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時(shí)代芯存將第一個(gè)相變存儲器生產(chǎn)平臺

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2018-11-29 06:36:003849

IBM推出具有相變存儲器的8位模擬芯片

存儲器的。關(guān)鍵成分是種可以對電流作出反應(yīng)而發(fā)生相變的材料。它們通常是鍺、碲和銻的合金。在導(dǎo)電的那個(gè)相中,原子排列得很整齊。在另一個(gè)不導(dǎo)電的相中,原子四處運(yùn)動,被電流局部加熱,變得雜亂無章。兩個(gè)電極之間
2018-12-07 08:55:35397

半導(dǎo)體存儲器技術(shù)及發(fā)展趨勢詳解

新的技術(shù)出來。除了主流的電荷捕獲(charge trap)存儲器外,還有鐵電存儲器(FRAM)、相變存儲器(PRAM)、磁存儲器(MRAM)和阻變存儲器(RRAM)。
2019-01-01 08:55:0013980

NXP正在研究專有的相變存儲器 市場前景非??春?/a>

相變存儲器的工作原理和最新的研究進(jìn)展

近年來,非易失性存儲技術(shù)在許多方面都取得了些重大進(jìn)展,為計(jì)算機(jī)系統(tǒng)的存儲能效提升帶來了新的契機(jī),采用新型非易失性存儲技術(shù)來替代傳統(tǒng)的存儲技術(shù)可以適應(yīng)計(jì)算機(jī)技術(shù)發(fā)展對高存儲能效的需求。以相變存儲器
2019-03-19 15:43:0110827

關(guān)于IBM推出具有相變存儲器的8位模擬芯片性能分析介紹

為了解決這個(gè)問題,IBM的研究人員給相變存儲器引入了個(gè)所謂的投影段(projection segment)。投影段是該團(tuán)隊(duì)在2015年首次提出的,它是個(gè)金屬氮化物導(dǎo)電層,包裹著相變材料,并在電極之間平行于相變材料運(yùn)行。投影段信息的寫入和讀取過程分開。
2019-08-29 11:51:134277

相變存儲器在國際上首次實(shí)現(xiàn)嵌入式應(yīng)用

據(jù)介紹,相變存儲器種兼具壽命長且斷電后仍可保存數(shù)據(jù)兩種優(yōu)點(diǎn)的存儲器,而目前通用的存儲器技術(shù)主要是動態(tài)隨機(jī)存儲器和閃存兩種,占了95%的市場份額。
2019-08-27 17:19:221675

相變存儲器在技術(shù)方面上有什么特點(diǎn)

相變存儲器具有很多優(yōu)點(diǎn),比如可嵌入功能強(qiáng)、優(yōu)異的可反復(fù)擦寫特性、穩(wěn)定性好以及和CMOS工藝兼容等。
2019-09-18 11:14:402724

相變存儲器的工作原理是怎樣的

相變存儲器具有很多優(yōu)點(diǎn),比如可嵌入功能強(qiáng)、優(yōu)異的可反復(fù)擦寫特性、穩(wěn)定性好以及和CMOS工藝兼容等。
2020-01-07 15:17:516096

新興的非易失性存儲器技術(shù)誰將更勝

新興的非易失性存儲器技術(shù)主要有五種類型:閃存(Flash),鐵電隨機(jī)存取存儲器(FeRAM),磁性隨機(jī)存取存儲器(MRAM),相變存儲器(PCM)和RRAM。
2020-05-21 16:34:312446

存儲器和新興非易失性存儲器技術(shù)的特點(diǎn)

良好的設(shè)計(jì)是成功制造非易失性存儲器產(chǎn)品的重要關(guān)鍵,包括測試和驗(yàn)證設(shè)備性能以及在制造后次在晶圓和設(shè)備級別進(jìn)行質(zhì)量控制測試。新興的非易失性存儲器技術(shù)的制造和測試,這些技術(shù)支持物聯(lián)網(wǎng),人工智能以及先進(jìn)
2020-06-09 13:46:161487

帶你了解磁存儲器

存儲器統(tǒng)治市場長達(dá)幾十年的時(shí)間,其基本思想采用了m*n個(gè)可被磁化的鐵磁環(huán),m根東西走向的電線(X1-Xm)和n根南北走向的電線(Y1-Yn)組成個(gè)m*n個(gè)bit的存儲矩陣。如下圖所示:
2020-08-22 09:18:3913946

cnvrg.io是第一個(gè)集成MIG的ML平臺,這是項(xiàng)突破性的新功能

cnvrg.io用于機(jī)器學(xué)習(xí)的AI OS宣布NVIDIA多實(shí)例GPU(MIG)技術(shù)與其數(shù)據(jù)科學(xué)平臺進(jìn)行了原生集成。cnvrg.io是第一個(gè)集成MIG的ML平臺,這是項(xiàng)突破性的新功能
2020-09-16 16:53:393013

ARIZEAI,第一個(gè)進(jìn)入市場的ML觀測平臺

“ Arize AI是第一個(gè)上市的ML可觀察性平臺。我們是唯可收集實(shí)際數(shù)據(jù)并捕獲真實(shí)模型性能的平臺。隨著企業(yè)更多模型部署到生產(chǎn)中并且這些模型變得更加復(fù)雜,模型可觀察性是制作模型的關(guān)鍵成功?!薄狝rize AI首席執(zhí)行官Jason Lopatecki
2020-09-25 10:56:352017

改變未來的存儲技術(shù)的會不會是相變材料

存儲器是集成電路最重要的技術(shù)之,是集成電路核心競爭力的重要體現(xiàn)。然而,我國作為IC產(chǎn)業(yè)最大的消費(fèi)國,相較于國外三星、英特爾等大型半導(dǎo)體公司的存儲器技術(shù)與產(chǎn)品而言,我國存儲器的自給能力還相對
2020-09-26 12:01:182396

相變存儲器的技術(shù)特點(diǎn)與發(fā)展趨勢

。以相變存儲器為代表的多種新型存儲器技術(shù)因具備高集成度、低功耗等特點(diǎn)而受到國內(nèi)外研究者的廣泛關(guān)注,本文介紹相變存儲器的工作原理、技術(shù)特點(diǎn)及其國內(nèi)外最新研究進(jìn)展。 、相變存儲器的工作原理 相變存儲器(Phase Change
2022-12-20 18:33:252207

基于瑞薩MCU控制的P5Q串行相變存儲器

本應(yīng)用筆記描述了如何使用瑞薩電子制造的 MCU 控制由 Micron Technology, Inc. 制造的 P5Q 串行相變存儲器,并解釋了為此目的提供的示例代碼的用法。請注意,示例代碼是用于
2021-06-18 17:23:152073

什么是虛擬存儲器,虛擬存儲器的特征

虛擬存儲器存儲管理中個(gè)特別重要的概念,你要認(rèn)真掌握虛的定義和特征。此外,你還要知道為何要引入虛、實(shí)現(xiàn)虛技術(shù)的物質(zhì)基礎(chǔ)、虛容量受到哪兩方面的限制。
2020-11-25 16:37:2216660

只讀存儲器有哪些類型及相變存儲器的詳細(xì)介紹

對于存儲器,大家都有所了解,比如我們每天使用的手機(jī)內(nèi)就具備存儲器。為增進(jìn)大家對存儲器的認(rèn)識,本文將對只讀存儲器的種類予以介紹,并對相變存儲器、存儲器生命周期、技術(shù)進(jìn)行對比。如果你對存儲器相關(guān)內(nèi)容具有興趣,不妨繼續(xù)往下閱讀哦。
2020-12-06 10:31:009204

第一個(gè)Xilinx Vitis IDE入門helloworld程序

第一個(gè)Xilinx Vitis IDE入門helloworld程序
2021-01-23 06:37:568

自制鐵氧體磁存儲器的理論和設(shè)計(jì)技術(shù)

自制鐵氧體磁存儲器的理論和設(shè)計(jì)技術(shù)說明。
2021-04-28 15:58:4520

51匯編():存儲器結(jié)構(gòu)

文章目錄內(nèi)存結(jié)構(gòu)程序存儲器數(shù)據(jù)存儲器通用寄存區(qū)位尋址區(qū)般RAM區(qū)特殊功能寄存區(qū)內(nèi)存結(jié)構(gòu)MCS-51單片機(jī)在物理結(jié)構(gòu)上有四個(gè)存儲空間:片內(nèi)程序存儲器、片外程序存儲器、MCS-51單片機(jī)在物理結(jié)構(gòu)
2021-11-23 09:36:0513

Proteus的第一個(gè)工程

今天咱們先來聊聊如何用proteus建第一個(gè)基于8051單片機(jī)的流水燈工程。Proteus軟件是英國Lab Center Electronics公司出版的EDA工具軟件,首先不得不感嘆proteus
2021-11-25 14:36:1113

存儲器理解

存儲器的理解存儲器是由簡單的電子器件例如PMOS管、NMOS管進(jìn)行組合形成邏輯上的與非或門,之后在此基礎(chǔ)上,形成組合邏輯用于存儲信息,例如R-S鎖和門控D鎖,進(jìn)而進(jìn)步組合復(fù)雜化,形成我們
2021-11-26 19:36:0437

第一代光盤存儲器是什么存儲器

光盤存儲器種采用光存儲技術(shù)存儲信息的存儲器,主要聚焦激光束在盤式介質(zhì)上非接觸地記錄高密度信息。記錄薄層有非磁性材料和磁性材料兩種,前者構(gòu)成光盤介質(zhì),后者構(gòu)成磁光盤介質(zhì)。
2022-01-03 06:37:003334

第一個(gè)STM32CubeIDE項(xiàng)目

使用STM32CubeIDE的第一個(gè)項(xiàng)目開始第一個(gè)項(xiàng)目添加代碼今天開始做一個(gè)STM32CubeIDE的第一個(gè)項(xiàng)目,首先需要說明的:STM32CubeIDE是個(gè)免費(fèi)的軟件開始第一個(gè)項(xiàng)目在文件菜單中選
2021-12-29 19:29:0911

全球最低功耗相變存儲器:比主流產(chǎn)品低1000倍

華中科技大學(xué)成功研制全球最低功耗相變存儲器:比主流產(chǎn)品1000倍 來源:智訊 1月20日,從華中科技大學(xué)集成電路學(xué)院獲悉,該學(xué)院團(tuán)隊(duì)研制出全世界功耗最低的相變存儲器,比主流產(chǎn)品功耗低了1000倍
2022-01-21 13:15:001047

不同類別存儲器基本原理

存儲器是用來存儲程序和各種數(shù)據(jù)信息的記憶部件。存儲器可分為主存儲器(簡稱主存或內(nèi)存)和輔助存儲器(簡稱輔或外存)兩大類。和CPU直接...
2022-01-26 19:48:084

第一個(gè)C語言編譯的來源

不知道你有沒有想過,某種編程語言的第一個(gè)編譯是怎么來的呢?這不就是“雞生蛋,蛋生雞”的問題嗎?
2022-03-12 12:36:453089

存儲器工作原理及如何選擇存儲器品牌

存儲器是用來存儲程序和各種數(shù)據(jù)信息的記憶部件,更通俗地說,存儲器就是用來存放數(shù)據(jù)的地方。存儲器可分為主存儲器(簡稱主存或內(nèi)存)和輔助存儲器(簡稱輔或外存)兩大類,本文詳細(xì)為您科普存儲器的工作原理等知識。
2022-10-11 16:58:434875

淺談MCU中集成新型存儲器的選擇

基于上述因素,越來越多的MCU大廠開始選擇在MCU中集成新型存儲器,比如相變存儲器(PCM)、磁RAM(MRAM)和阻變存儲器(RRAM)等,當(dāng)然不同的大廠也有著他們不同的選擇…
2022-12-01 20:28:061421

教程|創(chuàng)建你的第一個(gè)Actor Framework

本文小編手把手教你如何在LabVIEW中創(chuàng)建你的第一個(gè)Actor Framework,跟著搭建并感受對象和類的神奇吧!
2022-12-26 17:00:145065

相變隨機(jī)存取存儲器(PCRAM)制造工藝

相變隨機(jī)存取存儲器具有低電壓操作、編程速度快、功耗小和成本低等特點(diǎn)。
2023-02-01 10:16:151623

寄存存儲器的區(qū)別

寄存存儲器的性質(zhì)不同,二者從字面意思就可以理解到一個(gè)是寄存,一個(gè)存儲。那么他們的具體的原理是存儲器需要從CPU當(dāng)中獲取部分空間用來存儲數(shù)據(jù)和些計(jì)算機(jī)操作指令;而寄存是直接暫時(shí)的數(shù)據(jù)來執(zhí)行操作。
2023-02-13 09:58:525367

IEDM 2022上的新型存儲器簡介

在筆者看來,市場對新興存儲器并不友善,盡管人們?nèi)匀幌M?b class="flag-6" style="color: red">存內(nèi)計(jì)算(copute in memory)能夠重振基于電阻、相變和其他特性的新型存儲器。
2023-02-14 11:33:403191

人類第一個(gè)傳感是什么?第一個(gè)MEMS傳感是?竟然很多人不知道!

世界上第一個(gè)現(xiàn)代傳感,人類第一個(gè)電信號傳感,第一個(gè)溫度傳感? 在些介紹傳感歷史的內(nèi)容中,有時(shí)候會將指南車、地動儀、日冕儀等等作為最古老的“傳感”,然而這些中國古代的偉大發(fā)明,雖然具有
2023-04-14 16:34:323188

單片機(jī)外擴(kuò)ram數(shù)據(jù)存儲器

個(gè)可隨時(shí)存取數(shù)據(jù)的存儲器,即可讀(取)或?qū)?)的存儲器,簡稱ram。
2023-07-25 15:28:372080

江蘇時(shí)代突然宣布公司重組!

2月24日,據(jù)最新消息,江蘇時(shí)代今天突然宣布公司重組,重組后華杰創(chuàng)集成電路制造(廣東)有限公司100%持有時(shí)代股權(quán)!
2024-02-25 13:57:113505

什么是相變存儲器?如何表征相變材料及器件電學(xué)性能?

相變存儲器(Phase-Change Random Access Memory,簡稱 PCRAM 或者PCM),是種非易失性存儲器,利用電能(熱量)使相變材料在晶態(tài)(低阻)與非晶態(tài)(高阻)之間的相互轉(zhuǎn)換來實(shí)現(xiàn)信息的存儲和擦除,通過測量電阻的變化讀出信息。
2024-04-27 06:35:002196

科技發(fā)布國產(chǎn)大容量3D存儲器芯片NM101

近日,武漢光谷企業(yè)新科技(武漢)有限責(zé)任公司(簡稱“新科技”)宣布,其自主研發(fā)的國產(chǎn)最大容量新型三維存儲器芯片“NM101”已成功面世。這創(chuàng)新成果有望打破國際巨頭在存儲器芯片領(lǐng)域的長期壟斷,為國產(chǎn)存儲器芯片的發(fā)展注入新的活力。
2024-10-09 16:53:552590

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