其中，得益于市場(chǎng)對(duì)超級(jí)結(jié)MOSFET（“金氧半場(chǎng)效晶體管”）和IGBT（“絕緣柵雙極型晶體管”）的強(qiáng)勁需求，華虹半導(dǎo)體獨(dú)特且具競(jìng)爭(zhēng)力的垂直溝槽型Super JunctionMOSFET（“SJNFET”）以及場(chǎng)截止型IGBT累計(jì)出貨量分別超過(guò)了200,000片和30,000片晶圓，并保持快速增長(zhǎng)趨勢(shì)。

功率半導(dǎo)體器件在移動(dòng)通訊、消費(fèi)電子、開(kāi)關(guān)電源、馬達(dá)驅(qū)動(dòng)、LED驅(qū)動(dòng)、新能源汽車、智能電網(wǎng)等領(lǐng)域發(fā)揮著越來(lái)越重要的作用，是降低功耗、提高效率的關(guān)鍵核心器件。華虹半導(dǎo)體擁有十五年的功率器件穩(wěn)定量產(chǎn)經(jīng)驗(yàn)，是全球首家、同時(shí)亦是最大的功率器件200mm晶圓代工廠。憑籍持續(xù)的研發(fā)和創(chuàng)新，公司以極具競(jìng)爭(zhēng)力的功率半導(dǎo)體技術(shù)，為客戶提供從低壓到高壓的完整解決方案，同時(shí)不斷向更高端、更廣闊應(yīng)用的高密度大功率器件方向深耕，延續(xù)其“全球功率器件領(lǐng)導(dǎo)者”的戰(zhàn)略布局。

目前，公司已推出第三代SJNFET工藝平臺(tái)，技術(shù)參數(shù)達(dá)業(yè)界一流水平，可為客戶提供導(dǎo)通電阻更低、芯片面積更小、開(kāi)關(guān)速度更快和開(kāi)關(guān)損耗更低的產(chǎn)品解決方案。公司的場(chǎng)截止型IGBT技術(shù)參數(shù)可比肩國(guó)際領(lǐng)先企業(yè)，并具有出色的背面晶圓加工能力，是中國(guó)大陸唯一擁有IGBT全套背面加工工藝的晶圓代工廠商。

華虹半導(dǎo)體執(zhí)行副總裁范恒先生表示：“功率MOSFET累計(jì)出貨量突破500萬(wàn)片是華虹半導(dǎo)體的一個(gè)重要里程碑，越來(lái)越多的功率系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員將目光投向我們，尋求綠色能源、快速充電、工業(yè)應(yīng)用等方面領(lǐng)先的電源管理芯片代工方案。以綠色創(chuàng)‘芯’為主軸，我們還將重點(diǎn)關(guān)注整個(gè)新能源汽車的產(chǎn)業(yè)鏈，包括充電樁、電池保護(hù)、馬達(dá)驅(qū)動(dòng)等應(yīng)用。此外，我們正在加速研發(fā)應(yīng)用于高端工業(yè)和能源領(lǐng)域的超高壓IGBT技術(shù)，相信會(huì)進(jìn)一步鞏固公司在功率器件領(lǐng)域的領(lǐng)先地位?！?/p>