全球第一大EEPROM供應(yīng)商意法半導(dǎo)體推出最新EEPROM系列產(chǎn)品。新產(chǎn)品保證400萬(wàn)次擦寫(xiě)操作，而競(jìng)爭(zhēng)產(chǎn)品只提供100萬(wàn)次擦寫(xiě)操作。意法半導(dǎo)體的新產(chǎn)品支持更高的存儲(chǔ)數(shù)據(jù)更新頻率，延長(zhǎng)系統(tǒng)在高溫條件下的壽命，為設(shè)計(jì)人員帶來(lái)了更大的設(shè)計(jì)自由空間。
2013-06-19 10:26:00
3113 工規(guī)、5G通訊、車(chē)載等相關(guān)領(lǐng)域。FM24N/FM24LN/FM25N系列產(chǎn)品基于95nm先進(jìn)EEPROM工藝，具備低功耗、超寬電壓、高可靠等特性，其中擦寫(xiě)壽命大于400萬(wàn)次、數(shù)據(jù)保
2023-05-04 13:56:111647 
儲(chǔ)能產(chǎn)品發(fā)展到今天，其技術(shù)變化日新月異，而壽命循環(huán)次數(shù)已經(jīng)成為不少?gòu)S商競(jìng)爭(zhēng)的焦點(diǎn)。市場(chǎng)中超過(guò)萬(wàn)次循環(huán)的產(chǎn)品已成為標(biāo)配，許多企業(yè)還承諾儲(chǔ)能產(chǎn)品壽命能夠達(dá)到20年甚至25年。
2024-04-22 07:52:005968 擦除或者重新改寫(xiě)數(shù)據(jù)，所以就方便許多，而且壽命也很長(zhǎng)（幾萬(wàn)到幾十萬(wàn)次不等）。
FLASH，稱(chēng)之為閃速存儲(chǔ)器，屬于EEPROM的改進(jìn)產(chǎn)品，它的最大特點(diǎn)是必須按塊(Block)擦除(每個(gè)區(qū)塊的大小不定
2010-11-04 18:15:42
擦除或者重新改寫(xiě)數(shù)據(jù)，所以就方便許多，而且壽命也很長(zhǎng)（幾萬(wàn)到幾十萬(wàn)次不等）。
FLASH，稱(chēng)之為閃速存儲(chǔ)器，屬于EEPROM的改進(jìn)產(chǎn)品，它的最大特點(diǎn)是必須按塊(Block)擦除(每個(gè)區(qū)塊的大小不定
2010-11-01 13:14:23
概述：ST24C16是意法半導(dǎo)體公司（STMicroelectronics）出品的一款支持I2C總線協(xié)議的16kbit EEPROM存儲(chǔ)器，其具備100萬(wàn)次可擦寫(xiě)、保存40年數(shù)據(jù)不丟失等特性，...
2021-04-08 07:55:26
新型低功耗無(wú)線標(biāo)準(zhǔn)ZigBee技術(shù)解析，不看肯定后悔
2021-06-04 06:28:11
描述PMP20026 參考設(shè)計(jì)可為 DDR4 存儲(chǔ)器提供高效的低功耗解決方案。電源由 12V 的源供電，并將輸出調(diào)節(jié)為 1.2V（電流高達(dá) 6A）。TPS53515 以單相降壓模式運(yùn)行（頻率為
2018-08-31 09:18:47
自動(dòng)流程跑一次需要寫(xiě)一次FLASH操作，那么FLASH很快就會(huì)掛掉。原因很簡(jiǎn)單，因?yàn)镕LASH的一般壽命都在10萬(wàn)次左右，好點(diǎn)的也就100萬(wàn)次，按照客戶要求去計(jì)算的話，一年最大可能要寫(xiě)FLASH將近
2020-05-04 05:55:58
存儲(chǔ)空間是如何進(jìn)行配置的？存儲(chǔ)器的特點(diǎn)是什么？FLASH和OTP存儲(chǔ)器的功耗模式有哪幾種狀態(tài)？
2021-10-21 08:28:25
便攜式存儲(chǔ)的現(xiàn)狀是怎樣的FPGA能否滿足便攜式存儲(chǔ)應(yīng)用的低功耗要求？
2021-04-29 06:47:36
嵌入式系統(tǒng)的海量存儲(chǔ)器多采用Flash存儲(chǔ)器實(shí)現(xiàn)擴(kuò)展，由于Flash存儲(chǔ)器具有有限寫(xiě)入次數(shù)的壽命限制，因此對(duì)于Flash存儲(chǔ)器局部的頻繁操作會(huì)縮短Flash存儲(chǔ)器的使用壽命。如何設(shè)計(jì)出一個(gè)合理
2019-08-16 07:06:12
M451中，F(xiàn)MC控制flash讀寫(xiě)，數(shù)據(jù)可否做到寫(xiě)100萬(wàn)次？要用什么機(jī)制？有沒(méi)有例程？
2023-06-25 08:02:41
STM32F103 參考手冊(cè)中循環(huán)模式部分描述：DMA模塊存儲(chǔ)器到存儲(chǔ)器不能與循環(huán)模式同時(shí)使用。但是經(jīng)過(guò)實(shí)際測(cè)試，是可以實(shí)現(xiàn)循環(huán)的，請(qǐng)問(wèn)怎么理解這句話呢？
2024-04-02 06:23:47
描述PMP20026 參考設(shè)計(jì)可為 DDR4 存儲(chǔ)器提供高效的低功耗解決方案。電源由 12V 的源供電，并將輸出調(diào)節(jié)為 1.2V（電流高達(dá) 6A）。TPS53515 以單相降壓模式運(yùn)行（頻率為
2022-09-15 07:36:02
今年7月，東南大學(xué)有序物質(zhì)科學(xué)研究中心研究團(tuán)隊(duì)發(fā)現(xiàn)了一類(lèi)新型分子壓電材料，首次在壓電性能上達(dá)到了傳統(tǒng)無(wú)機(jī)壓電材料的水平，這一材料將有望使電子產(chǎn)品體積進(jìn)一步縮小、彎折衣服就可對(duì)手機(jī)充電等應(yīng)用成為可能。那么，壓電材料是什么？新型分子壓電材料是什么樣子的？它具有哪些優(yōu)勢(shì)？
2020-08-19 07:58:38
ROMEPROMEEPROMFLASH數(shù)據(jù)保存方法施加電壓施加電壓+更新不需要讀取次數(shù)∞∞100億～1兆次∞∞∞∞可改寫(xiě)次數(shù)∞∞0次100次10萬(wàn)～100萬(wàn)次1萬(wàn)～10萬(wàn)次在電路板上的寫(xiě)入可以可以可以××可以可以讀取時(shí)間
2019-04-21 22:57:08
發(fā)信號(hào)使火爐、風(fēng)扇或空調(diào)裝置開(kāi)啟。然而，99%以上的時(shí)間僅需要休眠模式。由于大量時(shí)間處于休眠模式，因此改善休眠電流就能大幅增加系統(tǒng)的電池使用壽命。新型低功耗模式為了使MCU具有亞?A級(jí)的功耗模式，許多
2012-08-27 15:41:15
用電就能擦除或者重新改寫(xiě)數(shù)據(jù)，所以就方便許多，而且壽命也很長(zhǎng)（幾萬(wàn)到幾十萬(wàn)次不等）。FLASH，稱(chēng)之為閃速存儲(chǔ)器，屬于EEPROM的改進(jìn)產(chǎn)品，它的最大特點(diǎn)是必須按塊(Block)擦除(每個(gè)區(qū)塊的大小不定
2021-11-24 09:13:46
用變址尋址原理突破EEPROM存儲(chǔ)器的擦寫(xiě)壽命極限
2021-03-18 06:00:25
、QLC。嵌入式常用類(lèi)型低存儲(chǔ)容量一般為SLC和MLC，高存儲(chǔ)容量一般是TLC。
SLC (Single-Level Cell) 速度快，壽命長(zhǎng)，價(jià)格貴，理論擦寫(xiě)次數(shù)在10萬(wàn)次左右。
MLC
2025-02-28 14:17:24
的安全性，又可保證非安全區(qū)存儲(chǔ)器的實(shí)際擦寫(xiě)次數(shù)大于１００億次，從而延長(zhǎng)鐵電存儲(chǔ)器的實(shí)際使用壽命。鐵電存儲(chǔ)器的特殊性在于每一次的讀操作都會(huì)破壞原有的數(shù)據(jù)，因此必須在完成讀操作后再執(zhí)行一個(gè)回寫(xiě)過(guò)程，這樣，每
2019-04-28 09:57:17
均值和報(bào)警次數(shù)。5. 使用For 循環(huán)、Case 結(jié)構(gòu)及順序結(jié)構(gòu)構(gòu)建VI。要求分別使用公式節(jié)點(diǎn)和LabVIEW 算術(shù)函 數(shù)實(shí)現(xiàn)開(kāi)普勒方程 y=x-esin x , 0≤e≤1，使用利用順序結(jié)構(gòu)和定時(shí)選板下的時(shí)間計(jì)數(shù) 器.vi 比較兩種實(shí)現(xiàn)方法計(jì)算200 萬(wàn)次開(kāi)普勒方程所用時(shí)間。
2014-04-02 11:14:33
內(nèi)存地址空間是否一定大于所有物理存儲(chǔ)器的容量？
2023-10-17 07:14:45
。 隨著PCM存儲(chǔ)單元壓縮，發(fā)生狀態(tài)改變的GST材料體積縮小，所以可使功耗變小或更高的寫(xiě)入性能。PCM技術(shù)的這種獨(dú)一無(wú)二的特性使得其縮放能力超越其它存儲(chǔ)器技術(shù)。PCM在嵌入式系統(tǒng)中的應(yīng)用嵌入式系統(tǒng)中
2018-05-17 09:45:35
擦寫(xiě)壽命長(zhǎng)：如CW24C系列的EEPROM，采用Double-cell架構(gòu)，極大地提高了EEPROM的可靠性和擦寫(xiě)壽命，其擦寫(xiě)次數(shù)可達(dá)500萬(wàn)次，其中512K EE做到業(yè)界最高的擦寫(xiě)次數(shù)，滿足工業(yè)
2025-11-14 06:23:19
存儲(chǔ)測(cè)試器有什么工作原理？存儲(chǔ)測(cè)試器低功耗的實(shí)現(xiàn)方法有哪些？存儲(chǔ)測(cè)試器技術(shù)指標(biāo)有哪些？請(qǐng)問(wèn)怎樣去設(shè)計(jì)低功耗存儲(chǔ)測(cè)試器？
2021-04-13 07:02:43
便攜式和無(wú)線傳感應(yīng)用的電池壽命。FRAM是一種新型非易失性存儲(chǔ)器，集SRAM的速度、靈活性與耐用度和閃存的穩(wěn)定性和可靠性于一身，但總功耗更低。M24C16-WMN6TP FRAM MCU是世界上首款具...
2021-11-03 07:28:04
壽命均在50萬(wàn)次以上；（3）能量轉(zhuǎn)換效率高。大電流能量循環(huán)效率》90%；（4）功率密度高?？蛇_(dá)300W/kg—50000W/kg，為蓄電池的5～10倍；（5）原材料生產(chǎn)、使用、存儲(chǔ)及拆解過(guò)程均無(wú)
2020-12-24 17:40:21
KB 的非易失性 FRAM 存儲(chǔ)器。主要特色? CR-2032 紐扣電池的電池壽命大于 5 年? CR-2032 紐扣電池的電池壽命大于 5 年? 符合 RF430 NFC 動(dòng)態(tài)標(biāo)簽類(lèi)型 4B
2018-09-10 09:20:29
10 萬(wàn)次，EMMC 的塊擦寫(xiě)最高也會(huì)有 1 萬(wàn)次；同理，EEPROM、SD 卡、CF 卡、U 盤(pán)、Flash 硬盤(pán)等存儲(chǔ)介質(zhì)在都存在寫(xiě)壽命的問(wèn)題。在文件系統(tǒng)向?qū)憯?shù)據(jù)的底層存儲(chǔ)器塊寫(xiě)數(shù)據(jù)時(shí)，常規(guī)會(huì)
2020-09-16 10:58:10
，無(wú)等待時(shí)間寫(xiě)入循環(huán)時(shí)間 =讀取循環(huán)時(shí)間寫(xiě)入時(shí)間： E2PROM的1/30,000具有更高的讀寫(xiě)耐久性確保最大1012次循環(huán)（100萬(wàn)億循環(huán)）/位的耐久力耐久性：超過(guò)100萬(wàn)次的 E2PROM具有更低
2014-06-19 15:49:33
循環(huán)至壽命終止時(shí)的循環(huán)次數(shù)， 后者是指電池在某個(gè)狀態(tài)下存儲(chǔ)至壽命終止時(shí)所需的時(shí)間。鋰電池在充放電過(guò)程中會(huì)發(fā)生很多復(fù)雜的物理及化學(xué)反應(yīng)， 因此影響鋰電池循環(huán)壽命的因素有很多。另一方面，循環(huán)壽命測(cè)試往往
2021-04-22 10:42:43
的連接方式與NOR閃速存儲(chǔ)器相同，寫(xiě)入邏輯為反相（NOR寫(xiě)人時(shí)V th 變高，而AND式則降低），命名為AND式?，F(xiàn)在的NOR閃速存儲(chǔ)器也致力于改良，目的在于將寫(xiě)人操作也采用隧道方式以降低功耗，或者通過(guò)
2018-04-09 09:29:07
方塊卷繞超級(jí)電容產(chǎn)品壽命：常溫循環(huán)壽命：25℃，VR到1/2VR之間循環(huán)100萬(wàn)次，容量衰減≤30% 內(nèi)阻變化≤3倍 高溫耐久壽命：70℃，保持VR，1000小時(shí)，容量衰減≤30%，內(nèi)阻變化≤3倍 超級(jí)
2021-09-03 11:15:15
鐵電存儲(chǔ)器FRAM 是具有低功耗、高寫(xiě)入速度、高耐久力的新型非易失性存儲(chǔ)器，應(yīng)用范圍廣泛。本文介紹FRAM 及其應(yīng)用， 并給出FRAM 與MCS-51 單片機(jī)的接口電路和軟件設(shè)計(jì)。
2009-05-13 16:25:45
25 變壓器材料原理簡(jiǎn)介
2009-11-16 17:17:4923 摘要：磁電存儲(chǔ)器不僅存取速度快、功耗小，而且集動(dòng)態(tài)RAM、磁盤(pán)存儲(chǔ)和高速緩沖存儲(chǔ)器功能于一身，因而已成為動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器研究領(lǐng)域的一個(gè)熱點(diǎn)。文章總結(jié)了磁電
2006-03-24 13:01:372315 
循環(huán)充放電一次就是少一次壽命嗎?循環(huán)就是使用,我們是在使用電池,關(guān)心的是使用的時(shí)間,為了衡量充電電池的到底可以使用多長(zhǎng)時(shí)間這樣一個(gè)性能,就規(guī)定了循環(huán)
2008-09-07 02:06:502614 DS3655 超低功耗篡改檢測(cè)電路，帶有無(wú)痕跡存儲(chǔ)器
DS3655是一款防篡改存儲(chǔ)器，特別用于需要數(shù)據(jù)保護(hù)和要求高安全性的設(shè)備。器件包括64字節(jié)專(zhuān)有的無(wú)痕跡
2009-03-02 14:54:19716 Vishay推出具有兩百萬(wàn)次循環(huán)壽命的高可靠性面板電位計(jì)P30L
Vishay推出升級(jí)版本的P30L緊湊型面板電位計(jì)，將其循環(huán)壽命比原來(lái)增加了一倍，達(dá)到額定功率下使用2百萬(wàn)次，而升
2009-11-04 15:24:25620 循環(huán)充放電一次就是少一次壽命嗎？
循環(huán)就是使用,我們是在使用電池,關(guān)心的是使
2009-11-11 13:59:221021 相變存儲(chǔ)器：能實(shí)現(xiàn)全新存儲(chǔ)器使用模型的新型存儲(chǔ)器
從下面的幾個(gè)重要特性看，相變存儲(chǔ)器（PCM）技術(shù)均符合當(dāng)前電子系統(tǒng)對(duì)存儲(chǔ)器子系統(tǒng)的需求：
容量
2009-12-31 10:09:301360 相變存儲(chǔ)器（Phase Change Memory，PCM)是一種新興的非易失性存儲(chǔ)器技術(shù)。PCM存儲(chǔ)單元是一種極小的GST（鍺、銻和碲）硫族化合物顆粒，通過(guò)電脈沖的形式集中加熱的情況下，它能夠從
2010-06-02 11:57:001261 電池循環(huán)充放電一次就是少一次壽命嗎?
循環(huán)就是使用,我們是在使用電池,關(guān)心的是使用的時(shí)間,為了衡量充電電池
2010-09-06 11:05:263981 Ramtron宣布提供全新4至64Kb串口非易失性鐵電 RAM (F-RAM)存儲(chǔ)器的預(yù)認(rèn)證樣片，新產(chǎn)品采用Ramtron全新美國(guó)晶圓供應(yīng)商的鐵電存儲(chǔ)器工藝制造，具有1萬(wàn)次 (1e12)的讀/寫(xiě)循環(huán)、低功耗和無(wú)延遲
2011-10-27 09:34:131838 Ramtron宣布推出世界上最低功耗的非易失性存儲(chǔ)器。該16 kb器件的型號(hào)為FM25P16，是業(yè)界功耗最低的非易失性存儲(chǔ)器，為對(duì)功耗敏感的系統(tǒng)設(shè)計(jì)開(kāi)創(chuàng)了全新的機(jī)遇.
2012-02-07 09:00:551596 ITRI 公司近日發(fā)布了一款與斯坦福大學(xué)共同研發(fā)的可快充鋁電池URABat，據(jù)稱(chēng)是一種更安全和更高效的鋰電池代替品。URABat電池完成一次充電僅用時(shí)1分鐘且充電循環(huán)次數(shù)可高達(dá)1萬(wàn)次。
2016-11-18 16:01:591586 新型低功耗CO檢測(cè)系統(tǒng)的研制，下來(lái)看看。
2016-12-17 15:26:598 Molex 推出專(zhuān)為高插拔次數(shù)連接實(shí)現(xiàn)牢固保持效果的公母端一體式 CyClone 面板間連接器系統(tǒng)。CyClone 連接器模塊的插拔次數(shù)可達(dá) 1 萬(wàn)次，在電信、網(wǎng)絡(luò)、消費(fèi)品和工業(yè)電子元件領(lǐng)域可以提供超高的耐久性。
2016-12-13 12:58:292019 
低功耗的高性能四路組相聯(lián)CMOS高速緩沖存儲(chǔ)器
2017-01-19 21:22:5412 和DRAM這些傳統(tǒng)易失性存儲(chǔ)器的級(jí)別。而且，F(xiàn)RAM的讀/寫(xiě)耐久性能遠(yuǎn)遠(yuǎn)優(yōu)于EEPROM和Flash存儲(chǔ)器。EEPROM和Flash存儲(chǔ)器能寫(xiě)入大約100萬(wàn)次（106次），F(xiàn)RAM最高可寫(xiě)入1013次，或者說(shuō)寫(xiě)入次數(shù)可以達(dá)到前兩種存儲(chǔ)器的1000萬(wàn)倍以上。
2017-03-29 11:46:292172 
此類(lèi)獨(dú)特的超高柔性線纜組件，專(zhuān)為常規(guī)跳線無(wú)法適用的連續(xù)運(yùn)動(dòng)及自動(dòng)化應(yīng)用而設(shè)計(jì)，其在1.82英（46.4毫米）彎曲半徑下的額定彎曲次數(shù)為1000萬(wàn)次。
2018-06-29 09:30:001477 隨著可再生能源開(kāi)發(fā)利用規(guī)模的不斷擴(kuò)大及智能電網(wǎng)產(chǎn)業(yè)的迅速崛起，儲(chǔ)能技術(shù)的重要性日益凸顯。記者7日獲悉，由美國(guó)斯坦福大學(xué)崔屹教授領(lǐng)銜的研究團(tuán)隊(duì)介紹了一種可循環(huán)充電1萬(wàn)次以上的錳氫氣電池，可實(shí)現(xiàn)10年以上的穩(wěn)定性能。該成果發(fā)表在《自然·能源》上。
2018-05-17 10:45:001035 鋰電池已經(jīng)成為當(dāng)前純電動(dòng)汽車(chē)上的主流技術(shù)，但電池續(xù)航里程段、充電速度慢卻時(shí)常被人詬病。近日一家法國(guó)初創(chuàng)公司稱(chēng)正在研發(fā)中的新型電池，比加油快3倍，可以連續(xù)100萬(wàn)次循環(huán)使用，將會(huì)打破電動(dòng)汽車(chē)行業(yè)充電難、充電慢的困局。
2018-06-20 10:59:003535 將存儲(chǔ)器帶寬提升了20倍，而相比競(jìng)爭(zhēng)性存儲(chǔ)器技術(shù)，則將單位比特功耗降低4倍。這些新型器件專(zhuān)為滿足諸如機(jī)器學(xué)習(xí)、以太網(wǎng)互聯(lián)、8K視頻和雷達(dá)等計(jì)算密集型應(yīng)用所需的更高存儲(chǔ)器帶寬而打造，同時(shí)還提供CCIX IP，支持任何CCIX處理器的緩存一致性加速，滿足計(jì)算加速應(yīng)用要求。
2018-07-31 09:00:003068 關(guān)鍵詞：鋰電池 , 2.5萬(wàn)次 , 夏普 , 京都大學(xué) 日本夏普與京都大學(xué)的田中 功教授等成功開(kāi)發(fā)出了使用壽命可達(dá)70年的鋰離子電池。從實(shí)驗(yàn)結(jié)果來(lái)看，該電池可充放電2.5萬(wàn)次。如果按每天充放電一次
2018-09-16 15:30:02670 IP供應(yīng)商力旺電子極力布局車(chē)用電子市場(chǎng)，提出可編寫(xiě)次數(shù)超過(guò)50萬(wàn)次的嵌入式EEPROM（電子抹除式可復(fù)寫(xiě)唯讀存儲(chǔ)器）矽智財(cái)（Silicon IP），來(lái)因應(yīng)車(chē)用市場(chǎng)的需求，且不需要額外加光罩即可應(yīng)用于現(xiàn)有平臺(tái)上，不單是車(chē)用電子，也可用于指紋識(shí)別、電源管理IC、NFC、RFIC等。
2018-12-19 16:56:491005 盡管ㄧ些新存儲(chǔ)器技術(shù)已經(jīng)研發(fā)出來(lái)，但在這競(jìng)爭(zhēng)激烈的市場(chǎng)，只有極少數(shù)能夠成功。 圖1是ㄧ些新存儲(chǔ)器技術(shù)的列表。然而，無(wú)論哪一個(gè)技術(shù)勝出，這些新型非易失性技術(shù)系統(tǒng)的功耗肯定會(huì)低于現(xiàn)有的嵌入式 NOR 閃存和 SRAM，或是，離散 的 DRAM 和 NAND 閃存的系統(tǒng)。
2018-12-24 11:04:3411902 
巨大影響。讓我們分析一下這些關(guān)鍵的存儲(chǔ)器元件，以便更好地了解如何最有效地使用它們來(lái)最大限度地提高性能，降低功耗并優(yōu)化系統(tǒng)成本。
2019-02-06 11:09:004161 
Oculus Android應(yīng)用程序安裝超過(guò)100萬(wàn)次 在谷歌Play Store上，Oculus安卓應(yīng)用的總安裝量剛剛超過(guò)100萬(wàn)次。蘋(píng)果的應(yīng)用程序商店沒(méi)有報(bào)告安裝數(shù)量。 Oculus Go的設(shè)置需要Oculus應(yīng)用程序，它可以用來(lái)安裝應(yīng)用程序，也可以用來(lái)管理設(shè)置
2019-02-26 11:17:531005 新一代存儲(chǔ)器材料又有新突破！臺(tái)成功大學(xué)物理系研究團(tuán)隊(duì)最新發(fā)表存儲(chǔ)器新材料「鐵酸鉍(BiFeO3)」操控方式，相關(guān)研究成果本月初獲刊載于國(guó)際頂尖期刊「自然材料」（Nature Materials）。
2019-05-23 10:56:021438 業(yè)界普遍認(rèn)為未來(lái)從數(shù)據(jù)中將能挖掘出最大的價(jià)值，但要挖掘數(shù)據(jù)的價(jià)值除了需要很強(qiáng)的計(jì)算能力之外，數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)也非常關(guān)鍵。目前，新型存儲(chǔ)器也是領(lǐng)先的企業(yè)非常關(guān)注的一個(gè)方向，蘭開(kāi)斯特大學(xué)（Lancaster University）的研究人員最近發(fā)表論文稱(chēng)其研究的新型存儲(chǔ)器可以兼具穩(wěn)定、高速、超低功耗的優(yōu)點(diǎn)。
2019-06-25 09:16:233652 新一代存儲(chǔ)器材料又有新突破！臺(tái)成功大學(xué)物理系研究團(tuán)隊(duì)最新發(fā)表存儲(chǔ)器新材料「鐵酸鉍(BiFeO3)」操控方式，相關(guān)研究成果本月初獲刊載于國(guó)際頂尖期刊「自然材料」（Nature Materials）。
2019-09-04 16:44:361072 浙江大學(xué)信息與電子工程學(xué)院趙毅教授課題組研發(fā)出一種低成本、低功耗的新型存儲(chǔ)器。這項(xiàng)基于可工業(yè)化生產(chǎn)的半導(dǎo)體集成電路制造工藝的工作，將大幅提高數(shù)據(jù)交換速度，降低網(wǎng)絡(luò)芯片的制造成本，進(jìn)而從理論上為“萬(wàn)物互聯(lián)”打下基礎(chǔ)。
2019-09-20 11:14:32913 今天下午滴滴出行官方表示，滴滴人臉識(shí)別每天平均進(jìn)行430萬(wàn)次人臉調(diào)用，每月人工復(fù)核司機(jī)60萬(wàn)人次。
2019-11-28 16:46:523900 為了使新型存儲(chǔ)器達(dá)到大批量生產(chǎn)，工業(yè)必須提供新的工藝控制解決方案。這些系統(tǒng)應(yīng)該測(cè)量原始沉積的薄膜，操作迅速，不會(huì)對(duì)存儲(chǔ)器造成額外傷害。
2019-12-31 16:10:431155 
繼電器的電氣壽命通常只有10萬(wàn)次，如想再提供壽命那么器件的可選范圍可能就小了，且成本居高不下。經(jīng)實(shí)際測(cè)試，用零電壓吸合零電流釋放這一技術(shù)，可以極大的提高繼電器的壽命至50萬(wàn)次到100萬(wàn)次，且上面提到的這些不良現(xiàn)象的發(fā)生概率降低很多。
2020-01-20 14:46:0020547 REALFORCE曾推出了燃風(fēng)靜電容鍵盤(pán)，采用Topre技術(shù)，擁有獨(dú)特的敲擊手感。近日，REALFORCE又推出了燃風(fēng)RFM01U11靜電容游戲鼠標(biāo)，分體式左右鍵設(shè)計(jì)，擁有超過(guò)5000萬(wàn)次超高壽命，采用靜電容無(wú)接點(diǎn)方式，可提供輕柔的按壓感和靜音性。
2020-03-30 16:13:025237 目前新型存儲(chǔ)器上受到廣泛關(guān)注的新型存儲(chǔ)器主要有相變存儲(chǔ)器(PCM)，其中有以英特爾與美光聯(lián)合研發(fā)的3D Xpoint為代表;MRAM以美國(guó)Everspin公司推出的STT-MRAM為代表;阻變存儲(chǔ)器
2020-04-25 11:05:573525 
多款GigaDevice存儲(chǔ)器解決方案中，NOR Flash產(chǎn)品主要針對(duì)容量、封裝、安全等方面，滿足各個(gè)領(lǐng)域?qū)τ布O(shè)計(jì)的要求。GD25 SPI NOR Flash存儲(chǔ)器產(chǎn)品線可提供四種電壓規(guī)格、20年數(shù)據(jù)保持時(shí)間和10萬(wàn)次擦寫(xiě)次數(shù)，具有高可靠性
2020-04-28 09:23:495309 ，可用于光存儲(chǔ)及光計(jì)算領(lǐng)域。因此，激光驅(qū)動(dòng)材料的相變工作機(jī)制成為該領(lǐng)域的核心科學(xué)問(wèn)題。近期，鈧銻碲（Sc-Sb-Te）相變材料因具有很快的結(jié)晶速度，而在電存儲(chǔ)器件中展現(xiàn)出了重要潛力。進(jìn)一步探討鈧銻碲與光之間的相互作用過(guò)程，可為其拓展在光存儲(chǔ)等領(lǐng)域中的應(yīng)用提供重要依據(jù)。
2020-06-24 10:23:404501 記錄數(shù)據(jù)的可靠性，通常只考慮到突然掉電、寫(xiě)入不完全等，往往忽略了存儲(chǔ)器件的使用壽命。存儲(chǔ)器件的擦除次數(shù)壽命是行業(yè)公認(rèn)的客觀事實(shí)，工程師只能盡量的符合器件使用規(guī)范，以免過(guò)快損耗擦寫(xiě)壽命。
2020-10-08 14:34:004705 
得益于容量大、價(jià)格低的優(yōu)勢(shì)，如今越來(lái)越多的SSD硬盤(pán)轉(zhuǎn)向QLC閃存，大家擔(dān)心的主要是QLC閃存的壽命，具體來(lái)說(shuō)就是P/E擦寫(xiě)次數(shù)，通常在1000次左右，而IBM現(xiàn)在解決了QLC壽命問(wèn)題，做到了史無(wú)前例的16000次擦寫(xiě)壽命，壽命比SLC還強(qiáng)。
2020-12-08 09:40:035086 博宣布，其新型低功耗OLED面世，并且成功實(shí)現(xiàn)了新型有機(jī)材料的商業(yè)化。較上一代OLED，不僅大幅提升發(fā)光效率，還大大降低了功耗。 三星表示，OLED通過(guò)有機(jī)發(fā)光材料來(lái)表現(xiàn)色彩。在沒(méi)有背光源的情況下，有機(jī)材料通電即可發(fā)光。因此，
2021-01-26 10:56:082620 低功耗藍(lán)牙是藍(lán)牙技術(shù)聯(lián)盟設(shè)計(jì)和銷(xiāo)售的一種個(gè)人局域網(wǎng)技術(shù)，相較經(jīng)典藍(lán)牙，低功耗藍(lán)牙旨在保持同等通信范圍的同時(shí)顯著降低功耗和成本。 在設(shè)計(jì)初始階段，優(yōu)化低功耗藍(lán)牙芯片能耗的訣竅會(huì)影響存儲(chǔ)器大小、時(shí)鐘速度
2021-03-05 15:31:041684 電磁突破可以降
低功耗，提高數(shù)字
存儲(chǔ)器的速度?？死锼沟侔病け葍?nèi)克（Christian Binek）說(shuō)，“達(dá)到這一點(diǎn)是一個(gè)非常痛苦的過(guò)程?！?/div>
2021-04-14 16:40:362295 低功耗SRAM存儲(chǔ)器應(yīng)用于內(nèi)有電池供電對(duì)功耗非常敏感的產(chǎn)品，是靜態(tài)隨機(jī)訪問(wèn)存儲(chǔ)器的一種類(lèi)別，靜態(tài)隨機(jī)訪問(wèn)存儲(chǔ)器（SRAM）作為最重要的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器，廣泛地嵌入于高性能微處理器。隨著集成電路制造工藝
2021-06-08 16:49:322523 華中科技大學(xué)成功研制全球最低功耗相變存儲(chǔ)器：比主流產(chǎn)品1000倍 來(lái)源：芯智訊 1月20日，從華中科技大學(xué)集成電路學(xué)院獲悉，該學(xué)院團(tuán)隊(duì)研制出全世界功耗最低的相變存儲(chǔ)器，比主流產(chǎn)品功耗低了1000倍
2022-01-21 13:15:001047 循環(huán)壽命長(zhǎng)、功耗低等特點(diǎn)。 ? FRAM 采用了哪些類(lèi)型的應(yīng)用程序？ FRAM已被用于需要小密度內(nèi)存和頻繁數(shù)據(jù)寫(xiě)入的應(yīng)用中。應(yīng)用示例是；OA設(shè)備（例如用于計(jì)數(shù)器和打印記錄的MFP），F(xiàn)A設(shè)備（例如用于存儲(chǔ)參數(shù)和數(shù)據(jù)記錄的測(cè)量設(shè)備和分析儀），金融終端（例如用于
2022-03-02 17:18:361778 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《TPS53515低功耗DDR存儲(chǔ)器電源參考設(shè)計(jì).zip》資料免費(fèi)下載
2022-09-06 16:18:370 后數(shù)據(jù)不會(huì)丟失，是非易失性存儲(chǔ)器； 讀寫(xiě)速度快：無(wú)延時(shí)寫(xiě)入數(shù)據(jù)，可覆蓋寫(xiě)入； 壽命長(zhǎng)：可重復(fù)讀寫(xiě)，重復(fù)次數(shù)可達(dá)到萬(wàn)億次，耐久性強(qiáng)，使用壽命長(zhǎng)； 功耗低：待機(jī)電流低，無(wú)需后備電池，無(wú)需采用充電泵電路； 可靠性高：兼容CMOS工藝，工作溫度范圍寬，可靠性
2022-11-10 17:00:143282 
AN4777_STM32微控制器低功耗下存儲(chǔ)器接口配置啟示
2022-11-21 17:06:460 基于上述因素，越來(lái)越多的MCU大廠開(kāi)始選擇在MCU中集成新型存儲(chǔ)器，比如相變存儲(chǔ)器（PCM）、磁RAM（MRAM）和阻變存儲(chǔ)器（RRAM）等，當(dāng)然不同的大廠也有著他們不同的選擇…
2022-12-01 20:28:061421 在筆者看來(lái)，市場(chǎng)對(duì)新興存儲(chǔ)器并不友善，盡管人們?nèi)匀幌Ｍ鎯?nèi)計(jì)算（copute in memory）能夠重振基于電阻、相變和其他特性的新型存儲(chǔ)器。
2023-02-14 11:33:403191 
在門(mén)禁系統(tǒng)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的方案中，拍字節(jié)PB85RS128具有“高速數(shù)據(jù)擦寫(xiě)”、“高擦寫(xiě)耐久性”的特點(diǎn)（100萬(wàn)次寫(xiě)入周期、長(zhǎng)達(dá)25年以上的數(shù)據(jù)保存時(shí)效）。
2023-03-01 14:03:55943 鐵電存儲(chǔ)器(FRAM)具有非易失性，讀寫(xiě)速度快，沒(méi)有寫(xiě)等待時(shí)間等優(yōu)勢(shì)，能夠像RAM一樣操作，低功耗，擦寫(xiě)使用壽命長(zhǎng)，芯片的擦寫(xiě)次數(shù)為100萬(wàn)次，比一般的E2PROM存儲(chǔ)器高10倍。特別適合在為工業(yè)
2023-06-29 09:39:031132 隨著信息技術(shù)的飛速發(fā)展，數(shù)據(jù)存儲(chǔ)需求日益增長(zhǎng)。作為一種新型的非易失性存儲(chǔ)器，NAND Flash因其高容量、低功耗、高密度等優(yōu)勢(shì)，在各個(gè)領(lǐng)域得到了廣泛應(yīng)用。本文將對(duì)NAND Flash存儲(chǔ)器的工作原理、結(jié)構(gòu)特點(diǎn)、性能指標(biāo)及應(yīng)用領(lǐng)域進(jìn)行詳細(xì)解析，以期為讀者提供一個(gè)全面的了解。
2023-09-27 18:26:175563 近日，三星宣布正在研發(fā)一種新型的LLW DRAM存儲(chǔ)器，這一創(chuàng)新技術(shù)具有高帶寬和低功耗的特性，有望引領(lǐng)未來(lái)內(nèi)存技術(shù)的發(fā)展。
2024-01-12 14:42:031225 早前報(bào)道，蔚來(lái)于2023年10月9日實(shí)現(xiàn)第3000萬(wàn)次換電，然后僅經(jīng)過(guò)157天就完成了第4000萬(wàn)次換電服務(wù)。據(jù)蔚來(lái)副總裁沈斐所述，換電相較充電技術(shù)而言，節(jié)省大量時(shí)間，尤其適用于長(zhǎng)途出行場(chǎng)景。
2024-03-14 14:06:18913 億緯鋰能發(fā)布的“開(kāi)源電池”具備3C超快充電速度，15分鐘可從20%快充至80%SOC，比能量大于160Wh/kg，循環(huán)壽命超過(guò)7000次。
2024-05-19 11:25:544086 Steam一夜遭28萬(wàn)次攻擊是發(fā)生在《黑神話：悟空》上線后，該游戲作為中國(guó)首款3A大作，吸引了大量玩家，銷(xiāo)量突破1000萬(wàn)套。然而，由于DDoS攻擊導(dǎo)致Steam平臺(tái)崩潰，游戲的實(shí)時(shí)在線人數(shù)一度從300萬(wàn)驟降至百萬(wàn)以下。
2024-08-27 10:47:261153 內(nèi)容進(jìn)行擦除和重寫(xiě)。在許多應(yīng)用中，尤其是在電池供電的設(shè)備中，低功耗模式對(duì)于延長(zhǎng)設(shè)備的使用壽命至關(guān)重要。以下是實(shí)現(xiàn)EEPROM低功耗模式的一些方法： 1. 選擇合適的EEPROM類(lèi)型 選擇功耗較低
2024-12-16 16:54:011484 提供PCB行業(yè)飛針測(cè)試用探針，間距0.2mm，針尖直徑0.03mm。頻率0-67GHz。使用壽命10-30萬(wàn)次。
2025-03-28 12:04:251271 
和 贗電容效應(yīng) 實(shí)現(xiàn)能量存儲(chǔ)，其核心區(qū)別于電池的化學(xué)儲(chǔ)能機(jī)制： 雙電層儲(chǔ)能 ：電極表面形成納米級(jí)電荷層，電荷吸附/脫附過(guò)程無(wú)化學(xué)反應(yīng)，壽命遠(yuǎn)超化學(xué)電池。例如，合粵超級(jí)電容通過(guò)碳纖維表面納米級(jí)電荷層設(shè)計(jì)，實(shí)現(xiàn)10萬(wàn)次循環(huán)壽命，覆
2025-12-01 09:53:57475 博雅BOYA 64Mbit NOR Flash BY25Q64ESSIG憑借133MHz高速讀取與車(chē)規(guī)級(jí)溫度適應(yīng)性，為車(chē)載DVD系統(tǒng)提供快速啟動(dòng)及可靠固件存儲(chǔ)。其低功耗設(shè)計(jì)與10萬(wàn)次擦寫(xiě)壽命保障系統(tǒng)在-40℃~85℃環(huán)境下穩(wěn)定運(yùn)行，助力提升車(chē)載影音設(shè)備性能。
2025-12-19 09:53:00153 
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