如果OUTFB沒(méi)有連接，則斷開(kāi)了通過(guò)箝位二極管放電的通路，不再對(duì)輸出電容放電。然而，MOSFET的柵極就不再有保護(hù)箝位二極管，VGS_MAX有可能超出額定值。

　　在MOSFET源極和柵極之間增加一個(gè)外部箝位二極管(圖5中的D1)可重新建立輸出端與100mA恒流源之間的通路。在柵極和GATE引腳之間增加一個(gè)串聯(lián)電阻(圖5中的R3)，將會(huì)限制輸出電容的放電電流，降低電流。限制放電電流的同時(shí)會(huì)增加電路的斷開(kāi)時(shí)間，也降低了電路對(duì)瞬態(tài)過(guò)壓的響應(yīng)速度。在串聯(lián)電阻兩端并聯(lián)一個(gè)電容(圖5中的C4)可以減輕對(duì)響應(yīng)時(shí)間的影響，還可以選擇使用電阻R4，避免OUTFB浮空。

　　如果將SET外部的分壓電阻連接到輸出端，而不是輸入端(參考上述電路圖)，使MAX6495–MAX6499/MAX6397/MAX6398工作在限幅模式，發(fā)生過(guò)壓時(shí)，電路會(huì)定期地對(duì)輸出電容進(jìn)行充電。電容電壓跌落到過(guò)壓門限的滯回電壓以下時(shí)，MOSFET導(dǎo)通，對(duì)電容充電;當(dāng)電容電壓達(dá)到過(guò)壓門限時(shí)，MOSFET斷開(kāi)。

　　圖6給出了MAX6495–MAX6499/MAX6397/MAX6398工作在過(guò)壓監(jiān)控模式的電路。輸入電壓經(jīng)過(guò)電阻分壓后連接到SET引腳，當(dāng)輸入過(guò)壓時(shí)，斷開(kāi)MOSFET，并將一直維持?jǐn)嚅_(kāi)狀態(tài)，直到解除輸入過(guò)壓故障。

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　　圖6. 過(guò)壓監(jiān)測(cè)模式下的過(guò)壓比較配置