2022 年?5 月?18日，中國?– 意法半導體的?STPOWER MDmesh M9和DM9硅基N溝道超結多漏極功率MOSFET晶體管非常適用于設計數(shù)據(jù)中心服務器、5G基礎設施、平板電視機的開關
2022-05-19 10:50:42
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2022 年 6 月 23 日，中國 – 意法半導體40V MOSFET晶體管STL320N4LF8 和 STL325N4LF8AG 降低導通電阻和開關損耗，同時優(yōu)化體寄生二極管特性，降低功率轉換
2022-06-24 09:57:452122 
意法半導體(STMicroelectronics，簡稱ST) 推出首款完全符合衛(wèi)星和運載火箭電子子系統(tǒng)質量要求的功率系列產(chǎn)品。全新抗輻射功率MOSFET系列產(chǎn)品的額定輸出電流為6A至80A，由5款N溝道和P溝道產(chǎn)
2011-06-15 08:49:081736 在高功率應用中，碳化硅(SiC)MOSFET與硅(Si)IGBT相比具有多項優(yōu)勢。其中包括更低的傳導和開關損耗以及更好的高溫性能。
2023-09-11 14:55:311566 
意法半導體新IH系列器件屬于意法半導體針對軟開關應用專門優(yōu)化的溝柵式場截止（TFS） IGBT產(chǎn)品家族，適用于電磁爐等家電以及軟開關應用的半橋電路，現(xiàn)在產(chǎn)品設計人員可以選用這些IGBT，來達到更高的能效等級。
2019-03-27 16:05:333437 為了更方便的轉型到高能效的寬禁帶半導體技術，意法半導體發(fā)布了MasterGaN3*和 MasterGaN5兩款集成功率系統(tǒng)封裝，分別面向高達 45W 和 150W的功率變換應用。
2021-08-30 10:22:452334 
2022 年 9 月 13日，中國 —— 意法半導體發(fā)布了兩款采用主流配置的內(nèi)置1200V 碳化硅(SiC) MOSFET的STPOWER電源模塊。兩款模塊都采用意法半導體的ACEPACK 2 封裝
2022-09-13 14:41:19976 
? 2023 年 5 月 24 日，中國 —— 意法半導體的STL120N10F8 N溝道100V功率MOSFET擁有極低的柵極-漏極電荷(QGD)和導通電阻RDS(on)，優(yōu)值系數(shù) (FoM
2023-05-26 14:11:201210 
意法半導體最先進的40V功率MOSFET可以完全滿足EPS (電動助力轉向系統(tǒng))和EPB (電子駐車制動系統(tǒng)) 等汽車安全系統(tǒng)的機械、環(huán)境和電氣要求。 這些機電系統(tǒng)必須符合汽車AEC Q101規(guī)范，具體而言，低壓MOSFET必須耐受高溫和高尖峰電流。
2019-08-09 07:28:08
的影響更明顯。（3）降低米勒電壓，也就是降低閾值開啟電壓同時提高跨導，也可以提高開關速度，降低開關損耗。但過低的閾值電壓會使MOSFET容易受到干擾誤導通，而跨導和工藝有關。
2017-03-06 15:19:01
功率放大器以及商用和工業(yè)系統(tǒng)的功率放大器。意法半導體與遠創(chuàng)達的合作協(xié)議將擴大意法半導體LDMOS產(chǎn)品的應用范圍。協(xié)議內(nèi)容保密，不對外披露。 相關新聞MACOM和意法半導體將硅上氮化鎵推入主流射頻市場
2018-02-28 11:44:56
新產(chǎn)品的集成功率級都采用意法半導體RDS（ON）僅為500mΩ的專有MOSFET，高能效和經(jīng)濟性兼?zhèn)洹TSPIN840的電橋輸出可以單獨使用或并聯(lián)，這有助于降低多電機驅動應用的物料清單成本。高功能集度
2018-08-29 13:16:07
? 意法半導體嵌入式軟件包集成Sigfox網(wǎng)絡軟件，適用于各種產(chǎn)品，按照物聯(lián)網(wǎng)應用開發(fā)人員的需求專門設計 ? 使用STM32微控制器、超低功耗射頻收發(fā)器、安全單元、傳感器和功率管理器件，加快
2018-03-12 17:17:45
▌峰會簡介第五屆意法半導體工業(yè)峰會即將啟程，現(xiàn)我們敬邀您蒞臨現(xiàn)場，直擊智能熱點，共享前沿資訊，通過意法半導體核心技術，推動加快可持續(xù)發(fā)展計劃，實現(xiàn)突破性創(chuàng)新~報名鏈接：https
2023-09-11 15:43:36
和精確度。 該主板具充足的運算能力，能夠處理復雜的數(shù)據(jù)集，例如，意法半導體先進6軸慣性模塊輸出的OIS / EIS（光學或電子防抖）數(shù)據(jù)， 以及簡單的傳感器讀數(shù)，例如，氣壓表、加速計或陀螺儀數(shù)據(jù)。 該主板
2018-05-22 11:20:41
、ETSI 和 ARIB 規(guī)范。新IC電路元件是采用意法半導體的集成無源器件(IPD)技術制造在玻璃襯底上，這樣設計可以最大限度地減少信號插入損耗，性能優(yōu)于采用分立元件構建的電路。在同一芯片上集成所有
2023-02-13 17:58:36
中國，2018年4月10日 ——意法半導體的STLQ020低壓差（LDO）穩(wěn)壓器可以緩解在靜態(tài)電流、輸出功率、動態(tài)響應和封裝尺寸之間權衡取舍的難題，為設計人員帶來更大的自由設計空間。集小尺寸、高性能
2018-04-10 15:13:05
橫跨多重電子應用領域、全球領先的半導體供應商意法半導體（STMicroelectronics，簡稱ST；紐約證券交易所代碼：STM） 推出汽車級六軸慣性傳感器ASM330LHH ，為先進的車載導航
2018-07-17 16:46:16
`中國，2018年6月22日——意法半導體的VIPer11離線轉換器內(nèi)置800V耐雪崩MOSFET，可幫助設備制造商設計更耐用的輔助電源和電源適配器，其26Vdc漏極啟動電壓允許超寬的線路輸入電壓
2018-06-25 11:01:49
。在負載較低時，為最大限度地提高能效，STCH03進入準諧振模式（ZVS），通過檢測變壓器退磁來控制零電壓開關操作。檢測電路還提供電壓前饋控制功能，以確保恒流調(diào)整的精確度。STCH03將運行電流維持在
2018-07-13 11:35:31
STM32* 微控制器上開發(fā)先進的高能效電機驅動器的難度。此舉為空調(diào)、家電、無人機、樓宇自動化、機床、醫(yī)療設備、電動車等產(chǎn)品設備工程師研發(fā)先進電機驅動帶來更多機會，而且無需專門的研發(fā)經(jīng)驗?；?b class="flag-6" style="color: red">意法半導體上一代
2018-03-22 14:30:41
和RAM）。例如，對于內(nèi)存來說太大的單個層可以分為兩個步驟。之前的MLPerf Tiny結果顯示，與標準CMSIS-NN分數(shù)相比，意法半導體的推理引擎（Arm的CMSIS-NN的優(yōu)化版本）具有性能優(yōu)勢。STM32CubeAI開發(fā)云還將支持意法半導體即將推出的微控制器，包括內(nèi)部開發(fā)的NPU，即STM32N6。
2023-02-14 11:55:49
中國，2018年8月1日——意法半導體的FDA803D 和FDA903D汽車級數(shù)字輸入音頻放大器功能豐富，有助于簡化系統(tǒng)集成，最大限度提高車載信息服務及緊急呼叫設備和混動/電動汽車聲學提示系統(tǒng)
2018-08-02 15:33:58
中國，2018年7月16日——意法半導體STEF01可編程電子熔斷器集成低導通電阻RDS(ON) 的VIPower?MOSFET功率管，在8V到48V的寬輸入電壓范圍內(nèi)，能夠維持高達4A的連續(xù)電流
2018-07-16 16:51:13
www.st.com/evalsp820。原貼地址 https://www.stmcu.com.cn/news/777相關新聞意法半導體高能效單片三相三路電流檢測BLDC驅動器：延長便攜設備和物聯(lián)網(wǎng)產(chǎn)品
2018-06-11 15:16:38
。無論是在最大亮度還是調(diào)光模式，控制器均可確保電壓轉換和電流控制電路擁有很高的能效，最大限度地延長電池的使用壽命。此外，每個通道的電流匹配度非常精確，從而可確保背光亮度保持一致，進一步提高
2011-11-24 14:57:16
利用雙電機無傳感器磁場定向控制（FOC）和有源功率因素校正（PFC），實現(xiàn)空調(diào)電機控制提高能效和降低系統(tǒng)成本是促使現(xiàn)代電機控制技術發(fā)展的推動力量，這些技術廣泛應用于各種風扇、泵機、壓縮機或減速電機
2018-12-04 09:54:53
使用絕緣柵雙極晶體管（IGBT）。但隨著半導體技術的進步，碳化硅 （SiC） 金屬氧化物半導體場效應晶體管 （MOSFET） 能夠以比 IGBT 更高的頻率進行開關，通過降低電阻和開關損耗來提高
2022-11-02 12:02:05
2a）可以減少橋損耗，采用交錯式PFC（圖2b）可以滿足較高功率應用的要求，以提升PFC能效。此外，還可以利用IC技術減少開關損耗，并利用更優(yōu)化的拓撲結構來減少EMI濾波器損耗。 采用安森美半導體
2011-12-13 10:46:35
隨著現(xiàn)代微控制器和SoC變得越來越復雜，設計者面臨著最大化能源效率，同時實現(xiàn)更高水平的集成。最大限度地提高能量在低功耗SoC市場中，多個功率域的使用被廣泛采用。在
同時，為了解決更高級別的集成，許多
2023-08-02 06:34:14
電子、汽車和無線基站項目意法半導體獲準使用MACOM的技術制造并提供硅上氮化鎵射頻率產(chǎn)品預計硅上氮化鎵具有突破性的成本結構和功率密度將會實現(xiàn)4G/LTE和大規(guī)模MIMO 5G天線中國，2018年2月12日
2018-02-12 15:11:38
引言 如今，客戶要求產(chǎn)品不但節(jié)能，還要體積更小，從而推動功率轉換行業(yè)向前發(fā)展。交流/直流和直流/直流轉換器拓撲的不斷發(fā)展，改善了轉換器效率。功率MOSFET是功率轉換器的核心部件，是設計高能效產(chǎn)品
2018-12-07 10:21:41
的功率型分立器件針對軟開關諧振和硬開關轉換器進行了優(yōu)化，可最大限度提高低功率和高功率應用的系統(tǒng)效率?；诘壍淖钚庐a(chǎn)品具備更高的能源效率，并支持面向廣泛的應用提供更緊湊的電源設計。
2023-09-07 06:49:47
Degauque表示：“意法半導體高射頻性能的NFC方案最大限度地提高了工程師在新產(chǎn)品設計時的自由空間和靈活度。通過充分利用這一靈活性， NFC在Alcatel 3V智能手機上的集成過程被有效簡化
2018-06-11 15:22:25
智能電表芯片單片集成開發(fā)智能電表所需的全部重要功能，能夠滿足多個智能電網(wǎng)市場的需求。這些電表連接消費者和供電公司，提供實時電能計量和用電數(shù)據(jù)分析功能。意法半導體亞太區(qū)功率分立器件和Sub Analog
2018-03-08 10:17:35
MOSFET作為主要的開關功率器件之一，被大量應用于模塊電源。了解MOSFET的損耗組成并對其分析，有利于優(yōu)化MOSFET損耗，提高模塊電源的功率;但是一味的減少MOSFET的損耗及其他方面的損耗
2019-09-25 07:00:00
直接影響轉換器的體積、功率密度和成本?！ ∪欢褂玫?b class="flag-6" style="color: red">半導體開關遠非理想，并且由于開關轉換期間電壓和電流之間的重疊而存在開關損耗。這些損耗對轉換器工作頻率造成了實際限制。諧振拓撲可以通過插入額外的電抗
2023-02-21 16:01:16
最大限度地降低了動態(tài)損耗，提高了總體能效，特別是在從數(shù)百kHz至MHz不等的較高工作頻率下。為了實現(xiàn)高壓開關的零電壓開關（ZVS）工作，這三種拓撲都利用變壓器中的循環(huán)電流來進行開關QOSS放電。顯然
2022-04-12 11:07:51
最大限度地降低了動態(tài)損耗，提高了總體能效，特別是在從數(shù)百kHz至MHz不等的較高工作頻率下。為了實現(xiàn)高壓開關的零電壓開關（ZVS）工作，這三種拓撲都利用變壓器中的循環(huán)電流來進行開關QOSS放電。顯然
2022-06-14 10:14:18
描述 此項 25W 的設計在反激式拓撲中使用 UCC28740 來最大限度降低空載待機功耗，并使用 UCC24636同步整流控制器來最大限度減少功率 MOSFET 體二極管傳導時間。此設計還使用來
2022-09-23 06:11:58
條件下實現(xiàn)高能效，是達到這個市場需求的關鍵要素，同時也是半導體廠商研發(fā)新技術的動力?！ ∫驗檫^去幾年技術改良取得較大進步，意法半導體最新的功率MOSFET技術可以成功地替代變頻電機控制器的IGBT開關
2018-11-20 10:52:44
最大限度提高Σ-Δ ADC驅動器的性能
2021-01-06 07:05:10
在本文中，我們將解釋針對不同的應用和工作條件仔細選擇IGBT變體如何提高整體系統(tǒng)效率。IGBT模塊中的損耗大致可分為兩類：傳導開關眾所周知，對于特定電壓下的任何給定過程，降低傳導損耗的努力將導致
2023-02-27 09:54:52
如何用PQFN封裝技術提高能效和功率密度？
2021-04-25 07:40:14
在電源設計中，為提高能效，通常采用同步整流，即用MOSFET取代二極管整流器，從而降低整流器兩端壓降和導通損耗，提供更高的電流能力，實現(xiàn)更高的系統(tǒng)能效。然而，傳統(tǒng)的同步整流在用于LLC諧振轉換器
2018-12-03 11:07:15
碩果。堯遠通信科技的客戶充分利用CLOE追蹤器整體方案的優(yōu)勢，針對不同用途的物聯(lián)網(wǎng)追蹤器設計高能效的LTE?！?b class="flag-6" style="color: red">意法半導體信息娛樂事業(yè)部總監(jiān)Antonio Radaelli表示：“CLOE是我們與賽肯通信
2018-02-28 11:41:49
布局電源板以最大限度地降低EMI：第3部分
2019-08-16 06:13:31
碳化硅（SiC） MOSFET、超級結MOSFET、IGBT和汽車功率模塊（APM）等廣泛的產(chǎn)品陣容乃至完整的系統(tǒng)方案，以專知和經(jīng)驗支持設計人員優(yōu)化性能，加快開發(fā)周期。本文將主要介紹針對主流功率等級的高能效OBC方案。
2020-11-23 11:10:00
的特性，還因為器件對IGBT的價格越來越有競爭力，制造商在系統(tǒng)層面引入了長期投資策略，以確保供應?！ ?b class="flag-6" style="color: red">STPOWER產(chǎn)品組合 毫無疑問，進入SiC供應商榜首的制造商之一是意法半導體。意法半導體在過去幾年
2023-02-24 15:03:59
意法半導體官方的庫怎么搞？求解答
2021-12-15 07:31:43
意法半導體ST推出250A功率MOSFET，封裝和制程同步升級，提高電機驅動能效
中國，2008年7月16日 —— 以降低電動汽車等電動設備的運營成本和環(huán)境影
2008-07-29 14:13:02918 意法半導體發(fā)布超低功耗整流二極管
功率半導體供應商意法半導體（紐約證券交易所代碼：STM）推出新的高能效功率整流二極管
2010-04-06 13:29:521162 全球領先的高能效半導體解決方案供應商、可持續(xù)發(fā)展的倡導者意法半導體(紐約證券交易所代碼：STM)宣布，大中華區(qū)與南亞地區(qū)副總裁兼臺灣分公司總經(jīng)理尹容(Giuseppe Izzo)將
2010-10-29 09:04:12808 意法半導體推出打破高壓功率MOSFET晶體管世界記錄的MDmesh V功率MOSFET晶體管，MDmesh V系列已是市場上性能最高的功率MOSFET晶體管，擁有最低的單位面積通態(tài)電阻
2011-12-27 17:29:102989 
意法半導體(STMicroelectronics)推出超結型MDmesh V系列-- STW88N65M，新產(chǎn)品的導通電組(On-Resistance Per Area)僅為0.029歐姆
2012-01-09 09:34:122733 推動高能效創(chuàng)新的安森美半導體（ON Semiconductor）推出新系列的6款N溝道金屬氧化物半導體場效應晶體管（MOSFET），它們經(jīng)過設計及優(yōu)化，提供領先業(yè)界能效，優(yōu)于市場現(xiàn)有器件。
2014-05-21 11:36:441331
意法半導體新款的MDmesh? MOSFET內(nèi)置快速恢復二極管
提升高能效轉換器的功率密度
2017-09-21 16:31:256599 意法半導體意大利卡塔尼亞公司 功率晶體管產(chǎn)品部 高級應用工程師 Alfio Scuto 意法半導體意大利卡塔尼亞公司 功率晶體管產(chǎn)品部 高級應用工程師 摘要 – 近幾年來，開關電源市場對高能效
2018-01-09 17:35:042517 
整合意法半導體獨有的靈活的傳感器架構和高通的Qualcomm All-Ways Aware傳感器處理功能，專注移動設備性能提升，最大限度降低耗電量。 橫跨多重電子應用領域、全球領先的半導體供應商意法半導體。
2018-02-14 09:32:001362 意法半導體的FDA2100LV汽車功率放大器采用全數(shù)字架構，包括數(shù)字輸入和性能強大的診斷處理器，有助于最大限度地降低噪聲，節(jié)省高達50%的材料成本，讓汽車音響主機和功放具有D類放大器的高能效優(yōu)勢
2018-04-14 08:55:002259 橫跨多重電子應用領域、全球領先的半導體供貨商意法半導體（ STMicroelectronics ，簡稱 ST ；紐約證券交易所代碼： STM ） 推出可視化的 Profi MEMS Tool 開發(fā)平臺，方便工程師 查看MEMS 傳感器的工作狀態(tài)，加快產(chǎn)品上市時間，并最大限度提高新產(chǎn)品設計的性能。
2018-05-23 17:11:001521 2018年6月22日——意法半導體的VIPer11離線轉換器內(nèi)置800V耐雪崩MOSFET，可幫助設備制造商設計更耐用的輔助電源和電源適配器，其26Vdc漏極啟動電壓允許超寬的線路輸入電壓，并提高諸多消費和工業(yè)電源的靈活性。
2018-07-04 11:32:595661 意法半導體發(fā)布的VIPer26K高壓功率轉換器集成一個1050V耐雪崩N溝道功率MOSFET，使離線電源兼?zhèn)鋵拤狠斎肱c設計簡單的優(yōu)點。
2019-08-03 10:00:405778 在對大功率和高能效需求日益增長的5G通信時代，意法半導體推出STWLC68系列產(chǎn)品，為市場帶來業(yè)界領先的，擁有極高傳輸能效并安全可靠的無線充電解決方案。
2020-02-27 16:40:571027 意法半導體VIPer26K發(fā)布高壓功率轉換器，集成一個1050V耐雪崩N溝道功率MOSFET，使離線電源兼?zhèn)鋵拤狠斎肱c設計簡單的優(yōu)點。
2020-03-18 15:24:513098 這兩款器件采用最小延遲快速導通設計和創(chuàng)新的自適應關斷技術，無需增加外部組件即可最大限度延長同步整流MOSFET管的導通時間，并最大程度降低電路中的寄生電感效應，從而使電路系統(tǒng)能效大幅改善，物料清單成本明顯降低。
2020-05-30 10:02:202766 意法半導體的ST1PS01降壓轉換器專門采用小尺寸和低靜態(tài)電流設計，能夠在負載的所有電流值下保持高能效，為始終工作的負載點電源和資產(chǎn)跟蹤器、可穿戴設備、智能傳感器、智能電表等物聯(lián)網(wǎng)設備節(jié)省電能和空間。
2020-07-06 09:18:22825 意法半導體（ST）推出了第二代SiC功率MosFET，具有單位面積極低的導通電阻（RDSon）和優(yōu)良的開關性能，開關損耗在結溫范圍內(nèi)幾乎沒有變化。 ST提供廣泛的第二代S MOSFET：額定擊穿電壓
2020-11-26 16:33:521805 
。 新的800V H系列可控硅適用于工業(yè)制造設備、個人護理產(chǎn)品、智能家居產(chǎn)品和智能建筑系統(tǒng)，利用意法半導體最新的SnubberlessTM高溫技術實現(xiàn)了出色的耐用性。低導通電壓（VTM）確保開關具有較高的工作能效，并最大程度地降低器件本身的自發(fā)熱量，具有很低的
2021-01-14 15:11:192624 意法半導體的MasterGaN4*功率封裝集成了兩個對稱的225mΩ RDS(on)、650V氮化鎵(GaN)功率晶體管，以及優(yōu)化的柵極驅動器和電路保護功能，可以簡化高達200W的高能效電源變換
2021-04-16 14:41:043668 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《最大限度地提高高壓轉換器的功率密度.doc》資料免費下載
2023-12-06 14:39:00
308 ，還是適用于電源適配器和平板顯示器的電源。 意法半導體800V STPOWER MDmesh K6系列，為這種超級結晶體管技術樹立了高性能和易用性兼?zhèn)涞臉藯U。MDmesh K6 的RDS（on） x
2021-10-28 10:41:252244 意法半導體推出了一個新系列—— 氮化鎵（GaN） 功率半導體。該系列產(chǎn)品屬于意法半導體的STPOWER 產(chǎn)品組合，能夠顯著降低各種電子產(chǎn)品的能耗和尺寸。
2021-12-17 17:32:301432 意法半導體最新一代碳化硅(SiC)功率器件，提升了產(chǎn)品性能和可靠性，保持慣有領先地位，更加適合電動汽車和高能效工業(yè)應用
2022-01-17 14:13:294628 電源，例如，充電器、PC機外部電源適配器、LED照明驅動器、電視機等家電。消費電子產(chǎn)品的全球產(chǎn)量很大，如果提高能效，可大幅減少二氧化碳排放。在功率更高的應用中，意法半導體的 PowerGaN器件也適用于電信電源、工業(yè)驅動電機、太陽能逆變器、電動汽車及其充電設施。
2022-01-17 14:22:543358 2022 年 4 月 7 日，中國——意法半導體 VIPerGaN50能夠簡化最高50 W的單開關反激式功率變換器設計，并集成一個 650V 氮化鎵 (GaN) 功率晶體管，使電源的能效和小型化達到
2022-04-07 13:53:308138 
意法半導體的STPOWER MDmesh M9和DM9硅基N溝道超結多漏極功率MOSFET晶體管非常適用于設計數(shù)據(jù)中心服務器、5G基礎設施、平板電視機的開關式電源 （SMPS）。
2022-05-19 14:41:472191 意法半導體40V MOSFET晶體管STL320N4LF8 和 STL325N4LF8AG 降低導通電阻和開關損耗，同時優(yōu)化體寄生二極管特性，降低功率轉換、電機控制和配電電路的能耗和噪聲。
2022-06-24 16:40:431804 中國，2022年9月6日——意法半導體推出了IPS1025HF快速啟動高邊功率開關，目標應用是要求上電延遲時間極短的安全系統(tǒng)。
2022-09-07 11:29:492014 將公司名稱改為意法半導體有限公司。意法半導體是世界最大的半導體公司之一。公司2019年全年凈營收95.6億美元; 毛利率38.7%；營業(yè)利潤率12.6%; 凈利潤10.32億美元。 意法公司銷售收入在
2023-02-08 14:24:113002 意法半導體的高集成度、高能效ST-ONE系列USB供電(USB-PD)數(shù)字控制器新增一個支持雙充電口的ST-ONEMP芯片。
2023-03-02 09:35:211375 顯然特斯拉用的是意法半導體2018年的第二代SiC MOSFET產(chǎn)品，第四代產(chǎn)品目前還沒有推出。溝槽型是發(fā)展方向，但意法半導體要到2025年才開始推出。
2023-03-14 11:22:393149 2023年5月20日，中國——意法半導體高壓寬禁帶功率轉換芯片系列新增VIPerGaN100 和 VIPerGaN65兩款產(chǎn)品，適合最大功率100W和65W的單開關管準諧振 (QR)反激式功率轉換器。
2023-05-20 16:59:50754 ST-ONEMP與意法半導體的MasterGaN功率技術配套使用。 MasterGaN技術包含意法半導體的集成柵極驅動器的氮化鎵(GaN)寬帶隙功率晶體管。意法半導體GaN技術的開關頻率比傳統(tǒng)硅 MOSFET更高，使適配器能夠提供更高的功率密度和符合最新生態(tài)設計規(guī)范的高能效。
2023-03-16 10:29:162011 
意法半導體（下文為ST）的功率MOSFET和IGBT柵極驅動器旨在提供穩(wěn)健性、可靠性、系統(tǒng)集成性和靈活性的完美結合。
2024-02-27 09:05:361813 
意法半導體6軸慣性測量單元（IMU）ISM330BX集成邊緣AI處理器、傳感器擴展模擬集線器和Qvar電荷變化檢測器，并提供產(chǎn)品壽命保證，適用于設計高能效工業(yè)傳感器和動作跟蹤器。
2024-06-20 09:47:101129 意法半導體（簡稱ST）近日宣布推出其第四代STPOWER碳化硅（SiC）MOSFET技術，標志著公司在高效能半導體領域又邁出了重要一步。此次推出的第四代技術，在能效、功率密度和穩(wěn)健性方面均樹立了新的市場標桿，將為汽車和工業(yè)市場帶來革命性的改變。
2024-10-10 18:27:331619 意法半導體(簡稱ST)推出第四代STPOWER碳化硅(SiC)MOSFET技術。第四代技術有望在能效、功率密度和穩(wěn)健性三個方面成為新的市場標桿。在滿足汽車和工業(yè)市場需求的同時，意法半導體還針對
2024-10-12 11:30:592195 意法半導體(STMicroelectronics)近日推出了其第四代STPower硅碳化物(SiC)MOSFET技術，標志著在高效能和高功率密度領域的又一重大進展。新一代MOSFET不僅在電動汽車中
2024-10-29 10:54:141282 
意法半導體的TS3121和TS3121A軌對軌、開漏、單通道比較器具有創(chuàng)新的故障安全架構和啟動時間保障，可以簡化短時間啟動過程，在低功率應用中最大限度地降低功耗。
2024-12-24 13:39:31966 最近，意法半導體（ST）正式推出STPOWER Studio 4.0，支持三種新的拓撲結構，分別為單相全橋、單相半橋以及三相三電平T型中點箝位（T-NPC），可覆蓋更豐富的應用場景。此前，該工具僅支持三相兩電平拓撲結構，主要應用于電機驅動器和光伏逆變器，這兩種也是最常見的使用場景。
2025-02-14 11:13:011027 
意法半導體的IPS4140HQ和IPS4140HQ-1是兩款功能豐富的四通道智能功率開關，采用8mmx6mm緊湊封裝，每通道RDS(on)導通電阻80mΩ（最大值），工作電源電壓10.5V-36V，還配備各種診斷保護功能。
2025-04-18 14:22:18943 采用TO-LL封裝的意法半導體SiC MOSFET將第3代STPOWER SiC技術的固有特性與TO-LL封裝出色的散熱和電流性能集于一身。這些設計元素共同實現(xiàn)了出色的開關性能、可靠性和熱管理功能，而附加的Kelvin源引線則可幫助設計人員進一步降低開關損耗。
2025-06-09 09:57:38859 意法半導體（ST）是英偉達800V機架內(nèi)配電新倡議的核心合作伙伴。
2025-08-16 11:29:541190 STMicroelectronics STP80N1K1K6 N溝道功率MOSFET采用MDmesh K6技術，利用了20年的超級結技術經(jīng)驗。STMicroelectronics STP80N1K1K6 MOSFET具有出色的每面積導通電阻和柵極電荷。該器件非常適用于高功率密度和高效應用。
2025-10-23 15:08:58415 
STMicroelectronics STD80N450K6 800V 10A MDmesh K6功率MOSFET是一款高壓N溝道功率MOSFET，具有齊納保護功能和100%雪崩。該MOSFET還具
2025-10-27 14:24:41381 
STMicroelectronics STP80N450K6 800V N溝道功率MOSFET是一款采用終極MDmesh K6技術設計的極高壓N溝道功率MOSFET。該技術
2025-10-28 11:44:44421 
STMicroelectronics STD80N240K6 800V 16A MDmGuard? K6功率MOSFET具有出色的R~DS(on)~ x 面積和低總柵極電荷（Q ~g~ ），可實現(xiàn)高
2025-10-30 11:39:20386 
高壓MOSFET作為功率半導體領域的核心器件，憑借高耐壓、低損耗、高速開關的核心優(yōu)勢，已成為工業(yè)電源、新能源儲能、汽車電動化等場景實現(xiàn)高效能量轉換的“關鍵引擎”。意法半導體深耕高壓MOSFET技術研發(fā)，以全系列產(chǎn)品與創(chuàng)新方案，為多領域發(fā)展注入強勁動力。
2025-12-03 09:57:022199 
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