如下圖所示，目前無線充電主要有三種實現(xiàn)方式，主要談?wù)劥殴舱袷綗o線充電。

磁共振式無線充電有多種好處，比如：

發(fā)射器與接收器之間的距離可以更遠(yuǎn)

較高的傳輸功率

更易于嵌入已有家具中而不需重新設(shè)計家具

金屬后蓋的智能或可穿戴設(shè)備也能充電.

上述優(yōu)勢綜合在一起，讓用戶體驗更佳

就磁共振式無線充電發(fā)射器一端的拓?fù)鋪碚f，目前有D類功率放大與E類功率放大，再細(xì)分下去，有D類全橋、半橋，E類全橋、半橋。

但是不管如何分類，所有磁共振式無線充電解決方案，甚至包括電磁感應(yīng)式，它們的主要設(shè)計需求是一致的：

高效和易于設(shè)計的發(fā)射器解決方案

為接收器和發(fā)射器提供冷卻的智能熱量管理

小型化需求，因此器件的封裝尺寸要小

通過高充電功率，可以確保更快的充電速度

為了滿足上述磁共振式無線充電發(fā)射器的設(shè)計需求，針對不同拓?fù)洌?a href="http://www.makelele.cn/tags/英飛凌/" target="_blank">英飛凌建議采用以下器件：

Class D拓?fù)渫扑]器件

Class E拓?fù)渫扑]器件

采用英飛凌器件

設(shè)計磁共振式無線充電的

九個理由

1縮減BOM

能替換市面已有的GaN方案，降低電壓鉗位電路的要求。

2高效且易于設(shè)計的方案

用Benchmark測得相當(dāng)?shù)偷拈_關(guān)與傳輸損耗。

3廣泛應(yīng)用的驅(qū)動芯片使得設(shè)計更自由

一流的驅(qū)動IC，專為硅MOSFET特性優(yōu)化過——擴展的柵極驅(qū)動器窗口，死區(qū)時間控制，內(nèi)部無夾導(dǎo)致較低的損失。

4小尺寸而高達100V的耐壓，意味著高功率密度

提供超低開關(guān)與傳輸損耗的最小封裝MOSFETS和Power Stages。

5久經(jīng)考驗的硅方案很成熟

就現(xiàn)階段而言，GaN方案遠(yuǎn)沒有硅方案成熟，而英飛凌的硅方案能完全滿足客戶需求。在不遠(yuǎn)的將來，英飛凌計劃提供與硅方案一樣成熟的GaN方案。

6封裝優(yōu)化

英飛凌的MOSFET（2x2，3x3 HB）和Power Stage（DrBridge）采用低寄生的封裝。

7供應(yīng)鏈穩(wěn)定而安全

英飛凌擁有強大的持續(xù)性業(yè)務(wù)，以及經(jīng)過驗證的物流體系。

8憑借英飛凌參考設(shè)計方案能獲得更快的上市時間

做好準(zhǔn)備吧，采用英飛凌應(yīng)用廣泛的參考設(shè)計，以創(chuàng)建您的變頻器/適配器/充電器方案。