巧分高頻鍺管與低頻鍺管的方法

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鍺管(9010) 鍺管(9010)

半導(dǎo)體三極管的分類

半導(dǎo)體三極管的分類半導(dǎo)體三極管的種類很多，按半導(dǎo)體材料和導(dǎo)電極性來分有硅材料的NPN 管、PNP 管和鍺材料的NPN管和PNP管;按半導(dǎo)體三極管耗散功率來分，有小功率三極

2009-08-22 15:43:53

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硅管/鍺管/高頻管/低頻管的判別

硅管和鍺管在特性上有很大不同，使用時(shí)應(yīng)加以區(qū)別。我們知道，硅管和鍺管的PN結(jié)正向電阻是不一樣的，即硅管的正向電阻大，鍺管的小。

2011-11-21 11:16:55

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二極管的結(jié)構(gòu)和分類

，安于N區(qū)的電極稱為陰極。二極管的符號如下圖中的4所示。二、二極管的分類 1、根據(jù)基片材料分類根據(jù)基片材料不同，二極管分為鍺二極管和硅二極管。鍺二極管以本征鍺材料為基片，硅二極管以本征硅材料為基片。 1）鍺管的閥電壓或死區(qū)電壓

2023-09-24 15:37:29

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3.6V轉(zhuǎn)3.3V想加個(gè)二極管，求指教什么型號的鍺管

3.6V轉(zhuǎn)3.3V，想加個(gè)二極管求指教什么型號的鍺管，什么封裝，最好是0603的封裝。謝謝了

2019-04-23 04:18:08

鍺化硅工藝在高速通信領(lǐng)域有哪些應(yīng)用？

硅技術(shù)的迅猛發(fā)展使工程師們能夠設(shè)計(jì)和創(chuàng)建出新型電路，這些電路的速度和性能以前只有用基于GaAs和InP的HBT(異質(zhì)結(jié)雙極晶體管)和PHEMT技術(shù)才能達(dá)到，電路的核心就是鍺化硅(SiGe)工藝

2019-07-30 07:56:50

鍺化硅有什么特性和應(yīng)用

　　鍺化硅技術(shù)(Silicon germanium)從20世紀(jì)80年代問世以來，是一種高于普通硅器件的高頻半導(dǎo)體材料，應(yīng)用領(lǐng)域非常廣泛，尤其在新一代移動設(shè)備中，是良好的高功率放大器，例如：下變頻

2019-05-28 06:06:21

高頻管與低頻管的判別方法資料分享

高頻管和低頻管因其特性和用途不同而一般不能互相代用。因此，如果管子的型號看不清，或一時(shí)找不到該管子的有關(guān)資料，可以利用萬用表來快速判別它是高頻管還是低頻管。判別方法為：首先用萬用表測量三極管發(fā)射極

2021-05-13 06:44:35

三極管的作用和分類

（以下簡稱三極管）按材料分有兩種：鍺管和硅管。而每一種又有NPN和PNP兩種結(jié)構(gòu)形式，但使用最多的是硅NPN和鍺PNP兩種三極管，（其中，N是負(fù)極的意思（代表英文中Negative），N型半導(dǎo)體在

2018-10-18 15:41:55

三極管簡介

①三極管簡介：三極管是一種很常用的控制和驅(qū)動器件，常用的三極管根據(jù)材料分有硅管和鍺管兩種，原理相同，壓降略有不同，硅管用的較普遍，而鍺管應(yīng)用較少。三極管有 2 種類型，分別是 PNP 型和 NPN

2021-11-09 06:10:21

中國半導(dǎo)體器件型號命名方法相關(guān)資料分享

、3-三極管第二部分：用漢語拼音字母表示半導(dǎo)體器件的材料和極性。表示二極管時(shí)：A-N型鍺材料、B-P型鍺材料、C-N型硅材料、D-P型硅材料。表示三極管時(shí)：A-PNP型鍺材料、B-NPN型鍺材料

2021-05-25 08:01:53

二三極管基本知識介紹

小功率晶體管 )、3AX31(低頻小功率鍺管)等，它們的型號也都印在金屬的外殼上。我國生產(chǎn)的晶體管有一套命名規(guī)則，電子工程技術(shù)人員和電子愛好者應(yīng)該了解三極管符號的含義。　　符號的第一部分“3”表示

2013-04-06 12:19:25

二極管的特性和機(jī)構(gòu)

屬與鍺結(jié)合構(gòu)成PN結(jié)，并做出相應(yīng)的電極引線，外加管殼密封而成，如圖 2.7所示。由于點(diǎn)接觸型二極管金屬絲很細(xì)，形成的PN結(jié)面積很小，所以，也不能承受高的反向電壓和大的電流。這種類型的管子適于做高頻

2015-11-27 18:01:44

二極管的結(jié)構(gòu)

凌訊二極管是晶體二極管的簡稱，也叫半導(dǎo)體二極管，用半導(dǎo)體單晶材料（主要是鍺和硅）制成，是半導(dǎo)體器件中最基本的一種器件，是一種具有單方向?qū)щ娞匦缘臒o源半導(dǎo)體器件。晶體二極管由一個(gè)PN結(jié)加兩個(gè)引線電極

2016-04-11 14:11:02

二級管的應(yīng)用領(lǐng)域

的主要作用是把高頻信號中的低頻信號檢出。它們的結(jié)構(gòu)為點(diǎn)接觸型。其結(jié)電容較小，工作頻率較高，一般都采用鍺材料制成?！　?.阻尼　　阻尼二極管多用在高頻電壓電路中，能承受較高的反向擊穿電壓和較大的峰值電流

2020-12-25 14:41:46

關(guān)于鍺的SILVACO仿真程序

關(guān)于鍺的SILVACO仿真程序?yàn)槭参覍⑾旅娴墓钃Q成鍺之后，程序就一直停留在solvevdrain=0.05，只有將其值改為0，并將后一句刪除才會有輸出，但輸出并不好。求一個(gè)關(guān)于鍺的SILVACO仿真

2015-03-10 10:21:31

半導(dǎo)體三極管參數(shù)符號及基礎(chǔ)知識

用的有三極管和二極管兩種。三極管以符號BG（舊）或（T）表示，二極管以D表示。按制作材料分，晶體管可分為鍺管和硅管兩種。按極性分，三極管有PNP和NPN兩種，而二極管有P型和N型之分。多數(shù)國產(chǎn)管用xxx

2008-06-07 13:21:40

半導(dǎo)體二極管的構(gòu)造分類法

是在鍺或硅材料的單晶片上壓觸一根金屬針后，再通過電流法而形成的。因此，其PN結(jié)的靜電容量小，適用于高頻電路。但是，與面結(jié)型相比較，點(diǎn)接觸型二極管正向特性和反向特性都差，因此，不能使用于大電流和整流

2015-11-27 18:09:05

半導(dǎo)體命名方法相關(guān)資料推薦

、PIN-PIN型管、JG-激光器件。第四部分：用數(shù)字表示序號第五部分：用漢語拼音字母表示規(guī)格號例如：3DG18表示NPN型硅材料高頻三極管觸日本半導(dǎo)體分立器件型號命名方法二、日本生產(chǎn)的半導(dǎo)體分立器件

2021-05-25 07:46:36

半導(dǎo)體器件三極管相關(guān)資料下載

。實(shí)際上箭頭所指的方向是電流的方向。電子制作中常用的三極管有90××系列，包括低頻小功率硅管9013（NPN）、9012（PNP），低噪聲管9014（NPN），高頻小功率管9018（NPN）等。它們

2021-05-25 07:02:13

場效應(yīng)管是一種什么元件而晶體管是什么元件

代表二極管。第二位代表材料和極性。A代表PNP型鍺材料；B代表NPN型鍺材料；C為PNP型硅材料；D為NPN型硅材料。第三位表示用途，其中X代表低頻小功率管；D代表低頻大功率管；G代表高頻小功率管；A

2012-07-11 11:36:52

如何區(qū)分硅二極管和鍺二極管？

許多不同類型的二極管可供選擇。大多數(shù)早期的二極管都是由鍺單晶制成的。后來，隨著硅材料的解決和制造工藝，硅管得到了開發(fā)和推廣。以下是區(qū)分硅（Si）二極管和鍺（Ge）二極管的方法。I. 電路特性：硅管與鍺

2023-02-07 15:59:32

常用晶體管的高頻與低頻型號是什么？

晶體管依照用途大致分為高頻與低頻，它們在型號上的大致區(qū)別是什么？例如《晶體管電路設(shè)計(jì)》中列舉的：高頻（2SA****，2SC*****）、低頻（2SB****，2SD****）?，F(xiàn)在產(chǎn)品設(shè)計(jì)中最常用的型號是哪些？

2017-10-11 23:53:40

教你如何分辨晶體三極管的種類

0.2～0.3V，后者為0.6～0.7V。所以鍺三極管在發(fā)射極和基極之間只有0.2～0.3V的電壓，晶體管就開始工作。常用型號有：3AX系列的鍺低頻管、3AG系列的鍺高頻管、3AK系列的鍺開關(guān)管、3AD

2018-01-18 10:07:56

晶體三極管與MOSFET的講解，嶄新視角，讓你徹底搞懂三極管與mos管電路設(shè)計(jì)知識，絕對的經(jīng)典，錯過不再有

使用頻率分：低頻管、高頻管大功率管 > 1 W1. 直流參數(shù)（1 ）夾斷電壓U p（2 ）飽和漏極電流I DSS（3 ）開啟電壓U T（4 ）直流輸入電阻R GSFET BJT電壓控制器件電流

2021-03-15 16:32:25

晶體三極管的種類

～0.3V，后者為0.6～0.7V。所以鍺三極管在發(fā)射極和基極之間只有0.2～0.3V的電壓，晶體管就開始工作。常用型號有：3AX系列的鍺低頻管、3AG系列的鍺高頻管、3AK系列的鍺開關(guān)管、3AD系列

2018-01-31 10:14:10

電子元件檢驗(yàn)之晶體管

三極管※三極管分類1)按材料和極性分有硅/鍺材料的NPN與PNP三極管。　2)按功率分有小功率三極管、中功率三極管、大功率三極管。3)按用途分有高、中頻放大管、低頻放大管、低噪聲放大管、光電管、開關(guān)管

2017-04-06 11:16:47

電子元器件基礎(chǔ)知識—二極管

二極管(Diode)：電子學(xué)符號DA、從封裝材料分：玻璃二極管、塑封二極管；B、從半導(dǎo)體材分：鍺材質(zhì)二極管、硅材質(zhì)二極管；從功能分：開關(guān)二極管、整流二極管、發(fā)光二極管;C、不同的半導(dǎo)體材料特性

2018-07-10 10:08:11

硅鍺直接調(diào)制器HMC497LP4的特性是什么？應(yīng)用電路設(shè)計(jì)方法是什么？

本文介紹的寬動態(tài)范圍硅鍺直接調(diào)制器HMC497LP4 及其應(yīng)用電路設(shè)計(jì)方法能幫助工程師設(shè)計(jì)出滿足多頻段應(yīng)用的寬動態(tài)范圍直接調(diào)制器。

2021-04-21 06:11:59

請問什么型號的鍺三極管可以替代2N3096三極管？

1、硅三極管導(dǎo)通電壓是0.7V，鍺三極管導(dǎo)通電壓0.2-0.3V，請問什么型號的鍺三極管可以代替硅三極管2N3096，實(shí)現(xiàn)放大？

2019-02-25 16:02:30

3AX31 pdf datasheet (低頻小功率三極管)

三極管由于其特性不同，可選為低頻管、高頻管、開關(guān)管等。從材料來看，用途最廣泛的有鍺管和硅管兩類。3AX系列屬鍺管、低頻管一類。通常用于低頻放大電路中，下為3AX31技術(shù)性

2008-12-21 17:06:12

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低頻小功率三極管3AX31

低頻小功率三極管3AX31三極管由于其特性不同，可選為低頻管、高頻管、開關(guān)管等。從材料來看，用途最廣泛的有鍺管和硅管兩類。3AX系列屬鍺管、低頻管一類。通常

2009-11-12 13:41:51

kEYSIGHT 81623B 鍺光功率探頭

81623B 鍺光功率探頭關(guān)鍵性能技術(shù)指標(biāo)寬波長范圍：750 – 1800 nm經(jīng)濟(jì)型鍺探測器：建議為 850 nm5 mm 直徑探測器適用于 NA 至 0.3 和敞束型光纖特殊校準(zhǔn)選項(xiàng)：±2.5

2024-04-08 09:13:22

高頻管和低頻管的判別

　高頻管和低頻管因其特性和用途不同而一般不能互相代用。 ?這里介紹如何用萬用表來快速判別

2006-04-16 18:56:01

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硅管、鍺管的判別

硅管和鍺管在特性上有很大不同，使用時(shí)應(yīng)加以區(qū)別。我們知道，硅管和鍺管的PN結(jié)正向

2006-04-17 21:40:44

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鍺化硅（SiGe）技術(shù)在測試技術(shù)中的應(yīng)用

鍺化硅（SiGe）技術(shù)在測試技術(shù)中的應(yīng)用鍺化硅技術(shù)(Silicon germanium)從20世紀(jì)80年代問世以來，是一種高于普通硅器件的高頻半導(dǎo)體材料，應(yīng)

2008-11-26 21:20:43

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使用鍺雙極型PNP晶體管并帶又獨(dú)立二極管檢波的陷流測試振蕩器

使用鍺雙極型PNP晶體管并帶又獨(dú)立二極管檢波的陷流測試振蕩器電路圖

2009-03-29 09:35:26

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鍺檢波二極管的特性參數(shù)

鍺檢波二極管的特性參數(shù) ①正向電壓降VF: 檢波二極管通過額定正向電流時(shí)，在極間產(chǎn)生的電壓降。②額定正向電流lF: 在規(guī)定的使用條件下，允許通過的最大工作電

2009-08-22 15:34:07

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巧制穩(wěn)壓管

巧制穩(wěn)壓管電子愛好者手頭不可能擁有各種規(guī)格的穩(wěn)壓器，如何滿足自己在業(yè)余

2009-09-04 16:52:04

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巧制光敏三極管

巧制光敏三極管廉價(jià)的小功率硅三極管3DG6，可以制作成實(shí)用的光敏

2009-09-04 17:23:59

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鍺點(diǎn)接觸普通二極管特性的研究

鍺點(diǎn)接觸普通二極管特性的研究儀器　　2AP型晶體二極管一只；J1201型低壓電源；J2354

2009-10-13 15:08:03

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晶體管分類

晶體管分類按半導(dǎo)體材料和極性分類　　按晶體管使用的半導(dǎo)體材料可分為硅材料晶體管和鍺材料晶體管。按晶體

2009-11-05 10:48:53

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電池材料之鍺硅固溶體

電池材料之鍺硅固溶體由鍺和硅兩種元素形成的溶解度無限的替位固溶體。又稱

2009-11-09 09:48:52

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硅和鍺兩種二極管的特性曲線差異

硅和鍺兩種二極管的特性曲線差異 1）硅二極管反向電流比鍺二極管反向電流小的多，鍺管為mA級，硅管為nA級。這是因?yàn)樵谙嗤瑴囟认?b class="flag-6" style="color: red">鍺的ni比硅的ni要

2009-11-13 09:23:27

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三極管種類和三極管的種類分法

三極管種類和三極管的種類分法 a.按材質(zhì)分三極管種類有: 硅管、鍺管 b.按結(jié)構(gòu)分三極管的種類有: NPN 、 PNP c.按功能分三極管種類

2009-12-03 10:56:17

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鍺,鍺是什么意思

鍺,鍺是什么意思鍺，原子序數(shù)32，原子量72.61。1871年門捷列夫根據(jù)新排出的周期表預(yù)言了鍺的存在和性質(zhì)。1886年德國化學(xué)家溫克勒爾從（Winkler,C.A.1

2010-03-04 11:56:20

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隧道二極管與晶體管的組合使用

隧道二極管與晶體管的組合使用國產(chǎn)的隧道二極管全都是鍺材料做成的，其峰值電壓約為0.25伏左右，若這種鍺的遂道二極管要與硅晶體管并聯(lián)使用時(shí)，則遂道二極管BG2要串

2010-03-29 22:45:43

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晶體管的檢測經(jīng)驗(yàn)的分享

（一）晶體管材料與極性的判別 1.從晶體管的型號命名上識別其材料與極性國產(chǎn)晶體管型號命名的第二部分用英文字母AD表示晶體管的材料和極性。其中，A代表鍺材料PNP型管，B代表鍺

2012-07-23 15:38:00

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硅管、鍺管的判別

硅管、鍺管的判別，感興趣的小伙伴們可以看看。

2016-08-22 17:06:03

高頻管和低頻管的判別

高頻管和低頻管的判別，感興趣的小伙伴們可以看看。

2016-08-22 17:06:03

1n4148是硅管還是鍺管_硅管和鍺管的區(qū)別

1N4148是一種小型的高速開關(guān)二極管，開關(guān)比較迅速，廣泛用于信號頻率較高的電路進(jìn)行單向?qū)ǜ綦x，通訊、電腦板、電視機(jī)電路及工業(yè)控制電路用一個(gè)普通萬用表就可以測試。一般硅管正向電阻

2017-10-31 17:02:44

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為什么 CPU 只用硅做，而不用能耗更低的鍺做？

CPU就是在一張硅片上，刻幾百萬個(gè)晶體二極管。但是在很早之前，晶體管一直是用鍺做的。

2018-03-06 17:25:55

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淺談檢波二極管原理和選用技巧

如何選用檢波二極管檢波二極管在電子電路中用來把調(diào)制在高頻電磁波上的低頻信號（如音頻信號）檢出來。一般高頻檢波電路選用鍺點(diǎn)接觸型檢波二極管。它的結(jié)電容小，反向電流小，工作頻率高。選用檢波二極管時(shí)，要選擇工作頻率滿足要求，結(jié)電容小，反向電流小的二極管均可，但主要考慮的是工作頻率。

2018-06-13 08:57:00

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晶體三極管放大原理詳解晶體三極管放大電路

晶體三極管（以下簡稱三極管）按材料分有兩種：鍺管和硅管。

2018-08-15 16:15:30

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三極管制作來復(fù)再生式收音機(jī)

鍺三極管和硅三極管一樣，也有高頻管低頻管、大功率中功率小功率管之分?，F(xiàn)在來說一下如何用一支高頻鍺管3AG1來制作一個(gè)來復(fù)再生式單管收音機(jī)。

2019-08-14 17:01:33

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PNP三極管分析方法

晶體三極管按材料分有兩種：鍺管和硅管。而每一種又有NPN和PNP兩種結(jié)構(gòu)形式，但使用最多的是硅NPN和PNP兩種三極管，兩者除了電源極性不同外，其工作原理都是相同的，

2019-09-05 09:23:54

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半導(dǎo)體器件型號的命名方法和半導(dǎo)體二極管參數(shù)符號及其意義說明

一、中國半導(dǎo)體器件型號命名方法半導(dǎo)體器件型號由五部分（場效應(yīng)器件、半導(dǎo)體特殊器件、復(fù)合管、PIN型管、激光器件的型號命名只有第三、四、五部分）組成。五個(gè)部分意義如下：第一部分：用數(shù)字

2019-10-04 09:25:00

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鍺二極管的死區(qū)電壓_鍺二極管與硅二極管有何差別

鍺二極管就是用鍺材料制作的二極管。幾乎在所有的電子電路中，都要用到半導(dǎo)體二極管，它在許多的電路中起著重要的作用，它是誕生最早的半導(dǎo)體器件之一，其應(yīng)用也非常廣泛。

2019-10-09 10:07:34

32587

萬用表如何區(qū)分硅二極管與鍺二極管

將萬用表撥到RX100或RX1K檔位，測量二極管的正向?qū)娮?，根?jù)表頭指針的偏轉(zhuǎn)角度來判斷。如果指針都指示在中間或者中間偏右的位置，表明該二極管為硅管，如果指針偏到靠近0歐姆的位置，表明該二極管是鍺管。

2019-10-09 10:12:35

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PNP三極管在電路中有什么作用

晶體三極管分為PNP和NPN兩種。由于工藝和材料上的原因，鍺管是PNP的天下，鍺管中的NPN型規(guī)格少成本高性能差；硅管是NPN的天下，同樣硅管中的PNP型總體水平也要劣于NPN型。所以在設(shè)計(jì)鍺管電路要以PNP為主，硅管電路要以NPN為主。

2020-02-20 20:48:24

26982

指針萬用表：分辨高頻管和低頻管

三極管是高頻管還是低頻管可以查閱手冊得知，如果有專業(yè)儀器則可以在測量中看出。如果這兩方法都辦不到又不知三極管參數(shù)，也可以用指針式萬用表做一個(gè)簡單判斷。這里以500型萬用表為例，介紹利用萬用表測試區(qū)分高頻管和低頻管的辦法。

2020-06-17 17:57:02

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如何使用萬用表來判斷晶體管是硅管還是鍺管

硅管和鍺管在特性上有很大不同，使用時(shí)應(yīng)加以區(qū)別。我們知道，硅管和鍺管的PN結(jié)正向電阻是不一樣的，即硅管的正向電阻大，鍺管的小。利用這一特性就可以用萬用表來判別一只晶體管是硅管還是鍺管。

2020-06-30 17:54:00

鍺化硅工藝在高速通信領(lǐng)域有什么樣的應(yīng)用

硅技術(shù)的迅猛發(fā)展使工程師們能夠設(shè)計(jì)和創(chuàng)建出新型電路，這些電路的速度和性能以前只有用基于GaAs和InP的HBT（異質(zhì)結(jié)雙極晶體管）和PHEMT技術(shù)才能達(dá)到，電路的核心就是鍺化硅（SiGe）工藝

2020-09-08 10:47:00

BFP640 NPN硅鍺射頻晶體管的數(shù)據(jù)手冊免費(fèi)下載

本文檔的主要內(nèi)容詳細(xì)介紹的是BFP640 NPN硅鍺射頻晶體管的數(shù)據(jù)手冊免費(fèi)下載。

2020-07-17 08:00:00

中紅外光子集成電路的新型鍺波導(dǎo)平臺

我們通過晶片鍵合制備了具有2微米厚的掩埋氧化物層(BOX)的GeOI晶片。利用鍺晶片制作了鍺脊波導(dǎo)。鍺肋波導(dǎo)對2個(gè)微米波長是透明的，傳播損耗為1.4分貝/毫米，這可能是由側(cè)壁散射引起的。

2021-12-16 13:40:56

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在中紅外波長下，演示了一種具有大纖芯-包層指數(shù)對比度的鍺基平臺——氮化硅鍺波導(dǎo)。仿真驗(yàn)證了該結(jié)構(gòu)的可行性。這種結(jié)構(gòu)是通過首先將氮化硅沉積的硅上鍺施主晶片鍵合到硅襯底晶片上，然后通過層轉(zhuǎn)移方法獲得氮化硅上鍺結(jié)構(gòu)來實(shí)現(xiàn)的，該結(jié)構(gòu)可擴(kuò)展到所有晶片尺寸。

2021-12-16 17:37:57

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鍺基襯底抗蝕劑剝離工藝研究

具有高k柵極電介質(zhì)的鍺和絕緣體上鍺(GeOI)MOSFET由于鍺比硅具有更好的載流子傳輸特性，最近受到了先進(jìn)技術(shù)節(jié)點(diǎn)的關(guān)注。對于Ge或GeOI CMOS，必須確定Ge專用的抗蝕劑剝離工藝，因?yàn)?b class="flag-6" style="color: red">鍺

2022-05-25 16:43:16

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紅外波段的硅基鍺錫探測器

硅基襯底上外延鍺錫薄膜存在晶格失配和錫易分凝等難題，高質(zhì)量高錫組分鍺錫外延難度非常高。團(tuán)隊(duì)成員鄭軍副研究員長期聚焦鍺錫光電子材料與器件研究工作。深入研究高錫組分鍺錫材料生長機(jī)理和器件物理，解決了高錫組分鍺錫的應(yīng)變馳豫和錫分凝難題，制備出3dB帶寬3GHz

2022-07-10 11:31:46

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鍺二極管的死區(qū)電壓是多少_常用鍺二極管型號

鍺二極管的正向?qū)ㄋ绤^(qū)電壓約為0.2V不到，一般導(dǎo)通后的壓降按0.2V計(jì)算; 硅材料二極管的正向?qū)ㄋ绤^(qū)電壓約為0.6V，通后的壓降按0.7V計(jì)算。

2023-02-11 14:05:50

10490

什么是鍺二極管和鍺二極管的死區(qū)電壓

鍺二極管和硅二極管的主要區(qū)別在于其特性參數(shù)不同，鍺二極管的放大增益更高，但其截止頻率更低，而硅二極管的放大增益更低，但其截止頻率更高。

2023-02-19 16:12:46

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晶體管的結(jié)構(gòu)特點(diǎn)和伏安特性

今天為大家介紹晶體管由兩個(gè)PN結(jié)構(gòu)成，分為NPN型和PNP型兩類，根據(jù)使用材料的不同，將晶體管分為NPN型鍺管和NPN型硅管，PNP型鍺管和PNP型硅管。

2023-06-03 09:29:11

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鍺二極管常見型號如何判斷二極管是鍺管還是硅管

鍺二極管（Germanium diode）的死區(qū)電壓約為0.2V至0.3V之間。在低電壓下，鍺二極管會呈現(xiàn)較高的電流流動特性，但一旦電壓超過了死區(qū)電壓，鍺二極管將會變?yōu)樽钄酄顟B(tài)，電流幾乎不再通過。

2023-07-04 16:04:52

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鍺二極管型號及參數(shù) 硅管和鍺管有什么區(qū)別

具體的鍺二極管參數(shù)可能會因不同的制造商和型號而有所差異。在選擇和使用鍺二極管時(shí)，建議參考具體型號的規(guī)格表，并根據(jù)應(yīng)用需求選擇合適的參數(shù)。

2023-07-04 16:32:47

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商務(wù)部和海關(guān)總署發(fā)布公告，對鎵、鍺相關(guān)物限制出口

該公告規(guī)定了涉及金屬鎵、氮化鎵、氧化鎵、磷化鎵、砷化鎵、銦鎵砷、硒化鎵、銻化鎵，以及金屬鍺、區(qū)熔鍺錠、磷鍺鋅、鍺外延生長襯底、二氧化鍺、四氯化鍺等相關(guān)物項(xiàng)的出口許可要求。

2023-07-04 17:21:35

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鎵、鍺作為半導(dǎo)體材料有什么用途？

眾所周知，鎵、鍺是半導(dǎo)體應(yīng)用中非常重要的材料。

2023-07-06 10:05:19

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芯片制造主要用硅，為什么管制鎵和鍺的出口？

鎵和鍺是構(gòu)成半導(dǎo)體的重要材料，也是芯片制造的關(guān)鍵元素。其中氮化鎵（GaN）化合物可用于手機(jī)、電腦的LED顯示屏，也廣泛用于照明、電源、通信等領(lǐng)域。而鍺主要用于光纖通信、夜視鏡和衛(wèi)星上的太陽能電池。此外硅鍺（SiGe）是一種重要的半導(dǎo)體應(yīng)變材料，可大大提高晶體管的速度，在高速芯片中有著廣泛應(yīng)用。

2023-07-06 10:19:08

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限制出口的鎵和鍺有何重要性？

鎵和鍺是新興的戰(zhàn)略關(guān)鍵礦產(chǎn)，已被列入國家戰(zhàn)略性礦產(chǎn)名錄。中國在鎵和鍺的儲量和出口方面都處于全球領(lǐng)先地位。

2023-07-10 15:35:10

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鎵、鍺元素為何會影響整個(gè)半導(dǎo)體領(lǐng)域？

中國對鎵、鍺實(shí)施出口管制，短期內(nèi)會引起全球鎵、鍺的備貨潮，遭到相關(guān)企業(yè)瘋搶，推動相關(guān)海外產(chǎn)品價(jià)格大幅上漲，國外企業(yè)AXT股價(jià)已大幅下跌。

2023-07-13 09:26:26

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氫空位簇對鍺烷電子結(jié)構(gòu)的調(diào)控以及鍺烷中分子摻雜的影響

2013年， Bianco等通過CaGe2拓?fù)浠瘜W(xué)剝離的方法，首次在實(shí)驗(yàn)上合成了具有較高熱穩(wěn)定性和抗氧化性的單層鍺烷。

2023-08-24 16:15:14

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二極管如何區(qū)分硅管和鍺管

硅管由硅元素構(gòu)成，它的PN結(jié)電壓通常比鍺管高很多，為0.7伏（標(biāo)準(zhǔn)反向電壓）。硅管的熱穩(wěn)定性比鍺管好，即在高溫下仍能正常工作。硅管的最大工作溫度為150℃左右，這也是其常見應(yīng)用的溫度范圍。硅管的開關(guān)速度較快，出現(xiàn)的噪音非常小，是電子產(chǎn)品中最流行的二極管之一。

2023-08-26 09:47:57

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怎么判斷二極管是硅還是鍺

首先，可以通過觀察二極管的標(biāo)識來判斷其材質(zhì)是硅還是鍺。通常，二極管上會印有序列號、型號等標(biāo)識，同時(shí)也會標(biāo)明材質(zhì)“Silicon”或“Ge”。在判斷二極管的材質(zhì)時(shí)，可以通過觀察標(biāo)識來快速判斷其材質(zhì)。

2023-08-26 09:48:58

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為什么硅二極管的死區(qū)電壓比鍺二極管的死區(qū)電壓大？

為什么硅二極管的死區(qū)電壓比鍺二極管的死區(qū)電壓大？? 硅二極管和鍺二極管是電子學(xué)中非常常見的兩種二極管。二極管的死區(qū)電壓是指當(dāng)二極管處于反向偏置狀態(tài)時(shí)，為了使其在逆向方向上有所響應(yīng)，所需的外部驅(qū)動電壓

2023-09-17 09:57:13

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高頻三極管的用途和低頻三極管的區(qū)分

高頻三極管和低頻三極管的選擇取決于應(yīng)用的具體需求。高頻三極管的設(shè)計(jì)和制造要求更為嚴(yán)格，以確保在高頻率下的性能不受影響。在設(shè)計(jì)高頻電路時(shí)，除了選擇合適的三極管外，還需要考慮電路板設(shè)計(jì)、元件布局和信號完整性等因素。

2024-02-22 14:36:20

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通信——通過表面電荷操縱控制鍺的蝕刻

計(jì)算領(lǐng)域的潛在基礎(chǔ)材料。超薄二極管器件的制造需要去除用于同質(zhì)外延生長的襯底。對于硅來說，這一任務(wù)通常通過選擇性蝕刻來實(shí)現(xiàn)。然而，對于鍺來說，由于與硅相比在化學(xué)和氧化行為上的根本差異，需要新的蝕刻技術(shù)。蝕刻由

2024-04-25 12:51:46

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硅二極管和鍺二極管的區(qū)別

硅二極管和鍺二極管是兩種常見的半導(dǎo)體二極管，它們在電子電路中有著廣泛的應(yīng)用。這兩種二極管的主要區(qū)別在于它們的材料和一些電氣特性。引言在電子工程領(lǐng)域，二極管是一種基礎(chǔ)且重要的元件，它允許電流單向

2024-10-14 15:54:38

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硅二極管的反向飽和電流比鍺二極管大嗎

硅二極管和鍺二極管是兩種常見的半導(dǎo)體二極管，它們在電子電路中有著廣泛的應(yīng)用。這兩種二極管的主要區(qū)別在于它們的材料和特性，包括反向飽和電流。 1. 二極管的基本原理二極管是一種只允許電流單向流動

2024-10-14 16:30:06

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硅二極管和鍺二極管的區(qū)別是什么

半導(dǎo)體器件的主要材料。硅的能隙（Eg）約為1.12電子伏特（eV），這使得它在室溫下具有較高的熱穩(wěn)定性。硅二極管通常用于高頻和高功率應(yīng)用。鍺（Ge）：鍺是一種稀有金屬，其儲量比硅少。鍺的能隙（Eg）約為0.67電子伏特（eV），這使得

2024-11-18 09:17:59

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硅鍺材料、硅退火片和絕緣體上硅(SOI)的介紹

本文介紹硅鍺材料、硅退火片和絕緣體上硅（SOI）硅鍺（SiGe/Si）材料硅鍺（SiGe/Si）材料，作為近十年來硅基材料的新發(fā)展，通過在硅襯底上生長硅鍺合金外延層而制得。這種材料在多個(gè)領(lǐng)域

2024-12-24 09:44:12

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巧分高頻鍺管與低頻鍺管的方法

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