4.5V
2019-01-24 11:00:12
[table=363]N溝道增強(qiáng)型MOSFETTDM3512 [/td] [td]描述 該TDM3512采用先進(jìn)的溝槽技術(shù) 提供優(yōu)異的RDS（ON）和低門電荷。 這個(gè) 裝置是適合用作負(fù)載開關(guān)或在PWM 應(yīng)用。 一般特征 [tr][td]lRDS（ON）
2018-09-04 16:31:45
[table=98%]N溝道增強(qiáng)型MOSFET TDM3550[/td][td=363]一般描述一般特征該TDM3550采用先進(jìn)的溝槽技術(shù)◆40V/ 100A[tr]提供優(yōu)異的RDS（ON）和低門電荷。[td=331]◆RDS（ON）
2018-11-16 13:42:48
功率MOSFET有二種類型：N溝通和P溝道，在系統(tǒng)設(shè)計(jì)的過程中，選擇N管還是P管，要針對(duì)實(shí)際的應(yīng)用具體來選擇。下面先討論這二種溝道的功率MOSFET的特征，然后再論述選擇的原則。
2021-03-02 08:40:51
一般說明PW2302A采用先進(jìn)的溝道技術(shù)，提供優(yōu)秀的RDS（ON）、低柵電荷和柵電壓低至2.5V。該裝置適用于電池保護(hù)或其他開關(guān)應(yīng)用。 特點(diǎn)VDS=20V ID=3.2ARDS（開）
2020-12-23 13:01:39
一般說明PW2307采用先進(jìn)的溝道技術(shù)，提供優(yōu)秀的RDS（ON）、低柵極電荷和柵電壓低至4.5V時(shí)工作。該裝置適用于電池保護(hù)或在其他交換應(yīng)用中 特征VDS=-20V ID=-7ARDS（開）
2020-12-23 13:05:52
一般說明PW2308采用先進(jìn)的溝道技術(shù)，提供優(yōu)秀的RDS（ON）、低柵極充電和低至4.5V的柵極電壓運(yùn)行。該器件適合用作電池保護(hù)或其他開關(guān)應(yīng)用。特征VDS=60V，ID=5ARDS（開）
2020-12-10 16:04:34
一般說明PW2309采用先進(jìn)的溝道技術(shù)，提供優(yōu)秀的RDS（ON），低柵電荷柵極電壓低至4.5V，適用于電池保護(hù)或在其他交換應(yīng)用中。 特征VDS=-60V，ID=-3ARDS（開）
2020-12-10 15:57:49
一般說明PW2319采用先進(jìn)的溝道技術(shù)，提供優(yōu)秀的RDS（ON），低柵電荷柵極電壓低至4.5V，適用于電池保護(hù)或在其他交換應(yīng)用中。特征VDS=-40V，ID=-5ARDS（開）
2020-12-04 14:28:06
`PW2320采用先進(jìn)的溝道技術(shù)，以提供優(yōu)良的RDS（ON），低柵電荷和電壓門極電壓低至2.5V時(shí)工作。該裝置適合用作電池保護(hù)或在其他開關(guān)應(yīng)用中。 特征VDS=20V ID=8ARDS（開）&
2021-01-04 17:14:41
一般說明PW2324采用先進(jìn)的溝道技術(shù)，提供優(yōu)秀的RDS（ON）、低柵極充電和柵極電壓低至4.5V的操作。該器件適用于電池保護(hù)或其他開關(guān)應(yīng)用。特征 VDS=100V，ID=3.7A RDS（開）
2020-12-11 16:35:03
`一般說明PW2337采用先進(jìn)的溝道技術(shù)，提供優(yōu)秀的RDS（ON），低柵電荷柵極電壓低至4.5V，適用于電池保護(hù)或在其他交換應(yīng)用中。 特征VDS=-100V，ID=-0.9ARDS（開）&
2020-12-10 16:01:03
一般說明PW3400A采用先進(jìn)的溝道技術(shù)，提供優(yōu)秀的RDS（ON）、低柵電荷和柵電壓低至2.5V時(shí)工作。該裝置適用于電池保護(hù)或在其他交換應(yīng)用中。 特征VDS=30V ID=5.8ARDS（開）
2020-12-21 16:59:26
深圳市聚能芯半導(dǎo)體有限公司是一家集芯片代理、芯片生產(chǎn)、技術(shù)服務(wù)為一體的綜合性電子元器件公司。供應(yīng)中低壓MOS管，供應(yīng)替代AO系列MOS管。 可提供技術(shù)支持，DEMO測(cè)試及設(shè)計(jì)方案?SL15P
2020-06-09 10:21:08
SL3415 -20-4A 30毫歐SOT23-3LSL3415 P溝道場(chǎng)效應(yīng)管功率MOS管深圳聚能芯半導(dǎo)體專業(yè)中低壓mos管，經(jīng)驗(yàn)豐富，實(shí)力雄厚，技術(shù)支持。是您值得信賴合作的實(shí)力中低壓MOS
2020-06-29 16:39:10
`TDM3544 N溝道MOS管[/td]描述一般特征該TDM3544采用先進(jìn)的溝槽技術(shù)◆RDS（ON）<8.0mΩ@ VGS = 4.5V提供優(yōu)異的RDS（ON）和低門電荷。◆RDS
2019-03-13 16:06:37
800V，且 RDS(on) 在 10V VGS 時(shí)僅 0.15Ω ，在 4.5V 時(shí)僅 0.20Ω。威世硅尼克斯的 SQ2361 汽車用 P 溝道 60V 功率 MOSFET 也不含鹵素（按照 IEC
2019-07-09 17:30:39
描述單P溝道，-30 V，-4.4A，功率MOSFETWPM3407采用先進(jìn)的溝槽技術(shù)提供 具有低柵極電荷的出色RDS（ON）。 該設(shè)備適用于用于DC-DC轉(zhuǎn)換應(yīng)用。 標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品WPM3407是無鉛
2021-11-17 06:41:24
1.低導(dǎo)通電阻 卓越的溝槽工藝與封裝技術(shù)相結(jié)合實(shí)現(xiàn)了低的導(dǎo)通電阻。這有助于提升您應(yīng)用中的產(chǎn)品性能。 2.小型封裝產(chǎn)品陣容3.封裝類型[tr=transparent]Toshiba Package
2018-05-15 22:37:38
PW2301A采用先進(jìn)的溝槽技術(shù)，高密度，低導(dǎo)通電阻，是一個(gè)非常有效和可靠的MOS管裝置。PW2301A是一顆P溝道的MOS管A1SHB是PW2301A芯片，低導(dǎo)通內(nèi)阻：RDS(ON) <
2020-07-17 19:38:10
一般說明PW2308采用先進(jìn)的溝道技術(shù)，提供優(yōu)秀的RDS（ON）、低柵極充電和低至4.5V的柵極電壓運(yùn)行。該器件適合用作電池保護(hù)或其他開關(guān)應(yīng)用。特征VDS=60V，ID=5ARDS（開）
2021-01-11 14:09:05
`一般說明PW2319采用先進(jìn)的溝道技術(shù)，提供優(yōu)秀的RDS（ON），低柵電荷柵極電壓低至4.5V，適用于電池保護(hù)或在其他交換應(yīng)用中。特征lVDS=-40V，ID=-5AlRDS（開）<
2021-01-09 15:55:02
一般說明PW2337采用先進(jìn)的溝道技術(shù)，提供優(yōu)秀的RDS（ON），低柵電荷柵極電壓低至4.5V，適用于電池保護(hù)或在其他交換應(yīng)用中。特征lVDS=-100V，ID=-0.9AlRDS（ON）
2021-01-11 14:00:58
1、MSO的三個(gè)極怎么判定：MOS管符號(hào)上的三個(gè)腳的辨認(rèn)要抓住關(guān)鍵地方。G極，不用說比較好認(rèn)。S極，不論是P溝道還是N溝道，兩根線相交的就是；D極，不論是P溝道還是N溝道，是單獨(dú)引線的那邊。2、他們
2019-09-11 07:30:00
電源管理ICTDM3412雙路N溝道增強(qiáng)型MOSFET 描述：TDM3412采用先進(jìn)的溝槽技術(shù)，提供出色的RDS（ON）和低柵極電荷。 這個(gè)器件適合用作負(fù)載開關(guān)或PWM應(yīng)用。一般描述：?頻道1RDS（ON）
2018-05-25 11:54:29
`一般說明PW2309采用先進(jìn)的溝道技術(shù)，提供優(yōu)秀的RDS（ON），低柵電荷柵極電壓低至4.5V，適用于電池保護(hù)或在其他交換應(yīng)用中。特征lVDS=-60V，ID=-3AlRDS（開）<
2021-01-09 16:00:31
PW3401A采用先進(jìn)的溝槽技術(shù)，高密度，低導(dǎo)通電阻，是一個(gè)非常有效和可靠的MOS管裝置。PW3401A是一顆P溝道的低內(nèi)阻場(chǎng)效應(yīng)MOS管。PW3401A具有比PW2301A更高的ID電流值，和更高
2020-07-22 11:41:15
N溝道和P溝道MOSFET哪個(gè)常用?增強(qiáng)型和耗盡型的哪個(gè)常用?
2019-05-13 09:00:00
各位好，有沒有2個(gè)N溝道和2個(gè)P溝道的集成芯片推薦，電流大于1A就可以了，謝謝
2021-10-11 10:27:45
MOSFET在產(chǎn)品選擇上超過了P溝道。在降壓穩(wěn)壓器應(yīng)用中，基于柵控電壓極性、器件尺寸和串聯(lián)電阻等多種因素，使用P溝道MOSFET或N溝道MOSFET作為主開關(guān)。同步整流器應(yīng)用幾乎總是使用N溝道技術(shù)，這主要
2021-04-09 09:20:10
的型號(hào)多，成本低；P溝道MOSFET選擇的型號(hào)較少，成本高。如果功率MOSFET的S極連接端的電壓不是系統(tǒng)的參考地，N溝道就需要浮地供電電源驅(qū)動(dòng)、變壓器驅(qū)動(dòng)或自舉驅(qū)動(dòng)，驅(qū)動(dòng)電路復(fù)雜；P溝道可以直接驅(qū)動(dòng)
2020-03-05 11:00:02
N加P溝道增強(qiáng)型MOSFET管
N加P溝道增強(qiáng)型MOSFET管簡(jiǎn)介
2010-04-08 17:43:39
25
N溝道與P溝道FET構(gòu)成推挽工作的緩沖器電路圖
2009-07-13 17:26:252032 
IR)推出新系列-30 V器件，采用 IR最新的SO-8封裝 P 溝道 MOSFET硅組件，適用于電池充電和放電開關(guān)，以及直流應(yīng)用的系統(tǒng)/負(fù)載開關(guān)。新款 P 溝道器件的導(dǎo)通電阻 (RDS (on)) 為 4.6 mΩ至59
2010-09-15 18:11:341902 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，推出業(yè)內(nèi)采用最小的0.8mm x 0.8mm芯片級(jí)封裝的N溝道和P溝道功率
2011-10-21 08:53:051058 日前，Vishay宣布，推出具有業(yè)內(nèi)最低導(dǎo)通電阻的新款P溝道MOSFET---Si7157DP，擴(kuò)充其TrenchFET? P溝道Gen III功率MOSFET。Vishay Siliconix
2014-01-22 10:33:221740 KR905P代替WPM1481，F(xiàn)DMA905P----封裝DFN2X2-6L，P溝道。
相關(guān)參數(shù)：
VDS = -12VVGS=±8，ID = -15A
RDS(ON)
2017-03-23 09:14:4443 MOSFET多數(shù)是載流子器件， N溝道MOSFET在導(dǎo)電過程中有電子流動(dòng)。 P溝道在導(dǎo)電期間使用被稱為空穴的正電荷。電子的流動(dòng)性是空穴的三倍。盡管沒有直接的相關(guān)性，就RDS(on)而言，為得到相等的值，P溝道的管芯尺寸大約是N溝道的三倍。因此N溝道的管芯尺寸更小。
2018-03-09 14:28:1523171 
PW2305采用先進(jìn)的溝道技術(shù)，提供優(yōu)秀的RDS（ON）、低柵極充電和柵極電壓低至4.5V的操作。該器件適用于電池保護(hù)或其他開關(guān)應(yīng)用。
2020-06-30 08:00:0028 PW2307采用先進(jìn)的溝道技術(shù)，提供優(yōu)秀的RDS（ON）、低柵極充電和柵極電壓低至4.5V的操作。該器件適用于電池保護(hù)或其他開關(guān)應(yīng)用。
2020-06-30 08:00:004 PW3407采用先進(jìn)的溝道技術(shù)，提供優(yōu)秀的RDS（ON）、低柵極充電和低至4.5V的柵極電壓運(yùn)行。該器件適合用作電池保護(hù)或其他開關(guān)應(yīng)用。
2020-07-20 08:00:004 PW3407采用先進(jìn)的溝道技術(shù)，提供優(yōu)秀的RDS（ON）、低柵極充電和低至4.5V的柵極電壓運(yùn)行。該器件適合用作電池保護(hù)或其他開關(guān)應(yīng)用。
2020-07-28 17:06:0013 LY50N03K采用先進(jìn)的溝道技術(shù)，提供優(yōu)秀的RDS（ON），低柵電荷。它可以用于各種各樣的應(yīng)用
2020-11-10 08:00:0014 PW3400A采用先進(jìn)的溝道技術(shù)，提供優(yōu)良的RDS（ON）、低柵極充電和低至2.5V的柵極電壓運(yùn)行。該器件適合用作電池保護(hù)或其他開關(guān)應(yīng)用。
2020-11-19 17:24:4019 PW8205A6S采用先進(jìn)的溝道技術(shù)，可提供良好的RDS（ON）、低柵極充電和低至2.5V的柵極電壓操作。該器件適用于電池保護(hù)或其他開關(guān)應(yīng)用。
2021-01-27 08:00:007 AO3400采用先進(jìn)的溝道技術(shù)，提供優(yōu)秀的RDS（ON），低柵極充電和低至2.5V的柵極電壓操作。該設(shè)備適用于電池保護(hù)或其他開關(guān)應(yīng)用。
2021-01-29 08:00:0013 PW2300S3采用先進(jìn)的溝道技術(shù)，提供出色的RDS（ON）、低柵極充電和低至2.5V的柵極電壓操作。該設(shè)備適合用作電池保護(hù)或其他開關(guān)應(yīng)用。
2021-01-29 08:00:004 PW2305采用先進(jìn)的溝道技術(shù)，提供良好的RDS（ON），低柵極充電和低至4.5V的柵極電壓操作。該設(shè)備適合用作電池保護(hù)或其他開關(guān)應(yīng)用。
2021-01-28 08:00:003 PW2308采用先進(jìn)的溝道技術(shù)，提供出色的RDS（ON）、低柵極充電和低至4.5V的柵極電壓操作。該設(shè)備適合用作電池保護(hù)或其他開關(guān)應(yīng)用。
2021-01-28 08:00:003 PW2320采用先進(jìn)的溝道技術(shù)，提供良好的RDS（ON），低柵極充電和低至2.5V的柵極電壓操作。該設(shè)備適合用作電池保護(hù)或其他開關(guān)應(yīng)用。
2021-01-28 08:00:004 PW2324采用先進(jìn)的溝道技術(shù)，提供出色的RDS（ON）、低柵極充電和低至4.5V的柵極電壓操作。該器件適合用作電池保護(hù)或其他開關(guān)應(yīng)用。
2021-01-28 08:00:003 PW2337采用先進(jìn)的溝道技術(shù)，提供優(yōu)良的RDS（ON），低柵極充電和低至4.5V的柵極電壓操作。該器件適合用作電池保護(hù)或其他開關(guān)應(yīng)用。
2021-01-28 08:00:006 PW3400A采用先進(jìn)的溝道技術(shù)，提供良好的RDS（ON）、低柵極充電和低至2.5V的柵極電壓操作。該器件適用于電池保護(hù)或其他開關(guān)應(yīng)用。
2021-01-28 08:00:008 PW3407采用先進(jìn)的溝道技術(shù)，提供優(yōu)良的RDS（ON），低柵極充電和低至4.5V的柵極電壓操作。該器件適合用作電池保護(hù)或其他開關(guān)應(yīng)用。
2021-01-28 08:00:004 PW3428采用先進(jìn)的溝道技術(shù)，提供優(yōu)良的RDS（ON），低柵極電荷和低至4.5V的柵極電壓。該器件適合用作電池保護(hù)或其他開關(guān)應(yīng)用。
2021-01-28 08:00:0019 PW3467采用先進(jìn)的溝道技術(shù)，提供優(yōu)良的RDS（ON），低柵極充電和低至4.5V的柵極電壓操作。該器件適用于電池保護(hù)或其他開關(guān)應(yīng)用。
2021-01-28 08:00:0015 SI2300采用先進(jìn)的溝道技術(shù)，可提供良好的RDS（ON）、低柵極充電和低至2.5V的柵極電壓操作。該器件適用于電池保護(hù)或其他開關(guān)應(yīng)用。
2021-01-27 08:00:0010 HM2301采用先進(jìn)的溝道技術(shù)，提供優(yōu)秀的RDS（ON），低柵極電荷和低至2.5V的柵極電壓操作。該器件適合用作負(fù)載開關(guān)或PWM應(yīng)用。
2021-02-04 08:00:004 HM2300采用先進(jìn)的溝道技術(shù)，提供出色的RDS（ON）、低柵極充電和低至2.5V的柵極電壓操作。該設(shè)備適合用作電池保護(hù)或其他開關(guān)應(yīng)用。
2021-02-05 08:00:005 該HM2307MR采用先進(jìn)的溝道技術(shù)，提供優(yōu)良的RDS（ON），低柵電荷和低至1.8V的柵電壓操作。該設(shè)備適合用作負(fù)載開關(guān)或PWM應(yīng)用。
2021-02-04 08:00:003 該HM2307MR采用先進(jìn)的溝道技術(shù)，提供優(yōu)良的RDS（ON），低柵電荷和低至1.8V的柵電壓操作。該設(shè)備適合用作負(fù)載開關(guān)或PWM應(yīng)用。
2021-02-05 08:00:003 這種類型采用先進(jìn)的溝道技術(shù)和設(shè)計(jì)，以提供優(yōu)秀的低柵電荷RDS（ON）。
2021-03-02 16:40:1722 PW8205采用先進(jìn)的溝道技術(shù)，提供出色的RDS（ON）、低柵極充電和低至2.5V的柵極電壓操作。該設(shè)備適合用作電池保護(hù)或其他開關(guān)應(yīng)用。
2021-03-21 11:04:2714 描述單P溝道，-30 V，-4.4A，功率MOSFETWPM3407采用先進(jìn)的溝槽技術(shù)提供 具有低柵極電荷的出色RDS（ON）。 該設(shè)備適用于用于DC-DC轉(zhuǎn)換應(yīng)用。 標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品WPM3407是無鉛
2021-11-10 12:20:591 由于具有較低的導(dǎo)通電阻（RDS(on)）和較小尺寸，N溝道MOSFET在產(chǎn)品選擇上超過了P溝道。在降壓穩(wěn)壓器應(yīng)用中，基于柵控電壓極性、器件尺寸和串聯(lián)電阻等多種因素，使用P溝道MOSFET或N溝道MOSFET作為主開關(guān)。
2022-11-18 11:28:214033 mos管p溝道n溝道的區(qū)別 MOS管是一種主流的場(chǎng)效應(yīng)晶體管，分為p溝道MOS管和n溝道MOS管兩種類型。這兩種MOS管的區(qū)別主要在于導(dǎo)電性質(zhì)、靜態(tài)特性、輸入電容、噪聲功率和門極結(jié)色散等方面。 一
2023-08-25 15:11:2518495 場(chǎng)效應(yīng)管怎么區(qū)分n溝道p溝道? 場(chǎng)效應(yīng)管是一種常見的半導(dǎo)體器件，可以用于電子器件中的信號(hào)放大、開關(guān)等應(yīng)用。場(chǎng)效應(yīng)管有兩種類型：n溝道型（n-channel）和p溝道型（p-channel），它們
2023-09-02 10:05:1714757 【科普小貼士】MOSFET性能改進(jìn)：低RDS(ON)的解決方案
2023-12-13 14:17:401102 
p溝道和n溝道的區(qū)別 n溝道和p溝道怎樣區(qū)分？ 區(qū)分p溝道和n溝道的關(guān)鍵在于材料的雜質(zhì)摻入和本征類型。在材料中摻入不同類型的雜質(zhì)能夠改變材料的導(dǎo)電性質(zhì)，從而使其成為p溝道或n溝道。 首先，讓我們來了
2023-11-23 09:13:426066 場(chǎng)效應(yīng)晶體管（Field Effect Transistor，F(xiàn)ET）是一種利用電場(chǎng)效應(yīng)來控制電流的半導(dǎo)體器件。根據(jù)導(dǎo)電溝道的類型，場(chǎng)效應(yīng)晶體管可以分為n溝道和p溝道兩種類型。本文將對(duì)n溝道MOS管
2023-12-28 15:28:2825081 
P溝道MOS管（P-channel Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，簡(jiǎn)稱PMOSFET）是一種常見的場(chǎng)效應(yīng)晶體管，廣泛應(yīng)用于各種
2023-12-28 15:39:317047 場(chǎng)效應(yīng)晶體管（Field Effect Transistor，F(xiàn)ET）是一種廣泛應(yīng)用于電子電路中的半導(dǎo)體器件。根據(jù)導(dǎo)電溝道的類型，場(chǎng)效應(yīng)晶體管可以分為N溝道和P溝道兩種類型。本文將對(duì)N溝道和P溝道
2023-12-28 15:47:1515366 
P溝道的源極S接輸入，漏極D導(dǎo)通輸出，N溝道相反；簡(jiǎn)單來說給箭頭方向相反的電流就是導(dǎo)通，方向相同就是截止。
2024-03-06 17:01:403116 
簡(jiǎn)單、更可靠和優(yōu)化的電路設(shè)計(jì)。為了實(shí)現(xiàn)特定應(yīng)用的最佳性能，設(shè)計(jì)工程師需要在選擇P溝道功率MOSFET時(shí)在RDS(on)和Qg之間做出權(quán)衡。
2024-04-07 18:29:212815 
P溝道與N溝道MOSFET作為半導(dǎo)體器件中的關(guān)鍵元件，在電子電路設(shè)計(jì)中扮演著重要角色。它們各自具有獨(dú)特的工作原理、結(jié)構(gòu)特點(diǎn)以及應(yīng)用場(chǎng)景。
2024-08-13 17:02:204934 場(chǎng)效應(yīng)管（Field-Effect Transistor, FET）的N溝道和P溝道是其兩種主要類型，它們?cè)趯?dǎo)電機(jī)制、結(jié)構(gòu)特點(diǎn)、工作原理及應(yīng)用場(chǎng)景上存在顯著差異。要準(zhǔn)確判斷一個(gè)場(chǎng)效應(yīng)管是N溝道還是P
2024-08-13 17:08:176102 這款N溝道MOSFET采用先進(jìn)的溝槽技術(shù)和設(shè)計(jì)，提供優(yōu)異的導(dǎo)通電阻（RDS(ON)）與低柵極電荷特性。其適用于多種應(yīng)用場(chǎng)景。
2025-07-09 16:55:000 中科微電深耕功率器件領(lǐng)域，針對(duì)P溝道器件的應(yīng)用痛點(diǎn)，推出了ZK40P80T這款高性能P溝道MOS管，以-40V耐壓、-80A電流的強(qiáng)勁參數(shù)，搭配1.5mΩ低導(dǎo)通電阻與成熟Trench工藝，為反向電壓控制、電池管理等場(chǎng)景提供了高效可靠的解決方案，重新定義了中低壓P溝道MOS管的性能標(biāo)準(zhǔn)。
2025-11-06 14:35:45244 
安森美NTMFSS0D9N03P8 N溝道MOSFET是一款單源下MOSFET，具有低 ~RDS (on)~ ，可最大限度地降低導(dǎo)通損耗，另外還具有低~QG~ 和電容，可最大限度地降低驅(qū)動(dòng)器損耗。該
2025-11-24 15:35:18263 
onsemi NTMFS003P03P8Z P溝道MOSFET是一種單通道、-30V MOSFET，尺寸為5mmx6mm，可節(jié)省空間并具有出色的熱傳導(dǎo)性能。這款P溝道MOSFET具有1.8mΩ的超低
2025-11-24 15:54:38334 
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