針對不同安規(guī)，漏電流要求也不一樣，在設(shè)計(jì)時(shí)需特別留意

32.反激拓補(bǔ)結(jié)構(gòu)，變壓器B值需小于3500高斯，如果變壓器飽和一切動(dòng)作將會失控，如下，上圖為正常，下圖為飽和。

變壓器的磁飽和一定要確認(rèn)，重重之重，這是首條安全性能保障，包括過流點(diǎn)的磁飽和、開機(jī)瞬間的磁飽和、輸出短路的磁飽和、高溫下的磁飽和、高低壓的磁飽和。

33.結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，散熱片使用螺絲固定參考以下表格設(shè)計(jì)，實(shí)際應(yīng)用中應(yīng)增加0.5-1mm余量，參考如下表格：

BOM表上寫的螺絲規(guī)格一定要對，不然量產(chǎn)時(shí)會讓你難受

34.結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，AC PIN焊線材的需使用勾焊，如果不是則要點(diǎn)白膠固定。

理由：安規(guī)要求

經(jīng)常被第三方機(jī)構(gòu)退回樣品，整改

35.傳導(dǎo)整改，分段處理經(jīng)驗(yàn)，如下圖，這只是處理的一種方法，有些情況并不是能直接套用

36.輻射整改，分段處理經(jīng)驗(yàn)，如下圖，適合一些新手工程師，提供一個(gè)參考的方向，有些情況并不是能直接套用，最主要的還是要搞清楚EMI產(chǎn)生的機(jī)理。

37.關(guān)于PCB碰到的問題，如圖，為什么99SE畫板覆銅填充的時(shí)候填不滿這個(gè)位置？像是有死銅一樣

D1這個(gè)元件有個(gè)文字描述的屬性放在了頂層銅箔，如圖

把它放到頂層絲印后，完美解決。

38.變壓器銅箔屏蔽主要針對傳導(dǎo)，線屏蔽主要針對輻射，當(dāng)傳導(dǎo)非常好的時(shí)候，有可能你的輻射會差，這個(gè)時(shí)候把變壓器的銅箔屏蔽改成線屏蔽，盡量壓低30M下降的位置，這樣整改輻射會快很多。

EMI整改技巧之一

39.測試輻射的時(shí)候，多帶點(diǎn)不同品牌的MOS、肖特基。有的時(shí)候只差2、3dB的時(shí)候換一個(gè)不同品牌會有驚喜。

EMI整改技巧之二

40.VCC上的整流二極管，這個(gè)對輻射影響也是很大的。

一個(gè)慘痛案例，一款過了EMI的產(chǎn)品，余量都有4dB以上，量產(chǎn)很多次了，其中有一次量產(chǎn)抽檢EMI發(fā)現(xiàn)輻射超1dB左右，不良率有50%，經(jīng)過層層排查、一個(gè)個(gè)元件對換。最終發(fā)現(xiàn)是VCC上的整流二極管引發(fā)的問題，更換之前的管子（留低樣品），余量有4dB。對不良管子分析，發(fā)現(xiàn)管子內(nèi)部供應(yīng)商做了鏡像處理。

41.一個(gè)冷知識，如何測量PCB的銅箔厚度？

方法：在PCB板上找一條光滑且長的線條，測量其長度L，再測寬度W，再用DC源加1A電流在其兩端測得壓降U

依據(jù)電阻率公式得出以下公式：

例：取一段PCB銅箔，長度L為40mm，寬度為10mm，其通過1A電流兩端壓降為0.005V，求該段銅箔厚度為多少um？

42.一款36W適配器的EMI整改案例，輸出12V/3A，多圖對比，整改花費(fèi)時(shí)間3周。

變壓器繞法一：Np1→VCC→Ns1→Ns2→銅屏蔽0.9Ts→Np2

PCB關(guān)鍵布局：Y電容地→大電容地，變壓器地→Vcc電容→大電容地

注：變壓器所有出線沒有交叉

圖一（115Vac）

圖一所示可以看到，130-200M處情況并不樂觀；

130-200M主要原因在于PCB布局問題和二次側(cè)的肖特基回路，改其它地方作用不大，肖特基套磁珠可以完全壓下來，圖忘記保存了。

為了節(jié)約成本，公司并不讓我這樣做，因?yàn)樘状胖橛绊懥顺杀?，?dāng)即NG掉此PCB布局，采用圖一a方式PCB關(guān)鍵布局走線。

變壓器繞法不變：Np1→VCC→Ns1→Ns2→銅屏蔽0.9Ts→Np2

PCB關(guān)鍵布局：Y電容地→變壓器地→大電容地

注：變壓器內(nèi)部的初級出線及次級出線有交叉

圖一a （115Vac）

圖一a可以看出，改變PCB布局后130M-200M已經(jīng)完全被衰減，但是30-130M沒有圖一效果好，可能變壓器出線無交叉好一些。仔細(xì)觀察，此IC具有抖頻功能，傳導(dǎo)部分頻段削掉了一些尖峰；

圖一b（230Vac）

圖一b可以看到，輸入電壓在230Vac測試時(shí)，65M和83M位置有點(diǎn)頂線（紅色線）

圖一b-1（230Vac）

原邊吸收電容由471P加大到102P，65M位置壓下來一點(diǎn)，后面還是有點(diǎn)高，如圖一b-1所示；

圖一b-2（230Vac）

變壓器屏蔽改成線屏蔽（0.2*1*30Ts）,后面完全衰減，如圖一b-2；

圖一b-3（115Vac）

115Vac輸入測試，后面150M又超了，發(fā)克！高壓好了低壓又不行，惱火?。】磥磉@招不行；

圖一b-4（115Vac）

變壓器屏蔽還是換成銅箔屏蔽（圈數(shù)由0.9Ts改成1.3Ts），效果不錯(cuò)，如圖一b-4所示。

圖一b-5（230Vac）

115Vac輸入測試，測試通過。

結(jié)論：

一：變壓器出線需做到不交叉；

二：Y電容回路走線越短越好先經(jīng)過變壓器地再回到大電容地，不與其它信號線交叉；

43.一款48W（36V/1.33A）整改EMI案例，僅僅是調(diào)整了肖特基吸收就把30-40M壓下來。

115Vac低壓30M紅色頂線

230Vac高壓30M紅色也頂線

調(diào)整肖特基吸收后：

115Vac低壓，走勢圖非常漂亮

230Vac高壓，走勢圖非常漂亮

44.安規(guī)距離一覽表。

45.剛?cè)腴T使用CAD、PADS上容易遇到的問題。

a..PADS畫好的PCB導(dǎo)出為DXF文件，CAD打開后是由雙線組成的空心線段，如圖：

剛開始不會時(shí)，是用L命令一根一根的描，狂汗? 。。

使用多次后，解決方法是使用X命令就可以變成單根線

b..CAD圖檔線框轉(zhuǎn)PADS做PCB外框圖方法：

step1．在CAD里面刪掉沒有的線，只剩下板框，其它線也可以不刪。

step2．在鍵盤上敲PE，回車，鼠標(biāo)點(diǎn)中其中一邊，再敲Y，回車，再敲J，回車，拖動(dòng)鼠標(biāo)把整個(gè)板框選中，回車，按Esc鍵退出此模式。

step3．比例調(diào)整，SC 按空格，選取整個(gè)板框，按空格，任意地方單擊鼠標(biāo)一下, 比例: 39.37 ，按空格。

46.在畫PCB定義變壓器腳位時(shí)，要考慮到變壓器的進(jìn)線和出線是否會交叉，因?yàn)楦骼@組之間的繞線在邊界處存在有45-90度的交叉，需在交叉出線處加一個(gè)套管到pin腳。

47.PCB的熱點(diǎn)區(qū)域一定要遠(yuǎn)離輸入、輸出端子，防止噪聲源串到線上導(dǎo)致EMI變差，在不得已而為之時(shí)，可增加地線或其它屏蔽方式進(jìn)行隔離，如下圖增加了一條地線進(jìn)行有效隔離。

需注意這條地線的安全距離。

48.驅(qū)動(dòng)電阻盡量靠近MOS、電流采樣的電阻盡量靠近芯片，避免產(chǎn)生其它看不到的后果。

PCB布局鐵律

49.分享一個(gè)輻射整改案例，一個(gè)長條形散熱片有2個(gè)腳，2只腳都接地，輻射硬是整不過，后來把其中一只腳懸空，輻射頻段變好。后面分析原因是2只腳接地會產(chǎn)生磁場回路。

這個(gè)整改花了很多錢

50.配有風(fēng)扇的電源，PCB布局要考慮風(fēng)路。

一定要讓風(fēng)跑出去

51.棒型電感兩條腿之間，切記，切記，切記，禁止走弱信號走線，否則發(fā)生的意外你都找不到原因。

切記，以前在這上面吃了大虧

52.變壓器磁芯形狀選用小結(jié)

a..EE，EI，EF，EEL類，常用來制作中小功率的變壓器，成本低，工藝簡單

b..EFD，EPC類，常用來制作對高度有限制的產(chǎn)品，適合做中小功率類

c..EER，ERL，ETD類，常用來制作大中型功率的變壓器，特別適合用來制作多路輸出的大功率主變壓器，且變壓器漏感較小，比較容易符合安規(guī)

d..PQ，EQ，LP類，該磁芯的中間柱較一般的磁芯要大，產(chǎn)品漏感較小，適合做小體積大功率的變壓器，輸出組數(shù)不能過多

e..RM，POT類，常用來制作通訊類或中小功率高頻變壓器，本身的磁屏蔽很好，容易滿足EMC特性

f..EDR類，一般常用于LED驅(qū)動(dòng)，產(chǎn)品厚度要求薄，變壓器制做工藝復(fù)雜

53.某些元器件或?qū)Ь€之間可能有較高電位差，應(yīng)加大它們之間的距離，以免放電引出意外短路。

如反激一次側(cè)的高壓MOS的D、S之間距離，依據(jù)公式500V對應(yīng)0.85mm，DS電壓在700V以下是0.9mm，考慮到污染和潮濕，一般取1.2mm

54.如果TO220封裝的MOS的D腳串了磁珠，需要考慮T腳增加安全距離。

之前碰到過炸機(jī)現(xiàn)象，增加安全距離后解決了，因?yàn)榇胖槿菀渍瓷蠚埩粑?/p>

55.發(fā)一個(gè)驗(yàn)證VCC的土方法，把產(chǎn)品放低溫環(huán)境（冰箱）幾分鐘，測試VCC波形電壓有沒有觸發(fā)到芯片欠壓保護(hù)點(diǎn)。

小公司設(shè)備沒那么全，有興趣的可以做個(gè)對比，看看VCC差異有多大

關(guān)于VCC圈數(shù)的設(shè)計(jì)需要考慮很多因素

56.在變壓器底部PCB加通風(fēng)孔，有利于散熱，小板也一樣，要考慮風(fēng)路。

在安規(guī)認(rèn)證，變壓器溫度超了2度左右時(shí)，可以用這個(gè)方法

57.跳線旁邊有高壓元件時(shí)，應(yīng)要保持安全距離，特別是容易活動(dòng)或歪斜的元件。

保證產(chǎn)品量產(chǎn)時(shí)的穩(wěn)定性

58.輸出大電解底部不得已要走跳線時(shí)，跳線應(yīng)是低壓或是地線，為防止過波峰焊燙傷電容，一般加套管。

設(shè)計(jì)的時(shí)候盡量避免電容底部走跳線，因?yàn)樵黾映杀竞碗[患

59.高頻開關(guān)管平貼PCB時(shí)，PCB另一面不要放芯片等敏感器件。

理由：開關(guān)管工作時(shí)容易干擾到背部的芯片，造成系統(tǒng)不穩(wěn)定，其它高頻器件同理

60.輸出的DC線在PCB設(shè)計(jì)時(shí)，要設(shè)計(jì)成長短一至，焊盤孔間隔要小。

理由：SR的尾部留長是一樣長的，當(dāng)兩個(gè)焊盤孔間隔太遠(yuǎn)時(shí)，會造成不方便生產(chǎn)焊接

61.MOS管、變壓器遠(yuǎn)離AC端，改善EMI傳導(dǎo)。

理由：高頻信號會通過AC端耦合出去，從而噪聲源被EMI設(shè)備檢測到引起EMI問題

62.驅(qū)動(dòng)電阻應(yīng)靠近MOS管。

理由：增加抗干擾能力，提升系統(tǒng)穩(wěn)定性

63.一個(gè)恒壓恒流帶轉(zhuǎn)燈的PCB設(shè)計(jì)走線方法和一個(gè)失敗案例。

PCB設(shè)計(jì)走線方法請看圖：

(a) 地線的Layout原則

如(1)(2)(3)綠線所示，R11的地和R14的地連接到芯片的地，再連接到EC4電解電容的地。注意不可連到變壓器的地，因?yàn)樽儔浩鞔渭堿->D3->EC4->次級B形成功率環(huán)，如果ME4312芯片的地接到次級B線到EC4電容之間，受到較強(qiáng)的di/dt干擾會導(dǎo)致系統(tǒng)的不穩(wěn)定等因素。

失敗案例：

造成的問題：轉(zhuǎn)燈時(shí)紅燈綠燈一起亮，并且紅燈綠交替閃爍。

整改措施：

通過斷開PCB銅箔使用一根導(dǎo)線連到輸出電容地，隔開ME4312B芯片地，如下圖：

通過以上處理，燈閃問題已經(jīng)解決，測試結(jié)果如下：

CV15V?1.043A

CV14V?1.043A

CV13V?1.043A

CV12V?1.043A

CV11V?1.043A

CV10V?1.043A

CV9V??1.043A

CV8.5V?1.043A

CV8V??VCC欠壓保護(hù)

0-94mA轉(zhuǎn)綠燈? 96mA以上轉(zhuǎn)紅燈

轉(zhuǎn)燈比例 94/1043=9%，轉(zhuǎn)燈比例可以控制在3-12%

編輯：黃飛

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