最近幾年，隨著相關(guān)政策的全面落地推廣執(zhí)行，在國(guó)家的大力支持下，我國(guó)芯片產(chǎn)業(yè)發(fā)展取得了重大突破，芯片產(chǎn)業(yè)也不斷迎來(lái)成長(zhǎng)的新拐點(diǎn)！

但不得不面對(duì)的現(xiàn)實(shí)是，我國(guó)的芯片產(chǎn)業(yè)還處在起步階段，尤其在DRAM領(lǐng)域中，巨大的市場(chǎng)被國(guó)外的巨頭瓜分，僅僅是三星、SK海力士和鎂光三家公司就占據(jù)了全球內(nèi)存市場(chǎng)95%的份額。中國(guó)要想在內(nèi)存市場(chǎng)突破封鎖并不容易，盡管有紫光、長(zhǎng)鑫、兆易創(chuàng)新等公司投身存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)，但國(guó)內(nèi)現(xiàn)有的DDR內(nèi)存技術(shù)還僅僅是入門而已！

新型技術(shù)的出現(xiàn)

相變存儲(chǔ)（Phase Change Memory，PCM）是諸多號(hào)稱能“改變未來(lái)”的新內(nèi)存技術(shù)之一，擁有接近DRAM的速度、遠(yuǎn)超過(guò)快閃內(nèi)存的使用壽命，以及不供電也能保存資料的特性。通常被成為PCM或相變RAM的這種技術(shù)，是通過(guò)加熱的方法改變硫?qū)倩锊ＡВ╟halcogenide glass）的晶體狀態(tài)，從而實(shí)現(xiàn)信息的存儲(chǔ)。

在某些方面來(lái)說(shuō)，它和憶阻體有點(diǎn)像，都是利用物質(zhì)的電阻高低值來(lái)存儲(chǔ)信息，只是真正的憶阻體是用電壓來(lái)控制物質(zhì)的電阻，而相變內(nèi)存用的卻是溫度。

研究結(jié)果顯示，在0.5THz強(qiáng)度的電脈沖情況下，僅需幾皮秒(1秒等于1012皮秒)相變內(nèi)存就能產(chǎn)生用于存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的結(jié)晶纖維，盡管其他大部分依舊呈無(wú)定形狀態(tài)，但基于以上實(shí)驗(yàn)結(jié)果，可以認(rèn)為相變內(nèi)存的相變過(guò)程基本在皮秒級(jí)別，而現(xiàn)在的DRAM(1秒等于109皮秒)內(nèi)存是用納秒來(lái)衡量的，如此一來(lái)便是1000倍的差距(1納秒等于103皮秒)。

于是，相變存儲(chǔ)芯片被稱為21世紀(jì)的存儲(chǔ)芯片標(biāo)準(zhǔn)，與傳統(tǒng)存儲(chǔ)芯片（比如內(nèi)存）相比，它是一種非易失性存儲(chǔ)芯片，但是速度達(dá)到了傳統(tǒng)存儲(chǔ)芯片的1000倍，同時(shí)可靠性是后者的1000倍——當(dāng)然這些指標(biāo)都是理論上的，不過(guò)絲毫不妨礙各大內(nèi)存巨頭投身相變存儲(chǔ)的開發(fā)和布局當(dāng)中！

我們的動(dòng)作

3月22日淮安市集成電路產(chǎn)業(yè)現(xiàn)場(chǎng)推進(jìn)暨江蘇時(shí)代芯存半導(dǎo)體有限公司相變存儲(chǔ)器工廠竣工運(yùn)營(yíng)啟動(dòng)儀式在淮安高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)開發(fā)區(qū)順利舉行，此舉標(biāo)志著130億元投資的相變存儲(chǔ)項(xiàng)目開始進(jìn)入運(yùn)營(yíng)階段。這個(gè)項(xiàng)目去年11月份完成了廠房封頂，并完成了設(shè)備采購(gòu)，從開工到封頂不到9個(gè)月時(shí)間，今年3月底開始運(yùn)營(yíng)。

江蘇時(shí)代芯存半導(dǎo)體有限公司由寧波時(shí)代全芯科技有限公司和淮安園興投資有限公司共同出資成立，正式成立于2016年10月。公司致力于開發(fā)及生產(chǎn)搭載最新PCM技術(shù)的存儲(chǔ)產(chǎn)品。江蘇淮安PCM生產(chǎn)項(xiàng)目總投資130億元，一期投資43億元，淮安園興投資有限公司出資16億元人民幣占股44%。寧波時(shí)代全芯科技有限公司以自有的知識(shí)產(chǎn)權(quán)和現(xiàn)金出資，占股56%，其中知識(shí)產(chǎn)權(quán)主要包括公司的專有技術(shù)及專利。

根據(jù)了解，該項(xiàng)目建成后將年產(chǎn)10萬(wàn)片12英寸PCM相變存儲(chǔ)芯片，占地276畝。上周已經(jīng)開始正式運(yùn)營(yíng)，預(yù)計(jì)年產(chǎn)值45億元，利稅3億元。項(xiàng)目的成功建設(shè)，將填補(bǔ)中國(guó)在存儲(chǔ)器方面研發(fā)和生產(chǎn)的空白，也將加快淮安打造新一代存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)基地的步伐。

小結(jié)

就目前技術(shù)來(lái)上看，雖然PCM相變存儲(chǔ)器跟閃存相比在成本和容量上沒(méi)有什么優(yōu)勢(shì)，并且他的可靠性有效性還很多的停留在理論值上。同時(shí)，通過(guò)溫度變化來(lái)存儲(chǔ)的原理，也可能使高密度下功耗和溫度上升太多，存在散熱不良的隱患。但第四代存儲(chǔ)時(shí)代已經(jīng)到來(lái)，無(wú)論從經(jīng)濟(jì)上還是戰(zhàn)略上，發(fā)展PCM是中國(guó)存儲(chǔ)彎道超車的最佳機(jī)會(huì)。

我們能看到中國(guó)半導(dǎo)體企業(yè)的積極投入，同時(shí)也希望在技術(shù)上取得關(guān)鍵突破，在內(nèi)存上大有作為，實(shí)現(xiàn)彎道超車，打破行業(yè)壟斷，展現(xiàn)出我們自己的風(fēng)采。