ESD技術(shù)文檔：芯片級(jí)ESD與系統(tǒng)級(jí)ESD測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)介紹和差異分析
2025-05-15 14:25:06
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做， 使用TLP脈沖方波評(píng)估芯片的ESD性能，可以是Wafer，die或封裝后成品。? 通常0V打到fail ? ESD-gun 靜電槍測(cè)試? 模擬單板、系統(tǒng)外部接口在帶電插拔等情況下的ESD放電，板級(jí)、系統(tǒng)級(jí)
2021-11-24 10:48:32
ESD測(cè)試，即靜電放電測(cè)試（Electrostatic Discharge Testing），是一種用于評(píng)估電子設(shè)備或組件在靜電放電環(huán)境下的性能穩(wěn)定性和可靠性的測(cè)試方法。以下是關(guān)于ESD測(cè)試的詳細(xì)
2025-11-26 07:37:49
系統(tǒng)級(jí)ESD現(xiàn)象和器件級(jí)ESD現(xiàn)象有什么差異？ESD事件保護(hù)的系統(tǒng)級(jí)設(shè)計(jì)方法有哪幾種？
2021-06-08 07:20:49
能夠承受ESD的沖擊，并繼續(xù)正常工作。ESD保護(hù)方法為了給電子系統(tǒng)提供ESD保護(hù)，可以從不同的角度來(lái)著手。一種方法是在半導(dǎo)體芯片內(nèi)建ESD保護(hù)架構(gòu)。不過(guò)，日趨縮小的CMOS芯片已經(jīng)越來(lái)越不足以承受進(jìn)行
2011-07-05 14:19:03
本帖最后由 testest 于 2020-5-17 20:51 編輯
芯片IC可靠性測(cè)試、靜電測(cè)試、失效分析芯片可靠性驗(yàn)證 ( RA)芯片級(jí)預(yù)處理(PC)& MSL試驗(yàn)
2020-05-17 20:50:12
芯片IC可靠性測(cè)試、靜電測(cè)試、失效分析芯片可靠性驗(yàn)證 ( RA)芯片級(jí)預(yù)處理(PC) & MSL試驗(yàn) 、J-STD-020 & JESD22-A113 ；高溫存儲(chǔ)試驗(yàn)(HTSL
2020-04-26 17:03:32
芯片功能測(cè)試常用5種方法有板級(jí)測(cè)試、晶圓CP測(cè)試、封裝后成品FT測(cè)試、系統(tǒng)級(jí)SLT測(cè)試、可靠性測(cè)試。
2023-06-09 16:25:42
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 09:54 編輯
芯片級(jí)拆解：剖析新型LED燈泡設(shè)計(jì)的藝術(shù)
2012-08-20 19:45:33
芯片級(jí)維修資料分享（一）關(guān)于臺(tái)式機(jī)主板維修分享
2019-08-28 14:47:21
第二章 驗(yàn)證flow驗(yàn)證的Roadmap驗(yàn)證的目標(biāo)UVM驗(yàn)證方法學(xué)ASIC驗(yàn)證分解驗(yàn)證策略和任務(wù)的分解AMBA可重用、靈活性、兼容性、廣泛支持一.驗(yàn)證的Roadmap1.ASIC芯片項(xiàng)目流程市場(chǎng)需求
2021-11-01 06:28:47
晶圓級(jí)芯片級(jí)封裝; 49 bumps; 3.29×3.29×0.54mm（包括背面涂層）
2022-12-06 06:06:48
【芯片級(jí)維修工程師】電腦主板維修范例大全 下載 (474.94 KB)2010-11-28 17:16 本帖隱藏的內(nèi)容需要
2010-12-02 21:47:40
`iPhone4S手機(jī)芯片級(jí)拆解`
2012-08-20 21:09:03
。芯片級(jí)一般用HBM做測(cè)試，而電子產(chǎn)品則用IEC 6 1000-4-2的放電模型做測(cè)試。為對(duì) ESD 的測(cè)試進(jìn)行統(tǒng)一規(guī)范，在工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)方面，歐共體的 IEC 61000-4-2 已建立起嚴(yán)格的瞬變沖擊抑制標(biāo)準(zhǔn)
2019-04-23 16:38:13
；該系統(tǒng)主要被用于產(chǎn)品的研發(fā)與測(cè)試分析 這一類ESD 可以理解為板級(jí)的ESD 3. 隨著中美貿(mào)易不斷升級(jí)，2017年開(kāi)始國(guó)家加大半導(dǎo)體，芯片等相關(guān)公司的投資， 在武漢，廈門 合肥 南京 杭州成都等城市
2020-02-29 16:39:46
。生產(chǎn)嵌入式芯片的廠家也已有百家之多。然而，嵌入式芯片的應(yīng)用開(kāi)發(fā)方式基本上還是一直采用基于芯片級(jí)的應(yīng)用開(kāi)發(fā)方式。由于不同生產(chǎn)廠家生產(chǎn)的芯片其系統(tǒng)構(gòu)架和指令系統(tǒng)不一樣，嵌入式芯片應(yīng)用的多樣性和廣泛性導(dǎo)致
2012-11-19 11:53:48
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 09:46 編輯
保護(hù)元件免受ESD的方法 為了給電子系統(tǒng)提供ESD保護(hù)，可以從不同的角度來(lái)著手。一種方法是在半導(dǎo)體芯片內(nèi)建ESD保護(hù)架構(gòu)
2013-01-04 14:58:24
為了給電子系統(tǒng)提供ESD保護(hù)，可以從不同的角度來(lái)著手。一種方法是在半導(dǎo)體芯片內(nèi)建ESD保護(hù)架構(gòu)。不過(guò)，日趨縮小的CMOS芯片已經(jīng)越來(lái)越不足以承受進(jìn)行內(nèi)部2KV等級(jí)的ESD保護(hù)所需要的面積。真正有效
2014-02-14 10:30:16
[/td][td=140]芯片級(jí)系統(tǒng)級(jí)上升時(shí)間2-10ns0.7-1ns峰值電流/KV0.66A3.75A2.測(cè)試設(shè)備不同MK2-芯片級(jí)靜電槍-系統(tǒng)級(jí)3.測(cè)試方法不同芯片級(jí)HBM測(cè)試需要對(duì)IC按照
2020-10-16 16:36:22
0.7-1ns峰值電流/KV0.66A3.75A2.測(cè)試設(shè)備不同，MK2芯片級(jí)，靜電槍系統(tǒng)級(jí)3.測(cè)試方法不同芯片級(jí)HBM測(cè)試需要對(duì)IC按照POWER,GND,IO進(jìn)行分組測(cè)試系統(tǒng)級(jí)HBM測(cè)試分成兩種方式：1
2022-09-19 09:53:25
。芯片級(jí)一般用HBM做測(cè)試，而電子產(chǎn)品則用IEC 6 1000-4-2的放電模型做測(cè)試。為對(duì) ESD 的測(cè)試進(jìn)行統(tǒng)一規(guī)范，在工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)方面，歐共體的 IEC 61000-4-2 已建立起嚴(yán)格的瞬變沖擊抑制標(biāo)準(zhǔn)
2021-08-10 07:00:00
我們已經(jīng)把芯片級(jí)的ESD 性能寫入數(shù)據(jù)手冊(cè)多年， 但這些參數(shù)僅適用于在芯片焊接到電路板前。那么在電路板上的ESD性能如何呢？
2021-04-09 06:00:54
基于無(wú)線測(cè)試配置來(lái)研究和比較各種多DUT測(cè)試方案
2021-05-10 06:44:44
對(duì)于單顆的芯片，目的驗(yàn)證其從封裝完成，經(jīng)過(guò)儲(chǔ)存、運(yùn)輸直到焊接到系統(tǒng)板之前的靜電防護(hù)水平，建議采用芯片級(jí)的測(cè)試方式，測(cè)試電壓通常在2000V左右。對(duì)于系統(tǒng)板和整機(jī)，為驗(yàn)證其抗干擾的能力，建議用靜電槍測(cè)試，接觸式放電8KV，空氣放電15KV.
2022-09-19 09:57:03
脈沖有沒(méi)有正確送到CPU芯片的復(fù)位腳。 4.查總線 數(shù)據(jù)總線、地址總線、控制總線的任何一根開(kāi)路或短路都可引發(fā)故障，可以通過(guò)測(cè)試平行總線的對(duì)地電阻比較某路有沒(méi)有故障來(lái)判斷，或者觀察各路總線的波形來(lái)判斷。 5.查接口芯片 接口芯片是壞得最多的一類元件，可通過(guò)代換或?qū)Ｓ脙x器檢測(cè)來(lái)判斷是否損壞
2012-04-18 16:31:12
的集成度?，F(xiàn)在一塊單一的芯片就集成了從ＡＤＣ轉(zhuǎn)換到中頻調(diào)制輸出的大部分功能。因此，模塊級(jí)和芯片級(jí)的射頻測(cè)試點(diǎn)會(huì)減少很多，發(fā)射器系統(tǒng)級(jí)和天線端的測(cè)試和故障分析就變得更加重要。
2019-06-28 07:44:08
Ramon Navarro簡(jiǎn)介本應(yīng)用筆記說(shuō)明用于從印刷電路板(PCB)移除引線框芯片級(jí)封裝(LFCSP)的建議程序。LFCSP符合JEDEC MO-220和MO-229外形要求。本應(yīng)用筆
2018-10-24 10:31:49
怎樣在IAP源碼的基礎(chǔ)上做芯片級(jí)的改動(dòng)呢？STM32的啟動(dòng)過(guò)程是怎樣的？
2021-11-02 06:13:23
面積，而硅片面積的增加增大了IC設(shè)計(jì)的成本?！ ‘?dāng)前，新的ESD設(shè)計(jì)技術(shù)解決了這個(gè)問(wèn)題：鎮(zhèn)流電阻可以通過(guò)高效的面積使用方法來(lái)實(shí)現(xiàn)。新的設(shè)計(jì)方法能確保實(shí)現(xiàn)較小的I/O，更小的IC芯片尺寸，因而每一個(gè)晶圓上
2012-12-11 13:39:47
如何利用EDA工具去提高系統(tǒng)級(jí)芯片測(cè)試的效率？
2021-05-07 06:08:41
。這一規(guī)范的ESD保護(hù)電壓水平高很多，因此與HBM不兼容。HBM規(guī)范要求的測(cè)試集中在500V。另一方面，IEC中的空氣放電方法要求的測(cè)試可以超過(guò)15，000V。這意味著，在芯片組的ESD保護(hù)能力
2019-05-22 05:01:12
本帖最后由 llgzcts 于 2012-4-8 01:22 編輯
介紹一個(gè)關(guān)于電腦主板維修的好資料的下載地址：電腦硬件芯片級(jí)維修培訓(xùn)實(shí)用資料大全(650M)實(shí)用資料打包下載網(wǎng)實(shí)用資料打包下載網(wǎng)
2012-04-08 01:03:34
。芯片級(jí)一般用HBM做測(cè)試，而電子產(chǎn)品則用IEC 6 1000-4-2的放電模型做測(cè)試。為對(duì) ESD 的測(cè)試進(jìn)行統(tǒng)一規(guī)范，在工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)方面，歐共體的 IEC 61000-4-2 已建立起嚴(yán)格的瞬變沖擊抑制
2020-07-07 08:26:54
等。芯片級(jí)一般用HBM做測(cè)試，而電子產(chǎn)品則用IEC 6 1000-4-2的放電模型做測(cè)試。為對(duì) ESD 的測(cè)試進(jìn)行統(tǒng)一規(guī)范，在工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)方面，歐共體的 IEC 61000-4-2 已建立起嚴(yán)格的瞬變沖擊
2018-10-23 16:08:45
計(jì)算機(jī)芯片級(jí)維修中心（芯片級(jí)維修培訓(xùn)教材）
2009-04-05 01:17:54
SRAM中晶圓級(jí)芯片級(jí)封裝的需求
2020-12-31 07:50:40
飛凌干貨丨6步講解應(yīng)對(duì)ESD基本方法ESD試驗(yàn)作為EMC測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)的一項(xiàng)基本測(cè)試項(xiàng)目，往往由硬件工程師來(lái)考慮。對(duì)于整機(jī)來(lái)說(shuō)，ESD抗干擾能力不僅僅來(lái)自芯片的ESD耐壓和PCB的布局布線，與工藝結(jié)構(gòu)也有
2021-02-07 13:22:05
本文介紹并分析了將基于最新一代Linux 內(nèi)核kernel-2.6 的μClinux-kernel-2.6，移植到尚未被具體支持的處理器芯片Philips-LPC2294 的全過(guò)程。給出了2.6 版本內(nèi)核向具體處理器的芯片級(jí)移
2009-06-16 09:22:08
13 摘要：介紹了一種研究器件和電路結(jié)構(gòu)在EsD期間新的特性測(cè)試方法—一TLP法，該方法不僅可替代HBM測(cè)試，還能幫助電路設(shè)計(jì)師詳細(xì)地分析器件和結(jié)構(gòu)在ESD過(guò)程中的運(yùn)行機(jī)制，有目的
2010-04-29 10:48:5329 福祿克DTX-1800維修維修內(nèi)容：主機(jī)屏幕爆屏、無(wú)法開(kāi)機(jī)、測(cè)試指標(biāo)偏移、無(wú)法充電、適配器接口損壞更換、電池內(nèi)阻增大更換、原廠校準(zhǔn)、芯片級(jí)維修等，各種疑難雜癥。
2023-10-10 16:11:30
服務(wù)范圍大規(guī)模集成電路芯片檢測(cè)標(biāo)準(zhǔn)●JESD22-A103/ A104/ A105/ A108/ A110●J-STD-020●JS-001/002●JESD78檢測(cè)項(xiàng)目（1）芯片級(jí)可靠性驗(yàn)證試驗(yàn)
2024-03-14 16:28:30
基于IEEE1149．4的測(cè)試方法研究
根據(jù)混合信號(hào)邊界掃描測(cè)試的工作機(jī)制，提出了符合1149．4標(biāo)準(zhǔn)的測(cè)試方法，并用本研究室開(kāi)發(fā)的混合信號(hào)邊界掃描測(cè)試系統(tǒng)進(jìn)行了測(cè)試
2009-05-04 22:29:181344 
測(cè)試一直是靜電與電磁防護(hù)研究的瓶頸. 針對(duì)ESD 輻射場(chǎng) 測(cè)試問(wèn)題, 提出了能量有效帶寬和動(dòng)態(tài)范圍有效帶寬的概念, 并根據(jù)IEC61000
2011-06-20 16:45:2429 日前，國(guó)內(nèi)知名固態(tài)硬盤廠商源科發(fā)布最新產(chǎn)品信息，宣布推出源科多芯片封裝（MCP）產(chǎn)品：芯片級(jí)固態(tài)硬盤 rSSD T100，該產(chǎn)品計(jì)劃將于2011年10月正式發(fā)售。
2011-09-16 14:34:02987 《開(kāi)關(guān)電源維修技能實(shí)訓(xùn):芯片級(jí)》共8章，系統(tǒng)講解了電源中的各種元器件的檢測(cè)方法及常用維修工具的使用方法、基本電路、電腦電源分析與檢修、顯示器電源分析與檢修、UPS電源分
2011-10-21 17:10:140 本應(yīng)用筆記就引腳架構(gòu)芯片級(jí)封裝(LFCSP)的使用提供了一些設(shè)計(jì)與制造指導(dǎo)
2011-11-24 17:08:40135 AN-772引腳架構(gòu)芯片級(jí)封裝（LFCSP）設(shè)計(jì)與制造指南
2013-08-21 18:01:480 東京—東芝公司宣布為照明應(yīng)用推出超小芯片級(jí)封裝白光LED，它可使安裝面積較傳統(tǒng)的3.0 x 1.4mm封裝產(chǎn)品縮小90%。
2014-04-07 14:23:201242 
清晰易懂 表明esd如何發(fā)生，如何避免esd
2016-02-22 18:05:450 基于電壓比較器襯底噪聲的測(cè)試方法
2017-01-22 13:38:085 翻譯: TI信號(hào)鏈工程師 Michael Huang (黃翔) 我們已經(jīng)把芯片級(jí)的ESD性能寫入數(shù)據(jù)手冊(cè)多年，但這些參數(shù)僅適用于在芯片焊接到電路板前。那么在電路板上的ESD性能如何呢？ 我們用多次電擊若干個(gè)芯片的每個(gè)引腳的方法來(lái)確保其ESD性能。它模擬了在觸摸和裝配過(guò)程中芯片遭遇的惡劣情景。
2017-04-08 04:09:113405 
CE標(biāo)志測(cè)試以滿足歐共體理事會(huì)指令89/336／EEC要求測(cè)試根據(jù)EN 61000-4-2。EN 61000-4-2是由CENELEC和他們使用IEC標(biāo)準(zhǔn)IEC 61000-4-2作為ESD測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)
2017-08-31 11:05:2033 ADI公司的iCoupler產(chǎn)品提供了一種替代光耦合器的隔離 解決方案，具有出色的集成度、性能和功耗特性。一個(gè) iCoupler隔離通道包括CMOS輸入和輸出電路與一個(gè)芯片級(jí) 變壓器（見(jiàn)圖1）。由于
2017-09-13 08:08:034 在便攜式電子市場(chǎng)，電源管理集成電路（PMIC）正在越來(lái)越多地采用球柵陣列（BGA）封裝和芯片級(jí)封裝（CSP），以便降低材料成本，改進(jìn)器件的電性能（無(wú)焊線阻抗），并且實(shí)現(xiàn)更小的外形尺寸。但是這些優(yōu)勢(shì)的取得并不是沒(méi)有其他方面的妥協(xié)。
2018-05-26 09:14:0011607 
本文將為您解釋系統(tǒng)級(jí) ESD 現(xiàn)象和器件級(jí) ESD 現(xiàn)象之間的差異，并向您介紹一些提供 ESD 事件保護(hù)的系統(tǒng)級(jí)設(shè)計(jì)方法。
2018-05-30 14:43:5832 本文將為您解釋系統(tǒng)級(jí)ESD現(xiàn)象和器件級(jí)ESD現(xiàn)象之間的差異，并向您介紹一些提供ESD事件保護(hù)的系統(tǒng)級(jí)設(shè)計(jì)方法。
2018-08-23 08:00:0039 借助晶圓級(jí)芯片級(jí)封裝，介入性檢測(cè)、醫(yī)學(xué)植入體、一次性監(jiān)護(hù)儀等便攜式醫(yī)療設(shè)備的設(shè)計(jì)師可以減小尺寸、降低功耗需求。
2019-04-16 16:30:534297 
盡管業(yè)界廣泛采用IJTAG（IEEE 1687）測(cè)試架構(gòu)進(jìn)行芯片級(jí)測(cè)試，但很多公司在芯片級(jí)測(cè)試向量轉(zhuǎn)換，以及自動(dòng)測(cè)試設(shè)備 (ATE) 調(diào)試測(cè)試保留了非常不同的方法。因此，每個(gè)特定芯片必須由 DFT 工程師編寫測(cè)試向量，然后由測(cè)試工程師進(jìn)行轉(zhuǎn)換，以便在每種測(cè)試儀類型上調(diào)試每個(gè)場(chǎng)景。
2019-10-11 15:36:234952 
芯片級(jí)守護(hù) 華為P30系列如何從底層保證通信安全？
2019-08-28 11:18:284972 劉暢表示，OPPO已經(jīng)擁有芯片級(jí)的技術(shù)能力，比如VOOC閃充的芯片就是OPPO自主研發(fā)。而網(wǎng)上傳聞的M1芯片，也確實(shí)在計(jì)劃之中，未來(lái)可能會(huì)在OPPO產(chǎn)品上商用。
2019-12-10 14:20:323713 根據(jù)AEC-Q200-002，HBM的ESD測(cè)試流程如圖3所示，級(jí)分類如表1所示。根據(jù)圖3的流程進(jìn)行測(cè)試，耐電壓的分級(jí)如表1所示進(jìn)行分類。
2020-07-01 15:33:315280 
在談到可穿戴技術(shù)的未來(lái)時(shí)，清楚地表明了可穿戴技術(shù)創(chuàng)新的未來(lái)進(jìn)程。響亮而明確的是，要想成功，可穿戴電子產(chǎn)品必須小而又要保持性能。存儲(chǔ)芯片供應(yīng)商宇芯電子本文主要講解SRAM中晶圓級(jí)芯片級(jí)封裝的需求。
2020-09-18 16:36:091594 歐司朗光電半導(dǎo)體公司生產(chǎn)的緊湊型高功率LED Osconiq C 2424提供從冷白光到暖白光在內(nèi)的廣泛色溫范圍以及各種顯色指數(shù)(CRI)，賦能不同類型燈具設(shè)計(jì)。此外，它是市場(chǎng)上唯一一款集成ESD（靜電放電裝置）的芯片級(jí)封裝LED，可以保護(hù)LED免受靜電損害。
2021-03-03 13:59:083470 AN-772: 引腳架構(gòu)芯片級(jí)封裝（LFCSP）設(shè)計(jì)與制造指南
2021-03-19 10:47:5513 AN-1389: 引線框芯片級(jí)封裝(LFCSP)的建議返修程序
2021-03-21 07:08:354 本部分，我們就跟隨作者一起看看Intel Stratix10 NX和Nvidia在這個(gè)領(lǐng)域的利器T4以及V100之間的對(duì)比，過(guò)程分為芯片級(jí)對(duì)比以及系統(tǒng)級(jí)對(duì)比。 本部分一起先來(lái)看看芯片級(jí)對(duì)比 首先
2021-03-29 14:15:373965 
EVAL-ADG788EBZ：ADG788芯片級(jí)三路SPDT開(kāi)關(guān)評(píng)價(jià)板數(shù)據(jù)手冊(cè)
2021-05-17 08:20:278 Microchip的SA65型芯片級(jí)原子鐘是一款嵌入式計(jì)時(shí)解決方案，具有更好的環(huán)境適應(yīng)性，與之前的SA.45s 型芯片級(jí)原子鐘相比，性能更強(qiáng)，例如能在更大溫度范圍內(nèi)將頻率穩(wěn)定性提高一倍，在低溫下預(yù)熱更快。
2021-08-24 09:46:457208 第二章 驗(yàn)證flow驗(yàn)證的Roadmap驗(yàn)證的目標(biāo)UVM驗(yàn)證方法學(xué)ASIC驗(yàn)證分解驗(yàn)證策略和任務(wù)的分解AMBA可重用、靈活性、兼容性、廣泛支持一.驗(yàn)證的Roadmap1.ASIC芯片項(xiàng)目流程市場(chǎng)需求
2021-10-25 12:36:0124 研究人員通過(guò)在包含納米針陣列的氧化鋅（ZnO）納米棒上產(chǎn)生等離子體，然后使用等離子體活化通過(guò)底層毛細(xì)管芯輸送的水，隨后在MHz級(jí)聲表面波（SAW）下實(shí)現(xiàn)霧化。氣溶膠的產(chǎn)生涉及使用芯片級(jí)高頻納米振幅機(jī)電激勵(lì)形成聲表面波（SAW）
2022-04-24 10:57:563376 通過(guò)使光纖/陣列通過(guò)水平芯片級(jí)邊緣耦合盡可能靠近裸露的波導(dǎo)小平面，可以實(shí)現(xiàn)高帶寬應(yīng)用的最佳耦合效率。真正的邊緣耦合功能可實(shí)現(xiàn)逼真的環(huán)境條件仿真，其設(shè)備性能最接近最終應(yīng)用。 FormFactor提供了
2022-06-21 14:48:06907 丹麥技術(shù)大學(xué)（TU Denmark）開(kāi)發(fā)的芯片級(jí)OPA技術(shù)可以消除混疊，在大視場(chǎng)范圍內(nèi)實(shí)現(xiàn)精細(xì)的光束操縱。
2022-08-14 10:00:492310 Fairchild 模擬開(kāi)關(guān)產(chǎn)品 ESD 測(cè)試方法概述
2022-11-14 21:08:281 Columbia Engineering研究人員開(kāi)發(fā)出非常純色的芯片級(jí)激光器，波長(zhǎng)覆蓋從近紫外到近紅外。激光器的顏色可以精確調(diào)整并且速度極快——高達(dá)每秒267拍赫茲（PHz），這對(duì)于量子光學(xué)等應(yīng)用至關(guān)重要。
2023-01-17 10:24:501913 LFCSP是一種近芯片級(jí)封裝（CSP），是一種塑料封裝引線鍵合封裝，采用無(wú)引線封裝形式的銅引線框架基板。
2023-02-23 14:15:339123 
ESD和浪涌問(wèn)題往往是基帶工程師最頭疼的問(wèn)題，因?yàn)?b class="flag-6" style="color: red">測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)嚴(yán)苛，問(wèn)題神出鬼沒(méi)。特別是ESD問(wèn)題，沒(méi)有解決問(wèn)題的標(biāo)準(zhǔn)路徑，只能靠反復(fù)地構(gòu)思方案并驗(yàn)證。
2023-03-14 14:36:2017246 ESD按照發(fā)生階段主要分為兩類：1.發(fā)生在芯片上PCB板前的過(guò)程中（生產(chǎn) 、封裝、運(yùn)輸、銷售、上板）這類ESD事件完全需要由芯片自己承受。
2023-05-16 16:21:3119161 
芯片功能測(cè)試常用5種方法有板級(jí)測(cè)試、晶圓CP測(cè)試、封裝后成品FT測(cè)試、系統(tǒng)級(jí)SLT測(cè)試、可靠性測(cè)試。
2023-06-09 15:46:584346 
，每個(gè)環(huán)節(jié)都有其獨(dú)特的測(cè)試方法和工具。 芯片設(shè)計(jì)驗(yàn)證主要涉及到系統(tǒng)級(jí)驗(yàn)證和芯片級(jí)驗(yàn)證兩方面，系統(tǒng)級(jí)驗(yàn)證主要是通過(guò)模擬仿真、綜合驗(yàn)證、電路分析、邏輯等級(jí)仿真等方法驗(yàn)證硬件系統(tǒng)的可靠性與穩(wěn)定性；而芯片級(jí)驗(yàn)證主要是通過(guò)存模和
2023-08-24 10:42:131682 ESD靜電放電在芯片實(shí)際使用過(guò)程中越來(lái)越影響到芯片的可靠性，是影響芯片質(zhì)量和性能的重要因素之一。因此，ESD抗干擾測(cè)試是非常重要的，防止ESD對(duì)芯片造成損壞。
2023-10-08 16:24:012632 在更小、更輕、更薄的消費(fèi)產(chǎn)品趨勢(shì)的推動(dòng)下，越來(lái)越小的封裝類型已經(jīng)開(kāi)發(fā)出來(lái)。事實(shí)上，封裝已經(jīng)成為在新設(shè)計(jì)中使用或放棄設(shè)備的關(guān)鍵決定因素。本文首先定義了“倒裝芯片”和“芯片級(jí)封裝”這兩個(gè)術(shù)語(yǔ)，并闡述了晶
2023-10-16 15:02:472019 全球與中國(guó)芯片級(jí)原子鐘市場(chǎng)現(xiàn)狀及未來(lái)發(fā)展趨勢(shì)
2023-01-13 09:06:3916 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《IEC61967-2芯片級(jí)RE測(cè)試應(yīng)用筆記.pdf》資料免費(fèi)下載
2023-12-14 10:03:065 近日國(guó)外知名拆解機(jī)構(gòu)iFixit對(duì)Vision Pro進(jìn)行了芯片級(jí)拆解，結(jié)果顯示該設(shè)備內(nèi)含大量德州儀器（TI）芯片，還有一顆國(guó)產(chǎn)芯片——兆易創(chuàng)新GD25Q80E 1 MB 串行 NOR 閃存。
2024-02-21 10:11:402543 
在MEMS某些器件設(shè)計(jì)中，常常需要用到可調(diào)電阻，在板級(jí)電路上可以通過(guò)電位器對(duì)貼片電阻進(jìn)行調(diào)阻，但在芯片級(jí)的薄膜電阻和板級(jí)的厚膜電阻都是如何進(jìn)行修調(diào)呢？
2024-02-29 10:44:262449 
近日，概倫電子宣布正式推出芯片級(jí)HBM靜電防護(hù)分析平臺(tái)ESDi和功率器件及電源芯片設(shè)計(jì)分析驗(yàn)證工具PTM，并開(kāi)始在國(guó)內(nèi)外市場(chǎng)廣泛推廣。
2024-05-28 10:09:401311 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《解決芯片級(jí)功率MOSFET的組裝問(wèn)題.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-08-27 11:17:240 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《實(shí)現(xiàn)芯片級(jí)封裝的最佳熱性能.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-10-15 10:22:420 在半導(dǎo)體技術(shù)的快速發(fā)展中，封裝技術(shù)作為連接芯片與外部世界的橋梁，其重要性不言而喻。CSP（Chip Scale Package），即芯片級(jí)封裝技術(shù)，正是近年來(lái)備受矚目的一種先進(jìn)封裝技術(shù)。今天，請(qǐng)跟隨瑞沃微的腳步，一起深入了解CSP芯片級(jí)封裝工藝的奧秘。
2024-11-06 10:53:344752 
在現(xiàn)代電子制造領(lǐng)域，靜電放電（ESD）是一個(gè)不可忽視的問(wèn)題。ESD可能導(dǎo)致設(shè)備性能下降、數(shù)據(jù)丟失甚至設(shè)備損壞。因此，對(duì)電子設(shè)備進(jìn)行ESD測(cè)試是確保其在實(shí)際使用中能夠抵抗靜電干擾的重要環(huán)節(jié)。 ESD
2024-11-14 11:10:242699 遭受ESD沖擊時(shí)不會(huì)損壞。 提高可靠性 ：符合ESD標(biāo)準(zhǔn)的器件可以提高整個(gè)系統(tǒng)的可靠性。 減少成本 ：預(yù)防ESD損害可以減少維修和更換的成本。 滿足法規(guī)要求 ：許多行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)和法規(guī)要求產(chǎn)品必須通過(guò)ESD測(cè)試。 ESD測(cè)試方法 1. 人體模型（HBM）測(cè)試 人體模
2024-11-14 11:18:056282 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《芯片級(jí)封裝的bq24165/166/16評(píng)估模塊.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-12-18 14:56:280 和軟件調(diào)校進(jìn)行了深度優(yōu)化，還深入到了芯片底層內(nèi)核，實(shí)現(xiàn)了真正的芯片級(jí)性能提升。 憑借這一突破性技術(shù)，一加不僅提升了芯片的性能釋放能力，還為玩家?guī)?lái)了更加流暢、穩(wěn)定的游戲體驗(yàn)。測(cè)試結(jié)果顯示，搭載了這一新技術(shù)的一加
2024-12-11 15:51:061064 ESDi平臺(tái)是一款先進(jìn)的芯片級(jí)ESD(靜電防護(hù))驗(yàn)證平臺(tái)，為設(shè)計(jì)流程的各個(gè)階段提供定制化解決方案。該平臺(tái)包括原理圖級(jí)HBM(人體模型)檢查工具ESDi-SC，芯片級(jí)HBM檢查工具ESDi，和適用于多線程仿真的芯片級(jí)HBM檢查分析工具ESDi-XL。
2025-04-22 10:25:08988 
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