4. 電源

4.1 確定電源連接關(guān)系。

4.2 數(shù)字信號(hào)布線區(qū)域中，用10uF電解電容或鉭電容與0.1uF瓷片電容并聯(lián)后接在電源/地之間。在PCB板電源入口端和最遠(yuǎn)端各放置一處，以防電源尖峰脈沖引發(fā)的噪聲干擾。

4.3 對(duì)雙面板，在用電電路相同層面中，用兩邊線寬為 200mil的電源走線環(huán)繞該電路。（另一面須用數(shù)字地做相同處理）

4.4 一般地，先布電源走線，再布信號(hào)走線。

5. 地

5.1雙面板中，數(shù)字和模擬元器件（除DAA）周?chē)跋路轿词褂弥畢^(qū)域用數(shù)字地或模擬地區(qū)域填充，各層面同類(lèi)地區(qū)域連接在一起，不同層面同類(lèi)地區(qū)域通過(guò)多個(gè)過(guò)孔相連：Modem DGND引腳接至數(shù)字地區(qū)域，AGND引腳接至模擬地區(qū)域;數(shù)字地區(qū)域和模擬地區(qū)域用一條直的空隙隔開(kāi)。

5.2 四層板中，使用數(shù)字和模擬地區(qū)域覆蓋數(shù)字和模擬元器件（除DAA）；Modem DGND引腳接至數(shù)字地區(qū)域，AGND引腳接至模擬地區(qū)域;數(shù)字地區(qū)域和模擬地區(qū)域用一條直的空隙隔開(kāi)。

5.3 如設(shè)計(jì)中須EMI過(guò)濾器，應(yīng)在接口插座端預(yù)留一定空間，絕大多數(shù)EMI器件（Bead/電容）均可放置在該區(qū)域;未使用之區(qū)域用地區(qū)域填充，如有屏蔽外殼也須與之相連。

5.4 每個(gè)功能模塊電源應(yīng)分開(kāi)。功能模塊可分為：并行總線接口、顯示、數(shù)字電路（SRAM、EPROM、Modem）和DAA等，每個(gè)功能模塊的電源/地只能在電源/地的源點(diǎn)相連。

5.5 對(duì)串行DTE模塊，使用去耦電容減少電源耦合，對(duì)電話線也可做相同處理。

5.6 地線通過(guò)一點(diǎn)相連，如可能，使用Bead；如抑制EMI需要，允許地線在其它地方相連。

5.7 所有地線走線盡量寬，25-50mil。

5.8 所有IC電源/地間的電容走線盡量短，并不要使用過(guò)孔。

6. 晶振電路

6.1 所有連到晶振輸入/輸出端（如XTLI、XTLO）的走線盡量短，以減少噪聲干擾及分布電容對(duì)Crystal的影響。XTLO走線盡量短，且彎轉(zhuǎn)角度不小於45度。（因XTLO連接至上升時(shí)間快，大電流之驅(qū)動(dòng)器）

6.2 雙面板中沒(méi)有地線層，晶振電容地線應(yīng)使用盡量寬的短線連接至器件上離晶振最近的DGND引腳，且盡量減少過(guò)孔。

6.3 如可能，晶振外殼接地。

6.4 在XTLO引腳與晶振/電容節(jié)點(diǎn)處接一個(gè)100 Ohm電阻。

6.5 晶振電容的地直接連接至 Modem的GND引腳，不要使用地線區(qū)域或地線走線來(lái)連接電容和Modem的GND引腳。

7. 使用EIA/TIA-232接口的獨(dú)立Modem設(shè)計(jì)

7.1 使用金屬外殼。 如果須用塑料外殼，應(yīng)在內(nèi)部貼金屬箔片或噴導(dǎo)電物質(zhì)以減小EMI。

7.2 各電源線上放置相同模式的Choke。

7.3 元器件放置在一起并緊靠EIA/TIA-232接口的Connector。

7.4 所有EIA/TIA-232器件從電源源點(diǎn)單獨(dú)連接電源/地。電源/地的源點(diǎn)應(yīng)為板上電源輸入端或調(diào)壓芯片的輸出端。

7.5 EIA/TIA-232電纜信號(hào)地接至數(shù)字地。

針對(duì)模擬信號(hào)，再作一些詳細(xì)說(shuō)明：

模擬電路的設(shè)計(jì)是工程師們最頭疼、但也是最致命的設(shè)計(jì)部分，盡管目前數(shù)字電路、大規(guī)模集成電路的發(fā)展非常迅猛，但是模擬電路的設(shè)計(jì)仍是不可避免的，有時(shí)也是數(shù)字電路無(wú)法取代的，例如 RF 射頻電路的設(shè)計(jì)！這里將模擬電路設(shè)計(jì)中應(yīng)該注意的問(wèn)題總結(jié)如下，有些純屬經(jīng)驗(yàn)之談，還望大家多多補(bǔ)充、多多批評(píng)指正！。..

（1）為了獲得具有良好穩(wěn)定性的反饋電路，通常要求在反饋環(huán)外面使用一個(gè)小電阻或扼流圈給容性負(fù)載提供一個(gè)緩沖。

（2）積分反饋電路通常需要一個(gè)小電阻（約 560 歐）與每個(gè)大于 10pF 的積分電容串聯(lián)。

（3）在反饋環(huán)外不要使用主動(dòng)電路進(jìn)行濾波或控制 EMC 的 RF 帶寬，而只能使用被動(dòng)元件（最好為 RC 電路）。僅僅在運(yùn)放的開(kāi)環(huán)增益比閉環(huán)增益大的頻率下，積分反饋方法才有效。在更高的頻率下，積分電路不能控制頻率響應(yīng)。

（4）為了獲得一個(gè)穩(wěn)定的線性電路，所有連接必須使用被動(dòng)濾波器或其他抑制方法（如光電隔離）進(jìn)行保護(hù)。

（5）使用 EMC 濾波器，并且與 IC 相關(guān)的濾波器都應(yīng)該和本地的 0V 參考平面連接。

（6）在外部電纜的連接處應(yīng)該放置輸入輸出濾波器，任何在沒(méi)有屏蔽系統(tǒng)內(nèi)部的導(dǎo)線連接處都需要濾波，因?yàn)榇嬖?a target="_blank">天線效應(yīng)。另外，在具有數(shù)字信號(hào)處理或開(kāi)關(guān)模式的變換器的屏蔽系統(tǒng)內(nèi)部的導(dǎo)線連接處也需要濾波。

（7）在模擬 IC 的電源和地參考引腳需要高質(zhì)量的 RF 去耦，這一點(diǎn)與數(shù)字 IC 一樣。但是模擬 IC 通常需要低頻的電源去耦，因?yàn)槟M元件的電源噪聲抑制比（PSRR）在高于 1KHz 后增加很少。在每個(gè)運(yùn)放、比較器和數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器的模擬電源走線上都應(yīng)該使用 RC 或 LC 濾波。電源濾波器的拐角頻率應(yīng)該對(duì)器件的 PSRR 拐角頻率和斜率進(jìn)行補(bǔ)償，從而在整個(gè)工作頻率范圍內(nèi)獲得所期望的 PSRR 。

（8）對(duì)于高速模擬信號(hào)，根據(jù)其連接長(zhǎng)度和通信的最高頻率，傳輸線技術(shù)是必需的。即使是低頻信號(hào)，使用傳輸線技術(shù)也可以改善其抗干擾性，但是沒(méi)有正確匹配的傳輸線將會(huì)產(chǎn)生天線效應(yīng)。

（9）避免使用高阻抗的輸入或輸出，它們對(duì)于電場(chǎng)是非常敏感的。

（10）由于大部分的輻射是由共模電壓和電流產(chǎn)生的，并且因?yàn)榇蟛糠汁h(huán)境的電磁干擾都是共模問(wèn)題產(chǎn)生的，因此在模擬電路中使用平衡的發(fā)送和接收（差分模式）技術(shù)將具有很好的 EMC 效果，而且可以減少串?dāng)_。平衡電路（差分電路）驅(qū)動(dòng)不會(huì)使用 0V 參考系統(tǒng)作為返回電流回路，因此可以避免大的電流環(huán)路，從而減少 RF 輻射。

（11）比較器必須具有滯后（正反饋），以防止因?yàn)樵肼暫透蓴_而產(chǎn)生的錯(cuò)誤的輸出變換，也可以防止在斷路點(diǎn)產(chǎn)生振蕩。不要使用比需要速度更快的比較器（將 dV/dt 保持在滿足要求的范圍內(nèi)，盡可能低）。

（12）有些模擬 IC 本身對(duì)射頻場(chǎng)特別敏感，因此常常需要使用一個(gè)安裝在 PCB 上，并且與 PCB 的地平面相連接的小金屬屏蔽盒，對(duì)這樣的模擬元件進(jìn)行屏蔽。注意，要保證其散熱條件。