9月23日，北京兆易創(chuàng)新科技股份有限公司（以下簡稱“兆易創(chuàng)新”）在股票交易異常波動(dòng)公告中表示，擬定增43億元，籌劃DRAM芯片自研及產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目。如今，此次非公開發(fā)行A股相關(guān)事項(xiàng)已經(jīng)獲得兆易創(chuàng)新第三屆董事會(huì)第八次會(huì)議審議通過，但尚需公司股東大會(huì)審議批準(zhǔn)及中國證監(jiān)會(huì)核準(zhǔn)。

10月1日，兆易創(chuàng)新發(fā)布非公開發(fā)行A股股票預(yù)案公告。公告指出，本次非公開發(fā)行A股股票的發(fā)行對(duì)象為不超過10名特定投資者，發(fā)行的股票數(shù)量不超過本次發(fā)行前公司股份總數(shù)的20%，即不超過64，224，315股（含本數(shù)）。

預(yù)案顯示，兆易創(chuàng)新本次發(fā)行募集資金總額（含發(fā)行費(fèi)用）不超過人民幣432，402.36萬元（含本數(shù)），扣除發(fā)行費(fèi)用后的募集資金凈額將用于DRAM芯片研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目及補(bǔ)充流動(dòng)資金。

其中，DRAM芯片研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目計(jì)劃投資39.92億元，擬投入募集資金33.24億元。兆易創(chuàng)新擬通過本項(xiàng)目，研發(fā)1Xnm級(jí)（19nm、17nm）工藝制程下的DRAM技術(shù)，設(shè)計(jì)和開發(fā)DDR3、LPDDR3、DDR4、LPDDR4系列DRAM芯片。本項(xiàng)目的成功實(shí)施，有助于公司豐富自身產(chǎn)品線，有效整合產(chǎn)業(yè)資源，鞏固并提高公司的市場地位和綜合競爭力。

資料顯示，兆易創(chuàng)新自2005年設(shè)立并進(jìn)入閃存芯片設(shè)計(jì)行業(yè)，通過技術(shù)開拓、業(yè)務(wù)并購，目前已成為中國大陸最為領(lǐng)先的芯片設(shè)計(jì)企業(yè)之一，主營業(yè)務(wù)為閃存芯片及其衍生產(chǎn)品、微控制器產(chǎn)品、傳感器模塊的研發(fā)、技術(shù)支持和銷售。

兆易創(chuàng)新指出，通過本次非公開發(fā)行，公司將以募集資金投入DRAM芯片的研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化，積極推進(jìn)產(chǎn)業(yè)整合，加快業(yè)務(wù)發(fā)展，拓展戰(zhàn)略布局。本次非公開發(fā)行是公司打造國內(nèi)領(lǐng)先存儲(chǔ)器廠商、全球領(lǐng)先芯片設(shè)計(jì)公司的關(guān)鍵戰(zhàn)略，發(fā)行完成后，公司在存儲(chǔ)器領(lǐng)域?qū)⒊蔀楦采wFlash、DRAM的領(lǐng)軍企業(yè)。

上述項(xiàng)目的實(shí)施能夠豐富公司的產(chǎn)品結(jié)構(gòu)，深入公司在存儲(chǔ)器行業(yè)的布局，成為國內(nèi)高端通用存儲(chǔ)器領(lǐng)域領(lǐng)軍企業(yè)，并能夠在公司業(yè)務(wù)不斷爬升、日益發(fā)展壯大的過程中補(bǔ)充營運(yùn)資金。

DRAM作為集成電路領(lǐng)域通用芯片，產(chǎn)品標(biāo)準(zhǔn)化，非常適宜于迅速擴(kuò)張，本次非公開發(fā)行完成及募集資金投資項(xiàng)目實(shí)施完畢后，公司在存儲(chǔ)器領(lǐng)域的產(chǎn)品結(jié)構(gòu)將得到進(jìn)一步豐富，在NOR Flash、NAND Flash基礎(chǔ)上切入DRAM存儲(chǔ)芯片。項(xiàng)目完成后，兆易創(chuàng)新將掌握DRAM技術(shù)、具備DRAM產(chǎn)品設(shè)計(jì)能力。