電光調(diào)制器,電光調(diào)制器工作原理是什么?

電光調(diào)制器是利用某些晶體材料在外加電場(chǎng)的作用下所產(chǎn)生的電光效應(yīng)而制成的器件。常用的有兩種方式：一種是加在晶體上的電場(chǎng)方向與通光方向平行，稱縱向電光效應(yīng)（也稱為縱向運(yùn)用）；另一種是通光方向與所加電場(chǎng)方向相垂直，稱橫向電光效應(yīng)（也稱為橫向運(yùn)用）。

隨外加電壓變化的透過(guò)率

縱向調(diào)制與橫向調(diào)制優(yōu)缺點(diǎn)

• 縱向電光調(diào)制優(yōu)點(diǎn)是結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，工作穩(wěn)定，無(wú)自然雙折射的影響，不需進(jìn)行補(bǔ)償。其缺點(diǎn)是半波電壓太高，功率損耗較大。

• 一般橫向調(diào)制器橫向運(yùn)用時(shí)其半波電壓要低于縱向運(yùn)用 ,但由于存在著自然雙折射引起的相位延遲，且隨溫度的漂移而改變，往往使已調(diào)波發(fā)生畸變，常采用“組合調(diào)制器”來(lái)進(jìn)行補(bǔ)償。

光通信中調(diào)制器的設(shè)計(jì)目標(biāo)

• 高的調(diào)制速度和寬的調(diào)制帶寬

• 低的驅(qū)動(dòng)電壓

• 高消光比

• 低的插入損耗

為達(dá)到上述要求,實(shí)際中大都采用工藝較成熟的LiNbO3材料制作電光調(diào)制器

目前電光調(diào)制器的性能

• 1997年以色列通用微波公司的1.55m高速LiNbO3調(diào)制器（M-Z干涉儀型）獲得3dB帶寬為40GHz，RF驅(qū)動(dòng)功率低至44～70mW 。

• 日本NTT公司采用Ti擴(kuò)散LiNbO3脊形共平面波導(dǎo)電極結(jié)構(gòu)，研制出1.55m波長(zhǎng)的毫米波電光調(diào)制器，獲得3dB帶寬30GHz（電信號(hào)）和50GHz（光信號(hào)），驅(qū)動(dòng)電壓為3.5V。