M57959L/M57962L厚膜驅(qū)動(dòng)電路

M57959L/M57962L厚膜驅(qū)動(dòng)電路采用雙電源（+15V，-10V）供電，輸出負(fù)偏壓為-10V，輸入輸出電平與TTL電平兼容，配有短路/過載保護(hù)和封閉性短路保護(hù)功能，同時(shí)具有延時(shí)保護(hù)特性。

其分別適合于驅(qū)動(dòng)1200V/100A、600V/200A和1200V/400A、600V/600A及其以下的IGBT.M57959L/M57962L在驅(qū)動(dòng)中小功率的IGBT時(shí)，驅(qū)動(dòng)效果和各項(xiàng)性能表現(xiàn)優(yōu)良，但當(dāng)其工作在高頻下時(shí)，其脈沖前后沿變的較差，即信號(hào)的最大傳輸寬度受到限制。且厚膜內(nèi)部采用印刷電路板設(shè)計(jì)，散熱不是很好，容易因過熱造成內(nèi)部器件的燒毀。

日本三菱公司的M57959L集成IGBT專用驅(qū)動(dòng)芯片它可以作為600V/200A或者1200V/100A的IGBT驅(qū)動(dòng)。其最高頻率也達(dá)40KHz，采用雙電源供電（+15V和-15V）輸出電流峰值為±2A，M57959L有以下特點(diǎn)：

（1）采用光耦實(shí)現(xiàn)電器隔離，光耦是快速型的，適合20KHz左右的高頻開關(guān)運(yùn)行，光耦的原邊已串聯(lián)限流電阻，可將5V電壓直接加到輸入側(cè)。

（2）如果采用雙電源驅(qū)動(dòng)技術(shù)，輸出負(fù)柵壓比較高，電源電壓的極限值為+18V/-15V，一般取+15V/-10V.

（3）信號(hào)傳輸延遲時(shí)間短，低電平-高電平的傳輸延時(shí)以及高電平-低電平的傳輸延時(shí)時(shí)間都在1.5μs以下。

（4）具有過流保護(hù)功能。M57962L通過檢測(cè)IGBT的飽和壓降來判斷IGBT是否過流，一旦過流，M57962L就會(huì)將對(duì)IGBT實(shí)施軟關(guān)斷，并輸出過流故障信號(hào)。

（5）M57959的內(nèi)部結(jié)構(gòu)如圖所示，這一電路的驅(qū)動(dòng)部分與EXB系列相仿，但是過流保護(hù)方面有所不同。過流檢測(cè)仍采用電壓采樣，電路特點(diǎn)是采用柵壓緩降，實(shí)現(xiàn)IGBT軟關(guān)斷避免了關(guān)斷中過電壓和大電流沖擊;另外，在關(guān)斷過程中，輸入控制信號(hào)的狀態(tài)失去作用，既保護(hù)關(guān)斷是在封閉狀態(tài)中完成的。當(dāng)保護(hù)開始時(shí)，立即送出故障信號(hào)，目的是切斷控制信號(hào)，包括電路中其它有源器件。