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電子發(fā)燒友網(wǎng)>制造/封裝>O極和Zn極ZnO單晶的蝕刻行為

O極和Zn極ZnO單晶的蝕刻行為

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2022-03-07 15:26:14966

AFN塊體單晶的濕法蝕刻和紅外吸收研究報(bào)告

摘要 采用濕法腐蝕、x射線衍射(XRD)和紅外吸收等方法研究了物理氣相色譜法(PVT)生長AlN(0001)單晶的缺陷和晶格完善性。 一個(gè)正六邊形的蝕刻坑密度(EPD)約為4000厘米在AlN
2022-03-14 14:40:34733

單晶硅片堿性溶液中的蝕刻速率

本文研究了用金剛石線鋸切和標(biāo)準(zhǔn)漿料鋸切制成的180微米厚5英寸半寬直拉單晶硅片與蝕刻時(shí)間的關(guān)系,目的是確定FAS晶片損傷蝕刻期間蝕刻速率降低的根本原因,無論是與表面結(jié)構(gòu)相關(guān),缺陷相關(guān),由于表面存在的氧化層,還是由于有機(jī)殘差。
2022-03-16 13:08:091159

單晶硅各向異性蝕刻特性的表征

在本文章中,研究了球形試樣的尺寸參數(shù),以確定哪種尺寸允許可靠地測(cè)量各向異性蝕刻中的方向依賴性,然后進(jìn)行了一系列的實(shí)驗(yàn),測(cè)量了所有方向的蝕刻速率。這導(dǎo)致建立了一個(gè)涵蓋廣泛的氫氧化鉀蝕刻條件范圍的蝕刻
2022-03-22 16:15:00966

詳解單晶硅的各向異性蝕刻特性

為了形成膜結(jié)構(gòu),單晶硅片已經(jīng)用氫氧化鉀和氫氧化鉀-異丙醇溶液進(jìn)行了各向異性蝕刻,觀察到蝕刻速率強(qiáng)烈依賴于蝕刻劑溫度和濃度,用于蝕刻實(shí)驗(yàn)的掩模圖案在硅晶片的主平面上傾斜45°。根據(jù)圖案方向和蝕刻劑濃度
2022-03-25 13:26:344201

單晶硅晶片的超聲輔助化學(xué)蝕刻

用氟化氫-氯化氫-氯氣混合物進(jìn)行各向異性酸性蝕刻是一種有效的方法 單晶硅晶片紋理化的替代方法 在晶片表面形成倒金字塔結(jié)構(gòu)[1,2]形貌取決于以下成分 蝕刻混合物[3]硅在HF-HCl[1]Cl2
2022-04-12 14:10:22717

GaN單晶晶片的清洗與制造方法

作為用于高壽命藍(lán)色LD (半導(dǎo)體激光器)、高亮度藍(lán)色LED (發(fā)光二管)、高特性電子器件的GaN單晶晶片,通過hvpe (氫化物氣相)生長法等進(jìn)行生長制造出了變位低的自立型GaN單晶晶片。GaN
2022-04-15 14:50:001259

單晶硅片與蝕刻時(shí)間的關(guān)系研究

本文研究了用金剛石線鋸切和標(biāo)準(zhǔn)漿料鋸切制成的180微米厚5英寸半寬直拉單晶硅片與蝕刻時(shí)間的關(guān)系,目的是確定FAS晶片損傷蝕刻期間蝕刻速率降低的根本原因,無論是與表面結(jié)構(gòu)相關(guān),缺陷相關(guān),由于表面存在的氧化層,還是由于有機(jī)殘差。
2022-04-18 16:36:05913

單晶硅的各向異性蝕刻特性說明

為了形成膜結(jié)構(gòu),單晶硅片已經(jīng)用氫氧化鉀和氫氧化鉀-異丙醇溶液進(jìn)行了各向異性蝕刻,觀察到蝕刻速率強(qiáng)烈依賴于蝕刻劑的溫度和濃度,用于蝕刻實(shí)驗(yàn)的掩模圖案在硅晶片的主平面上傾斜45°。根據(jù)圖案方向和蝕刻
2022-05-05 16:37:364132

多晶ZnO薄膜上HCl腐蝕的過程

方法,觀察了多晶ZnO薄膜上HCl腐蝕的發(fā)展,結(jié)果表明這種觀察方法沒有改變蝕刻行為,停止和重新開始蝕刻也沒有改變侵蝕點(diǎn),表明HCl侵蝕點(diǎn)是隨著它們的生長而形成在膜中的。此外我們?nèi)A林科納研究了先前在KOH
2022-05-09 13:28:32986

一種用于蝕刻的現(xiàn)象學(xué)結(jié)構(gòu)區(qū)域模型

在本文中,結(jié)合了現(xiàn)有的經(jīng)驗(yàn)和觀察到的多晶氧化鋅腐蝕模型,該模型可以定性地描述濺射條件、材料特性和蝕刻條件的影響。幾項(xiàng)研究調(diào)查了濺射參數(shù)和蝕刻行為之間的關(guān)系,并提出了一種用于蝕刻的現(xiàn)象學(xué)結(jié)構(gòu)區(qū)域模型
2022-05-09 14:27:58778

多孔ZnO薄膜表面形貌和粗糙度的研究

本文介紹了我們?nèi)A林科納研究了蝕刻時(shí)間和氧化劑對(duì)用氫氧化銨(銨根OH)形成的多孔氧化鋅(氧化鋅)薄膜的表面形貌和表面粗糙度的影響。在本工作中,射頻磁控管濺射的ZnO薄膜在氫氧化銨(NH4OH)溶液中腐蝕,全面研究了刻蝕時(shí)間和添加H2O2溶液對(duì)多孔ZnO薄膜表面形貌和粗糙度的影響。
2022-05-09 15:19:341328

多晶ZnO:Al薄膜的蝕刻特性研究

密度通常隨著溫度的升高、濃度的降低或通過在小分子大小的弱酸中蝕刻而增加。觀察到的多晶ZnO:Al膜的腐蝕趨勢(shì)在ZnO單晶上得到證實(shí)。我們從蝕刻速率和凹坑形成的角度詳細(xì)討論了蝕刻過程。根據(jù)最近提出的ZnO腐蝕模型解釋了結(jié)果,并給出了可能的物理解釋。
2022-05-23 16:51:234747

納米多孔鋅助力二次堿性鋅基電池

本工作利用電化學(xué)還原,直接將壓實(shí)在泡沫銅集流體上的ZnO粉末通過類似于滲流溶解(percolation dissolution)的機(jī)理,形成具有雙連續(xù)結(jié)構(gòu)的納米多孔鋅電極。該電極在堿性電池循環(huán)中可維持Zn核 / ZnO殼的結(jié)構(gòu),與傳統(tǒng)ZnOZn粉末電極不均勻的結(jié)構(gòu)變化大相徑庭。
2022-06-02 09:15:111865

溶劑對(duì)ITO電極蝕刻的影響

本文研究了室溫下鹽酸和王水溶劑對(duì)ITO膜腐蝕行為的影響,在王水中比在鹽酸中獲得更高的蝕刻速率,然而,通過XPS分析,發(fā)現(xiàn)在王水蝕刻劑中比在HCl中有更多的表面殘留副產(chǎn)物,在王水和HCl中的表面濃度
2022-07-01 16:50:562439

寬帶隙半導(dǎo)體GaN、ZnO和SiC的濕法化學(xué)腐蝕

寬帶隙半導(dǎo)體具有許多特性,這些特性使其對(duì)高功率、高溫器件應(yīng)用具有吸引力。本文綜述了三種重要材料的濕法腐蝕,即ZnO、GaN和SiC。雖然ZnO在包括HNO3/HCl和HF/HNO3的許多酸性溶液中
2022-07-06 16:00:213281

肖特基勢(shì)壘二管次線性行為分析的仿真

隨著半導(dǎo)體行業(yè)的最新進(jìn)展,對(duì)具有金屬源和漏觸點(diǎn)的肖特基勢(shì)壘 (SB) MOSFET 的研究正在興起。在 SB MOSFET 中,源和漏構(gòu)成硅化物,而不是傳統(tǒng)的摻雜硅。SB MOSFET 的一
2022-07-29 10:42:122270

電動(dòng)機(jī)的數(shù)2,4,6極有什么區(qū)別

電動(dòng)機(jī)的數(shù)2,4,6對(duì)數(shù)不同。三相異步電機(jī)“數(shù)”是指定子磁場(chǎng)磁極的個(gè)數(shù)。定子繞組的連接方式不同,可形成定子磁場(chǎng)的不同數(shù)。
2022-11-02 09:40:1934786

如何引入負(fù)電性量子點(diǎn)添加劑緩解界面Zn2+濃度梯度

量子點(diǎn)上豐富的含氧基團(tuán)被金屬Zn還原,從而與氧化的Zn2+相互作用,在Zn表面形成Zn-O鍵。為Zn2+預(yù)成核提供了豐富的位點(diǎn)。
2023-04-03 09:23:551826

齊納二管的串聯(lián)排列如何影響電氣行為

齊納二管也叫做穩(wěn)壓二管,它是許多集成電路中使用的基本半導(dǎo)體器件。這些組件很簡單,因?yàn)樗鼈冊(cè)谡蚱脮r(shí)提供具有高跨導(dǎo)的整流行為。它們可以批量生產(chǎn),用于一系列系統(tǒng),也可以用作分立元件。在某些電路中
2023-07-05 17:26:582981

電機(jī)兩和四的區(qū)別是什么?

電動(dòng)機(jī)的數(shù)2,4,6對(duì)數(shù)不同。三相異步電機(jī)“數(shù)”是指定子磁場(chǎng)磁極的個(gè)數(shù)。定子繞組的連接方式不同,可形成定子磁場(chǎng)的不同數(shù)。
2023-07-24 15:08:317166

變?nèi)荻?b class="flag-6" style="color: red">極管如何工作,變?nèi)荻?b class="flag-6" style="color: red">極管電容公式

變?nèi)荻?b class="flag-6" style="color: red">極管(或調(diào)諧二管)是設(shè)計(jì)用作壓控電容器的二管。二管開始時(shí)是一塊固有的單晶材料。內(nèi)在意味著它不包含其他材料的原子。單晶是指它的單晶,所有電子都被困在原子之間的共價(jià)鍵中。基本上,它是一塊巖石,它是一個(gè)絕緣體。其原理圖符號(hào)如圖SB1所示。
2023-07-25 17:31:243401

肖特基二管為什么容易擊穿 二管擊穿后的處理方法

當(dāng)二管發(fā)生擊穿后,一般情況下會(huì)處于一種短路狀態(tài)。擊穿指的是在正向偏置或反向偏置的情況下,二管無法正常阻斷電流或電壓,導(dǎo)致電流或電壓突破二管的設(shè)計(jì)極限。這會(huì)導(dǎo)致二管失去正常的電子流動(dòng)和電壓特性,出現(xiàn)類似于短路的行為。
2023-09-11 15:33:3913029

電機(jī)的數(shù)什么意思?2,4,6,8的區(qū)別是什么?

電機(jī)的數(shù)什么意思?2,4,6,8的區(qū)別是什么? 電機(jī)的數(shù)指的是電機(jī)中磁極或繞組的數(shù)目。常見的電機(jī)數(shù)有2、4、6、8等,不同的數(shù)對(duì)電機(jī)的性能和應(yīng)用有著重要影響。下面將詳細(xì)介紹
2023-11-17 11:41:4514156

柵極源怎么區(qū)分?漏 柵極相當(dāng)于三管的哪?

什么是漏?什么是源?什么是柵極?柵極源怎么區(qū)分?漏 柵極相當(dāng)于三管的哪? 漏、源和柵極都是指晶體管(如三管)的不同極性。 首先,我們需要了解晶體管的基本結(jié)構(gòu),它由兩個(gè)PN
2023-11-21 16:00:4525005

橋式結(jié)構(gòu)中的柵極-源間電壓的行為:關(guān)斷時(shí)

橋式結(jié)構(gòu)中的柵極-源間電壓的行為:關(guān)斷時(shí)
2023-12-05 14:46:221105

橋式結(jié)構(gòu)中的柵極-源間電壓的行為:導(dǎo)通時(shí)

橋式結(jié)構(gòu)中的柵極-源間電壓的行為:導(dǎo)通時(shí)
2023-12-05 16:35:571015

電機(jī)數(shù)的意義 不同數(shù)的電機(jī)之間的差異

電機(jī)的數(shù)是一個(gè)重要的技術(shù)參數(shù),它決定了電機(jī)的結(jié)構(gòu)和工作原理,并且對(duì)電機(jī)的性能和應(yīng)用有著直接的影響。本文將深入探討電機(jī)數(shù)的意義以及2、4、6和8電機(jī)之間的區(qū)別。
2023-11-27 10:15:224168

和漏的區(qū)別

和漏的區(qū)別? 源和漏是晶體管中的兩個(gè)重要,它們?cè)诰w管的工作過程中起著關(guān)鍵作用。源與漏之間的區(qū)別主要體現(xiàn)在以下幾個(gè)方面:電流流向、電位關(guān)系、電壓控制、功率損耗和應(yīng)用場(chǎng)景。 首先,源
2023-12-07 15:48:198948

一種具有新信號(hào)處理行為的光控二管研究發(fā)布

據(jù)麥姆斯咨詢報(bào)道,近日,中國科學(xué)院金屬研究所科研團(tuán)隊(duì)發(fā)明了一種具有新信號(hào)處理行為的光控二管,相關(guān)研究成果在線發(fā)表于《國家科學(xué)評(píng)論》(National Science Review)。
2023-12-12 09:52:58540

電機(jī)對(duì)數(shù)(電機(jī)數(shù))

? ? ? 電機(jī)的數(shù)就是電動(dòng)機(jī)的磁極數(shù),磁極分N和S,一般磁極數(shù)是成對(duì)出現(xiàn),如2電機(jī),4電機(jī),,一般把1個(gè)N和1個(gè)S稱為一對(duì)磁極,也就是對(duì)數(shù)為1。 ? ? ? 數(shù)反映出電動(dòng)機(jī)的同步
2023-12-19 08:36:4110805

同步電機(jī)的數(shù)是啥意思?2、4、6、8極有什么區(qū)別?

同步電機(jī)的數(shù)是啥意思?2、4、6、8極有什么區(qū)別? 同步電機(jī)的數(shù)是指電機(jī)中磁極的數(shù)量。常見的同步電機(jī)數(shù)有2、4、6和8等。 首先,我們來了解一下同步電機(jī)的基本結(jié)構(gòu)和工作原理
2023-12-25 11:32:006634

半導(dǎo)體資料丨氧化鋅、晶體硅/鈣鈦礦、表面化學(xué)蝕刻的 MOCVD GaN

蝕刻時(shí)間和過氧化氫濃度對(duì)ZnO玻璃基板的影響 本研究的目的是確定蝕刻ZnO薄膜的最佳技術(shù)。使用射頻濺射設(shè)備在玻璃基板上沉積ZnO。為了蝕刻ZnO薄膜,使用10%、20%和30%的過氧化氫(H2O
2024-02-02 17:56:451303

在單片機(jī)I/O口驅(qū)動(dòng)的選擇中,為什么都選用三管而不是MOS管呢?

在單片機(jī)I/O口驅(qū)動(dòng)的選擇中,為什么一般都選用三管而不是MOS管呢? 在單片機(jī)的I/O口驅(qū)動(dòng)選擇中,通常會(huì)選擇使用三管而不是MOS管。這是因?yàn)槿?b class="flag-6" style="color: red">極管有一些優(yōu)點(diǎn)和適用性,使其在此領(lǐng)域得到廣泛應(yīng)用
2024-03-27 15:33:242806

通信——通過表面電荷操縱控制鍺的蝕刻

計(jì)算領(lǐng)域的潛在基礎(chǔ)材料。超薄二管器件的制造需要去除用于同質(zhì)外延生長的襯底。對(duì)于硅來說,這一任務(wù)通常通過選擇性蝕刻來實(shí)現(xiàn)。然而,對(duì)于鍺來說,由于與硅相比在化學(xué)和氧化行為上的根本差異,需要新的蝕刻技術(shù)。蝕刻
2024-04-25 12:51:461182

功率二管的反向恢復(fù)原理

功率二管的反向恢復(fù)現(xiàn)象是電力電子領(lǐng)域中一個(gè)至關(guān)重要的概念,它涉及到二管在正向?qū)顟B(tài)與反向偏置狀態(tài)之間轉(zhuǎn)換時(shí)的動(dòng)態(tài)行為。以下是關(guān)于功率二管的反向恢復(fù)現(xiàn)象的詳細(xì)闡述,包括其定義、原理、特性、影響以及應(yīng)用等。
2024-10-15 17:57:453274

上海光機(jī)所在n型β-Ga2O3單晶光電性能調(diào)控方面取得進(jìn)展

Letters。 β-Ga2O3作為新型/超寬禁帶半導(dǎo)體材料,性能優(yōu)異、應(yīng)用廣泛、潛力巨大。Ga2O3單晶作為功率器件應(yīng)用的前提是需要有效的對(duì)β-電學(xué)性能進(jìn)行調(diào)控,因此
2025-02-28 06:22:14765

MAX7325 I2C端口擴(kuò)展器,提供8路推挽式I/O和8個(gè)漏開路I/O技術(shù)手冊(cè)

MAX7325 2線串行接口外設(shè)具有16路I/O端口。其中8路為推挽輸出,另外8路為I/O端口,帶有可選擇的內(nèi)部上拉和瞬態(tài)檢測(cè)功能。8路I/O口可以用作邏輯輸入或漏開路輸出。所有端口均過壓保護(hù)至+6V。
2025-05-22 15:27:41807

MAX7321 I2C端口擴(kuò)展器,具有8路漏開路I/O技術(shù)手冊(cè)

MAX7321 2線串行接口外設(shè)具有8個(gè)漏開路I/O口,可選擇內(nèi)部上拉和瞬態(tài)檢測(cè)功能。每個(gè)端口均可以配置成邏輯輸入和漏開路輸出端口。端口具有+6V過壓保護(hù),與電源電壓無關(guān)。 器件連續(xù)監(jiān)視
2025-05-23 11:41:16783

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