3開關(guān)頻率與開關(guān)損耗

對于相同的磁芯尺寸132kHz 的設(shè)計相對于66kHz 的設(shè)計，其效率相近

工作于較高的工作頻率，開關(guān)損耗相對于整個MOSFET 的損耗所占比例會有所增加，但僅僅適用于使用相同大小變壓器的情況

如果對于132kHz 和66kHz工作都采用相同的變壓器尺寸，通常變壓器損耗的降低可以彌補開關(guān)損耗方面的增加

所有方案都具有過溫度、輸出過壓、過流和短路保護功能！

HFC0100— QR模式的控制方式

主要特性：

準諧振開關(guān)控制方式，具有開關(guān)損耗小，輕載高效的特點

具有高壓啟動電流源及各種保護功能

HFC0500—多功能反激控制器

主要特性：

輕載降頻，提高輕載效率

輸入欠壓保護

定頻抖頻功能，可獲得較好的EMI效果

X電容掉電放電功能

計時管腳可實現(xiàn)豐富的保護

4鉗位電路的設(shè)計（工作原理及設(shè)計步驟）

MOSFET 關(guān)斷

次級二極管仍處于開路狀態(tài)

勵磁電流給漏極電容進行充電

繞組電壓達到 VOR

次級二極管開通；

勵磁能量轉(zhuǎn)移至次級；

漏感能量轉(zhuǎn)而對變壓器電容進行充電，直到變壓器電容的電壓等于箝位電容兩端的電壓。

繞組電壓超過 VCLAMP_MIN

阻斷二極管開通

箝位電容充電，電壓上升

阻斷二極管維持導通

能量恢復

箝位能量耗散

阻斷二極管關(guān)斷

箝位電容通過箝位電阻放電

設(shè)計步驟

5二極管的設(shè)計

選擇輸出二極管 – 肖特基或超快恢復二極管

電壓額定值為峰值反向電壓，可依據(jù)下式來計算：

VPIV=VMAX x (NS/NP)+VO

電流額定值應(yīng)高于平均輸出電流值至少兩倍：

IRATED>=2IO

為達到更好的散熱性能及效率，可以考慮2個二極管并聯(lián)

當輸出電流達到3A以上，肖特基或快恢復二極管的損耗超過1.5W，建議使用同步整流方案來處理。

MPS 同步整流方案----MP6905

芯片特點：

1. 30mV Vf判定電壓，可獲得更高的效率

2. 輕載條件下靜態(tài)電流為<300uA?

3. 支持低端和高端兩種電路設(shè)計

4. 超快的關(guān)斷延時20ns

當VDS 達到-30mV時, 這時電流下降到比較低的程度，芯片驅(qū)動Mos的門極為低，這樣避免了過早關(guān)斷導致的較大的損耗。

>3A條件下，相對于二極管損耗極小，Mos導通的Rdson <20mohm。