本文將對(duì)電源IC BD7682FJ的外置MOSFET的開關(guān)調(diào)整部件和調(diào)整方法進(jìn)行介紹。

MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)調(diào)整電路：R16、R17、R18、D17

“為了優(yōu)化外置MOSFET Q1的開關(guān)工作，由R16、R17、R18、D17組成一個(gè)調(diào)整電路，用來調(diào)節(jié)來自BD7682FJ的OUT引腳的柵極驅(qū)動(dòng)信號(hào)（參見電路圖）。這個(gè)電路會(huì)對(duì)MOSFET的損耗和噪聲產(chǎn)生影響，因此需要一邊確認(rèn)MOSFET的開關(guān)波形和損耗，一邊進(jìn)行優(yōu)化?！?/p>

開關(guān)導(dǎo)通時(shí)的速度由串聯(lián)到柵極驅(qū)動(dòng)信號(hào)線上的R16和R17來調(diào)整。

開關(guān)關(guān)斷時(shí)的速度由用來抽取電荷的二極管D17和R16共同來調(diào)整。

通過減小各電阻值，可提高開關(guān)速度（上升/下降時(shí)間）。

在此次的電路示例中，R16＝10Ω/0.25W，R17＝150Ω，D17＝肖特基勢壘二極管RB160L-60（60V/1A）。

準(zhǔn)諧振轉(zhuǎn)換器在導(dǎo)通時(shí)基本上不會(huì)產(chǎn)生開關(guān)損耗，關(guān)斷時(shí)的損耗占主導(dǎo)地位。

要想降低開關(guān)關(guān)斷時(shí)的開關(guān)損耗，需要減小R16，提高開關(guān)關(guān)斷速度。但這會(huì)產(chǎn)生急劇的電流變化，開關(guān)噪聲會(huì)變大。

開關(guān)損耗和噪聲之間存在著此起彼消（Trade-off）的制約關(guān)系，所以需要在裝入實(shí)際產(chǎn)品的狀態(tài)下測量MOSFET的溫度上升（＝損耗）和噪聲情況，并確認(rèn)溫度上升和噪聲水平在允許范圍內(nèi)。請根據(jù)需要將上述常數(shù)作為起始線進(jìn)行調(diào)整。

另外，由于R16中會(huì)流過脈沖電流，因此需要確認(rèn)所用電阻的抗脈沖特性。

R18是MOSFET柵極的下拉電阻，請以10kΩ～100kΩ為大致標(biāo)準(zhǔn)。

關(guān)鍵要點(diǎn)：

調(diào)整柵極驅(qū)動(dòng)信號(hào)，并優(yōu)化開關(guān)晶體管的損耗和噪聲。

加快開關(guān)的導(dǎo)通/關(guān)斷時(shí)間可減少損耗，但開關(guān)噪聲會(huì)變大。