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利用TI的600V GaN FET功率級(jí)實(shí)現(xiàn)高性能功率轉(zhuǎn)換革命

PCB線路板打樣 ? 來源:LONG ? 2019-08-07 10:17 ? 次閱讀
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首次公開采樣,TI制造的集成高壓GaN FET和驅(qū)動(dòng)器解決方案實(shí)現(xiàn)了兩倍的功率密度和一半的功率損耗

達(dá)拉斯, 2016年4月25日/PRNewswire/- 基于數(shù)十年的電源管理創(chuàng)新,德州儀器(TI)(納斯達(dá)克股票代碼:TXN)今天宣布推出600 -V氮化鎵(GaN)70mΩ場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET)功率級(jí)工程樣品,使TI成為第一家也是唯一一家公開提供高壓驅(qū)動(dòng)器集成GaN解決方案的半導(dǎo)體制造商。與基于硅FET的解決方案相比,新型12-A LMG3410功率級(jí)與TI的模擬數(shù)字電源轉(zhuǎn)換控制器相結(jié)合,使設(shè)計(jì)人員能夠創(chuàng)建更小,更高效和更高性能的設(shè)計(jì)。這些優(yōu)勢(shì)在隔離的高壓工業(yè),電信,企業(yè)計(jì)算和可再生能源應(yīng)用中尤為重要。

“LMG3410可靠性測(cè)試超過300萬(wàn)小時(shí),為電源設(shè)計(jì)人員提供服務(wù)TI公司負(fù)責(zé)高壓電源解決方案的副總裁,他表示有信心實(shí)現(xiàn)GaN的潛力,并以前所未有的方式重新考慮其電源架構(gòu)和系統(tǒng)。 “擴(kuò)展TI在制造能力和廣泛系統(tǒng)設(shè)計(jì)專業(yè)知識(shí)方面的聲譽(yù),新的功率級(jí)是GaN市場(chǎng)的重要一步?!?/p>

憑借其集成驅(qū)動(dòng)器和零反向恢復(fù)電流等功能, LMG3410提供可靠的性能,特別是在硬開關(guān)應(yīng)用中,它可以顯著降低開關(guān)損耗高達(dá)80%。與獨(dú)立的GaN FET不同,易于使用的LMG3410集成了內(nèi)置智能,可用于溫度,電流和欠壓鎖定(UVLO)故障保護(hù)。

經(jīng)過驗(yàn)證的制造和封裝專業(yè)知識(shí)
LMG3410是第一款包含TI生產(chǎn)的GaN FET的半導(dǎo)體集成電路(IC)。憑借多年制造和工藝技術(shù)方面的專業(yè)知識(shí),TI在硅兼容工廠中創(chuàng)建了GaN器件,并通過超越典型聯(lián)合電子器件工程委員會(huì)(JEDEC)標(biāo)準(zhǔn)的實(shí)踐對(duì)其進(jìn)行了鑒定,以確保GaN的可靠性和穩(wěn)健性。要求苛刻的用例易于使用的封裝將有助于提高GaN功率設(shè)計(jì)在功率因數(shù)控制器(PFCAC/DC轉(zhuǎn)換器,高壓DC總線轉(zhuǎn)換器和光伏(PV)逆變器等應(yīng)用中的應(yīng)用。

LMG3410的主要特性和優(yōu)點(diǎn)

功率密度加倍。與最先進(jìn)的硅基升壓功率因數(shù)轉(zhuǎn)換器相比,600V功率級(jí)在圖騰柱PFC中的功耗降低了50%。減少材料清單(BOM)數(shù)量和提高效率可使電源尺寸減少多達(dá)50%。

降低封裝寄生電感。與分立式GaN解決方案相比,新器件的8毫米×8毫米四方扁平無引線(QFN)封裝可降低功率損耗,元件電壓應(yīng)力和電磁干擾(EMI)。

啟用新拓?fù)?。GaN的零反向恢復(fù)電荷有利于新的開關(guān)拓?fù)?,包括圖騰柱PFC和LLC拓?fù)浣Y(jié)構(gòu),以提高功率密度和效率。

擴(kuò)大GaN生態(tài)系統(tǒng)
為了支持在電源設(shè)計(jì)中充分利用GaN技術(shù)的設(shè)計(jì)人員,TI還推出了新產(chǎn)品來擴(kuò)展其GaN生態(tài)系統(tǒng)。 LMG5200POLEVM-10是一款48V至1V負(fù)載點(diǎn)(POL)評(píng)估模塊,將包括新型TPS53632G GaN FET控制器,與80V LMG5200 GaN FET功率級(jí)配合使用。該解決方案可在工業(yè),電信和數(shù)據(jù)通信應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)高達(dá)92%的效率。

可用性和定價(jià)
TI將提供包含半橋的開發(fā)套件子卡和四個(gè)LMG3410 IC樣品。第二個(gè)套件包含系統(tǒng)級(jí)評(píng)估主板。當(dāng)一起使用時(shí),這兩個(gè)套件可以立即進(jìn)行基準(zhǔn)測(cè)試和設(shè)計(jì)。這兩款開發(fā)套件現(xiàn)已在TI商店購(gòu)買,價(jià)格分別為 $ 299.00 和 $ 199.00 。

其他資源:

查看TI的GaN解決方案產(chǎn)品組合。

利用數(shù)字電源轉(zhuǎn)換控制器增強(qiáng)您的GaN體驗(yàn)。

下載這些白皮書:

“使用集成驅(qū)動(dòng)程序優(yōu)化GaN性能。”

“GaN FET-based CCM Totem-Pole Bridgeless PFC。”

閱讀博客文章“讓GaN一起,可靠地”,并在Power House博客上探索更多的GaN帖子。

加入TI E2E?社區(qū)氮化鎵(GaN)解決方案論壇,與同行工程師和TI專家一起尋找解決方案,獲取幫助,分享知識(shí)并解決問題。

關(guān)于德州儀器

德州儀器(TI)是一家全球半導(dǎo)體設(shè)計(jì)和制造公司,致力于開發(fā)模擬集成電路(IC)和嵌入式處理器。通過采用世界上最聰明的人才,TI創(chuàng)造了塑造技術(shù)未來的創(chuàng)新。如今,TI正在幫助超過100,000名客戶改變未來。

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