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關(guān)于高靈敏度200nA全極TMR磁開關(guān)傳感器芯片的性能介紹和應(yīng)用分析

nva3_多維科 ? 來源:djl ? 2019-10-25 14:57 ? 次閱讀
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中國江蘇省張家港市2019年6月18日電 江蘇多維科技有限公司日前推出納安級(jí)低功耗、高靈敏度和寬溫區(qū)的TMR磁開關(guān)傳感器芯片TMR1366,其主要特點(diǎn)包括,200nA功耗,7/5 Gs開啟點(diǎn)/釋放點(diǎn),50Hz頻率響應(yīng),-40~125℃工作溫度范圍,良好的抗外磁場(chǎng)干擾特性,SOT23-3或TO-92S封裝。

TMR1366是納安級(jí)低功耗TMR磁開關(guān)傳感器芯片系列產(chǎn)品的最新組成部分。TMR1366、TMR1162、TMR1262、TMR1362磁開關(guān)傳感器芯片的用途包括智能流量計(jì)、接近開關(guān)、無線門禁、智能藥丸和便攜式智能醫(yī)藥器具等靠電池供電的磁傳感器應(yīng)用。

納安級(jí)低功耗TMR磁開關(guān)傳感器芯片系列產(chǎn)品選型表

多維科技的磁傳感器芯片產(chǎn)品系列包括TMR磁開關(guān)傳感器芯片、TMR線性磁場(chǎng)傳感器芯片、TMR磁性角度傳感器芯片、TMR磁性齒輪傳感器芯片,磁傳感器模組產(chǎn)品系列包括TMR磁特征檢測(cè)傳感器模組(金融磁頭)、TMR磁圖像傳感器模組、TMR齒輪編碼器模組、TMR旋轉(zhuǎn)編碼器模組、TMR電流傳感器模組、TMR液位傳感器模組、USB磁強(qiáng)計(jì)模組(高斯計(jì))、AGV磁導(dǎo)航傳感器模組、非接觸式線性位移傳感器模組等。

MDT創(chuàng)立于2010年,總部設(shè)在中國江蘇省張家港,在中國北京、成都、寧波、日本大阪和美國加利福尼亞州圣何塞設(shè)有分公司。MDT擁有多項(xiàng)獨(dú)特的專利技術(shù)和先進(jìn)的制造能力,可批量生產(chǎn)高性能、低成本的磁傳感器以滿足嚴(yán)格的應(yīng)用需求。MDT核心管理團(tuán)隊(duì)由磁傳感器技術(shù)和工程服務(wù)領(lǐng)域的業(yè)內(nèi)精英和資深專家組成。在核心團(tuán)隊(duì)的帶領(lǐng)下,MDT致力于為客戶帶來更多附加值,并確保他們的成功。

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