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安路科技徐春華:工藝與設計的時間差是良率提升的“天敵”

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2024-12-30 10:42:326728

集成電路制造中損失來源及分類

本文介紹了集成電路制造中損失來源及分類。 的定義 是集成電路制造中最重要的指標之一。集成電路制造廠需對工藝和設備進行持續(xù)評估,以確保各項工藝步驟均滿足預期目標,即每個步驟的結果都處于生產
2025-01-20 13:54:012001

三星重啟1b nm DRAM設計,應對與性能挑戰(zhàn)

nm DRAM。 這一新版DRAM工藝項目被命名為D1B-P,其重點將放在提升能效和散熱性能上。這一命名邏輯與三星此前推出的第六代V-NAND改進版制程V6P相似,顯示出三星在半導體工藝研發(fā)上的持續(xù)創(chuàng)新與投入。 據了解,在決定啟動D1B-P項目時,三星現有的12nm級DRAM工藝
2025-01-22 14:04:071411

三星1c nm DRAM開發(fā)里程碑延期

據韓媒MoneyToday報道,三星電子已將其1c nm(1-cyano nanometer)DRAM內存開發(fā)的里程碑時間從原定的2024年底推遲至2025年6月。這一變動可能對三星在HBM4
2025-01-22 14:27:241109

三星電子1c nm內存開發(fā)里程碑推遲

據韓媒報道,三星電子已將其1c nm DRAM內存開發(fā)的里程碑時間推遲了半年。原本,三星計劃在2024年底將1c nm制程DRAM的提升至70%,以達到結束開發(fā)工作、順利進入量產階段的要求。然而,實際情況并未如愿。
2025-01-22 15:54:191002

革新焊接工藝,MiniLED焊錫膏開啟精密制造超高時代

MiniLED焊錫膏在MiniLED制造領域,工藝的每一個細節(jié)都決定著產品的成敗。而焊錫膏,這一看似微小的材料,卻承載著連接精密元件、保障的核心使命。如今,東莞市大為新材料技術有限公司以創(chuàng)新破局
2025-04-25 10:37:56734

玻璃基板精密檢測,優(yōu)可測方案提升至90%

優(yōu)可測白光干涉儀(精度0.03nm)&超景深顯微鏡-高精度檢測方案,助力玻璃基板提升至90%,加速產業(yè)高端化進程。
2025-05-12 17:48:57696

廣立微YAD貫穿全鏈診斷分析

長期以來,一直被視為芯片廠商和晶圓代工廠的生命線,其不僅是成本控制的關鍵因素,更是提升生產效率、增加產能以及增強市場競爭力的核心驅動力。
2025-05-21 14:54:171163

屹立芯創(chuàng)半導體除泡技術:提升先進封裝的關鍵解決方案

在半導體制造領域,氣泡問題一直是影響產品和可靠性的重要因素。隨著芯片集成度不斷提高,封裝工藝日益復雜,如何有效消除制程中的氣泡成為行業(yè)關注的焦點。
2025-07-23 11:29:35670

廣立微DE-YMS系統助力紫光同芯管理

廣立微(Semitronix)與國內領先的汽車電子及安全芯片供應商紫光同芯,在管理領域已開展近兩年深度合作。期間,廣立微DE-YMS系統憑借其快速、精準的損失根因定位能力,有效應對了日益復雜的芯片制造挑戰(zhàn),顯著提升了紫光同芯的管理效率與水平。
2025-09-06 15:02:351354

華大九天Vision平臺重塑晶圓制造優(yōu)化新標桿

摩爾定律驅動下,半導體產業(yè)正步入復雜度空前的新紀元。先進工藝節(jié)點的持續(xù)突破疊加國產化供應鏈的深度整合,不僅推動芯片性能實現跨越式發(fā)展,更使管理面臨前所未有的技術挑戰(zhàn)。納米級尺度下的設計缺陷被放大,工藝窗口收窄,任何偏差都可能引發(fā)驟降、產品延期。
2025-09-12 16:31:462003

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