漏感(用串聯(lián)于繞組的小電感表示)使一部分磁通不與磁心交鏈而漏到周圍的空氣和材料中。它的特性并不受與之相關(guān)的變壓器或電感的影響，因此繞組的反射阻抗并不影響漏感的性能。

漏感會(huì)帶來(lái)一個(gè)問(wèn)題，因?yàn)樗鼪](méi)有將功率傳遞到負(fù)載，而是在周圍的元件中產(chǎn)生振蕩能量。在變壓器和電感的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)中，要控制繞組的漏感大小。每一個(gè)的漏感值都會(huì)不同，但能控制到某個(gè)額定值。

一些減少繞組漏感的通用經(jīng)驗(yàn)法則是：加長(zhǎng)繞組的長(zhǎng)度、離磁心距離更近、繞組之間的緊耦合技術(shù)，以及相近的匝比(如接近l：1)。對(duì)通常用于DC-DC變換器的E-E型磁心，預(yù)計(jì)的漏感值是繞組電感的3％～5％。在離線式變換器中，一次繞組的漏感可能高達(dá)繞組電感的12％，如果變壓器要滿足嚴(yán)格的安全規(guī)程的話。用來(lái)絕緣繞組的膠帶會(huì)使繞組更短，并使繞組遠(yuǎn)離磁心和其他繞組。

后面可以看到，漏感引起的附加損耗可以被利用。

在直流磁鐵的應(yīng)用場(chǎng)合，沿磁心的磁路一般需要有一個(gè)氣隙。在鐵氧體磁心中，氣隙是在磁心的中部，磁通從磁心的一端流向另一端，盡管磁力線會(huì)從磁心的中心向外散開(kāi)。氣隙的存在產(chǎn)生了一塊密集的磁通區(qū)域，這會(huì)引起臨近線圈或靠近氣隙的金屬部件內(nèi)的渦流流動(dòng)。這個(gè)損耗一般不是很大，但很難確定。

開(kāi)關(guān)電源內(nèi)的主要寄生參數(shù)概述

寄生參數(shù)是電路內(nèi)部實(shí)際元件無(wú)法預(yù)料的電氣特性，它們一般會(huì)儲(chǔ)存能量，并對(duì)自身元件起反作用而產(chǎn)生噪聲和損耗。對(duì)設(shè)計(jì)者來(lái)說(shuō)，分辨、定量、減小或利用這些反作用是一個(gè)很大的挑戰(zhàn)。

在交流情況下，寄生特性更加明顯。典型的開(kāi)關(guān)電源內(nèi)部有兩個(gè)主要的、存在較大交流值的節(jié)點(diǎn)，第一是功率開(kāi)關(guān)的集電極或漏極；第二是輸出整流器的陽(yáng)極。必須重點(diǎn)關(guān)注這兩個(gè)特殊的節(jié)點(diǎn)。

變換器內(nèi)的主要寄生參數(shù)

在所有開(kāi)關(guān)電源中，有一些常見(jiàn)的寄生參數(shù)，在觀察變換器內(nèi)主要交流節(jié)點(diǎn)的波形時(shí)，可以明顯看到它們的影響。有些器件的數(shù)據(jù)資料中，甚至給出了這些參數(shù)，如MOSFET的寄生電容。兩種常見(jiàn)變換器的主要寄生參數(shù)見(jiàn)圖3。

有些寄生參數(shù)已明確定義，如MOSFET的電容，其他一些離散的寄生參數(shù)可以用集中參數(shù)表示，使建模變得更加容易。試圖確定那些沒(méi)有明確定義的寄生參數(shù)的值是非常困難的，通常用一個(gè)經(jīng)驗(yàn)值確定，換句話說(shuō)，在進(jìn)行軟開(kāi)關(guān)設(shè)計(jì)時(shí)，元器件的選擇以能得到最佳結(jié)果為原則來(lái)進(jìn)行。在線路圖中，合適的地方放置寄生元件非常重要，因?yàn)殡姎庵分辉谧儞Q器工作的一部分時(shí)間內(nèi)起作用。例如，整流器的結(jié)電容只有在整流器反向偏置時(shí)會(huì)很大，而當(dāng)二極管正向偏置時(shí)就消失了。表l列出了一些容易確定的寄生參數(shù)和產(chǎn)生這些參數(shù)的元器件，以及這些值的大致范圍。某些特殊的寄生參數(shù)值可以從特定元器件的數(shù)據(jù)資料中獲得。