半導(dǎo)體三極管又稱“晶體三極管”或“晶體管”。在半導(dǎo)體鍺或硅的單晶上制備兩個(gè)能相互影響的PN結(jié),組成一個(gè)PNP(或NPN)結(jié)構(gòu)。
2020-07-06 14:03:00
9819 
硅片在大口徑化的同時(shí),要求規(guī)格的嚴(yán)格化迅速發(fā)展。特別是由于平坦度要求變得極其嚴(yán)格,因此超精密磨削技術(shù)得以開發(fā),實(shí)現(xiàn)了無蝕刻化,無拋光化。雖然在單晶SiC晶片上晶片磨削技術(shù)的開發(fā)也在進(jìn)行,但在包括成本
2022-04-15 14:54:49
2473 
產(chǎn)生的大量活性F原子造成的。,或參考“o”和n。因此,大濃度電中性蝕刻劑的生產(chǎn)提出了沖突的CDE設(shè)計(jì)要求。目前使用的設(shè)計(jì)選擇是通過“傳輸管”將等離子體源與蝕刻室分開這種管,內(nèi)襯化學(xué)惰性材料,如聚四氟乙烯,允許電荷中和,同時(shí)盡量減
2022-06-29 17:21:42
4327 
前兩天有一個(gè)客戶問我,電機(jī)的極數(shù)是什么意思,不同極數(shù)的區(qū)別是什么,雖然我是做無刷驅(qū)動(dòng)方案的,但是這方面我也可以給大家科普一下。首先,電機(jī)的極數(shù)指的是電機(jī)中磁極或繞組的數(shù)目。常見的電機(jī)極數(shù)有2極、4極
2025-08-22 18:07:13
8787 
電路圖如下!~想用光敏三極管的信號(hào)來使用單片機(jī)的外部中斷,但是單片機(jī)I/O口一直保持初始值高電平,不能被光敏三極管的信號(hào)改變。同樣的管腳,用一個(gè)震動(dòng)模塊產(chǎn)生的信號(hào)可是實(shí)現(xiàn)功能,但是光敏三極管就不能實(shí)現(xiàn)。請(qǐng)教高手是什么原因!~~如何解決?
2019-10-15 21:57:14
為了在基板上形成功能性的MEMS結(jié)構(gòu),必須蝕刻先前沉積的薄膜和/或基板本身。通常,蝕刻過程分為兩類:浸入化學(xué)溶液后材料溶解的濕法蝕刻干蝕刻,其中使用反應(yīng)性離子或氣相蝕刻劑濺射或溶解材料在下文中,我們將簡要討論最流行的濕法和干法蝕刻技術(shù)。
2021-01-09 10:17:20
和次級(jí)保護(hù)。三、再選用ESD靜電二極管時(shí),更多看的是ESD二極管的的ESD rating (HBM/MM)和IEC61000-4-2的LEVEL,高速的USB和I/O非常重視ESD二極管的C;而選用TVS二極管時(shí),看的是功率和封裝形式。靜電二極管規(guī)格書下載:
2022-05-18 11:23:17
PNP三極管發(fā)射極接地,基極通過1個(gè)3.3K的電阻接單片機(jī)I/O口,集電極通過1個(gè)1K的電阻接+5V;這樣的接法對(duì)嗎?PNP三極管發(fā)射極不是要接高電平的嗎?試驗(yàn)證明是對(duì)的,但不理解,請(qǐng)高手能詳細(xì)解答,謝謝!
2013-07-25 21:30:24
STM8S105 / 103的I / O引腳的“安全”漏極/源極電流是多少?以上來自于谷歌翻譯以下為原文 What is 'safe' sink/source current for I/O pins for STM8S105/103
2019-02-19 15:50:27
4000弧秒。3.3.由圓圈指定的數(shù)據(jù)來自峰值寬為~200弧秒的材料。 氧化鋅和相關(guān)化合物:圖3和圖4分別為Zn0.95Cd0.05O和Zn0.9Mg0.1O2的蝕刻率,作為25°C下HCl/H2O或H3PO4/H2O溶液濃度的函數(shù)。 對(duì)于Zn0.95Cd0.05O,可控的蝕刻速率(
2021-10-14 11:48:31
發(fā)射極感興趣,這可以避免AlGaAs 的氧化和深能級(jí)問題。用于器件制造的關(guān)鍵技術(shù)操作之一是濕化學(xué)蝕刻。在我們之前的論文中,我們介紹了一組在 HC1:C H3COOH:H2O2(所謂的 KKI)溶液中
2021-07-09 10:23:37
概述半導(dǎo)體三極管又稱“晶體三極管”或“晶體管”。在半導(dǎo)體鍺或硅的單晶上制備兩個(gè)能相互影響的PN結(jié),組成一個(gè)PNP(或NPN)結(jié)構(gòu)。中間的N區(qū)(或P區(qū))叫基區(qū),兩邊的區(qū)域叫發(fā)射區(qū)和集電區(qū),...
2021-11-10 07:21:20
不可分割的點(diǎn)接觸型和肖特基型,也被列入一般的二極管的范圍內(nèi)。包括這兩種型號(hào)在內(nèi),根據(jù)PN結(jié)構(gòu)造面的特點(diǎn),把晶體二極管分類如下:1、點(diǎn)接觸型二極管點(diǎn)接觸型二極管是在鍺或硅材料的單晶片上壓觸一根金屬針后,再
2018-08-22 11:36:57
凌訊二極管是晶體二極管的簡稱,也叫半導(dǎo)體二極管,用半導(dǎo)體單晶材料(主要是鍺和硅)制成,是半導(dǎo)體器件中最基本的一種器件,是一種具有單方向?qū)щ娞匦缘臒o源半導(dǎo)體器件。 晶體二極管由一個(gè)PN結(jié)加兩個(gè)引線電極
2016-04-11 14:11:02
本文記錄以二極管連接的MOS作為負(fù)載的共源極放大器。1. 原理分析二極管連接的MOS管如下圖所示。無論P(yáng)MOS還是NMOS,當(dāng)導(dǎo)通時(shí),均工作在飽和區(qū)。等效電阻為Rx=VxIx=1gm//Ro
2021-12-30 07:47:09
性能良好。通常高壓大功率肖特基二極管都用高純單晶硅制造(摻雜較多時(shí)容易反向擊穿)。這種器件的結(jié)面積較大,能通過較大電流(可達(dá)上千安),但工作頻率不高,一般在幾十千赫以下?! ∫?、肖特基二極管的選擇
2018-10-30 15:59:52
管是在鍺或硅材料的單晶片上壓觸一根金屬針后,再通過電流法而形成的。因此,其PN結(jié)的靜電容量小,適用于高頻電路。但是,與面結(jié)型相比較,點(diǎn)接觸型二極管正向特性和反向特性都差,因此,不能使用于大電流和整流
2015-11-27 18:09:05
x500) mm 的板子。在印制電路板制作中,在第二個(gè)蝕刻周期前放置板子的架子可以旋轉(zhuǎn)180° ,此外還提供了一個(gè)刷洗槽以沖洗蝕刻后的板子。這套設(shè)備蝕刻的極子走線分辨率可達(dá)小于(大于?)0. 1mm ,而且在新的FeCI3蝕刻溶液中其蝕刻速度只能達(dá)到90s 。
2018-09-11 15:27:47
MDD整流二極管的擊穿電壓高,反向漏電流小,高溫性能良好,通常高壓大功率MDD整流二極管都用高純單晶硅制造,這種器件結(jié)面積大,能通過較大電流(通??梢赃_(dá)到數(shù)千安),但工作頻率不高,一般在幾十千赫茲以下,整流二極管主要用于各種低頻整流電路。
2018-09-02 22:36:41
、點(diǎn)接觸型二極管 點(diǎn)接觸型二極管是在鍺或硅材料的單晶片上壓觸一根金屬針后,再通過電流法而形成的。因此,其PN結(jié)的靜電容量小,適用于高頻電路。但是,與面結(jié)型相比較,點(diǎn)接觸型二極管正向特性和反向特性都差
2011-10-14 13:49:44
(Si-needle)。之后再硅晶片放在一單晶片蝕刻機(jī)臺(tái)(single wafer machine)上,以背面蝕刻方式(backside etching)去除晶片正面邊緣上的硅針。 夾持臂用以夾持晶片至工作臺(tái)
2018-03-16 11:53:10
電流顯示出不同的變化規(guī)律,因此對(duì)新研制的用于直流輸電系統(tǒng)的ZnO閥片施加實(shí)際工作電壓波形來研究其小電流特性是很有必要的。
國內(nèi)的一些研究人員通過試驗(yàn)也認(rèn)為Zn0 閥片的伏安特性受電壓波形的影響很大,其
2024-06-03 08:53:10
保護(hù)。3.再選用ESD靜電二極管時(shí),更多看的是ESD二極管的的ESD rating (HBM/MM)和IEC61000-4-2的LEVEL,高速的USB和I/O非常重視ESD二極管的C;而選用TVS
2020-12-24 14:55:58
保護(hù)。3.再選用ESD靜電二極管時(shí),更多看的是ESD二極管的的ESD rating (HBM/MM)和IEC61000-4-2的LEVEL,高速的USB和I/O非常重視ESD二極管的C;而選用TVS
2021-12-30 17:52:36
本帖最后由 苦瓜你好 于 2016-9-27 10:28 編輯
有一道關(guān)于三極管的題:右邊的是我自己的答案,但是老師的答案跟我的不同,他的三極管反向電壓是不能導(dǎo)通的(T2到T3那一段是沒有
2016-09-27 10:26:57
雙極型三極管
因有電子和空穴兩種載流子參與導(dǎo)電過程,故稱為雙極型三極管。
雙極型
2008-07-14 11:44:05
0 單晶α-Al2O3、MgO、YSZ和TiO2在室溫下分別注入Ni+和Zn+離子,然后在氧化氣氛中退火,以形成金屬及其氧化物納米晶。形成的納米復(fù)合結(jié)構(gòu)分別采用X射線光電子能譜(XPS)表征各元素
2009-05-12 21:40:20
23 常見原電池電極反應(yīng)
1、 銀?鋅電池: 負(fù) 極:Zn + 2OH- - 2e- ? ZnO + H2O正 極:Ag2O + H2O + 2e-?2Ag + 2OH-總反應(yīng):Zn + Ag2O ? 2Ag + ZnO
2
2009-11-07 13:42:34
14 ZnO壓敏電阻的漏電流是壓敏電阻應(yīng)用中的重要參數(shù),它決定著施加穩(wěn)態(tài)外電壓時(shí)的功率損耗,因而就決定了壓敏電阻的工作電壓。文章綜述了ZnO壓敏電阻材料的顯微結(jié)構(gòu),晶粒
2010-03-05 13:36:56
31 什么是雙極型三極管
因有電子和空穴兩種載流子參與導(dǎo)電過程,故稱為雙極型三極管。
雙極型
2008-07-14 11:39:12
9136 
什么是單晶硅
可以用于二極管級(jí)、整流器件級(jí)、電路級(jí)以及太陽能電池級(jí)單晶產(chǎn)品的生產(chǎn)和深加工制造,其后續(xù)產(chǎn)品集成電
2009-03-04 15:14:50
4416 場(chǎng)效應(yīng)三極管的型號(hào)
場(chǎng)效應(yīng)三極管的型號(hào), 現(xiàn)行有兩種命名方法。其一是與雙極型三極管相同,第三位字母J代表結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管,O代表絕緣柵場(chǎng)效
2009-11-09 15:57:08
5049 源極,什么是源極,源極是什么意思
場(chǎng)效應(yīng)晶體管(Field Effect Transistor縮寫(FET))簡稱場(chǎng)效應(yīng)管。一般的晶體管是由兩種極性的載流子,即多數(shù)
2010-02-26 11:22:00
8350 二極管,二極管是什么意思
目錄
1 二極管的基本結(jié)構(gòu)
2010-02-26 12:03:38
12003 三極管,三極管是什么意思
三極管
半導(dǎo)體三極管也稱為晶體三極管,可以說它是電子電路中最重要的器件。三極管顧名思義具有三個(gè)電極
2010-03-06 09:36:18
11302 雙極線性集成電路單晶硅7358A電子類手冊(cè)下載
2022-03-22 17:36:06
57 Zn0電極的光電性質(zhì);1980年還是Matsu砌ra 等2o采用多孔的znO作電極,在波長562nm處產(chǎn)生了2.5%的單色光轉(zhuǎn)換效率。但是在隨后的幾年里,有關(guān)znO電極的研究并沒有取得實(shí)質(zhì)性的進(jìn)展。直到
2017-09-21 14:37:44
3 三相異步電動(dòng)機(jī)“極數(shù)”是指定子磁場(chǎng)磁極的個(gè)數(shù)。定子繞組的連接方式不同,可形成定子磁場(chǎng)的不同極數(shù)。選擇電動(dòng)機(jī)的極數(shù)是由負(fù)荷需要的轉(zhuǎn)速來確定的,電動(dòng)機(jī)的極數(shù)直接影響電動(dòng)機(jī)的轉(zhuǎn)速。
2017-11-10 12:51:54
45045 極路由是北京極科極客科技有限公司生產(chǎn)的一款高速智能無線路由器。本文詳細(xì)介紹了極路由詳細(xì)設(shè)置圖文教程,其中包括了四個(gè)步驟即:正確連接極路由路由器、設(shè)置電腦IP地址和設(shè)置極路由上網(wǎng)及檢查上網(wǎng)設(shè)置是否成功。
2018-03-05 16:11:26
128203 齊納二極管的行為就像一個(gè)普通的通用二極管,由硅PN結(jié)構(gòu)成,當(dāng)正向偏置時(shí),就是陽極相對(duì)于其陰極,它的行為就像通過額定電流的正常信號(hào)二極管一樣。
2019-06-22 11:05:17
44925 
單晶硅也稱硅單晶,是電子信息材料中最基礎(chǔ)性材料,屬半導(dǎo)體材料類。單晶硅主要用于半導(dǎo)體集成電路、二極管、外延片襯底、太陽能電池。
2019-06-24 14:46:31
22141 
二極的就是兩對(duì)磁極,電機(jī)轉(zhuǎn)速較快,但輸出的勁沒有四極的大,四極的轉(zhuǎn)速較二極的又慢一半,但勁大 六極的轉(zhuǎn)速更是慢,勁也大于四極的我是說相同功率 的電機(jī)。
2019-12-19 09:00:02
66092 點(diǎn)接觸型二極管是在鍺或硅材料的單晶片上壓觸一根金屬針后,再通過電流法而形成的。
2020-01-10 14:34:59
7081
評(píng)論