等離子體圖形化刻蝕過程中，刻蝕圖形將影響刻蝕速率和刻蝕輪廓，稱為負(fù)載效應(yīng)。負(fù)載效應(yīng)有兩種:宏觀負(fù)載效應(yīng)和微觀負(fù)載效應(yīng)。
2023-02-08 09:41:26
5131 在半導(dǎo)體制程工藝中，有很多不同名稱的用于移除多余材料的工藝，如“清洗”、“刻蝕”等。如果說“清洗”工藝是把整張晶圓上多余的不純物去除掉，“刻蝕”工藝則是在光刻膠的幫助下有選擇性地移除不需要的材料，從而創(chuàng)建所需的微細(xì)圖案。半導(dǎo)體“刻蝕”工藝所采用的氣體和設(shè)備，在其他類似工藝中也很常見。
2023-09-24 17:42:034046 
。常見的干法刻蝕設(shè)備有反應(yīng)離子刻蝕機(jī)（RIE）、電感耦合等離子體刻蝕機(jī)（ICP）、磁性中性線等離子體刻蝕機(jī)（NLD）、離子束刻蝕機(jī)（IBE），本文目的對各刻蝕設(shè)備的結(jié)構(gòu)進(jìn)行剖析，以及分析技術(shù)的優(yōu)缺點。
2024-01-20 10:24:5616124 
干法刻蝕技術(shù)作為半導(dǎo)體制造的核心工藝模塊，通過等離子體與材料表面的相互作用實現(xiàn)精準(zhǔn)刻蝕，其技術(shù)特性與工藝優(yōu)勢深刻影響著先進(jìn)制程的演進(jìn)方向。
2025-05-28 17:01:183199 
摘要 ：使用SEMulator3D?可視性沉積和刻蝕功能研究金屬線制造工藝，實現(xiàn)電阻的大幅降低 作者：泛林集團(tuán) Semiverse Solutions 部門軟件應(yīng)用工程師 Timothy Yang
2024-08-15 16:01:381387 
濕法刻蝕作為半導(dǎo)體制造領(lǐng)域的元老級技術(shù)，其發(fā)展歷程與集成電路的微型化進(jìn)程緊密交織。盡管在先進(jìn)制程中因線寬控制瓶頸逐步被干法工藝取代，但憑借獨特的工藝優(yōu)勢，濕法刻蝕仍在特定場景中占據(jù)不可替代的地位。
2025-05-28 16:42:544247 
（干法刻蝕硅）17、 RIE SiO2 （干法刻蝕二氧化硅）18、 RIE Si3N4 （干法刻蝕氮化硅）19、 RIE Al、AlN、Ti、TiN （干法刻蝕金屬，包括干法刻蝕鋁、干法刻蝕氮化
2015-01-07 16:15:47
AOE刻蝕氧化硅可以，同時這個設(shè)備可以刻蝕硅嗎？大致的氣體配比是怎樣的，我這里常規(guī)的刻蝕氣體都有，但是過去用的ICP，還沒有用過AOE刻蝕硅，請哪位大佬指點一下，謝謝。
2022-10-21 07:20:28
新加坡知名半導(dǎo)體晶圓代工廠招聘資深刻蝕工藝工程師和刻蝕設(shè)備主管！此職位為內(nèi)部推薦，深刻蝕工藝工程師需要有LAM 8寸機(jī)臺poly刻蝕經(jīng)驗。刻蝕設(shè)備主管需要熟悉LAM8寸機(jī)臺。待遇優(yōu)厚。有興趣的朋友可以將簡歷發(fā)到我的郵箱sternice81@gmail.com，我會轉(zhuǎn)發(fā)給HR。
2017-04-29 14:23:25
蒸發(fā)，所以刻蝕要在一個裝有冷卻蓋的密封回流容器中進(jìn)行。主要問題是光刻膠層經(jīng)不起刻蝕劑的溫度和高刻蝕速率。因此，需要一層二氧化硅或其他材料來阻擋刻蝕劑。這兩個因素已導(dǎo)致對于氮化硅使用干法刻蝕技術(shù)。蒸汽刻蝕
2018-12-21 13:49:20
臺面
刻蝕深度對埋柵SITH柵陰擊穿的影響針對臺面
刻蝕深度對埋柵型靜電感應(yīng)晶閘管（ＳＩＴＨ）柵陰擊穿特性的影響做了實驗研究。實驗結(jié)果表明，隨著臺面
刻蝕深度的增大，器件柵陰擊穿由原來的軟擊穿變?yōu)橛矒舸?/div>
2009-10-06 09:30:24
就能對層上的特定部分進(jìn)行選擇性地移除。在有的情況中，罩的材料為光阻性的，這和光刻中利用的原理類似。而在其他情況中，刻蝕罩需要耐受某些化學(xué)物質(zhì)，氮化硅就可以用來制造這樣的“罩”?！?b class="flag-6" style="color: red">干法”（等離子）刻蝕用于
2017-10-09 19:41:52
最近需要用到干法刻蝕技術(shù)去刻蝕碳化硅，采用的是ICP系列設(shè)備，刻蝕氣體使用的是SF6+O2，碳化硅上面沒有做任何掩膜，就是為了去除SiC表面損傷層達(dá)到表面改性的效果。但是實際刻蝕過程中總是會在碳化硅
2022-08-31 16:29:50
本帖最后由 gk320830 于 2015-3-7 11:21 編輯
釋放MEMS機(jī)械結(jié)構(gòu)的干法刻蝕技術(shù)濕法刻蝕是MEMS 器件去除犧牲材料的傳統(tǒng)工藝，總部位于蘇格蘭的Point 35
2013-11-04 11:51:00
摘要 利用Cl2/BCl3/CH4電感應(yīng)耦合等離子體(ICP)干法刻蝕技術(shù),實現(xiàn)了對AlGaInAs,InP材料的非選擇性刻蝕。AlGaInAs與InP的刻蝕速率分別為820nm/min與770nm/min,獲得了刻蝕深度為4.9μm,垂直光滑的A
2010-11-30 14:58:45
17 一、設(shè)備概述高溫磷酸刻蝕設(shè)備是半導(dǎo)體制造中用于各向異性刻蝕的關(guān)鍵設(shè)備，通過高溫磷酸溶液與半導(dǎo)體材料（如硅片、氮化硅膜）的化學(xué)反應(yīng)，實現(xiàn)精準(zhǔn)的材料去除。其核心優(yōu)勢在于納米級刻蝕精度和均勻
2025-06-06 14:38:13
釋放MEMS機(jī)械結(jié)構(gòu)的干法刻蝕技術(shù)
濕法刻蝕是MEMS 器件去除犧牲材料的傳統(tǒng)工藝，總部位于蘇格蘭的Point 35 Microstructures在SEMICON C
2009-11-18 09:17:321341 干法刻蝕原理
刻蝕作用：去除邊緣PN結(jié)，防止上下短路。干法刻蝕原理：利用高頻輝光放電反應(yīng)，使CF4氣體激活成活性粒子，這些活性
2010-07-18 11:28:206853 晶體硅太陽能電池生產(chǎn)線刻蝕工序培訓(xùn) 1、刻蝕的作用及方法；2、刻蝕的工藝設(shè)備、操作流程及常用化學(xué)品；3、主要檢測項目及標(biāo)準(zhǔn)；4、常見問題及解決方法；5、未來工藝的發(fā)展方向；
2017-09-29 10:29:0925 反刻是在想要把某一層膜的總的厚度減小時采用的（如當(dāng)平坦化硅片表面時需要減小形貌特征）。光刻膠是另一個剝離的例子?？偟膩碚f，有圖形刻蝕和無圖形刻蝕工藝條件能夠采用干法刻蝕或濕法腐蝕技術(shù)來實現(xiàn)。為了復(fù)制硅片表面材料上的掩膜圖形，刻蝕必須滿足一些特殊的要求。
2018-12-14 16:05:2772478 形貌。在優(yōu)化后的刻蝕工藝條件下ＧａＮ材料刻蝕速率達(dá)到３４０ｎｍ／ｍｉｎ，側(cè)墻傾斜度大于８Ｏ。且刻蝕表均方根粗糙度小于３ｎｍ。對引起干法刻蝕損傷的因索進(jìn)行了討論，并介紹了幾種減小刻蝕損傷的方法。 氮化鎵（ＧａＮ
2020-12-29 14:39:294598 
在集成電路的制造過程中，刻蝕就是利用化學(xué)或物理方法有選擇性地從硅片表面去除不需要的材料的過程。從工藝上區(qū)分，刻蝕可以分為濕法刻蝕和干法刻蝕。前者的主要特點是各向同性刻蝕；后者是利用等離子體來進(jìn)行
2020-12-29 14:42:5811752 
摘要：簡述了在SiC材料半導(dǎo)體器件制造工藝中,對SiC材料采用干法刻蝕工藝的必要性.總結(jié)了近年來SiC干法刻蝕技術(shù)的工藝發(fā)展?fàn)顩r. 半導(dǎo)體器件已廣泛應(yīng)用于各種場合,近年來其應(yīng)用領(lǐng)域已拓展至許多
2020-12-30 10:30:1110663 
刻蝕機(jī)不能代替光刻機(jī)。光刻機(jī)的精度和難度的要求都比刻蝕機(jī)高出很多，在需要光刻機(jī)加工的時候刻蝕機(jī)有些不能辦到，并且刻蝕機(jī)的精度十分籠統(tǒng)，而光刻機(jī)對精度的要求十分細(xì)致，所以刻蝕機(jī)不能代替光刻機(jī)。
2022-02-05 15:47:0044425 刻蝕速率是指在刻蝕過程中去除硅片表面材料的速度通常用?/min表示， 刻蝕窗口的深度稱為臺階高度。 為了高的產(chǎn)量， 希望有高的刻蝕速率。 在采用單片工藝的設(shè)備中， 這是一個很重要的參數(shù)。 刻蝕速率由工藝和設(shè)備變量決定， 如被刻蝕材料類型、 蝕機(jī)的結(jié)構(gòu)配置、 使用的刻蝕氣體和工藝參數(shù)設(shè)置。
2022-03-15 13:41:594092 
刻蝕室半導(dǎo)體IC制造中的至關(guān)重要的一道工藝，一般有干法刻蝕和濕法刻蝕兩種，干法刻蝕和濕法刻蝕一個顯著的區(qū)別是各向異性，更適合用于對形貌要求較高的工藝步驟。
2022-06-13 14:43:316 濕法刻蝕也稱腐蝕。硅的濕法刻蝕是 MEMS 加工中常用的技術(shù)。其中，各向同性 （Isotropic）濕法刻蝕常用的腐蝕劑是由氫氟酸（HF）、硝酸（ HNO3）和乙酸（CH3COOH）組成的混合物（也
2022-10-08 09:16:327442 在 MEMS 制造工藝中，常用的干法刻蝕包括反應(yīng)離子刻蝕 （Reactive lon Etching， RIE）、深反應(yīng)離子刻蝕（Deep Reactive lon Etching， DRIE） 和XerF2各向同性蝕刻。
2022-10-10 10:12:156878 干法刻蝕工藝流程為，將刻蝕氣體注入真空反應(yīng)室，待壓力穩(wěn)定后，利用射頻輝光放電產(chǎn)生等離子體；受高速電子撞擊后分解產(chǎn)生自由基，并擴(kuò)散到圓片表面被吸附。
2022-11-10 09:54:1910003 濕法刻蝕是集成電路制造工藝最早采用的技術(shù)之一。雖然由于受其刻蝕的各向同性的限制，使得大部分的濕法刻蝕工藝被具有各向異性的干法刻蝕替代，但是它在尺寸較大的非關(guān)鍵層清洗中依然發(fā)揮著重要的作用。
2022-11-11 09:34:1819992 刻蝕是移除晶圓表面材料，達(dá)到IC設(shè)計要求的一種工藝過程。刻蝕有兩種:一種為圖形 化刻蝕，這種刻蝕能將指定區(qū)域的材料去除，如將光刻膠或光刻版上的圖形轉(zhuǎn)移到襯底薄膜 上
2023-02-01 09:09:354217 刻蝕速率是測量刻蝕物質(zhì)被移除的速率。由于刻蝕速率直接影響刻蝕的產(chǎn)量，因此刻蝕速率是一個重要參數(shù)。
2023-02-06 15:06:267801 濕法刻蝕利用化學(xué)溶液溶解晶圓表面的材料，達(dá)到制作器件和電路的要求。濕法刻蝕化學(xué)反應(yīng)的生成物是氣體、液體或可溶于刻蝕劑的固體。
2023-02-10 11:03:187475 刻蝕有三種:純化學(xué)刻蝕、純物理刻蝕，以及介于兩者之間的反應(yīng)式離子刻蝕（ReactiveIonEtch,RIE）。
2023-02-20 09:45:075393 研究采用電感耦合等離子體刻
蝕法對氮化鎵基發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)進(jìn)行干法刻蝕，刻蝕氣體為氯氣，添加氣體為三氯化硼。研究了刻蝕氣體流量、電感耦合等離
子體功率、射頻功率和室壓等關(guān)鍵工藝參數(shù)對氮化鎵基發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)刻蝕性
2023-02-22 15:45:411 對于濕法刻蝕，大部分刻蝕的終點都取決于時間，而時間又取決于預(yù)先設(shè)定的刻蝕速率和所需的刻蝕厚度。由于缺少自動監(jiān)測終點的方法，所以通常由操作員目測終點。濕法刻蝕速率很容易受刻蝕劑溫度與濃度的影響，這種影響對不同工作站和不同批量均有差異，因此單獨用時間決定刻蝕終點很困難，一般釆用操作員目測的方式。
2023-03-06 13:56:033705 金屬刻蝕具有良好的輪廓控制、殘余物控制，防止金屬腐蝕很重要。金屬刻蝕時鋁中如果 有少量銅就會引起殘余物問題，因為Cu Cl2的揮發(fā)性極低且會停留在晶圓表面。
2023-04-10 09:40:546518 壓力主要控制刻蝕均勻性和刻蝕輪廓，同時也能影響刻蝕速率和選擇性。改變壓力會改變電子和離子的平均自由程(MFP),進(jìn)而影響等離子體和刻蝕速率的均勻性。
2023-04-17 10:36:434532 在半導(dǎo)體制程工藝中，有很多不同名稱的用于移除多余材料的工藝，如“清洗”、“刻蝕”等。如果說“清洗”工藝是把整張晶圓上多余的不純物去除掉，“刻蝕”工藝則是在光刻膠的幫助下有選擇性地移除不需要的材料，從而創(chuàng)建所需的微細(xì)圖案。半導(dǎo)體“刻蝕”工藝所采用的氣體和設(shè)備，在其他類似工藝中也很常見。
2023-06-15 17:51:573242 
：使用特定的化學(xué)溶液進(jìn)行化學(xué)反應(yīng)來去除氧化膜的濕法刻蝕，以及使用氣體或等離子體的干法刻蝕。1、濕法刻蝕使用化學(xué)溶液去除氧化膜的濕法刻蝕具有成本低、刻蝕速度快和生產(chǎn)率高
2022-07-12 15:49:253315 
Dimension, CD)小型化(2D視角)，刻蝕工藝從濕法刻蝕轉(zhuǎn)為干法刻蝕，因此所需的設(shè)備和工藝更加復(fù)雜。由于積極采用3D單元堆疊方法，刻蝕工藝的核心性能指數(shù)出現(xiàn)波動，從而刻蝕工藝與光刻工藝成為半導(dǎo)體制造的重要工藝流程之一。
2023-06-26 09:20:103193 
第一種是間歇式刻蝕方法(BOSCH)，即多次交替循環(huán)刻蝕和淀積工藝，刻蝕工藝使用的是SF6氣體，淀積工藝使用的是C4F8氣體
2023-07-14 09:54:469786 
刻蝕（Etching）的目的是在材料表面上刻出所需的圖案和結(jié)構(gòu)。刻蝕的原理是利用化學(xué)反應(yīng)或物理過程，通過移除材料表面的原子或分子，使材料發(fā)生形貌變化。
2023-08-01 16:33:3811057 PVP可以在刻蝕過程中形成一層保護(hù)性的膜，降低刻蝕劑對所需刻蝕材料的腐蝕作用。它可以填充材料表面的裂縫、孔洞和微小空隙，并防止刻蝕劑侵入。這樣可以減少不需要的蝕刻或損傷，提高刻蝕的選擇性。
2023-08-17 15:39:398516 在半導(dǎo)體制造中，刻蝕工序是必不可少的環(huán)節(jié)。而刻蝕又可以分為干法刻蝕與濕法刻蝕，這兩種技術(shù)各有優(yōu)勢，也各有一定的局限性，理解它們之間的差異是至關(guān)重要的。
2023-09-26 18:21:0010327 
有過深硅刻蝕的朋友經(jīng)常會遇到這種情況：在一片晶圓上不同尺寸的孔或槽刻蝕速率是不同的。
2023-10-07 11:29:178379 
刻蝕（或蝕刻）是從晶圓表面去除特定區(qū)域的材料以形成相應(yīng)微結(jié)構(gòu)。但是，在目標(biāo)材料被刻蝕時，通常伴隨著其他層或掩膜的刻蝕。
2023-10-07 14:19:2511513 
但是，在刻蝕SOI襯底時，通常會發(fā)生一種凹槽效應(yīng)，導(dǎo)致刻蝕的形貌與預(yù)想的有很大出入。那么什么是凹槽效應(yīng)？什么原因引起的？怎么抑制這種異常效應(yīng)呢？
2023-10-20 11:04:212610 
半導(dǎo)體前端工藝（第四篇）：刻蝕——有選擇性地刻蝕材料，以創(chuàng)建所需圖形
2023-11-27 16:54:261646 
使用SEMulator3D?工藝步驟進(jìn)行刻蝕終點探測 作者：泛林集團(tuán) Semiverse Solutions 部門軟件應(yīng)用工程師 Pradeep Nanja 介紹 半導(dǎo)體行業(yè)一直專注于使用先進(jìn)的刻蝕
2024-01-19 16:02:421233 
刻蝕機(jī)的刻蝕過程和傳統(tǒng)的雕刻類似，先用光刻技術(shù)將圖形形狀和尺寸制成掩膜，再將掩膜與待加工物料模組裝好，將樣品置于刻蝕室內(nèi)，通過化學(xué)腐蝕或物理磨蝕等方式將待加工物料表面的非掩膜區(qū)域刻蝕掉，以得到所需的凹槽和溝槽。
2024-03-11 15:38:2416635 
刻蝕可以分為濕法刻蝕和干法刻蝕。濕法刻蝕各向異性較差，側(cè)壁容易產(chǎn)生橫向刻蝕造成刻蝕偏差，通常用于工藝尺寸較大的應(yīng)用，或用于干法刻蝕后清洗殘留物等。
2024-04-12 11:41:568872 
今天我們要一起揭開一個隱藏在現(xiàn)代電子設(shè)備背后的高科技秘密——干法刻蝕工藝。這不僅是一場對微觀世界的深入探秘，更是一次對半導(dǎo)體芯片制造藝術(shù)的奇妙之旅。
2024-08-26 10:13:574403 
口離子束刻蝕機(jī) IBE 可以很好的解決傳感器 MEMS 的刻蝕難題, 射頻角度可以任意調(diào)整, 蝕刻可以根據(jù)需要做垂直, 斜面等等加工形狀, 刻蝕那些很難刻蝕的硬質(zhì)或惰性材料.
2024-09-12 13:31:021151 
PDMS（聚二甲基硅氧烷）是一種常見的彈性體材料，廣泛應(yīng)用于微流控芯片、生物傳感器和柔性電子等領(lǐng)域。在這些應(yīng)用中，刻蝕工藝是實現(xiàn)微結(jié)構(gòu)加工的關(guān)鍵步驟。濕法刻蝕和軟刻蝕是兩種常用的刻蝕方法，它們在
2024-09-27 14:46:431079 主要介紹幾種常用于工業(yè)制備的刻蝕技術(shù)，其中包括離子束刻蝕（IBE）、反應(yīng)離子刻蝕（RIE）、以及后來基于高密度等離子體反應(yīng)離子的電子回旋共振等離子體刻蝕（ECR）和電感耦合等離子體刻蝕（ICP）。
2024-10-18 15:20:413338 
在本篇文章中，我們主要介紹刻蝕工藝評價的工藝參數(shù)以及如何做好刻蝕工藝。
一、刻蝕工藝質(zhì)量評價 1）刻蝕速率 刻蝕速率是指在蝕刻過程中被去除的材料的速率，通常以單位時間內(nèi)的厚度減少量來
2024-11-15 10:15:313878 
本文介紹了為什么干法刻蝕又叫低溫等離子體刻蝕。 什么是低溫等離子體刻蝕，除了低溫難道還有高溫嗎？等離子體的溫度？? ? 等離子體是物質(zhì)的第四態(tài)，并不是只有半導(dǎo)體制造或工業(yè)領(lǐng)域中才會有等離子體
2024-11-16 12:53:531560 
上海伯東 IBE 離子束刻蝕機(jī)可用于反應(yīng)離子刻蝕 RIE 不能很好刻蝕的材料。是一種干法物理納米級別的刻蝕， 刻蝕均勻性 ≤±5%（部分材料 ±3%）。 IBE 刻蝕機(jī)幾乎滿足所有材料的刻蝕。 例如
2024-11-27 10:06:341179 
? ? ? 本文介紹了干法刻蝕工藝的不同參數(shù)。 干法刻蝕中可以調(diào)節(jié)的工藝參數(shù)有哪些？各有什么作用？ 1，溫度：晶圓表面溫度，溫度梯度 晶圓表面溫度：控制刻蝕表面的化學(xué)反應(yīng)速率和產(chǎn)物的揮發(fā)性 溫度梯度
2024-12-02 09:56:432897 本文介紹了SiO2薄膜的刻蝕機(jī)理。 干法刻蝕SiO2的化學(xué)方程式怎么寫？刻蝕的過程是怎么樣的？干法刻氧化硅的化學(xué)方程式？ 如上圖，以F系氣體刻蝕為例，反應(yīng)的方程式為： ? SiO2(s)+ CxFy
2024-12-02 10:20:192260 
本文介紹晶圓表面溫度對干法刻蝕的影響 表面溫度對干法刻蝕的影響主要包括：聚合物沉積，選擇性，光刻膠流動、產(chǎn)物揮發(fā)性與刻蝕速率，表面形貌等。 ? 聚合物沉積?：工藝過程中產(chǎn)生的聚合物會在表面沉積
2024-12-03 10:48:311982 
本文介紹了干法刻蝕側(cè)壁彎曲的原因及解決方法。 什么是側(cè)壁彎曲？ 如上圖，是典型的干法刻蝕時，側(cè)壁彎曲的樣子，側(cè)壁為凹形或凸形結(jié)構(gòu)。而正常的側(cè)壁幾乎是垂直的，角度接近 90°。 ?什么原因?qū)е铝藗?cè)壁
2024-12-03 11:00:011609 
本文介紹了刻蝕工藝參數(shù)有哪些。 刻蝕是芯片制造中一個至關(guān)重要的步驟，用于在硅片上形成微小的電路結(jié)構(gòu)。它通過化學(xué)或物理方法去除材料層，以達(dá)到特定的設(shè)計要求。本文將介紹幾種關(guān)鍵的刻蝕參數(shù)，包括不完全刻蝕
2024-12-05 16:03:102840 
本文簡單介紹了芯片制造過程中的兩種刻蝕方法 ? 刻蝕（Etch）是芯片制造過程中相當(dāng)重要的步驟。 刻蝕主要分為干刻蝕和濕法刻蝕。 ①干法刻蝕 利用等離子體將不要的材料去除。 ②濕法刻蝕 利用腐蝕性
2024-12-06 11:13:583353 
說到濕法刻蝕了，這個是專業(yè)的技術(shù)。我們也得用專業(yè)的內(nèi)容才能給大家講解。聽到這個工藝的話，最專業(yè)的一定就是講述濕法刻蝕步驟。你知道其中都有哪些步驟嗎？如果想要了解，今天是一個不錯的機(jī)會，我們一起學(xué)習(xí)
2024-12-13 14:08:311390 在芯片制造過程中的各工藝站點，有很多不同的工藝名稱用于除去晶圓上多余材料，如“清洗”、“刻蝕”、“研磨”等。如果說“清洗”工藝是把晶圓上多余的臟污、particle、上一站點殘留物去除掉，“刻蝕
2024-12-16 15:03:062431 
離子轟擊的不均勻性 干法刻蝕通常是物理作用和化學(xué)作用相結(jié)合的過程，其中離子轟擊是重要的物理刻蝕手段。在刻蝕過程中，離子的入射角和能量分布可能不均勻. 如果離子入射角在側(cè)壁的不同位置存在差異，那么
2024-12-17 11:13:121469 
本文介紹了腔室壓力對刻蝕的影響。 ? 腔室壓力是如何調(diào)節(jié)的？對刻蝕的結(jié)果有什么影響？ ? 什么是腔室壓力？ 腔室壓力是指在刻蝕設(shè)備的工藝腔室內(nèi)的氣體壓力，通常以托（Torr）或帕斯卡（Pa）為單位
2024-12-17 18:11:291661 
? 本文介紹了射頻電源的功率與頻率對刻蝕結(jié)果的影響。 干法刻蝕中，射頻電源的功率與頻率對刻蝕結(jié)果都有哪些影響？ 什么是RF的功率與頻率？ RF功率（RF Power），是指射頻電源提供給等離子體
2024-12-18 11:52:002975 ????? ALE，英文名Atomic Layer Etching，中文名原子層刻蝕。是和ALD相對的，均是自限性反應(yīng)，一個是沉積一個是刻蝕。ALD是每個循環(huán)只沉積一層原子，ALE是每個循環(huán)只刻蝕
2024-12-20 14:15:091782 
什么是刻蝕？刻蝕是指通過物理或化學(xué)方法對材料進(jìn)行選擇性的去除，從而實現(xiàn)設(shè)計的結(jié)構(gòu)圖形的一種技術(shù)。蝕刻是半導(dǎo)體制造及微納加工工藝中相當(dāng)重要的步驟，自1948年發(fā)明晶體管到現(xiàn)在，在微電子學(xué)和半導(dǎo)體領(lǐng)域
2024-12-20 16:03:161651 
晶圓濕法刻蝕原理是指通過化學(xué)溶液將固體材料轉(zhuǎn)化為液體化合物的過程。這一過程主要利用化學(xué)反應(yīng)來去除材料表面的特定部分，從而實現(xiàn)對半導(dǎo)體材料的精細(xì)加工和圖案轉(zhuǎn)移。 下面將詳細(xì)解釋晶圓濕法刻蝕的原理： 1
2024-12-23 14:02:261245 提高濕法刻蝕的選擇比，是半導(dǎo)體制造過程中優(yōu)化工藝、提升產(chǎn)品性能的關(guān)鍵步驟。選擇比指的是在刻蝕過程中，目標(biāo)材料與非目標(biāo)材料的刻蝕速率之比。一個高的選擇比意味著可以更精確地控制刻蝕過程，減少對非目標(biāo)材料
2024-12-25 10:22:011714 芯片濕法刻蝕方法主要包括各向同性刻蝕和各向異性刻蝕。為了讓大家更好了解這兩種方法，我們下面準(zhǔn)備了詳細(xì)的介紹，大家可以一起來看看。 各向同性刻蝕 定義：各向同性刻蝕是指在所有方向上均勻進(jìn)行的刻蝕，產(chǎn)生
2024-12-26 13:09:051685 材料的現(xiàn)象. 是一種物理納米干法刻蝕, 當(dāng)離子束與基板表面碰撞時, 破壞表面存在的原子間結(jié)合力(數(shù) eV左右), 將表面的原子拋出.
2024-12-26 15:21:191645 半導(dǎo)體濕法刻蝕殘留物的原理涉及化學(xué)反應(yīng)、表面反應(yīng)、側(cè)壁保護(hù)等多個方面。 以下是對半導(dǎo)體濕法刻蝕殘留物原理的詳細(xì)闡述： 化學(xué)反應(yīng) 刻蝕劑與材料的化學(xué)反應(yīng)：在濕法刻蝕過程中，刻蝕劑（如酸、堿或氧化劑
2025-01-02 13:49:321181 等離子體刻蝕和濕法刻蝕是集成電路制造過程中常用的兩種刻蝕方法，雖然它們都可以用來去除晶圓表面的材料，但它們的原理、過程、優(yōu)缺點及適用范圍都有很大的不同。 ? ? 1. 刻蝕原理和機(jī)制的不同 濕法刻蝕
2025-01-02 14:03:561267 本文介紹了什么是原子層刻蝕（ALE, Atomic Layer Etching）。 1.ALE 的基本原理：逐層精準(zhǔn)刻蝕? 原子層刻蝕（ALE）是一種基于“自限性反應(yīng)”的納米加工技術(shù)，其特點是以單
2025-01-20 09:32:431280 
碳化硅（SiC）作為一種高性能材料，在大功率器件、高溫器件和發(fā)光二極管等領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用。其中，基于等離子體的干法蝕刻在SiC的圖案化及電子器件制造中起到了關(guān)鍵作用，本文將介紹干法刻蝕的概念、碳硅
2025-01-22 10:59:232668 
泛應(yīng)用。以下是其技術(shù)原理、組成、工藝特點及發(fā)展趨勢的詳細(xì)介紹： 一、技術(shù)原理 BOE刻蝕液是一種以氫氟酸（HF）和氟化銨（NH?F）為基礎(chǔ)的緩沖溶液，通過化學(xué)腐蝕作用去除半導(dǎo)體表面的氧化層（如SiO?、SiN?）。其核心反應(yīng)機(jī)制包括： 氟化物離子攻擊： 氟化銨（NH?
2025-04-28 17:17:255516 ICP（Inductively Coupled Plasma，電感耦合等離子體）刻蝕技術(shù)是半導(dǎo)體制造中的一種關(guān)鍵干法刻蝕工藝，廣泛應(yīng)用于先進(jìn)集成電路、MEMS器件和光電子器件的加工。以下是關(guān)于ICP
2025-05-06 10:33:063902 芯片刻蝕是半導(dǎo)體制造中的關(guān)鍵步驟，用于將設(shè)計圖案從掩膜轉(zhuǎn)移到硅片或其他材料上，形成電路結(jié)構(gòu)。其原理是通過化學(xué)或物理方法去除特定材料（如硅、金屬或介質(zhì)層），以下是芯片刻蝕的基本原理和分類： 1. 刻蝕
2025-05-06 10:35:311978 在MEMS制造工藝中，干法刻蝕是通過等離子體、離子束等氣態(tài)物質(zhì)對薄膜材料或襯底進(jìn)行刻蝕的工藝，其評價參數(shù)直接影響器件的結(jié)構(gòu)精度和性能。那么干法刻蝕有哪些評價參數(shù)呢？
2025-07-07 11:21:571625 
在MEMS中，玻璃因具有良好的絕緣性、透光性、化學(xué)穩(wěn)定性及可鍵合性（如與硅陽極鍵合），常被用作襯底、封裝結(jié)構(gòu)或微流體通道基板。玻璃刻蝕是制備這些微結(jié)構(gòu)的核心工藝，需根據(jù)精度要求、結(jié)構(gòu)尺寸及玻璃類型選擇合適的方法，玻璃刻蝕主要分為濕法腐蝕和干法刻蝕兩大類。
2025-07-18 15:18:011491 上海伯東 IBE 離子束刻蝕機(jī), 離子束具有方向性強(qiáng)的特點, 刻蝕過程中對材料的側(cè)向侵蝕 (鉆蝕)少, 能形成陡峭的光柵槽壁, 適合加工高精度, 高分辨率的光柵 (如中高溝槽密度的光柵).
2025-08-21 15:18:181021 
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