工作于開關(guān)狀態(tài)的晶體管由于電流變化率di/dt和電壓變化率dv/dt而產(chǎn)生瞬態(tài)過電流和瞬態(tài)過電壓，這種現(xiàn)象稱為電應(yīng)力。電應(yīng)力的本質(zhì)是瞬時功耗的集中。這種電壓和電流過沖形成的尖峰和毛刺，很容易
2022-11-15 09:39:53
1638 一、開關(guān)電源的損耗 開關(guān)電源的損耗主要來自三個元件：開關(guān)晶體管、變壓器和整流二極管。 1、開關(guān)晶體管損耗 主要分為開通/關(guān)斷損耗兩個方面。開關(guān)晶體管的損耗主要與開關(guān)管的開關(guān)次數(shù)有關(guān)，還與工作頻率
2023-01-25 15:43:004650 
我們知道晶體管種類雖然很多，但是基本上分為PNP型和NPN型兩大類。介紹，這兩類晶體管各電極電流方向不同，其電路符號也是不同的。晶體管電路符號中發(fā)射極箭頭的方向表示晶體管各電極電流流動的方向，利用這一點可以方便分析電路中各電極電流流動方向。
2023-07-06 11:22:477116 
一、晶體管開關(guān)電路：是一種計數(shù)地接通-斷開晶體管的集電極-發(fā)射極間的電流作為開關(guān)使用的電路，此時的晶體管工作在截止區(qū)和飽和區(qū)。當(dāng)需要輸出大的負(fù)載電流時，由于集電極電流(負(fù)載電流)是放大基極電流而來
2021-10-29 09:25:31
關(guān)于晶體管ON時的逆向電流在NPN晶體管中，基極 (B) 被偏置為正，集電極 (C) 被偏置為負(fù)，由發(fā)射極 (E) 流向C的是逆電流。1. 不用擔(dān)心劣化和損壞，在使用上是沒有問題的2. NPN-Tr
2019-04-09 21:27:24
: ID例：開關(guān)雙極晶體管2SD2673時的波形(100μs/div)由于隨后要計算開關(guān)時的功率損耗，所以要確認(rèn)OFF→ON時和ON→OFF時的擴(kuò)大波形。2. 是否一直滿足絕對最大額定值？確認(rèn)絕對最大
2019-04-15 06:20:06
）晶體管和陶瓷封裝晶體管等。其封裝外形多種多樣?！ “垂δ芎陀猛痉诸悺 ?b class="flag-6" style="color: red">晶體管按功能和用途可分為低噪聲放大晶體管、中高頻放大晶體管、低頻放大晶體管、開關(guān)晶體管、達(dá)林頓晶體管、高反壓晶體管、帶阻晶體管、帶
2010-08-12 13:59:33
本帖最后由 gongddz 于 2017-3-29 09:06 編輯
晶體管作為電流單方向通過的電子開關(guān)使用晶體管也可以作為電子開關(guān)使用。但這個開關(guān)的電流方向只能是單向的，pnp型管和npn型
2017-03-28 15:54:24
有效芯片面積的增加，(2)技術(shù)上的簡化，(3)晶體管的復(fù)合——達(dá)林頓，(4)用于大功率開關(guān)的基極驅(qū)動技術(shù)的進(jìn)步。、直接工作在整流380V市電上的晶體管功率開關(guān)晶體管復(fù)合(達(dá)林頓)和并聯(lián)都是有效地增加
2018-10-25 16:01:51
晶體管的主要參數(shù)有哪些？晶體管的開關(guān)電路是怎樣的？
2021-06-07 06:25:09
是"增幅"和"開關(guān)"。比如收音機(jī)。放大空中傳播的極微弱信號，使音箱共鳴。這一作用便是晶體管的增幅作用。不改變輸入信號的波形，只放大電壓或電流。這是模擬信號的情況，但是
2019-05-05 00:52:40
型號的大功率開關(guān)晶體管。 開關(guān)電源等電路中使用的開關(guān)晶體管，其耗散功率大于或等于50W，最大集電極電流大于或等于3A，最高反向電壓高于800V。一般可選用2SD820、2SD850、2
2012-01-28 11:27:38
;nbsp; 晶體管（transistor）是一種固體半導(dǎo)體器件，可以用于檢波、整流、放大、開關(guān)、穩(wěn)壓、信號調(diào)制和許多其它功能。晶體管作為一種可變開關(guān)，基于輸入的電壓，控制流出的電流，因此晶體管可做為
2010-08-12 13:57:39
【不懂就問】圖中的晶體管驅(qū)動電路，在變壓器Tr的副邊輸出電阻R3上并聯(lián)的二極管D2，說D2的作用是在輸入端有正脈沖輸入時使得變壓器次級產(chǎn)生的的正脈沖通過D2，直接驅(qū)動MOSFET管Q2，達(dá)到提高導(dǎo)
2018-07-09 10:27:34
，并聯(lián)晶體管的源極電流仍然存在部分共享路徑，這將會對柵極驅(qū)動產(chǎn)生影響（見圖2）。理想情況下，所有源極電流都將從漏極流至晶體管源極，但不可避免的一種情況是，部分源極電流會從開爾文源極（Kelvin
2021-01-19 16:48:15
求解路徑分析表示根據(jù)要求解的阻抗查找最快、最短甚至是最優(yōu)的路徑。如果阻抗是時間，則最佳路線即為最快路線。如果阻抗是具有實時或歷史流量的時間屬性，則最佳路徑是對指定日期和時間來說最快的路徑。因此，可將
2019-06-03 08:04:46
了功率晶體管的性能。如 (1)開關(guān)晶體管有效芯片面積的增加， (2)技術(shù)上的簡化， (3)晶體管的復(fù)合——達(dá)林頓， (4)用于大功率開關(guān)的基極驅(qū)動技術(shù)的進(jìn)步。 、直接工作在整流380V市電上
2010-08-13 11:38:59
Q1電流恒定要求其熱耦合到Q2，因為Q2將耗散掉電路內(nèi)大部分功率。實現(xiàn)這一點最容易的方式是Q1和Q2采用相同的晶體管，并將Q1和Q2通過螺栓固定在散熱器兩邊。此外，還可將Q1黏附在Q2上。在低電流情況下
2018-09-29 17:15:25
晶體管等?！?函數(shù)和用法根據(jù)功能和用途，晶體管可分為低噪聲放大晶體管、中高頻放大晶體管、開關(guān)晶體管、達(dá)林頓晶體管、高背壓晶體管、帶阻晶體管、阻尼晶體管、微波晶體管、光學(xué)晶體管和磁性晶體管等多種
2023-02-03 09:36:05
。圖1.穩(wěn)定電流源硬件設(shè)置面包板連接如圖2所示。W1的輸出驅(qū)動電阻R1的一端。電阻R1和R2以及晶體管Q1按照2020年11月StudentZone文章所示進(jìn)行連接。由于Q2的VBE始終小于Q1的VBE
2021-11-01 09:53:18
，這反過來又使耗盡層盡可能小，從而通過我們的晶體管的最大電流流動。這使得晶體管開關(guān)導(dǎo)通。 圖2顯示了飽和區(qū)域特性?！ D2.飽和區(qū)域特征 輸入基極電流和輸出集電極電流為零，集電極電壓處于最大值
2023-02-20 16:35:09
輸出電壓 : VO (GND‐OUT間電壓)輸出電流 : IOMOSFET漏極源極間電壓 : VDS漏極電流 : ID例：開關(guān)雙極晶體管2SD2673時的波形(100μs/div)由于隨后要計算開關(guān)
2019-05-05 09:27:01
電流。總之，為了減短晶體管的開關(guān)時間、提高開關(guān)速度，除了在器件設(shè)計上加以考慮之外，在晶體管使用上也可以作如下的考慮：a）增大基極驅(qū)動電流，可以減短延遲時間和上升時間，但使存儲時間有所增加；b）增大基極
2019-09-22 08:00:00
電流?？傊?，為了減短晶體管的開關(guān)時間、提高開關(guān)速度，除了在器件設(shè)計上加以考慮之外，在晶體管使用上也可以作如下的考慮：a）增大基極驅(qū)動電流，可以減短延遲時間和上升時間，但使存儲時間有所增加；b）增大基極
2019-08-19 04:00:00
分為流過個別晶體管的電流和流過E-B間電阻R2的電流。因此放大率比單體時下降。此值稱為GI，用以區(qū)分。關(guān)于VI(on)和VI(off)的區(qū)別VI(on)、VI(off)容易被混淆VI(on): 數(shù)字
2019-04-22 05:39:52
間附加電阻R2，輸入電流則分為流過個別晶體管的電流和流過E-B間電阻R2的電流。因此放大率比單體時下降。此值稱為GI，用以區(qū)分。關(guān)于VI(on)和VI(off)的區(qū)別VI(on)、VI(off)容易被
2019-04-09 21:49:36
1和Q2上，可以認(rèn)為晶體管所損耗的功率Pq=Pv-Po。當(dāng)輸入電壓為2.5v時，即輸出功率最小時，由于集電極電流非常小，使管子的損耗很?。划?dāng)輸入電壓最大時，即輸出功率最大，由于管子壓降很小，使管子的損耗
2021-08-25 10:07:25
電容在波形上升、下降時基極電流變大，加速開關(guān)過程。在實際當(dāng)中晶體管由截止?fàn)顟B(tài)到導(dǎo)通狀態(tài)的時間也縮短了，仿真的結(jié)果稍有偏差。在實際應(yīng)用中，加速電容的值要通過觀察開關(guān)波形來決定。加速電容是一種與減小R1值
2023-02-09 15:48:33
有沒有關(guān)于晶體管開關(guān)的電路分享?
2021-03-11 06:23:27
和500KHz的半橋LLC諧振轉(zhuǎn)換器的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。在較高頻率下，無源諧振電路（例如變壓器、諧振電感器和諧振電容器）的尺寸明顯減小，從而提高了功率密度。此外，還需要考慮功率晶體管（Q1和Q2）的選擇，以權(quán)衡
2023-02-27 09:37:29
MOSFET 低得多的“通態(tài)”電阻 RON。這意味著對于給定的開關(guān)電流，跨雙極輸出結(jié)構(gòu)的 I2R 下降要低得多。IGBT 晶體管的正向阻斷操作與功率 MOSFET 相同。當(dāng)用作靜態(tài)控制開關(guān)時，絕緣柵極雙
2022-04-29 10:55:25
這個晶體管為什么是開關(guān)管的作用，還有電流方向是怎樣的？
2018-12-28 15:41:49
，其實是晶體管的基極和發(fā)射極之間的導(dǎo)通電壓維持在0.6V左右。Q3的導(dǎo)通真的消除了Q2的基極激勵了嗎？好像并沒有，對不對?！這個“過流”保護(hù)電路的關(guān)鍵就是晶體管的基極和發(fā)射極之間的導(dǎo)通電壓，為了簡單分析
2016-06-03 18:29:59
： 1、反向二極管保護(hù) 圖一 如圖一示，二極管的作用是當(dāng)晶體管的集電極電壓突然變負(fù)時提供電流通路，使晶體管旁路。這種二極管可以防止晶體管反向?qū)ǘ鴵p壞。由于開關(guān)晶體管dv/dt非常高，用作
2020-11-26 17:26:39
水平）、二極
管D 1、電感器L 1和平滑電容器C 1。降壓轉(zhuǎn)換器有兩種工作模式，具體取決于
開關(guān)晶體管TR 1是“導(dǎo)通”還是“截止”。 當(dāng)
晶體管偏置為“ON”（
開關(guān)閉合）時，二極
管D 1變?yōu)榉聪蚱?，輸?/div>
2024-06-18 14:19:42
大功率開關(guān)晶體管的重要任務(wù)
現(xiàn)在的功率晶體管能控制數(shù)百千瓦的功率，使用功率晶體管作為開關(guān)有很多優(yōu)點，主要是；
(1)容易關(guān)斷，所需要的輔
2010-02-06 10:23:49
43 DK系列電子整流器、節(jié)能燈專用開關(guān)晶體管、三極管參數(shù)資料(110～130V)
2009-05-12 23:42:495774
DK系列電子整流器、節(jié)能燈專用開關(guān)晶體管（110～130V專用）
2009-07-29 12:06:031928 DK系列電子整流器、節(jié)能燈專用開關(guān)晶體管
序號
2009-07-29 12:18:511541 晶體管開關(guān)變換器(buck)電路
如圖是晶體管開關(guān)變換器(BUCK)電路，其中晶體管Q為
2009-09-23 18:37:512376 
談逆變電源中開關(guān)晶體管IGBT的驅(qū)動與保護(hù)。
2016-03-30 15:13:0926 現(xiàn)在的功率晶體管能控制數(shù)百千瓦的功率，使用功率晶體管作為開關(guān)有很多優(yōu)點，主要是；（1）容易關(guān)斷，所需要的輔助元器件少，（2）開關(guān)迅速，能在很高的頻率下工作，
2018-11-26 17:51:2016687 1. 開關(guān)晶體管驅(qū)動方法不是最佳方案，可能存在過驅(qū)動或者驅(qū)動不足情況，還有就是開關(guān)管的反偏置電流不足；這些因素都會導(dǎo)致功耗增大，從而導(dǎo)致開關(guān)電源的效率降低，對于這種情況，我們只需要稍微修改一下設(shè)計參數(shù)，就可以達(dá)到提高效率的效果。
2020-09-03 11:46:123140 
工作于開關(guān)狀態(tài)的晶體管由于電流變化率di/dt和電壓變化率dv/dt而產(chǎn)生瞬態(tài)過電流和瞬態(tài)過電壓，這種現(xiàn)象稱為電應(yīng)力。電應(yīng)力的本質(zhì)是瞬時功耗的集中。這種電壓和電流過沖形成的尖峰和毛刺，很容易
2021-03-21 15:40:515302 
在功率放大電路中，應(yīng)根據(jù)晶體管所承受的最大管壓降Vces、集電極最大的電流Icm和最大的功耗來選擇晶體管。 1、最大的管壓降 從OCL電路工作原理的分析可知，兩只功放管中Q1和Q2處于截至狀態(tài)的管子
2021-08-13 16:56:306140 
晶體管簡介
晶體管（transistor）是一種固體半導(dǎo)體器件，具有檢波、整流、放大、開關(guān)、穩(wěn)壓、信號調(diào)制等多種功能。晶體管作為一種可變電流開關(guān)，能夠基于輸入電壓控制輸出電流。與普通機(jī)械開關(guān)（如
2022-02-09 12:34:232 開關(guān)電源的損耗主要來自三個元件：開關(guān)晶體管、變壓器和整流二極管。
2022-12-21 10:57:361815 40 V、200 mA NPN 開關(guān)晶體管-PMBT3904-Q
2023-02-07 19:09:200 40 V、500 mA PNP 負(fù)載開關(guān)晶體管-PBLS4002Y
2023-02-07 19:16:591 NPN通用晶體管-2PC4081Q
2023-02-07 19:30:200 PNP 通用晶體管-2PA1576Q
2023-02-07 19:31:070 40 V、200 mA NPN/PNP 開關(guān)晶體管-PMBT3946VPN
2023-02-07 19:54:180 40 V、200 mA PNP/PNP 開關(guān)晶體管-PMBT3906VS
2023-02-07 19:54:540 40 V、200 mA NPN/NPN 開關(guān)晶體管-PMBT3904VS
2023-02-07 19:55:050 40 V、200 mA NPN 開關(guān)晶體管-MMBT3904-Q
2023-02-08 18:44:560 NPN開關(guān)晶體管-PMBT2222A
2023-02-09 18:52:000 40 V PNP 負(fù)載開關(guān)晶體管-PBLS4002Y-Q
2023-02-09 21:39:530 40 V，600 mA，NPN/PNP 雙開關(guān)晶體管-PMBT2227AYS-Q
2023-02-09 21:57:371 NPN通用晶體管-2PC4081Q-Q
2023-02-14 18:51:210 40 V、200 mA NPN 開關(guān)晶體管-PMBT3904
2023-02-17 19:13:050 NPN開關(guān)晶體管-PMBT2222
2023-02-17 19:45:340 40 V、200 mA NPN 開關(guān)晶體管-PMBT3904M
2023-02-20 19:54:450 40 V、200 mA NPN 開關(guān)晶體管-PMBT3904MB
2023-02-21 18:31:530 40 V、600 mA NPN 開關(guān)晶體管-PMBT2222AQA
2023-02-21 18:40:240 40 V、600 mA NPN 開關(guān)晶體管-PMBT2222AMB
2023-02-21 18:40:450 40 V、600 mA NPN 開關(guān)晶體管-PMBT2222AM
2023-02-21 18:40:560 60V、600mA PNP 開關(guān)晶體管-PMBT2907AQA
2023-02-21 18:41:110 60 V、600 mA PNP 開關(guān)晶體管-PMBT2907AMB
2023-02-21 18:41:300 60 V、600 mA PNP 開關(guān)晶體管-PMBT2907AM
2023-02-21 18:41:410 40 V、200 mA 雙 NPN 開關(guān)晶體管-PMBT3904RA
2023-02-21 18:47:510 40 V、200 mA NPN 開關(guān)晶體管-PMBT3904QA
2023-02-21 18:53:340 40 V、200 mA PNP 開關(guān)晶體管-PMBT3906MB
2023-02-23 18:57:150 60V、600mA、PNP 開關(guān)晶體管-BSR16
2023-02-23 19:24:180 PNP 開關(guān)晶體管-PMBT3906
2023-02-23 19:24:301 40 V、600 mA PNP 開關(guān)晶體管-PZT4403
2023-02-27 18:15:590 NPN開關(guān)晶體管-PXT2222A
2023-02-27 18:16:160 40 V、600 mA、PNP 開關(guān)晶體管-PMBT4403
2023-02-27 18:16:440 40V、600mA、PNP 開關(guān)晶體管-PMBT2907
2023-02-27 18:17:040 60V、600mA、PNP 開關(guān)晶體管-PMBT2907A
2023-02-27 18:17:150 晶體管是一種電子元件，它可以控制電流或電壓的流動。當(dāng)電流或電壓達(dá)到一定的閾值時，晶體管就會從開路狀態(tài)轉(zhuǎn)換到閉路狀態(tài)，從而實現(xiàn)開關(guān)功能。晶體管的開關(guān)功能可以用來控制電路的開啟和關(guān)閉，從而實現(xiàn)電路的控制。
2023-02-28 18:10:574009 
40 V、600 mA PNP 開關(guān)晶體管-PMST4403
2023-03-01 18:40:170 60 V、600 mA PNP 開關(guān)晶體管-PMST2907A
2023-03-01 18:40:330 60 V、600 mA、PNP 開關(guān)晶體管-PXT2907A
2023-03-02 23:03:210 40V、600mA雙PNP開關(guān)晶體管-PMBT4403YS
2023-03-02 23:12:530 40 V，600 mA，雙 NPN 開關(guān)晶體管-PMBT4401YS
2023-03-02 23:13:070 60V、600mA、雙PNP開關(guān)晶體管-PMBT2907AYS
2023-03-02 23:13:220 40 V，600 mA，雙 NPN 開關(guān)晶體管-PMBT2222AYS
2023-03-02 23:13:370 ：開關(guān)雙極晶體管2SD2673時的波形（100μs/div） ? ? 由于隨后要計算開關(guān)時的功率損耗，所以要確認(rèn)OFF→ON時和
2023-03-23 16:52:271587 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《NPN開關(guān)晶體管PMBT4401產(chǎn)品介紹.pdf》資料免費(fèi)下載
2023-12-19 15:45:140 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《40 V，200 mA NPN開關(guān)晶體管PMBT3904-Q數(shù)據(jù)手冊.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-02-21 11:22:150 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《40 V，200 mA NPN開關(guān)晶體管PMBT3904數(shù)據(jù)手冊.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-02-21 11:10:181 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《40 V，200 mA NPN開關(guān)晶體管MMBT3904-Q數(shù)據(jù)手冊.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-02-21 13:50:250 接近開關(guān)晶體管連接時需要注意電源連接與極性、信號輸出與負(fù)載、連接線與防護(hù)措施以及注意事項與調(diào)試等方面的問題。正確的連接方式可以確保接近開關(guān)的穩(wěn)定性和可靠性，從而提高整個控制系統(tǒng)的性能和安全性。
2024-10-11 15:41:11850 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《PMST3904 NPN開關(guān)晶體管規(guī)格書.pdf》資料免費(fèi)下載
2025-01-24 13:40:500 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《MMBT3904 NPN開關(guān)晶體管規(guī)格書.pdf》資料免費(fèi)下載
2025-02-10 14:55:480 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《MMBT3906 PNP開關(guān)晶體管規(guī)格書.pdf》資料免費(fèi)下載
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