比特位的技術），實現了具有極大存儲容量的硅芯片。 目前，最先進的3D NAND閃存可在單個硅片上容納高達1Tbit或1.33Tbit的數據。 譬如，英特爾（Intel）和美光科技（Micron）的開發(fā)聯(lián)盟和三星電子各自將制造技術與64層堆棧和QLC（四層單元）技術相結合，該技
2019-08-10 00:01:00
8135 3D NAND仍然是其主要閃存產品。 SK Hynix 早在6月宣布其128L 3D NAND已從開發(fā)轉向批量生產，現在已被整合到SSD和UFS模塊中，并已向主要客戶提供樣品。 SK Hynix
2019-11-25 17:21:556386 Kioxia（原東芝存儲），西部數據（WD）聯(lián)盟3D NAND閃存使用三星電子技術進行批量生產。 東芝開發(fā)的3D NAND技術 BiCS 很早之前，原東芝存儲就在國際會議VLSI研討會上首次分享了
2019-12-13 10:46:0712470 7月24日國外消息：SanDisk在3D NAND方面正在走自己的技術路線-- 在同一個區(qū)域記錄層的堆疊在一個閃存芯片放到另一個提供更多的容量之內。
2013-07-25 10:24:231561 最新的3D垂直閃存與傳統(tǒng)的NAND存儲芯片相比，具有包括讀寫速度快1倍、使用壽命多10倍及能耗減少50%等眾多優(yōu)勢。
2013-08-29 10:46:512858 
3D NAND的好處自然就是能夠比現在的閃存提供功能大的存儲空間，存儲密度可以達到現有閃存的三倍以上，未來甚至可以做出10TB以上的2.5寸SSD出來。
2015-06-01 11:51:372985 三星已經連續(xù)推出兩代立體堆疊3D閃存，分別有24層、32層，并已用于850 EVO、850 Pro等多款固態(tài)硬盤產品，2015年8月正式量產首款可應用于固態(tài)硬盤（SSD）中的48層3bit MLC
2016-07-13 10:32:437470 句點，加上早前Intel加大在大連工廠的3D Xpoint的投入，3D NAND大戰(zhàn)一觸即發(fā)。本文詳細介紹了3D NAND閃存優(yōu)勢，主要的生產廠商，以及三星、東芝和Intel在這個領域的實力產品。
2016-08-11 13:58:0644661 
目前NAND閃存需求依然居高不下，廠商也有動力擴大產能了，SK Hynix公司日前宣布本月底將量產48層堆棧的3D NAND閃存，這是三星之后第二家量產48層堆棧3D閃存的公司。
2016-11-09 11:35:161088 英特爾（Intel）終于發(fā)表了第一款采用3D XPoint內存的固態(tài)硬盤（SSD），這款Optane固態(tài)硬盤預期能為此試圖在閃存與DRAM之間開創(chuàng)新市場的新一代內存技術，建立雖然小巧但意義重大的灘頭堡。
2017-03-21 09:18:081367 國產手機勢頭越來越強勁，把三星和蘋果的市場份額搶占不少，但繁榮背后是對核心產業(yè)鏈控制的缺失，就比如閃存芯片，這基本上被韓國廠商壟斷了。近日，高啟全接受媒體采訪時表示，長江存儲將在2019年開始量產64層堆棧的3D NAND閃存，這個消息無疑讓人振奮，而在今年他們還將出樣32層NAND閃存。
2017-05-09 15:10:042528 電子發(fā)燒友早八點訊：三星今天在韓國宣布，開始大規(guī)模量產64層堆疊、256Gb（32GB）、3bit的V-NAND閃存芯片，是為第四代3D閃存。
2017-06-16 06:00:002458 六大NAND Flash顆粒制造商之一的東芝也宣布了自家96層3D NAND產品的新消息：他們正式推出了旗下首款使用96層3D NAND閃存的固態(tài)硬盤產品XG6。在性能方面，XG6也算是追上了目前
2018-07-24 10:57:355877 盡管2018年下半閃存企業(yè)過得并不經如意。但我們有理由相信，不止三星、東芝/西部數據（WD），美光、SK海力士等閃存企業(yè)在技術上的競爭將越向趨于激烈。通過上述對三星和東芝/西部數據(WD）3D
2019-03-21 01:55:008407 提升, 已成為閃存市場的主要供應廠商之一，并在今年成功推出128層QLC 3D NAND閃存芯片, 是目前行業(yè)內首款單顆Die容量1.33Tb的NAND閃存?；蹣s科技身為SSD主控芯片的
2020-09-11 10:03:293528 SK海力士發(fā)布了全球首款基于128層NAND閃存的消費級SSD——SK海力士Gold P31，提供500GB和1TB兩種存儲容量，產品已上架亞馬遜。
2020-08-19 13:59:423984 11月12日消息今日，美光科技宣布已批量出貨全球首款176層3D NAND閃存，刷新行業(yè)紀錄，實現閃存產品密度和性能上的提升。這款176層NAND產品采用美光第五代3D NAND技術和第二代替換柵極架構。
2020-11-13 09:40:163599 電子發(fā)燒友網報道（文/黃晶晶）早在2022年閃存芯片廠商紛紛發(fā)布200+層 3D NAND，并從TLC到QLC得以廣泛應用于消費電子、工業(yè)、數據中心等領域。來到2024年5月目前三星第9代
2024-05-25 00:55:005554 
我們將會介紹SSD市場的一些最新發(fā)展，如日益普及的3D NAND和存儲器單元的堆疊技術。3D NAND緊跟三星之后，慢慢地肯定有更多的制造商使用3D NAND閃存。 利用這種技術，使存儲單元被垂直堆疊
2017-11-17 14:30:57
3D NAND技術資料：器件結構及功能介紹
2019-09-12 23:02:56
3D NAND能否帶動SSD市場爆炸性成長？如何提升SSD壽命及效能？3D NAND及PCIe NVMe SSD能晉升巿場主流的原因是什么？
2021-04-02 07:17:39
（Frame sequential）功能的3D顯示器應該只有三星一家。 說到這里，筆者最近正在測試三星的23吋SA950系列3D顯示器，并且親自體驗了一把接藍光播放機的原生3D效果，可以說非常的震撼，甚至在
2011-08-20 14:30:01
, 一款三星note8手機殼引起熱議，因為這款產品可以實現一邊散步一邊看3D電影或者電視劇。換句話說，這個手機殼就是超清晰3D顯示屏?。∠矚g玩高科技產品的網絡達人怎能放過？！終于搜到這個寶貝，原來
2017-11-27 12:00:18
`CFMS2018近日成功舉辦，來自三星、西部數據、英特爾、美光、長江存儲等全球存儲業(yè)大咖，與行業(yè)人士共同探討3D NAND技術的發(fā)展未來。我們來看看他們都說了什么。三星：看好在UFS市場的絕對優(yōu)勢
2018-09-20 17:57:05
韓國三星電子日前宣布，位于中國陜西省西安市的半導體新工廠已正式投產。該工廠采用最尖端的3D技術，生產用于服務器等的NAND閃存（V-NAND）。三星電子希望在IT（信息技術）設備生產基地聚集的中國
2014-05-14 15:27:09
！ 那么今年China Joy MM們最關注的是什么呢？當然是核心話題“3D”啦，本次展會最大的顯示器贊助商三星提供了800多臺顯示器在整個展會，其中3D顯示器體驗區(qū)是最吸引China Joy MM們的地區(qū)，下面就來看一下三星3D顯示器與China Joy MM們的故事吧！
2011-08-03 15:20:00
步伐。據韓媒Kinews等報導，三星2018年下半原計劃對DRAM及NAND Flash進行新投資，傳出將延至2019年，取而代之的是對現有產線進行補強投資，期望獲利維持一定水平。同時，另一家半導體大廠
2018-10-12 14:46:09
NAND只需要提高堆棧層數，目前多種工藝架構并存。從2013年三星推出了第一款24層SLC/MLC 3D V-NAND，到現在層數已經邁進200+層，并即將進入300+層階段。目前，三星/西部數據
2024-12-17 17:34:06
衍生了一些新的技術，來助力其閃存產品向3D方向發(fā)展。其中，就包括了三星的V-NAND、東芝的BiCS技術3D NAND、英特爾的3D XPoint等。三星在3D NAND閃存上首先選擇了CTF電荷擷取
2020-03-19 14:04:57
三星宣布開始量產兩種新型30nm制程NAND閃存芯片
三星近日宣布將開始量產兩款30nm制程NAND閃存芯片產品。其中一種閃存產品采用類似DDR內存的雙倍傳輸技術，據三星公司
2009-12-02 08:59:23700 三星推出64GB moviNAND閃存芯片
三星近日公布了兩款采用新制程技術的閃存產品。其中moviNAND閃存芯片產品使用了三星最新的3xnm制程NAND芯片，單片封裝的最大容量可達64GB
2010-01-14 17:00:041005 三星啟動量產 3D電視決戰(zhàn)正式開火
在三星宣布正式開始量產40寸、46寸與55寸3D電視開始，全球3D電視的市場熱戰(zhàn)也正式引燃。由三星首
2010-01-30 10:02:581172 CES2010：三星推出首款LED液晶3D電視
據外媒報道，三星電子在美國CES展上首次推
2010-03-02 09:27:221013 在設計和推廣固態(tài)存儲設備專用NAND閃存控制器方面處于全球領導地位的慧榮科技公司（Silicon Motion Technology Corporation， 納斯達克交易代碼： SIMO）今日宣布推出全球首款支持多家供應商主流3D NAND產品的交鑰匙式企業(yè)版SATA SSD控制器解決方案。
2016-01-07 15:31:361712 閃存巨頭再度發(fā)力：三星公司在本屆閃存記憶體峰會上連續(xù)公布了32 TB SSD、1TB BGA以及一款高速Z-SSD方案。其中32TB SSD利用64層3D NAND構建而成，即三星旗下的V-NAND品牌，同時配合TLC（即三層單元）設計。
2016-08-19 15:57:111041 此次三星是使用什么關鍵技術實現這一超小型SSD的呢？該公司在9月21日于首爾舉行的SSD技術發(fā)布會“Samsung SSD Global Summit 2016”上，公開了3項要點技術。第一是憑借
2016-10-31 17:57:241111 市場調查機構DRAMeXchange周五發(fā)布的調查結果顯示，到今年三季度，三星電子、SK海力士等韓企的3D NAND閃存半導體在全球整體NAND閃存市場所占份額有望超過50%。
2017-05-06 01:03:11860 現在，西數全球首發(fā)了96層堆棧的3D NAND閃存，其使用的是新一代BiCS 4技術（下半年出樣，2018年開始量產），除了TLC類型外，其還會支持QLC，這個意義是重大的。
2017-06-28 11:22:40937 6月29日消息 據外媒NEOWIN報道，英特爾今天宣布推出SSD 545s固態(tài)硬盤，它是主流的SATA驅動器，使用Silicon Motion控制器和IMFT的64層3D TLC閃存。 這是世界上首款可供商用的64層3D NAND SSD產品，且目前僅提供512 GB容量版本。
2017-06-29 17:56:051179 三星是全球最大的NAND閃存芯片制造商，這次開足馬力讓第四代3D NAND閃存芯片大規(guī)模生產，可以緩解閃存、SSD目前短缺的狀況，當然也能拉低產品的售價。
2017-07-05 08:47:54795 此前，SSD漲價的主要推手就是主要顆粒廠在改造3D NAND生產設備，現在老大三星和老幺SK海力士均行動，相信會穩(wěn)定住市場格局，并在不遠的將來看到市場供貨改善。
2017-07-06 15:20:51706 三星NAND閃存規(guī)格書 K9F4G08U0D
2017-10-17 09:42:26
35 近日，東芝首款64層3D NAND SSDTR200 SATA固態(tài)硬盤系列正式上市。TR200系列可提供給個人電腦和筆記本電腦更強的性能表現，并且滿足用戶對大容量SSD的使用要求。其具備高效能
2017-10-31 16:01:191180 2018年是3D NAND產能快速增長的一年，主要是因為Flash原廠三星、東芝、SK海力士、美光等快速提高64層3D NAND生產比重，而且相較于2D NAND技術，64層256Gb和512Gb在市場上的廣泛應用，使得高容量的NAND Flash相關產品價格持續(xù)下滑
2018-07-16 09:48:00918 近日，三星電子面向中國市場發(fā)布了智能視覺技術的新一代產品——應用前沿裸眼3D解決方案的“瞳3D”筆記本電腦。目前，“瞳3D”筆記本電腦已經在國內線上電商平臺開售，價格為5599 元。
2017-12-13 16:05:075846 三星電子(Samsung Electronics)3D NAND生產比重，傳已在2017年第4季突破80%，三星計劃除了部分車用產品外，2018年將進一步提升3D NAND生產比重至90%以上，全面進入3D NAND時代。
2018-07-06 07:02:001447 西安3D V-NAND芯片廠是三星最大的海外投資項目之一，也是是三星第二座3D V-NAND芯片廠。今日報道，工業(yè)氣體供應商空氣產品公司將助力三星生產的3D V-NAND閃存芯片，宣布將為3D V-NAND芯片廠供氣。
2018-02-03 11:07:271538 三星電子內存解決方案的需求，隨著內存的增加而飆升。目前三星正迅速轉向3D NAND，尤其是TLC 3D NAND，于三星半導體是拉動三星營收和利潤的關鍵，三星正在轉向一家半導體和系統(tǒng)公司。
2018-02-07 14:41:521318 
位于西安高新技術開發(fā)區(qū)的芯片廠是三星電子最大的海外投資項目之一，也是中國最先進的半導體工廠之一。其生產的3D V-NAND閃存芯片廣泛應用于嵌入式NAND存儲、固態(tài)硬盤、移動設備和其它消費電子產品。
2018-02-09 10:18:468073 無論是3D堆疊還是QLC的推出，這些情況均說明了隨著3D NAND技術走向實用化，國際廠商正在加快推進技術進步。3D NAND相對2D NAND來說，是一次閃存技術上的變革。而且不同于基于微縮技術
2018-06-20 17:17:495087 三星電子今天發(fā)布了一款全新的SSD固態(tài)硬盤，型號“PM883”，最大特點是第一次用上了LPDDR4內存作為緩存顆粒。PM883面向數據數據中心市場，采用標準的2.5寸SATA規(guī)格，主控方案未知（估計是三星自家的），閃存是三星64層3D V-NAND顆粒，容量4TB、8TB兩種可選。
2018-06-26 16:07:0013654 三星第五代V-NAND 3D堆疊閃存業(yè)界首次采用Toggle DDR 4.0接口，傳輸速率提升至1.4Gbps，與前代64層堆棧的V-NAND閃存相比提升了40%。數據寫入延遲僅為500微秒，比上代提升30％，而讀取信號響應時間也大幅縮短到50微秒。
2018-07-17 11:52:173338 面對2018年各大閃存顆粒廠商已經大規(guī)模量產64層堆棧3D NAND的情況，三星正式宣布開始量產第五代V-NAND閃存顆粒，堆棧數將超過90層。
2018-07-24 14:36:328259 由于NAND閃存價格上漲，SSD普及的道路走的異常艱難，同容量下SSD和HDD的價格始終相差懸殊，但美光今天新推出MX500系列SSD采用了64層3D TLC NAND閃存，把SSD的價格和性能控制在一個很好的平衡點，具有極高的性價比和極強的市場競爭力，或許可以打破這一困境。
2018-07-24 16:01:365391 很顯然從今年開始，廠商們都開始將目光轉向了QLC閃存，之前Intel就已經推出了首款搭載QLC閃存的SSD，而現在三星也正式宣布量產首款搭載QLC閃存的SSD，這些SSD從1TB起步，共有1TB、2TB和4TB三種規(guī)格。
2018-08-07 17:00:031358 代V-NAND技術，堆棧層數從之前的24層提高到了48層，TLC類型的3D NAND核心容量可達到256Gb容量，在自家的840、850及950系列SSD上都有使用。?值得一提的是，三星在3D NAND閃存
2018-10-08 15:52:39780 傳說中的64層3D NAND的故事，延續(xù)了1年時間。這次巧合的機會體驗到東芝TR200 SSD 240G。而且是東芝自主研發(fā)的3D閃存技術。是東芝首款64層 3D NAND SSD。
2018-10-09 16:26:0011015 三星SSD路線圖更新QLC閃存是重點 在三星Tech Day會議上，三星不僅宣布了7nm EUV、16Gb GDDR6顯存等新工藝、新產品及新技術，SSD方面也更新了路線圖，未來的重點就是96層堆棧
2018-10-18 17:33:006571 今年8月初，NAND閃存巨頭三星電子宣布開始量產業(yè)界首款消費級QLC SSD，SATA接口，最大容量4TB，采用第四代V－NAND，64層3D堆疊，單芯片容量1Tb（128GB）。
2018-11-23 08:36:521378 NAND Flash產業(yè)在傳統(tǒng)的Floating Gate架構面臨瓶頸后，正式轉進3D NAND Flash時代，目前三星電子（Samsung Electronics）、東芝（Toshiba）的3D
2018-12-03 09:04:572304 記憶體的3D NAND flash大戰(zhàn)即將開打！目前3D NAND由三星電子獨家量產，但是先有東芝(Toshiba)殺入敵營，如今美光(Micron)也宣布研發(fā)出3D NAND，而且已經送樣，三星一家獨大的情況將劃下句點。
2018-12-13 15:07:471294 的發(fā)布以及 64 層堆棧 3D NAND 閃存技術的成熟，960 EVO M.2 NVMe SSD 也迎來了正式的繼任者，這次就為大家?guī)?b class="flag-6" style="color: red">三星 970 EVO 250G M.2 NVMe SSD 的開箱評測。
2019-03-08 10:53:177904 在2016年的舊金山閃存峰會上，三星公布了Z-NAND與Z-SSD的相關信息。后者基于第四代V-NAND，但由于具有一些新的特性（介于DRAM內存和NAND閃存之間）、包含獨特的電路設計與優(yōu)化后的主控，三星于是用Z-NAND來命名這款閃存芯片。
2019-08-31 09:43:426632 三星是NAND閃存市場最強大的廠商，在3D NAND閃存上也是一路領先，他們最早在2013年就開始量產3D NAND閃存了。在3D NAND路線上，三星也研究過多種方案，最終量產的是VG垂直柵極結構
2019-09-04 09:17:137175 長江存儲64層3D NAND閃存是全球首款基于Xtacking?架構設計并實現量產的閃存產品，擁有同代產品②中最高的存儲密度。Xtacking?可實現在兩片獨立的晶圓上分別加工外圍電路和存儲單元
2019-09-03 10:07:021788 NAND閃存巨頭三星電子宣布開始量產業(yè)界首款消費級QLC SSD，SATA接口，最大容量4TB，采用第四代V－NAND，64層3D堆疊，單芯片容量1Tb（128GB）。
2019-12-13 11:35:481654 根據AnandTech的報道，三星計劃投資數十億美元擴大其在中國西安的3D NAND生產設施。
2019-12-18 10:38:203458 固態(tài)硬盤市場的霸主三星，是四大NAND閃存廠商中最早量產3D NAND閃存的，也是目前技術最強的，已經發(fā)展了三代V-NAND閃存，堆棧層數達到了48層。
2019-12-22 11:19:011517 兩年前，美光發(fā)布了全球首款采用3D QLC NAND閃存顆粒的SSD，型號為5210 ION系列。今天，美光宣布5210 ION已經得到全面升級，可以作為機械硬盤的完美替代品。
2020-04-10 09:14:413042 2020年4月13日，長江存儲科技有限責任公司（以下簡稱“長江存儲”）宣布其128層QLC 3D NAND 閃存（型號：X2-6070）研發(fā)成功，并已在多家控制器廠商SSD等終端存儲產品上通過驗證。
2020-04-13 14:41:523480 據了解，136層第六代V-NAND閃存是三星今年的量產主力。韓媒報道稱三星可能會大幅改進制造工藝，從現在的單堆棧（single-stack）升級到雙堆棧（double-stack），以便制造更高層數的3D閃存。
2020-04-20 09:06:01776 上周中國的長江存儲公司宣布攻克128層3D閃存技術，QLC類型容量做到了1.33Tb容量，創(chuàng)造了三個世界第一。國產閃存突飛猛進，三星等公司也沒閑著，三星正在開發(fā)160堆棧的3D閃存。
2020-04-20 09:29:47834 日前，三星電子宣布，由三星為業(yè)內最先進工藝節(jié)點專門研發(fā)的硅驗證3D IC封裝技術，eXtended－Cube，簡稱為X－cube，已經可以投入使用。
2020-08-14 17:24:393057 ，已成為閃存市場的主要供應廠商之一，并在今年成功推出128層QLC 3D NAND閃存芯片，是目前行業(yè)內首款單顆Die容量1.33Tb的NAND 閃存?；蹣s科技身為SSD主控芯
2020-09-11 11:12:162690 ，已成為閃存市場的主要供應廠商之一，并在今年成功推出128層QLC 3D NAND閃存芯片，是目前行業(yè)內首款單顆Die容量1.33Tb的NAND 閃存?；蹣s科技身為SSD主控芯
2020-09-11 11:12:342586 三星計劃明年開始與臺積電在封裝先進芯片方面展開競爭，因而三星正在加速部署3D芯片封裝技術。
2020-09-20 12:09:163743 據麥姆斯咨詢報道，三星在2020年9月18日向歐盟知識產權局（EUIPO）提交了一份商標申請文件，顯示該公司可能即將發(fā)布其首款名為“ISOCELL Vizion”的3D ToF傳感器。這款3D ToF傳感器或將用于明年問世的新款Galaxy S21系列（或為S30系列）智能手機。
2020-09-26 10:37:462949 
美光剛剛宣布了其第五代3D NAND閃存技術，達到了創(chuàng)紀錄的176層堆疊。這也是美光、Intel在閃存合作上分道揚鑣之后，自己獨立研發(fā)的第二代3D NAND閃存。
2020-11-11 11:50:212924 IT之家11月12日消息 今日，美光科技宣布已批量出貨全球首款 176 層 3D NAND 閃存，刷新行業(yè)紀錄，實現閃存產品密度和性能上的提升。 IT之家了解到，這款 176 層 NAND 產品采用
2020-11-12 13:04:572623 存儲器廠商美光宣布，其第五代3D NAND閃存技術達到創(chuàng)紀錄的176層堆疊。預計通過美光全新推出的176層3D NAND閃存技術以及架構，可以大幅度提升數據中心、智能邊緣計算以及智能手機存儲
2020-11-12 16:02:553696 NAND 應運而生，可以支持在更小的空間內容納更高的存儲容量，在需要存儲海量數據的時代有著重大價值。 依托于先進工藝的 3D NAND，氧化層越來越薄，面臨可靠性和穩(wěn)定性的難題，未來的 3D NAND 將如何發(fā)展？如何正確判斷一款 3D NAND 的總體效率？ 在 2020 年的閃存峰
2020-11-20 16:07:133095 。 3D NAND 路線圖：三星最早入局，長江存儲跨級追趕 Choe 介紹了 2014-2023 年的世界領先存儲公司的閃存路線圖，包括三星、鎧俠（原東
2020-11-20 17:15:444306 NAND應運而生，可以支持在更小的空間內容納更高的存儲容量，在需要存儲海量數據的時代有著重大價值。 ? ? ? ?依托于先進工藝的3D NAND，氧化層越來越薄，面臨可靠性和穩(wěn)定性的難題，未來的3D NAND將如何發(fā)展？如何正確判斷一款3D NAND的總體效率？ 在2020年的閃存
2020-12-09 10:35:493617 高通官方推特確認，三星Galaxy S21系列首發(fā)高通第二代3D超聲波指紋識別技術。
2021-01-15 09:13:03961 眾所周知，三星電子在NAND閃存芯片市場上一直保持領先地位，占有30％以上的份額。但是，由于競爭對手開始表現出更好的工藝，它們似乎在挑戰(zhàn)三星的技術能力。
2021-02-26 15:49:373205 在上篇中，我們探討了三星以NAND閃存技術為基礎，推動了存儲介質從HDD到SSD模式的轉變。 今天，我們就來了解一下，三星SSD核心部件的技術自主化研發(fā)歷程，以及三星SSD產品的迭代與創(chuàng)新。 憑借
2021-08-09 17:26:332894 在上一次“從HDD(硬盤驅動器，Hard Disk Drive)到SSD(固態(tài)硬盤，Solid State Drive)，存儲介質的進階之路”中，我們探討了三星以NAND 閃存(NAND?Flash
2021-08-16 17:07:474233 在3D NAND技術賽跑中，三星長期處于領先地位，截至目前，其3D NAND閃存已經陸續(xù)演進至128層。
2022-06-14 15:21:153354 
長江存儲一直是我國優(yōu)秀的存儲芯片企業(yè)，從成立之初就保持著高速穩(wěn)定的發(fā)展狀態(tài)，用短短3年的時間，接連推出了32層NAND閃存，以及64層堆棧3D NAND閃存，成功進入了華為Mate40手機的供應鏈。
2022-06-17 10:56:218286 我們之前見過的閃存多屬于Planar NAND平面閃存，也叫有2D NAND或者直接不提2D的，而3D 閃存，顧名思義，就是它是立體堆疊的，Intel之前用蓋樓為例介紹了3D NAND，普通NAND是平房，那么3D NAND就是高樓大廈，建筑面積一下子就多起來了，理論上可以無線堆疊。
2023-03-30 14:02:394227 3D NAND閃存是一種把內存顆粒堆疊在一起解決2D或平面NAND閃存限制的技術。這種技術垂直堆疊了多層數據存儲單元，具備卓越的精度，可支持在更小的空間內，容納更高的存儲容量，從而有效節(jié)約成本、降低能耗，以及大幅度地提升性能。
2023-06-15 09:37:563209 
三星已經確定了新一代3D NAND閃存的開發(fā)計劃，預計在2024年推出第九代3D NAND，其層數可達到280層
2023-07-04 17:03:293142 最近，三星集團援引業(yè)界有關負責人的話表示，計劃到2024年批量生產300段以上的第9代3d nand。預計將采用將nand存儲器制作成兩個獨立的程序之后，將其一起組裝的dual stack技術。三星將于2020年從第7代176段3d nand開始首次使用雙線程技術。
2023-08-18 11:09:052015 三星將在IEEE國際固態(tài)電路研討會上展示其GDDR7產品以及280層堆疊的3D QLC NAND技術。
2024-02-01 10:35:311299 三星計劃NAND閃存價格談判 欲漲價15%—20% 三星認為NAND Flash價格過低；在減產和獲利優(yōu)先政策的促使下三星計劃與客戶就NAND閃存價格重新談判，目標價位是漲價15%—20%。
2024-03-14 15:35:22995 在Memcon 2024上，三星披露了兩款全新的3D DRAM內存技術——垂直通道晶體管和堆棧DRAM。垂直通道晶體管通過降低器件面積占用，實現性能提升；
2024-04-01 15:43:081209 據韓國業(yè)界消息，三星最早將于本月開始量產當前業(yè)界密度最高的290層第九代V-NAND（3D NAND）閃存芯片。
2024-04-17 15:06:591502 近日，業(yè)界傳出消息稱，三星電子將大幅削減MLC NAND閃存的產能供給，并計劃在2024年底停止在現貨市場銷售該類產品，而到了2025年6月，MLC NAND閃存可能會正式停產。這一消息引起了業(yè)界
2024-11-21 14:16:121474 近日，三星電子已做出決定，將減少其位于中國西安工廠的NAND閃存產量。這一舉措被視為三星電子為保護自身盈利能力而采取的重要措施。 當前，全球NAND閃存市場面臨供過于求的局面，預計今年NAND閃存
2025-01-14 14:21:24867
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