今天的內(nèi)容僅為設(shè)計模擬LDO的一些考慮。數(shù)字LDO和混合型LDO的內(nèi)容下次再更新。

首先，讓我們了解一些基本概念。LDO是用來做什么的？對于一個電源來說，我們希望得到一個非常干凈的DC電壓，但是，負(fù)載的瞬態(tài)變化以及輸入紋波都是LDO需要考慮的干擾因素。

LDO使用誤差放大器來比較參考電壓和反饋的輸出電壓，通過調(diào)整功率晶體管的柵極電壓，來調(diào)整輸出電流大小。在等效電路模型中，LDO簡單地建模為一個可調(diào)電阻，確保當(dāng)輸入電壓和負(fù)載發(fā)生變化時輸出電壓是穩(wěn)定的。

壓差(Dropout Voltage)的定義為：LDO能夠支持的額定最大輸出電流情況下，最小的輸入減輸出的電壓差。

靜態(tài)電流IQ是輸入電流減輸出電流的差值。主要由三部分組成：基準(zhǔn)電壓源的電流，誤差放大器的電流以及電阻分壓器的電流。顯然，為了使電流效率最高，需要盡量小。

我們來看一下效率的計算公式。效率等于輸出功率與輸入功率之比。通常來說，IQ遠(yuǎn)小于負(fù)載電流，故可以忽略不計。當(dāng)輸入和輸出電壓差變大，效率會線性減小。因此效率低是LDO穩(wěn)壓器的主要問題。

可以考慮以下兩個例子，如果前級的DC-DC轉(zhuǎn)換器提供了1.2V的輸入，目標(biāo)輸出電壓是1.0V，并且當(dāng)傳輸100mA時，IQ為0.1mA，那么效率為1/1.2 = 83.3%。如果LDO直接與輸出電壓為3.7V的鋰離子電池連接，在其他條件相同的情況下，效率僅僅為27%。因此，LDO通常只作為第二級電源穩(wěn)壓器使用，前一級由開關(guān)電源實現(xiàn)高效率的功率電壓轉(zhuǎn)換。

現(xiàn)在我們來看一下電源抑制PSR的概念。PSR的定義為在一定頻率下，輸出紋波電壓和輸入紋波電壓的比值。為了測試PSR，我們可以在不同頻率下在上加入正弦波并觀察衰減的輸出紋波。

在電池供電的應(yīng)用中，1MHz到100MHz這個頻帶是比較重要的。因為前級的DC-DC轉(zhuǎn)換器工作在此頻率下，并且會產(chǎn)生幾mV到幾十mV的電源紋波。從應(yīng)用的角度看，MHz范圍里的PSR也十分重要。正如在4G的通信系統(tǒng)中，基帶信號的帶寬可以達(dá)到20MHz，而在5G系統(tǒng)中，帶寬超過100MHz。

對于負(fù)載瞬態(tài)響應(yīng)，一般使用輸出電容來提供緩沖電流，以緩解LDO環(huán)路延時。需要注意的是，電容不可避免地存在等效串聯(lián)電阻(ESR)。在古老的設(shè)計中，會添加ESR產(chǎn)生一個左半平面零點來補(bǔ)償次主極點以增加相位裕度?；蛘撸珽SR可能來源于布線的寄生電阻。負(fù)載瞬變過程中，ESR會提供額外的電壓誤差。比如當(dāng)負(fù)載從高到低發(fā)生瞬變時，在LDO反饋回路響應(yīng)之前，電容會提供絕大部分的輸出電流，而電容電流會在ESR產(chǎn)生一個相反方向的電壓。因此，我們會觀察到額外的負(fù)脈沖電壓（紅色部分）。

為了比較不同的LDO的性能，英特爾公司的Peter Hazucha提出了一種性能指標(biāo)FoM。其中，響應(yīng)時間TR等于負(fù)載電容乘以ΔVOUT再除以最大輸出電流。為了獲得更好的FoM，我們需要使用更小的IQ來提供更大的最大電流。為此，需要設(shè)計一種低功耗的快速響應(yīng)LDO。很明顯，這是功耗和速度的折中。如果速度不夠，那就只能電容（面積）來湊了。

除了響應(yīng)速度，PSR對于噪聲敏感的模擬和射頻負(fù)載來說是一個非常重要的指標(biāo)。此外，還有幾個考慮因素，比如實現(xiàn)低壓差才能實現(xiàn)高能量效率。同時，全集成LDO需要做到面積優(yōu)化，面積就是成本。并且，其性能相對于工藝制程來說應(yīng)該是要可擴(kuò)展的，即當(dāng)我們把同樣的電路結(jié)構(gòu)搬到更先進(jìn)工藝的情形下時，性能也應(yīng)該要相應(yīng)地變得更好。但這一點并不是所有的LDO設(shè)計都能滿足的，取決于設(shè)計者的思路和采用的架構(gòu)。這個后面還會提到。

在一個典型的LDO設(shè)計中，LDO會存在至少兩個低頻極點。Power MOS的柵極有很大的RC時間常數(shù)，這是因為誤差放大器的輸出電阻和柵極的寄生電容都很大。同時，輸出節(jié)點也有大電容，它來自濾波電容或者負(fù)載本身。顯然，由于LDO的負(fù)載電阻和導(dǎo)通電阻會隨著輸出電流的改變而改變，輸出極點也會因負(fù)載條件的不同而改變。

使LDO反饋回路穩(wěn)定是LDO設(shè)計中最基本的需求。因此，在我們設(shè)計LDO的時候，我們需要想清楚應(yīng)該把LDO的主極點設(shè)計在什么位置。

如果我們把主極點設(shè)計在輸出節(jié)點處，當(dāng)負(fù)載較大時，單位增益頻率UGF在重載條件下會增加，因為輸出極點會移到更高的頻率。當(dāng)單位增益頻率接近第一個非主極點時，環(huán)路的穩(wěn)定性會降低。

另一方面，如果我們把主極點設(shè)計在LDO的內(nèi)部節(jié)點時，需要把內(nèi)部極點設(shè)計在較低的頻率下。這樣在輕載或空載的情況下，輸出幾點會接近主極點，環(huán)路的穩(wěn)定性會受到的限制。

另一方面，如果考慮到PSR的影響，最好把主極點放在輸出節(jié)點。這樣我們可以在輸出節(jié)點處放置一個大電容來濾去電源的紋波。這樣，當(dāng)頻率高于的頻率時，高頻紋波就會被負(fù)載電容濾去。

而在內(nèi)部主極點的情形下，PSR主要由LDO穩(wěn)壓反饋回路決定。當(dāng)環(huán)路增益減小時，PSR會變得很差。在UGF附近的頻率處，PSR下降到大約0dB，即沒有PSR。

該表總結(jié)了把主極點設(shè)計在輸出節(jié)點和內(nèi)部節(jié)點時的各自優(yōu)缺點。把輸出極點PO作為主極點時，當(dāng)工藝尺寸變小時，電路性能也會隨之變好，這是因為在更先進(jìn)的工藝條件下，內(nèi)部極點更容易被推到高頻。而把內(nèi)部極點作為主極點時，即使工藝變得更好，單位增益頻率UGF也難以提升，因為在輕載的情況下，UGF會受到的限制（除非引入其他的零點技術(shù)在補(bǔ)償次極點）。把PO作為主極點的缺點是，需要大電流來驅(qū)動內(nèi)部極點去到高頻，這樣會導(dǎo)致LDO的靜態(tài)電流增加。

我們可以選擇PMOS或NMOS來作為功率管。顯然，PMOS更容易在低壓下被驅(qū)動，而同樣條件下，NMOS需要更高的電壓來驅(qū)動。為了保持低壓差，一般需要用到升壓電荷泵電路來驅(qū)動NMOS的誤差放大器EA。

就輸出阻抗而言，由于NMOS功率級的一個源級跟隨器，因此它可以提供對負(fù)載瞬態(tài)變化的本征響應(yīng)（intrinsic response）。因為在LDO反饋回路響應(yīng)之前，VOUT已下降，那么NMOS功率管的VGS會隨之增加，并因此自動提供更大的輸出電流。因此，在輸出阻抗ZoN的計算中，我們將1/gmN與其他因子并聯(lián)，其中g(shù)mN為NMOS功率管的跨導(dǎo)。

基于NMOS LDO的特性，Replica LDO是一種簡單適用于數(shù)字負(fù)載的選擇。在Replica LDO中，MN1和MN2是一對尺寸比為1:N匹配晶體管。如果偏置電流IB和輸出電流之比也為1:N，VOUT則近似等于VMIR，其中VMIR是基準(zhǔn)電壓VREF的鏡像電壓。當(dāng)然，IB和輸出電流不可能完全匹配，所以VOUT會隨著負(fù)載電流的變化而變化。如果負(fù)載能夠接受電源的變化，比如數(shù)字電路，就問題不大。

另一個好處是，相比于well-regulated情況，VOUT隨負(fù)載變化的情況在瞬態(tài)響應(yīng)的時候會實現(xiàn)更小的undershoot和overshoot， 如右下角的圖。

前面講到，Source Follower的輸出阻抗為1/gm。有論文提出了一種新型的源級跟隨器Fliipped-Voltage Follower (FVF)。與普通的源級跟隨器相比，F(xiàn)VF具有更大的輸出電流能力和更小的輸出阻抗。在FVF結(jié)構(gòu)中，M1作為共柵放大級，如果vo發(fā)生一個很小的變化，這一變化將被gm1ro1倍放大到va，并會控制M2的跨導(dǎo)gm2。因此，F(xiàn)VF的輸出阻抗為1/gm1ro1gm2。

良好的輸出電流的能力使得FVF本身即可作為一個簡單的LDO，其中VSET僅為M8提供直流偏置。當(dāng)I1和I2，M7和M8大小匹配時，VOUT應(yīng)該近似等于VMIR，其值接近VREF。誤差放大器和VSET電壓偏置僅消耗微小的電流，因為它們僅提供直流偏置電壓。與具有的差分輸入對的傳統(tǒng)LDO相比，F(xiàn)VF是單端結(jié)構(gòu)，它的電流利用率相對差分結(jié)構(gòu)更高。因為傳統(tǒng)差分輸入的誤差放大器的一端在LDO里面是恒定接VREF，那一條只支路的電流被浪費了。

但是，簡單結(jié)構(gòu)的電路只能提供很小的環(huán)路增益，這會導(dǎo)致DC regulation較差。為了達(dá)到更大的DC增益，可以使用共源共柵FVF結(jié)構(gòu)。它采用M2作為另一個共柵放大器級?，F(xiàn)在，環(huán)路中存在來自于VOUT、VA、VG的三個極點。因此，從穩(wěn)定性角度來考慮，需要采用密勒補(bǔ)償。

如圖顯示了一種典型的LDO，其帶有片外負(fù)載電容和一個內(nèi)插的buffer。片外的大電容使得輸出極點很容易能成為主極點。同時，buffer的輸入電容和輸出阻抗都很小，這樣可以更好地驅(qū)動MOS功率管。因此，buffer的作用是把MOS功率管的一個低頻極點拆分成兩個相對高頻的極點。實現(xiàn)buffer最簡單的方法是使用一個輸出阻抗為1/gm的源跟隨器。但是，如果我們想進(jìn)一步降低輸出阻抗，只用source follower，需要消耗很大的電流。

我們可以使用負(fù)反饋特性來進(jìn)一步減小輸出阻抗，而不是簡單地增加source follower的偏置電流。如上圖計算的那樣，如果有一個環(huán)路增益為βA0的負(fù)反饋，輸出阻抗可以減小1+βA0倍。

利用負(fù)反饋的特性，我們就得到了super source follower (SSF)，它增加了一個晶體管M2用于減小輸出阻抗。雖然在SSF中多了一個分支消耗功率，但是DC偏置電流得到了更高效的利用。當(dāng)輸入減小時，將有更多的動態(tài)電流可以用來下拉緩沖器的輸出。