最高的64層3D NAND芯片。據(jù)techweb的消息顯示，長(zhǎng)江存儲(chǔ)今年年底預(yù)計(jì)正式量產(chǎn)64層堆棧的3D閃存，明年開(kāi)始逐步提升產(chǎn)能，預(yù)計(jì)2020年底有望將產(chǎn)能提升至月產(chǎn)6萬(wàn)片晶圓的規(guī)模。
2019-08-27 09:32:51
2672 9月2日，長(zhǎng)江存儲(chǔ)正式對(duì)外宣布，其基于Xtacking?架構(gòu)的64層256 Gb TLC 3D NAND閃存（每顆裸芯片的存儲(chǔ)容量為256千兆字位，每個(gè)存儲(chǔ)單元為三個(gè)字位的三維閃存）正式量產(chǎn)，以滿足固態(tài)硬盤(pán)、嵌入式存儲(chǔ)等主流市場(chǎng)應(yīng)用需求。
2019-09-02 14:31:151919 東芝推出全球首款注148層3D堆疊式結(jié)構(gòu)閃存注2，該閃存容量達(dá)到256Gb（32GB），同時(shí)采用了行業(yè)領(lǐng)先的三階存儲(chǔ)單元（TLC）技術(shù)。這款全新閃存適用于各種產(chǎn)品應(yīng)用，包括消費(fèi)級(jí)固態(tài)硬盤(pán)（SSD）、智能手機(jī)、平板電腦和內(nèi)存卡以及面向數(shù)據(jù)中心的企業(yè)級(jí)SSD。據(jù)悉，樣品將于9月開(kāi)始發(fā)貨。
2015-08-19 13:37:591707 三星已經(jīng)連續(xù)推出兩代立體堆疊3D閃存，分別有24層、32層，并已用于850 EVO、850 Pro等多款固態(tài)硬盤(pán)產(chǎn)品，2015年8月正式量產(chǎn)首款可應(yīng)用于固態(tài)硬盤(pán)（SSD）中的48層3bit MLC
2016-07-13 10:32:437470 目前NAND閃存需求依然居高不下，廠商也有動(dòng)力擴(kuò)大產(chǎn)能了，SK Hynix公司日前宣布本月底將量產(chǎn)48層堆棧的3D NAND閃存，這是三星之后第二家量產(chǎn)48層堆棧3D閃存的公司。
2016-11-09 11:35:161088 西數(shù)公司日前表示今年會(huì)試產(chǎn)512Gb核心容量的64層堆棧3D NAND閃存，單顆核心容量就達(dá)到了64GB，比目前主流水平翻倍，制造超大容量SSD硬盤(pán)更容易了。
2017-02-07 14:21:311053 據(jù)外媒報(bào)道，東芝今天宣布正式出貨BiCS FLASH 3D閃存，采用64層堆疊，單晶粒容量512Gb（64GB，TLC），相對(duì)于上一代48層256Gb，容量密度提升了65%，這樣封裝閃存芯片的最高容量將達(dá)到960GB。
2017-02-23 08:33:401752 國(guó)產(chǎn)手機(jī)勢(shì)頭越來(lái)越強(qiáng)勁，把三星和蘋(píng)果的市場(chǎng)份額搶占不少，但繁榮背后是對(duì)核心產(chǎn)業(yè)鏈控制的缺失，就比如閃存芯片，這基本上被韓國(guó)廠商壟斷了。近日，高啟全接受媒體采訪時(shí)表示，長(zhǎng)江存儲(chǔ)將在2019年開(kāi)始量產(chǎn)64層堆棧的3D NAND閃存，這個(gè)消息無(wú)疑讓人振奮，而在今年他們還將出樣32層NAND閃存。
2017-05-09 15:10:042528 電子發(fā)燒友早八點(diǎn)訊：三星今天在韓國(guó)宣布，開(kāi)始大規(guī)模量產(chǎn)64層堆疊、256Gb（32GB）、3bit的V-NAND閃存芯片，是為第四代3D閃存。
2017-06-16 06:00:002458 紫光集團(tuán)董事長(zhǎng)趙偉國(guó)23日在中國(guó)國(guó)際智能產(chǎn)業(yè)博覽會(huì)表示，在存儲(chǔ)領(lǐng)域，公司會(huì)在今年年底量產(chǎn)32層64G（存儲(chǔ)器），在明年會(huì)量產(chǎn)64層128G的，公司也同步研發(fā)128層256G的。
2018-08-24 10:14:104123 2018年底長(zhǎng)江存儲(chǔ)實(shí)現(xiàn)32層64Gb 3D NAND Flash量產(chǎn)。它注定將開(kāi)創(chuàng)中國(guó)存儲(chǔ)芯片的歷史。
2019-01-28 17:18:5517621 的64層3DNAND芯片技術(shù)量產(chǎn)后，江波龍與長(zhǎng)江存儲(chǔ)將進(jìn)一步推動(dòng)國(guó)內(nèi)自研存儲(chǔ)芯片大規(guī)模進(jìn)入終端消費(fèi)市場(chǎng)。 成立于1999年的深圳江波龍，是一家從代工跨入自有品牌，從工控走向消費(fèi)端，從國(guó)內(nèi)朝國(guó)際市場(chǎng)發(fā)展的老牌存儲(chǔ)模組廠。2017年江波龍從存
2019-06-14 15:35:133444 在三星、東芝存儲(chǔ)器（TMC）、西部數(shù)據(jù)、美光、SK海力士等3D技術(shù)快速發(fā)展的推動(dòng)下，不僅NANDFlash快速由2DNAND向3DNAND普及，2019下半年原廠將加快從64層3DNAND向96層
2019-07-05 09:11:117106 作為業(yè)內(nèi)首款128層QLC規(guī)格的3DNAND閃存，長(zhǎng)江存儲(chǔ)X2-6070擁有業(yè)內(nèi)已知型號(hào)產(chǎn)品中最高單位面積存儲(chǔ)密度，最高I/O傳輸速度和最高單顆NAND閃存芯片容量。
2020-04-13 14:30:551874 SK海力士發(fā)布了全球首款基于128層NAND閃存的消費(fèi)級(jí)SSD——SK海力士Gold P31，提供500GB和1TB兩種存儲(chǔ)容量，產(chǎn)品已上架亞馬遜。
2020-08-19 13:59:423984 11月10日消息，美光宣布已開(kāi)始批量生產(chǎn)全球首個(gè)176層3DNANDFlash。這也是美光、Intel在閃存合作上分道揚(yáng)鑣之后，自己獨(dú)立研發(fā)的第二代3DNAND閃存。 美光、Intel合作時(shí)，走
2020-11-10 17:16:523977 11月12日消息今日，美光科技宣布已批量出貨全球首款176層3D NAND閃存，刷新行業(yè)紀(jì)錄，實(shí)現(xiàn)閃存產(chǎn)品密度和性能上的提升。這款176層NAND產(chǎn)品采用美光第五代3D NAND技術(shù)和第二代替換柵極架構(gòu)。
2020-11-13 09:40:163599 2019年長(zhǎng)江存儲(chǔ)國(guó)產(chǎn)的64層閃存開(kāi)始量產(chǎn)之后，2020年他們又帶來(lái)了128層閃存，2021年則會(huì)帶來(lái)192層閃存。
2021-01-13 09:32:014265 V-NAND 1Tb TLC達(dá)290層，已開(kāi)始量產(chǎn)。根據(jù)規(guī)劃，2025年主流閃存廠商的產(chǎn)品都將進(jìn)入300層+，甚至400層以上。至于遠(yuǎn)期，到2030年閃存有望突破1000層。 ? 2024 年三星第9 代
2024-05-25 00:55:005554 
4月13日， 全球首款RISC-V平板電腦——PineTab-V正式開(kāi)啟預(yù)售 。PineTab-V由全球領(lǐng)先的開(kāi)源硬件廠商Pine64設(shè)計(jì)推出，搭載賽昉科技昉·驚鴻7110 SoC（以下簡(jiǎn)稱
2023-04-14 13:56:10
的變化。 需求不足跌價(jià)成必然2018年NAND閃存之所以大降價(jià)，一個(gè)關(guān)鍵原因就是64層堆棧的3DNAND閃存大規(guī)模量產(chǎn)，實(shí)現(xiàn)了從32層／48層堆棧到64層堆棧的飛躍，使得NAND閃存每GB成本降至8美分
2021-07-13 06:38:27
三星宣布開(kāi)始量產(chǎn)兩種新型30nm制程N(yùn)AND閃存芯片
三星近日宣布將開(kāi)始量產(chǎn)兩款30nm制程N(yùn)AND閃存芯片產(chǎn)品。其中一種閃存產(chǎn)品采用類似DDR內(nèi)存的雙倍傳輸技術(shù)，據(jù)三星公司
2009-12-02 08:59:23700 上周東芝及西部數(shù)據(jù)宣布，已研發(fā)出堆疊64層的3D NAND Flash制程，并將于2017年上半年開(kāi)始量產(chǎn)，不過(guò)恐怕仍無(wú)法超車NAND Flash市占王三星。
2016-08-02 14:53:261430 3DNAND代工，更說(shuō)服東芝在臺(tái)灣設(shè)廠生產(chǎn)，此舉目的是擊破三星電子長(zhǎng)期來(lái)以存儲(chǔ)器利潤(rùn)補(bǔ)貼邏輯虧損的策略，一報(bào)大客戶高通(Qualcomm)被搶之仇。
2017-03-03 01:07:03704 現(xiàn)在，西數(shù)全球首發(fā)了96層堆棧的3D NAND閃存，其使用的是新一代BiCS 4技術(shù)（下半年出樣，2018年開(kāi)始量產(chǎn)），除了TLC類型外，其還會(huì)支持QLC，這個(gè)意義是重大的。
2017-06-28 11:22:40937 6月29日消息 據(jù)外媒NEOWIN報(bào)道，英特爾今天宣布推出SSD 545s固態(tài)硬盤(pán)，它是主流的SATA驅(qū)動(dòng)器，使用Silicon Motion控制器和IMFT的64層3D TLC閃存。 這是世界上首款可供商用的64層3D NAND SSD產(chǎn)品，且目前僅提供512 GB容量版本。
2017-06-29 17:56:051179 據(jù)臺(tái)灣產(chǎn)業(yè)鏈傳來(lái)的消息，蘋(píng)果今年要發(fā)布的三款iPhone，在閃存供應(yīng)方面出現(xiàn)了一些問(wèn)題，不過(guò)目前蘋(píng)果已經(jīng)解決。報(bào)道顯示，iPhone 7s、7s Plus已經(jīng)開(kāi)始大規(guī)模量產(chǎn)，iPhone 8的量產(chǎn)工作要在8月份才正式開(kāi)始。
2017-07-07 09:39:26836 東芝在SSD技術(shù)上已經(jīng)是領(lǐng)先各大廠商，東芝對(duì)于64層堆疊設(shè)計(jì)的3D TLC閃存真是愛(ài)的太深，產(chǎn)品布局之神速令人驚嘆?，F(xiàn)在又將64層堆疊設(shè)計(jì)的3D TLC閃存帶到了企業(yè)及產(chǎn)品上，得益于這種高容量堆疊
2017-08-08 15:56:272744 近日，東芝首款64層3D NAND SSDTR200 SATA固態(tài)硬盤(pán)系列正式上市。TR200系列可提供給個(gè)人電腦和筆記本電腦更強(qiáng)的性能表現(xiàn)，并且滿足用戶對(duì)大容量SSD的使用要求。其具備高效能
2017-10-31 16:01:191180 今天，美光正式發(fā)布了旗下的CrucialMX500系列SSD，其最大的特色就是采用了64層3DTLCNAND閃存，這是美光首次在消費(fèi)類產(chǎn)品中采用這類閃存。
2018-06-29 11:02:002517 為實(shí)現(xiàn)更高儲(chǔ)存密度，NAND Flash的堆棧層數(shù)不斷增加，單一晶胞內(nèi)能儲(chǔ)存的信息也越來(lái)越多。 目前NAND Flash芯片已經(jīng)進(jìn)入64層TLC時(shí)代，展望2019年，三星（Samsung）、東芝
2018-06-11 09:16:004985 三星電子今天宣布，已經(jīng)開(kāi)始批量生產(chǎn)業(yè)內(nèi)首款512GB嵌入式通用閃存（eUFS），以用于下一代移動(dòng)設(shè)備。據(jù)介紹，三星512GB eUFS采用了三個(gè)三星最新的64層512千兆（Gb）V-NAND芯片和一個(gè)控制器芯片。
2018-07-10 09:39:001189 面對(duì)2018年各大閃存顆粒廠商已經(jīng)大規(guī)模量產(chǎn)64層堆棧3D NAND的情況，三星正式宣布開(kāi)始量產(chǎn)第五代V-NAND閃存顆粒，堆棧數(shù)將超過(guò)90層。
2018-07-24 14:36:328259 ）BiCS FLASH?存儲(chǔ)器，為電腦游戲玩家和DIY愛(ài)好者提供公司首款采用64層3D閃存的升級(jí)版SSD。
2018-07-25 17:11:251201 很顯然從今年開(kāi)始，廠商們都開(kāi)始將目光轉(zhuǎn)向了QLC閃存，之前Intel就已經(jīng)推出了首款搭載QLC閃存的SSD，而現(xiàn)在三星也正式宣布量產(chǎn)首款搭載QLC閃存的SSD，這些SSD從1TB起步，共有1TB、2TB和4TB三種規(guī)格。
2018-08-07 17:00:031358 臺(tái)電在近期推出的鋒芒S700 240GB是全球首款無(wú)外接供電的RGB SSD，使用更加便捷，而在規(guī)格方面采用了慧榮2258H主控，整合了256MB DDR3緩存，閃存采用了閃迪原廠的64層3D NAND TLC顆粒。
2018-08-23 11:01:004828 趙偉國(guó)認(rèn)為，中國(guó)的集成電路已經(jīng)初步擺脫了抄人家、學(xué)人家的狀態(tài)。他透露，紫光會(huì)在今年底量產(chǎn)32層64G的存儲(chǔ)器，在明年會(huì)量產(chǎn)64層128G的存儲(chǔ)器，并同步研發(fā)128層256G的存儲(chǔ)器。
2018-08-26 10:38:153176 紫光集團(tuán)董事長(zhǎng)趙偉國(guó)近日在出席首屆中國(guó)國(guó)際智能產(chǎn)業(yè)博覽會(huì)時(shí)透露，紫光旗下長(zhǎng)江存儲(chǔ)的1000人團(tuán)隊(duì)耗資10億美元，歷時(shí)2年研發(fā)成功了國(guó)內(nèi)第一顆32層3DNAND閃存芯片，將在2018年第四季度實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。
2018-08-26 10:46:2710600 晶圓代工龍頭臺(tái)積電持續(xù)沖刺先進(jìn)制程，采用極紫外光（EUV）微影技術(shù)的首款7＋納米芯片已經(jīng)完成設(shè)計(jì)定案（tape-out），支援最多4層EUV光罩。臺(tái)積電亦加速5納米制程推進(jìn)，預(yù)計(jì)明年4月可開(kāi)始進(jìn)行風(fēng)險(xiǎn)試產(chǎn)，支援的EUV光罩層將上看14層，5納米可望如期在2020年上半年進(jìn)入量產(chǎn)。
2018-10-08 16:13:003569 傳說(shuō)中的64層3D NAND的故事，延續(xù)了1年時(shí)間。這次巧合的機(jī)會(huì)體驗(yàn)到東芝TR200 SSD 240G。而且是東芝自主研發(fā)的3D閃存技術(shù)。是東芝首款64層 3D NAND SSD。
2018-10-09 16:26:0011015 支持64層3D QLC后，現(xiàn)已全面支持最新96層3D NAND閃存顆粒。此次發(fā)布的96層3D TLC NAND閃存固態(tài)硬盤(pán)解決方案，客戶無(wú)需修改硬件，為客戶快速量產(chǎn)提供了極大的便利性。聯(lián)蕓科技最新發(fā)
2018-11-19 17:22:318411 今年8月初，NAND閃存巨頭三星電子宣布開(kāi)始量產(chǎn)業(yè)界首款消費(fèi)級(jí)QLC SSD，SATA接口，最大容量4TB，采用第四代V－NAND，64層3D堆疊，單芯片容量1Tb（128GB）。
2018-11-23 08:36:521378 6月15日，三星電子宣布已經(jīng)開(kāi)始量產(chǎn)第四代64層256Gb V-NAND，與48層256Gb V-NAND相比，生產(chǎn)效率將提高30%以上。東芝/西部數(shù)據(jù)、美光、SK海力士等在2017上半年也均宣布
2018-12-10 10:00:571562 日前有消息稱紫光純國(guó)產(chǎn)的SSD硬盤(pán)就要上市了，使用是他們研發(fā)生產(chǎn)的64層堆棧3D TLC閃存，P/E次數(shù)可達(dá)1500次，這個(gè)技術(shù)及規(guī)格在主流SSD中已經(jīng)不低了。
2019-03-15 10:38:455883 國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)芯片再下一城，日前有產(chǎn)業(yè)鏈方面的消息稱，中國(guó)長(zhǎng)江存儲(chǔ)將如期在今年年底量產(chǎn)64層3D NAND閃存芯片，這對(duì)價(jià)格本就在不斷下探的閃存市場(chǎng)無(wú)疑又將帶來(lái)一波新的沖擊。
2019-04-01 16:53:122056 據(jù)Digitimes報(bào)道，長(zhǎng)江存儲(chǔ)（YMTC）將于年底前投入64層3D閃存的量產(chǎn)工作。其中風(fēng)險(xiǎn)試產(chǎn)預(yù)計(jì)三季度啟動(dòng)，目前良率已經(jīng)實(shí)現(xiàn)了顯著爬升。
2019-05-08 09:18:443189 目前NAND閃存主要掌握在三星、東芝、美光、西數(shù)等公司中，國(guó)內(nèi)主要有紫光旗下的長(zhǎng)江存儲(chǔ)專攻NAND閃存，小批量量產(chǎn)了32層堆棧的3D閃存，但對(duì)市場(chǎng)影響有限，今年該公司將量產(chǎn)64層堆棧的3D閃存，產(chǎn)能將會(huì)積極擴(kuò)張。
2019-05-16 10:18:143966 現(xiàn)在，長(zhǎng)江存儲(chǔ)聯(lián)席首席技術(shù)官、技術(shù)研發(fā)中心高級(jí)副總裁程衛(wèi)華接受采訪時(shí)表示，公司已開(kāi)始量產(chǎn)基于Xtacking架構(gòu)的64層256 Gb TLC 3D NAND閃存，以滿足固態(tài)硬盤(pán)、嵌入式存儲(chǔ)等主流市場(chǎng)應(yīng)用需求。
2019-09-02 16:30:003069 SK海力士宣布，已經(jīng)全球第一家研發(fā)成功，并批量生產(chǎn)128層堆疊的4D NAND閃存芯片，此時(shí)距離去年量產(chǎn)96層4D閃存只過(guò)去了八個(gè)月。
2019-06-27 15:23:283820 D NAND閃存，以滿足固態(tài)硬盤(pán)、嵌入式存儲(chǔ)等主流市場(chǎng)應(yīng)用需求。作為中國(guó)首款64層3DNAND閃存，該產(chǎn)品將亮相IC China 2019紫光集團(tuán)展臺(tái)。
2019-09-02 16:27:504051 長(zhǎng)江存儲(chǔ)64層3D NAND閃存是全球首款基于Xtacking?架構(gòu)設(shè)計(jì)并實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)的閃存產(chǎn)品，擁有同代產(chǎn)品②中最高的存儲(chǔ)密度。Xtacking?可實(shí)現(xiàn)在兩片獨(dú)立的晶圓上分別加工外圍電路和存儲(chǔ)單元
2019-09-03 10:07:021788 存儲(chǔ)芯片應(yīng)用非常廣泛，也是中國(guó)芯片進(jìn)口的最大項(xiàng)，而且?guī)缀醭?9%靠進(jìn)口，也是中國(guó)芯片的最大短板。
2019-09-03 11:10:031359 紫光旗下的長(zhǎng)江存儲(chǔ)邁出了國(guó)產(chǎn)閃存的重要一步，已經(jīng)開(kāi)始量產(chǎn)64層堆棧的3D閃存，基于長(zhǎng)江存儲(chǔ)研發(fā)的Xstacking技術(shù)，核心容量256Gb。
2019-09-06 16:26:452263 長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技（YMTC）本周早些時(shí)候表示，已經(jīng)開(kāi)始批量生產(chǎn)采用專有Xtacking架構(gòu)的64層3D NAND存儲(chǔ)器。
2019-09-09 10:22:162374 近日，紫光集團(tuán)旗下長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司宣布，開(kāi)始量產(chǎn)基于Xtacking架構(gòu)的64層256Gb TLC 3D NAND閃存。產(chǎn)品將應(yīng)用于固態(tài)硬盤(pán)、嵌入式存儲(chǔ)等主流市場(chǎng)應(yīng)用。這是中國(guó)首次實(shí)現(xiàn)64層3D NAND閃存芯片的量產(chǎn)，將大幅拉近中國(guó)與全球一線存儲(chǔ)廠商間的技術(shù)差距。
2019-09-17 11:45:194095 紫光集團(tuán)旗下長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司宣布，開(kāi)始量產(chǎn)基于Xtacking架構(gòu)的64層256Gb TLC 3D NAND閃存。
2019-09-19 11:10:091144 紫光集團(tuán)旗下長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司宣布，開(kāi)始量產(chǎn)基于Xtacking架構(gòu)的64層256Gb TLC 3D NAND閃存。
2019-09-23 17:05:241455 紫光旗下的長(zhǎng)江存儲(chǔ)邁出了國(guó)產(chǎn)閃存的重要一步，已經(jīng)開(kāi)始量產(chǎn)64層堆棧的3D閃存，基于長(zhǎng)江存儲(chǔ)研發(fā)的Xstacking技術(shù)，核心容量256Gb。
2019-10-02 14:38:001949 紫光集團(tuán)旗下長(zhǎng)江存儲(chǔ)近日宣布，已開(kāi)始量產(chǎn)基于自主研發(fā)Xtacking架構(gòu)的64層三維閃存（3DNAND），容量為256Gb，以滿足固態(tài)硬盤(pán)（SSD）嵌入式存儲(chǔ)等主流市場(chǎng)應(yīng)用的需求，這也是中國(guó)首款64
2019-10-08 09:19:531383 今年一季度，紫光旗下的長(zhǎng)江存儲(chǔ)（YMTC）開(kāi)始投產(chǎn) 64 層堆棧 3D 閃存，容量 256Gb，TLC 芯片，初期的月產(chǎn)能僅有 5000 片。
2019-10-25 16:53:331140 隨著大眾ID系列電動(dòng)汽車首款車型開(kāi)始量產(chǎn)，與之配套的動(dòng)力電池系統(tǒng)也進(jìn)入了量產(chǎn)階段。
2019-11-12 09:01:27916 如同HDD硬盤(pán)中的SMR技術(shù)一樣，QLC閃存現(xiàn)在也有人人喊打的趨勢(shì)，究其原因就在于QLC閃存性能、可靠性比TLC閃存更差，但是現(xiàn)在的價(jià)格還沒(méi)有達(dá)到預(yù)期。對(duì)廠商來(lái)說(shuō)，六大原廠今年都量產(chǎn)了QLC閃存，不過(guò)西數(shù)認(rèn)為QLC閃存要到1XX層時(shí)才會(huì)爆發(fā)。
2019-12-10 09:42:151116 NAND閃存巨頭三星電子宣布開(kāi)始量產(chǎn)業(yè)界首款消費(fèi)級(jí)QLC SSD，SATA接口，最大容量4TB，采用第四代V－NAND，64層3D堆疊，單芯片容量1Tb（128GB）。
2019-12-13 11:35:481654 楊道虹表示，目前及今后的一段時(shí)間內(nèi)，長(zhǎng)江存儲(chǔ)核心任務(wù)是推動(dòng)產(chǎn)能爬坡提升，將盡早達(dá)成64層三維閃存產(chǎn)品月產(chǎn)能10萬(wàn)片并按期建成30萬(wàn)片/月產(chǎn)能，提升國(guó)家存儲(chǔ)器基地的規(guī)模效應(yīng)，帶動(dòng)全省集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展。
2020-01-15 09:31:293090 根據(jù)消息報(bào)道，長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司副董事長(zhǎng)楊道虹表示，國(guó)家存儲(chǔ)器基地項(xiàng)目經(jīng)過(guò)3年的建設(shè)已經(jīng)取得了階段性成效，自主開(kāi)發(fā)的64層三維閃存產(chǎn)品實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。
2020-01-15 14:11:143818 長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司副董事長(zhǎng)楊道虹表示，國(guó)家存儲(chǔ)器基地項(xiàng)目經(jīng)過(guò) 3 年的建設(shè)已經(jīng)取得了階段性成效，自主開(kāi)發(fā)的 64 層三維閃存產(chǎn)品實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。
2020-01-16 10:27:211908 1 月 16 日訊，據(jù)悉，長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司 副董事長(zhǎng)楊道虹表示，2019 年，國(guó)家存儲(chǔ)器基地項(xiàng)目基于自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)研發(fā)生產(chǎn)的 64 層三維閃存產(chǎn)品已實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。
2020-01-16 14:06:021539 今天，長(zhǎng)江存儲(chǔ)召開(kāi)市場(chǎng)合作伙伴新春溝通會(huì)，紫光、群聯(lián)、威剛、慧榮等知名大廠前來(lái)站臺(tái)，其中威剛還宣布將會(huì)率先推出搭載長(zhǎng)江存儲(chǔ)閃存的消費(fèi)級(jí)SSD產(chǎn)品?，F(xiàn)在根據(jù)科創(chuàng)板電報(bào)的消息，長(zhǎng)江存儲(chǔ)64層閃存的存儲(chǔ)密度是全球第一，絕不是低端產(chǎn)品。
2020-01-17 10:26:083652 據(jù)介紹，長(zhǎng)江存儲(chǔ)研發(fā)了自己的Xtacking堆棧架構(gòu)，已經(jīng)可以保證可靠性問(wèn)題。就在日前，長(zhǎng)江存儲(chǔ)確認(rèn)采用Xtacking技術(shù)的64層3D閃存產(chǎn)品已經(jīng)實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，并正擴(kuò)充產(chǎn)能，將盡早達(dá)成10萬(wàn)片晶圓的月產(chǎn)能規(guī)模，并按期建成30萬(wàn)片月產(chǎn)能。
2020-01-17 11:29:175331 長(zhǎng)江存儲(chǔ)確認(rèn)自主研發(fā)的64層已經(jīng)在去年投入量產(chǎn)(256Gb TLC)，并正擴(kuò)充產(chǎn)能，將盡早達(dá)成10萬(wàn)片晶圓的月產(chǎn)能規(guī)模。
2020-01-17 15:06:232412 2019年國(guó)內(nèi)公司在內(nèi)存、閃存行業(yè)同時(shí)取得了重大突破，長(zhǎng)江存儲(chǔ)量產(chǎn)了64層3D閃存，合肥長(zhǎng)鑫則量產(chǎn)了18nm DDR4內(nèi)存。日前長(zhǎng)鑫官網(wǎng)也宣布開(kāi)售8GB DDR4內(nèi)存條。
2020-03-02 09:21:431694 盡管新冠疫情仍存在影響，三星 （Samsung） 已按計(jì)劃啟動(dòng)了其位于中國(guó)西安的新閃存工廠，開(kāi)始量產(chǎn)閃存晶圓。
2020-03-25 11:43:563552 今年初，長(zhǎng)江存儲(chǔ)市場(chǎng)與銷售資深副總裁龔翔曾公開(kāi)表示，長(zhǎng)江存儲(chǔ)將跳過(guò)如今業(yè)界常見(jiàn)的96層堆疊閃存技術(shù)，直接投入128層閃存的研發(fā)和量產(chǎn)工作。
2020-04-08 16:38:211265 在今年，全球閃存廠商都在集體奔向100+層，例如SK海力士的128層已經(jīng)穩(wěn)定出貨，并計(jì)劃在年底推出196層內(nèi)存，三星、鎂光、西數(shù)、Intel也都已經(jīng)突破了百層。近期，國(guó)內(nèi)長(zhǎng)江存儲(chǔ)市場(chǎng)與銷售資深副總裁龔翔表示，將跳過(guò)96層，直接投入128層閃存的技術(shù)研發(fā)和量產(chǎn)。
2020-04-11 16:47:514000 2020年4月13日，中國(guó)武漢，長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司宣布其128層QLC 3D NAND閃存（型號(hào)：X2-6070）研發(fā)成功，并已在多家控制器廠商SSD等終端存儲(chǔ)產(chǎn)品上通過(guò)驗(yàn)證。作為業(yè)內(nèi)首款
2020-04-13 09:29:416830 4月13日，長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司宣布其128層QLC3DNAND閃存（型號(hào)：X2-6070）研發(fā)成功，并已在多家控制器廠商SSD等終端存儲(chǔ)產(chǎn)品上通過(guò)驗(yàn)證。作為業(yè)內(nèi)首款128層QLC規(guī)格
2020-04-13 14:25:114118 對(duì)3D閃存來(lái)說(shuō)，堆棧層數(shù)越多，容量就越大，存儲(chǔ)密度就越高，這是3D閃存的核心競(jìng)爭(zhēng)力，2020年全球?qū)⒋笠?guī)模量產(chǎn)100+層的3D閃存。
2020-04-20 09:25:073912 近日，三星電子宣布了在韓國(guó)平澤廠區(qū)的擴(kuò)產(chǎn)計(jì)劃，除擴(kuò)建采用極紫外光（EUV）的晶圓代工生產(chǎn)線及DRAM產(chǎn)能之外，還將擴(kuò)大3DNAND閃存方面的產(chǎn)能規(guī)模。業(yè)界預(yù)估三星電子僅用于3DNAND閃存方面
2020-06-16 10:07:173960 最近關(guān)于QLC閃存的消息不斷，最勁爆的莫過(guò)于武漢長(zhǎng)江存儲(chǔ)成功研發(fā)全球首款128層QLC 3D NAND閃存，多項(xiàng)技術(shù)世界領(lǐng)先，最快年底量產(chǎn)。
2020-07-30 11:40:1021165 存儲(chǔ)芯片大廠SK海力士宣布完成了業(yè)內(nèi)首款多堆棧176層4D閃存的研發(fā)，TLC顆粒，容量達(dá)512Gb（64GB）。 ? 據(jù)，SK海力士透露，該閃存單元架構(gòu)為CTF（電荷捕獲），同時(shí)集成了PUC技術(shù)
2020-12-14 15:55:321786 IT之家11月12日消息 今日，美光科技宣布已批量出貨全球首款 176 層 3D NAND 閃存，刷新行業(yè)紀(jì)錄，實(shí)現(xiàn)閃存產(chǎn)品密度和性能上的提升。 IT之家了解到，這款 176 層 NAND 產(chǎn)品采用
2020-11-12 13:04:572623 / s，高于其96層和128層閃存的 1200MT/s。與 96L NAND相比，讀（寫(xiě)）延遲提高了35% 以上，與128LNAND 相比，提高了25%以上。美光表示其176層3D NAND已開(kāi)始批量生產(chǎn)
2020-11-13 14:25:132185 北京時(shí)間11月13日消息，內(nèi)存和存儲(chǔ)解決方案供應(yīng)商Micron Technology（美光科技）宣布已批量出貨全球首款176層3D NAND閃存，一舉刷新行業(yè)紀(jì)錄，實(shí)現(xiàn)閃存產(chǎn)品密度和性能上的重大
2020-11-13 17:42:262565 疊加而成，第一批為TLC顆粒，單個(gè)Die的容量為512Gb（64GB），當(dāng)然后期很可能會(huì)加入QLC。 更重要的是，美光不只是宣布了新技術(shù)，而且176層閃存已經(jīng)量產(chǎn)并出貨了，已經(jīng)用于一些Crucial英睿達(dá)品牌的消費(fèi)級(jí)SSD，明年還會(huì)發(fā)布更多新產(chǎn)品。 在176層閃存技術(shù)上，美光
2020-11-14 10:01:202368 IT之家 11 月 20 日消息 2020 年北京微電子國(guó)際研討會(huì)暨 IC WORLD 學(xué)術(shù)會(huì)議本周在京舉行，長(zhǎng)江存儲(chǔ)首席執(zhí)行官楊士寧出席發(fā)表講話。 楊士寧表示：雖然長(zhǎng)存的 64 層 3DNAND
2020-11-20 14:18:302007 日前，長(zhǎng)江存儲(chǔ)CEO楊士寧在參加活動(dòng)時(shí)表示，與國(guó)際存儲(chǔ)大廠相比，該公司用短短3年時(shí)間實(shí)現(xiàn)從32層到64層再到128層的跨越，3年完成他們6年走過(guò)的路。
2020-11-27 10:00:183257 繼美光后，SK海力士宣布完成了業(yè)內(nèi)首款多堆棧176層4D閃存的研發(fā)，容量512Gb（64GB），TLC。 SK海力士透露，閃存單元架構(gòu)為CTF（電荷捕獲），同時(shí)集成了PUC技術(shù)。 4D閃存是SK
2020-12-07 13:49:272200 繼美光后，SK海力士宣布完成了業(yè)內(nèi)首款多堆棧176層4D閃存的研發(fā)，容量512Gb（64GB），TLC。
2020-12-07 13:44:092510 2019年長(zhǎng)江存儲(chǔ)國(guó)產(chǎn)的64層閃存開(kāi)始量產(chǎn)之后，2020年他們又帶來(lái)了128層閃存，2021年則會(huì)帶來(lái)192層閃存。
2021-01-12 14:29:501798 長(zhǎng)江存儲(chǔ)一直是我國(guó)優(yōu)秀的存儲(chǔ)芯片企業(yè)，從成立之初就保持著高速穩(wěn)定的發(fā)展?fàn)顟B(tài)，用短短3年的時(shí)間，接連推出了32層NAND閃存，以及64層堆棧3D NAND閃存，成功進(jìn)入了華為Mate40手機(jī)的供應(yīng)鏈。
2022-06-17 10:56:218286 三星3nm GAA商業(yè)量產(chǎn)已經(jīng)開(kāi)始。
2023-07-20 11:20:003104 
SK海力士宣布將首次展示全球首款321層NAND閃存，成為業(yè)界首家開(kāi)發(fā)出300層以上NAND閃存的公司。他們展示了321層1Tb TLC 4D NAND閃存的樣品，并介紹了開(kāi)發(fā)進(jìn)展情況。
2023-08-10 16:01:471993 據(jù)韓國(guó)業(yè)界消息，三星最早將于本月開(kāi)始量產(chǎn)當(dāng)前業(yè)界密度最高的290層第九代V-NAND（3D NAND）閃存芯片。
2024-04-17 15:06:591502 3DNAND絕對(duì)是芯片制程的天花板，三星，海力士，英特爾，長(zhǎng)江存儲(chǔ)等都有3DNAND的產(chǎn)線，代表了一個(gè)國(guó)家的芯片制造水平。今天，我們就來(lái)剖析一下3DNAND的主要制作流程。1，基底準(zhǔn)備：選擇12寸
2024-04-17 14:58:082894 
據(jù)外媒報(bào)道，三星電子已開(kāi)始量產(chǎn)其首款3nm Gate All Around（GAA）工藝的片上系統(tǒng)（SoC），預(yù)計(jì)該芯片預(yù)計(jì)將用于Galaxy S25系列。
2024-05-08 15:24:321250 近日，鎧俠宣布成功量產(chǎn)業(yè)界首款采用四層單元（4LC）技術(shù)的QLC UFS 4.0閃存。這款新型閃存相較于傳統(tǒng)的TLC UFS，擁有更高的位密度，使其在存儲(chǔ)需求日益增長(zhǎng)的移動(dòng)應(yīng)用程序領(lǐng)域具有更廣泛的應(yīng)用前景。
2024-10-31 18:22:003418 開(kāi)始量產(chǎn)，未來(lái)將在滿產(chǎn)時(shí)配合10萬(wàn)片月產(chǎn)能，將在平衡全球供應(yīng)上發(fā)揮關(guān)鍵作用。 目前128層3DNAND是國(guó)際主流水平，三星
2020-04-14 09:17:336072 近兩年，國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)發(fā)展迅速，包括NANDFLASH和DRAM。去年，長(zhǎng)江存儲(chǔ)、合肥長(zhǎng)鑫相繼宣布64層3DNAND量產(chǎn)、DDR4內(nèi)存芯片量產(chǎn)，實(shí)現(xiàn)從0到1的突破。 今年，基于長(zhǎng)江存儲(chǔ)64層
2020-07-14 09:26:5712532 在CITE 2020上，紫光集團(tuán)帶來(lái)了大量產(chǎn)品，其中包括長(zhǎng)江存儲(chǔ)的128層QLC三維閃存和新華三半導(dǎo)體高端路由器芯片EasyCore等。作為業(yè)內(nèi)首款128層QLC規(guī)格的3D NAND閃存，長(zhǎng)江存儲(chǔ)X2-6070擁有業(yè)內(nèi)已知型號(hào)產(chǎn)品中最高單位面積存儲(chǔ)密度，最高I/O傳輸速度和最高單顆NAND閃存芯片容量。
2020-08-15 09:32:144822
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