本應(yīng)用筆記介紹了采用表面貼裝封裝設(shè)計LITTLEFOOT?功率MOSFET的過程。它描述了功率MOSFET的驅(qū)動電感性負載，公共柵極驅(qū)動器以及磁盤驅(qū)動器應(yīng)用以及公共柵極級的驅(qū)動電容性負載
2021-05-25 11:30:07
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風(fēng)力發(fā)電的逆變設(shè)備，可以將蓄電池中的DC12V直流電轉(zhuǎn)換為和市電相同AC220V交流電。逆變器主要是由MOS場效應(yīng)管與電源變壓器為核心，通過模擬電路技術(shù)連接的。2016年至2018年 ，我國風(fēng)電裝機量從18.73GW增至21GW ， 2019年僅前5個月裝機量就新增6.88GW ，增長趨勢迅猛。
2022-07-08 15:45:456817 晶體管是電子學(xué)和邏輯電路中的基本構(gòu)件，用于開關(guān)和放大。MOSFET是場效應(yīng)晶體管(FET)的一種，其柵極通過使用絕緣層進行電隔離。因此，它也被稱為IGFET(絕緣柵場效應(yīng)晶體管)。
2023-12-29 09:58:116504 
繼上一篇超級結(jié)MOSFET技術(shù)簡介后，我們這次介紹下屏蔽柵MOSFET。
2024-12-27 14:52:095179 
電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/梁浩斌）近日英飛凌推出了CoolSiC MOSFET G2技術(shù)，據(jù)官方介紹，這是新一代的溝槽柵SiC MOSFET技術(shù)，相比上一代產(chǎn)品也就是CoolSiC MOSFET G1有
2024-03-19 18:13:184422 
80路串口（230400波特率）同時采集，同時解析，怎么將采集到的字符串解析，目前的思路是一個線程專門讀串口采集將讀取的用連接字符串連接起來存在全局變量里，另一個線程專門解析全局變量。請問大神有沒有
2018-04-30 08:58:45
設(shè)計在欠驅(qū)動狀態(tài)。一般而言，對于功率型MOSFET，10V的驅(qū)動電壓是比較推薦的。另外Rds(on)也是Tj的函數(shù)，一般可用如下公式進行計算：a是依賴于溝道技術(shù)參數(shù)，工藝和使用技術(shù)定下來，a是常量
2018-07-12 11:34:11
MOSFET的新一代MOSFET，在給定的硅面積中具有更低電阻率（R DS(on)），以實現(xiàn)更高的電流容量。我們的PowerStack?封裝技術(shù)將集成電路（IC）和MOSFET相互堆疊（見圖1），以提供能夠供應(yīng)
2019-07-31 04:45:11
MOSFET是指的什么？MOSFET的特性是什么？MOSFET有哪些應(yīng)用？
2021-07-09 07:45:34
MOSFET簡介MOSFET的一些主要參數(shù)MOSFET的驅(qū)動技術(shù)
2021-03-04 06:43:10
前篇對MOSFET的寄生電容進行了介紹。本篇將介紹開關(guān)特性。MOSFET的開關(guān)特性在功率轉(zhuǎn)換中，MOSFET基本上被用作開關(guān)。MOSFET的開關(guān)特性一般提供導(dǎo)通延遲時間：Td(on）、上升時間：tr
2018-11-28 14:29:57
我看mosfet的技術(shù)手冊，有兩個轉(zhuǎn)移特性曲線，但是不知道這兩個的區(qū)別在哪，為什么不一樣？
2015-10-23 20:51:09
(和理想化的Fuzz驅(qū)動開發(fā)流程)可以處理下一層的bug. 有些內(nèi)存bug可以通過靜態(tài)分析發(fā)現(xiàn)。基于軟件代碼加固技術(shù)使攻擊者發(fā)現(xiàn)內(nèi)存安全問題越來越難。Stack cookies, 不可執(zhí)行代碼的內(nèi)存
2022-08-18 11:24:47
，serial.h 和 serial.cpp可以直接移植到產(chǎn)品開發(fā)中使用，serial.cpp中open函數(shù)是核心，片段代碼如下：zb_msgzb_msg主要是把串口協(xié)議進行解析，串口協(xié)議設(shè)計如下：start
2022-09-27 16:08:06
細說電流隔離低壓差分信號傳輸 （LVDS）接口，涉及到串行數(shù)據(jù)傳輸?shù)募扔薪涌跇?biāo)準 (TIA/EIA-644)
2020-12-18 06:01:32
好的傳感器的設(shè)計是經(jīng)驗加技術(shù)的結(jié)晶。一般理解傳感器是將一種物理量經(jīng)過電路轉(zhuǎn)換成一種能以另外一種直觀的可表達的物理量的描述。而下文我們將對傳感器的概念、原理特性進行逐一介紹，進而解析傳感器的設(shè)計的要點。
2020-08-28 08:04:04
的峰值電壓等于輸入電壓，降低了開關(guān)所承受的電壓應(yīng)力。這種技術(shù)需要額外的MOSFET （Q2）和高端驅(qū)動器，且需要2個高壓低功率二極管（D3和D4），參見圖2。雙開關(guān)正激技術(shù)的每個開關(guān)周期包含3步：第1步
2022-01-06 06:30:00
)與電源轉(zhuǎn)換技術(shù)來提高電源轉(zhuǎn)換效率之外，新式功率器件在高效能轉(zhuǎn)換器中所扮演的重要角色，亦不容忽視。其中，Power MOSFET 目前已廣泛應(yīng)用于各種電源轉(zhuǎn)換器中。本文將簡述Power MOSFET
2025-03-06 15:59:14
也會出現(xiàn)一個與SWITCH同頻率的紋波，一般所說的紋波就是指這個。它與輸出電容的容量和ESR有關(guān)系。這個紋波的頻率與開關(guān)電源相同，為幾十到幾百KHz。另外，SWITCH一般選用雙極性晶體管或者MOSFET，不管是哪種，在其導(dǎo)通和截止的時候，都會有一個上升時間和下降時間。這時候在電路中就會出現(xiàn)一個與SW
2021-12-30 08:31:11
1,由于MOSFET的結(jié)構(gòu),通常它可以做到電流很大,可以到上KA,但是前提耐壓能力沒有IGBT強。2,IGBT可以做很大功率,電流和電壓都可以,就是一點頻率不是太高,目前IGBT硬開關(guān)速度可以到
2019-03-06 06:30:00
解析請求學(xué)習(xí)到下一跳分支的 NBMA地址。分支的NHRP解析與NHRP登記過程是有差別的，登記是分支在中心上登記自己，解析是分支通過中心尋址其他分支。分支首先向中心發(fā)送解析 請求，請求下一跳隧道IP地址
2024-07-26 06:07:39
清晰度或者解決各種各樣的音視頻問題。電子發(fā)燒友特意舉辦了這次音視頻技術(shù)博客大賽，給大家提供一個分享的平臺。所有涉及音視頻技術(shù)的博文，都可以在這里投稿，謝謝參與。本活動旨在建立一個技術(shù)交流平臺，鼓勵廣大
2013-11-12 19:50:40
）文章小結(jié)（5%） 2.參賽博文格式要求 （1）字數(shù)在1500-3000字之內(nèi)，內(nèi)容完整，有條理，能提供2到3張清晰的技術(shù)圖表， （2）對文、圖、表中的專業(yè)英文縮略詞作中文注解 （3）提供100字左右
2013-10-22 00:10:25
RF 功率 MOSFET的最大應(yīng)用是無線通訊中的RF功率放大器。直到上世紀90年代中期，RF功率MOSFET還都是使用硅雙極型晶體管或GaAs MOSFET。到90年代后期，的出現(xiàn)改變了這一
2019-07-08 08:28:02
一樣，商用SiC功率器件的發(fā)展走過了一條喧囂的道路。本文旨在將SiC MOSFET的發(fā)展置于背景中，并且 - 以及器件技術(shù)進步的簡要歷史 - 展示其技術(shù)優(yōu)勢及其未來的商業(yè)前景?！ √蓟杌蛱蓟璧臍v史
2023-02-27 13:48:12
KA,但是前提耐壓能力沒有IGBT強。2,IGBT可以做很大功率,電流和電壓都可以,就是一點頻率不是太高,目前IGBT硬開關(guān)速度可以到100KHZ,那已經(jīng)是不錯了.不過相對于MOSFET的工作頻率還是
2017-04-15 15:48:51
個管子的時候，我們也不知道這個管子GS有沒有電，這個管子有可能是導(dǎo)通的，放到電路上去焊接的時候，可能會出現(xiàn)問題。為了考慮到安全性，我們必須在電路設(shè)計的時候，在MOSFET的G和S之間要加一個電阻，這樣
2021-05-10 09:52:22
功率并不小，因為電壓高啊。低壓MOSFET，Rdson小，一般幾mΩ，比如3mΩ，可以做到幾十，甚至100A。下篇文章我們來講一下MOSFET的開通和關(guān)斷上期回顧：從無到有，徹底搞懂MOSFET講解（一）
2021-05-07 10:11:03
本帖最后由 張飛電子學(xué)院魯肅 于 2021-9-1 17:15 編輯
接下來接著看12N50數(shù)據(jù)手冊。上面這個參數(shù)是MOSFET的熱阻，RBJC 表示MOS管結(jié)溫到表面的熱阻，這里我們知道
2021-09-01 17:10:32
穩(wěn)定一些。這也就是為什么過了平臺區(qū)之后，管子不怎么震蕩了，這也和上面這幅圖表達的含義有關(guān)系的。上面這幅圖相對來說比較關(guān)鍵。它是MOSFET工作的一個安全區(qū)域。MOSFET選型的合適與否，就要看上面這幅圖
2021-09-07 15:27:38
MOSFET開時米勒平臺的形成過程的詳細解析！純手工畫圖解析，這資料還是可以的回帖直接下載原文檔 [hide]https://pan.baidu.com/s/1gf0A2pt[/hide]
2017-10-25 16:14:46
什么是MOSFET驅(qū)動器？MOSFET驅(qū)動器功耗包括哪些部分？如何計算MOSFET的功耗？
2021-04-12 06:53:00
從IPv4到IPv6組播過渡技術(shù)解析
2021-05-27 06:37:15
就小了。假設(shè)MOSFET的導(dǎo)通閾值是1V 或者2V，那么一個3.3V的單片機就可以搞定了。那么，我們也知道，高閾值的管子開通的上升沿是很長的，從關(guān)斷到完全開通需要t0-t4這個時間。那么低閾值
2021-08-11 16:34:04
結(jié)溫到表面的熱阻，這里我們知道RBJC=0.75。熱阻的計算公式：，其中，Tj表示MOSFET的結(jié)溫，最大能承受150℃Tc表示MOSFET的表面溫度。通過上面公式可以計算一下，表面溫度在25
2021-08-16 11:07:10
光耦PC817中文解析
2012-08-20 14:32:28
扔掉電源線，給自己的智能手機進行無線充電。這對于許多人來說可能有點天方夜譚。但事實上，無線充電技術(shù)很快就要進入大規(guī)模的商用化，這項此前不為大眾所熟悉的技術(shù)，正悄然來到我們的面前。全面解析無線充電技術(shù)
2016-07-28 11:13:33
六大汽車安全技術(shù)全解析
2012-08-20 13:15:06
關(guān)于TFT-LCD的三種廣視角技術(shù)解析，不看肯定后悔
2021-06-04 06:09:29
關(guān)于汽車電子功率MOSFET技術(shù)，總結(jié)的太棒了
2021-05-14 06:13:01
，工程師們已定義一套FOM以應(yīng)用于新的低壓功率MOSFET技術(shù)研發(fā)。由此產(chǎn)生的30伏特(V)技術(shù)以超級接面(Superjunction)為基礎(chǔ)概念，是DC-DC轉(zhuǎn)換器的理想選擇；相較于橫向和分裂閘極
2019-07-04 06:22:42
功率MOSFET數(shù)據(jù)表都包括一組熱電阻數(shù)字，以便為客戶提供器件熱性能的參考點。功率MOSFET數(shù)據(jù)表中提供的最常見的兩種熱電阻是結(jié)到環(huán)境和結(jié)到管殼的熱阻抗。結(jié)到管殼的熱電阻定義為“從半導(dǎo)體器件的工作部分到封裝外部
2018-10-18 09:13:03
樣的。（3）由于我們是410c 的平臺我們cd 到device/qcom/msm8916_64下新建一個文件夾叫Tem/ 接著我們把我們需要內(nèi)置的文佳復(fù)制到Tem/中 （4）在device/qcom
2018-09-25 16:51:36
基于嵌入式的遠程測試控制技術(shù)解析，不看肯定后悔
2021-05-27 07:02:58
基于泰克MSO64的全新時頻域信號分析技術(shù)解析，看完你就懂了
2021-06-17 08:04:35
使用功率 MOSFET 也有兩年多時間了，這方面的技術(shù)文章看了不少，但實際應(yīng)用選型方面的文章不是很多。在此，根據(jù)學(xué)到的理論知識和實際經(jīng)驗，和廣大同行一起分享、探討交流下功率 MOSFET 的選型
2019-11-17 08:00:00
【追蹤嫌犯的利器】定位技術(shù)原理解析（4）
2020-05-04 12:20:20
新型低功耗無線標(biāo)準ZigBee技術(shù)解析，不看肯定后悔
2021-06-04 06:28:11
金鑒出品】新能源汽車SiC MOSFET芯片漏電紅外熱點定位+FIB解析碳化硅器件的高壓高頻和高效率的優(yōu)勢，可以突破現(xiàn)有電動汽車電機設(shè)計上因器件性能而受到的限制，這是目前國內(nèi)外電動汽車電機領(lǐng)域研發(fā)
2018-11-02 16:25:31
氮化鎵功率半導(dǎo)體技術(shù)解析基于GaN的高級模塊
2021-03-09 06:33:26
最近我們在弄一個TTL解析程序我用51做了一個PWM的電機控制，再通過傳感器測速的出來的TTL電平數(shù)據(jù)讀到51單片機里面。再顯示到12864上面?，F(xiàn)在是這個TTL的解析程序沒有壇子里面有沒有同學(xué)有這方面的程序呀能不能共享一下，或者在這方面指點一下。謝謝了
2013-08-02 13:01:19
應(yīng)用看，未來非常廣泛且前景被看好。與圈內(nèi)某知名公司了解到，一旦國內(nèi)品牌誰先成功掌握這種技術(shù)，那它就會呈暴發(fā)式的增加。在Si材料已經(jīng)接近理論性能極限的今天，SiC功率器件因其高耐壓、低損耗、高效率等特性
2019-09-17 09:05:05
` 本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 09:50 編輯
在小尺寸器件中驅(qū)動更高功率得益于半導(dǎo)體和封裝技術(shù)的進步。一種采用頂部散熱標(biāo)準封裝形式的新型功率MOSFET就使用了新一
2012-12-06 14:32:55
碳化硅MOSFET開關(guān)頻率到100Hz為什么波形還變差了
2015-06-01 15:38:39
`藍牙模塊詳細解析物聯(lián)網(wǎng)在智能家居、電子產(chǎn)品等領(lǐng)域全面發(fā)展，使近距離通信的無線連接技術(shù)越來越多的應(yīng)用在物聯(lián)網(wǎng)新興產(chǎn)品中，為設(shè)備提供穩(wěn)定和低功耗的數(shù)據(jù)傳輸服務(wù)的藍牙模塊更是成為物聯(lián)網(wǎng)市場的寵兒，被
2018-06-13 17:24:08
運放正負12伏供電，運放輸出端連接mosfet的G極。mosfet的D連接500v直流高壓，mosfet的S極連接一個20歐姆電阻到地，20歐姆電阻連接運放反饋端，我想把運放個mosfet進行隔離，求方案。求器件。整個原理其實就是運放控制mosfet實現(xiàn)電流源。
2018-08-02 08:55:51
美國ALLEGRO文丘里風(fēng)機，氣動風(fēng)機，氣動通風(fēng)機，文丘里風(fēng)機應(yīng)用于：煉油廠、發(fā)電廠、造船廠、造紙和紙漿廠、海洋艦船、鋼鐵工業(yè)以及人孔（沙井）的通風(fēng)換氣。文丘里風(fēng)機特別適用于有毒煙霧
2022-10-18 16:30:36
MRF275G 射頻 MOSFET 晶體管產(chǎn)品解析產(chǎn)品概述MRF275G 是一款高性能的射頻 MOSFET 晶體管，專為頻率范圍在 100 MHz 到 500 MHz 之間的應(yīng)用而設(shè)計。該器件能夠
2024-10-23 11:01:58
UF28100V 射頻 MOSFET 晶體管產(chǎn)品解析產(chǎn)品概述UF28100V 是一款高性能的射頻 MOSFET 晶體管，專為頻率范圍在 100 MHz 到 500 MHz 之間的應(yīng)用而設(shè)計。該器件
2024-10-23 11:02:11
ARF1501 RF MOSFET 晶體管產(chǎn)品解析產(chǎn)品概述ARF1501 是一款高性能的 RF MOSFET 晶體管，專為高頻應(yīng)用而設(shè)計。該器件能夠承受高達 1000V 的電壓，并提供高達 750W
2024-10-23 11:02:24
IRFM450 功率MOSFET的詳細解析產(chǎn)品概述IRFM450是國際整流器（IR）公司推出的一款高壓功率MOSFET，專為高效能電源轉(zhuǎn)換和電機控制設(shè)計。其高電壓和高電流能力，使其在眾多工業(yè)和消費
2024-10-27 18:28:18
IRFY140CM 功率MOSFET的詳細解析產(chǎn)品概述IRFY140CM是國際整流器（IR）公司推出的一款高效功率MOSFET，專為高頻開關(guān)電源和電機驅(qū)動應(yīng)用設(shè)計。其優(yōu)異的性能使其成為電力電子領(lǐng)域
2024-10-27 18:28:55
IRFY240CM 功率MOSFET的詳細解析產(chǎn)品概述IRFY240CM是國際整流器（IR）公司推出的一款高效能功率MOSFET，專為高頻電源和電機控制應(yīng)用設(shè)計。其出色的性能使其在電力電子領(lǐng)域得到
2024-10-27 18:30:09
MOSFET的UIS及雪崩能量解析
在功率MOSFET的數(shù)據(jù)表中，通常包括單脈沖雪崩能量EAS，雪崩
2010-04-26 18:19:138880 
本文詳細介紹了FTTH，并分析了光纖寬帶通信，介紹了FTTH的技術(shù)標(biāo)準及高速光纖到戶接入技術(shù)的全解析。
2017-10-16 16:10:40
6 本文主要對特斯拉無人駕駛技術(shù)原理進行了最全面的解析，特斯拉的愿景是為所有人提供比人類駕駛更高的行車安全；為車主提供更低的交通成本；為無車之人提供低價、按需的出行服務(wù)。究竟特斯拉無人駕駛技術(shù)達到何種地步，人們能否完全在特斯拉電動車內(nèi)解放雙手，下面給大家詳細的解析一下。
2018-01-04 16:09:4861704 
一文解析PLC的應(yīng)用，具體的跟隨小編一起來了解一下。
2018-07-19 11:21:566116 
一文了解通信技術(shù)的常用名詞解釋
2020-06-19 17:55:306848 電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/李寧遠）MOSFET將輸入電壓的變化轉(zhuǎn)化為輸出電流的變化，起到開關(guān)或放大等作用。因為MOSFET器件是電壓控制型器件，在應(yīng)用中容易控制，而且MOSFET工作頻率高，符合功率器件
2021-10-21 15:52:312876 1、由于MOSFET的結(jié)構(gòu)，通常它可以做到電流很大，可以到上KA，但耐壓能力沒有IGBT強。
2、IGBT可以做很大功率，電流和電壓都可以，就是一點頻率不是太高，目前IGBT硬開關(guān)速度可以到
2022-02-11 10:47:5631 當(dāng)向MOSFET施加高于絕對最大額定值BVDSS的電壓時，會造成擊穿并引發(fā)雪崩擊穿。
2022-05-16 15:05:585500 
當(dāng)今最常見的三端半導(dǎo)體中的兩種是MOSFET和BJT。MOSFET是金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管。它是FET的變體。另一方面，BJT是雙極結(jié)型晶體管。
2022-06-20 16:37:3915404 
移動電話技術(shù)變革，AP+內(nèi)存堆棧技術(shù)運動，Interposer第一處理芯片
2022-11-30 11:26:092548 一文詳解精密封裝技術(shù)
2022-12-30 15:41:122358 MOSFET作為功率開關(guān)管，已經(jīng)是開關(guān)電源領(lǐng)域的絕對主力器件。雖然MOSFET作為電壓型驅(qū)動器件，其驅(qū)動表面上看來是非常簡單，但是詳細分析起來并不簡單。下面我會花一點時間，一點點來解析MOSFET的驅(qū)動技術(shù)，以及在不同的應(yīng)用，應(yīng)該采用什么樣的驅(qū)動電路。
2023-04-18 09:19:311254 SQL 引擎主要由三大部分構(gòu)成：解析器、優(yōu)化器和執(zhí)行器。
2023-06-18 10:46:111206 
MOSFET數(shù)據(jù)手冊常見參數(shù)解析——EASIGSS/Rds（on）/Coss
2023-06-19 09:53:142110 
ARP學(xué)習(xí)和老化機制在Linux網(wǎng)絡(luò)通信中起著至關(guān)重要的作用。ARP（Address Resolution Protocol）地址解析協(xié)議是將IP地址解析為MAC地址的一種機制。
2023-08-04 16:55:272147 功率MOSFET數(shù)據(jù)表參數(shù)
2023-08-24 09:13:061769 
電流互感器也是一種較為常見的電流檢測方法， 使用時使流過負載電流的導(dǎo)線或走線穿過電流互感器， 進而在電流互感器輸出端輸出與負載電流成一定比例的感應(yīng)電流。
2023-10-31 12:34:486068 
特別之處，只是在傳統(tǒng)溝槽MOSFET的工藝基礎(chǔ)上做結(jié)構(gòu)改進，提升了元器件愛你的穩(wěn)定性、低損耗等性能而已。具體一點就是提升了器件的開關(guān)特性和導(dǎo)通特性，降低了器件的特征導(dǎo)通電阻(Rsp)和柵極電荷(Qg
2024-11-08 10:36:3412782 
歡迎來到2025年，這一年承諾將重新定義我們對技術(shù)的思考方式。人工智能（AI）已經(jīng)從一種時尚的話題轉(zhuǎn)變?yōu)?b class="flag-6" style="color: red">一種無形的驅(qū)動力，推動著從個性化醫(yī)療保健到更智能的城市基礎(chǔ)設(shè)施等一切事物。如今，它是創(chuàng)新的支柱
2025-01-05 10:15:291419 SGT MOSFET，即屏蔽柵溝槽MOSFET，是一種先進的功率半導(dǎo)體器件。這種技術(shù)改變了MOSFET內(nèi)部電場的形態(tài)，將傳統(tǒng)的三角形電場進一步的變更為類似壓縮的梯形電場，可以進一步減小EPI層的厚度，降低導(dǎo)通電阻Rds(on)。
2025-01-22 13:55:545893 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《一文解析工業(yè)互聯(lián)網(wǎng).pptx》資料免費下載
2025-02-20 16:42:511 ：一種是IGBT，另一種是高壓(HV)MOSFET。在這兩種技術(shù)中，高壓MOSFET的采用正在加速，這主要得益于兩大趨勢。第一個趨勢是冰箱壓縮機系統(tǒng)的變頻化，通過
2025-05-16 11:08:28997 
偏移誤差、增益誤差、INL/DNL、轉(zhuǎn)換時間……這些關(guān)鍵指標(biāo)如何定義？如何影響DAC性能？本文DAC核心術(shù)語全解析帶您一文掌握關(guān)鍵參數(shù)！
2025-06-19 10:38:30485 
在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域，突破硅材料的物理極限一直是工程師們的終極挑戰(zhàn)。隨著電力電子設(shè)備向高壓、高效方向快速發(fā)展，傳統(tǒng)MOSFET結(jié)構(gòu)已逐漸觸及性能天花板。本文將深入解析超結(jié)MOSFET技術(shù)如何通過創(chuàng)新
2025-06-25 10:26:291701 
基本半導(dǎo)體B3M平臺深度解析：第三代SiC碳化硅MOSFET技術(shù)與應(yīng)用 第一章：B3M技術(shù)平臺架構(gòu)前沿 本章旨在奠定對基本半導(dǎo)體（BASIC Semiconductor）B3M系列的技術(shù)認知
2025-10-08 13:12:22500 
解析，為工程師的選型與設(shè)計提供技術(shù)參考。一、產(chǎn)品基本定位與結(jié)構(gòu)設(shè)計MOT4913J是一款N+N增強型MOSFET，采用PDFN3X3封裝形式，內(nèi)部集成兩個獨立的N
2025-10-23 10:50:59355 
作為一名電子工程師，在為電動汽車（xEV）應(yīng)用設(shè)計 DC - DC 轉(zhuǎn)換器和車載充電器時，合適的功率 MOSFET 模塊至關(guān)重要。今天就為大家詳細解析 onsemi 的 SiC 功率 MOSFET 模塊 NVXK2PR80WXT2。
2025-12-03 16:13:24633 
在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域，碳化硅（SiC）MOSFET 憑借其卓越的性能逐漸成為眾多應(yīng)用的首選。今天我們就來詳細解析 onsemi 的 NTHL045N065SC1 這款 N 溝道 SiC 功率 MOSFET。
2025-12-08 16:55:38626 
英飛凌雙柵極MOSFET 80V 48V開關(guān)板：技術(shù)解析與應(yīng)用前景 在現(xiàn)代電力電子領(lǐng)域，MOSFET（金屬 - 氧化物 - 半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管）是不可或缺的關(guān)鍵元件。英飛凌推出的雙柵極MOSFET
2025-12-19 15:20:03232 深入解析 IRF150DM115 MOSFET：特性、參數(shù)與應(yīng)用 在電子工程師的日常設(shè)計工作中，MOSFET（金屬 - 氧化物 - 半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管）是一種極為常見且關(guān)鍵的電子元件。今天，我們就來
2025-12-20 10:15:02589
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