近日，全球市場研究機構TrendForce集邦咨詢發(fā)布了2020年十大科技趨勢，預測了未來一年里半導體、通信技術、人工智能、新型顯示、智能手機等領域的新技術和新趨勢。

其中在半導體存儲部分，集邦咨詢表示，隨著技術的發(fā)展，下一代DRAM（內(nèi)存）DDR5/LPDDR5在2020年將進行導入與樣本驗證，并逐步面市。

內(nèi)存是計算機和移動智能終端的重要組成部分，經(jīng)歷了長時間的競爭更替和路線選擇之后，DRAM技術被穩(wěn)定在以DDR技術為基礎的發(fā)展路線上。從DDR到DDR2、DDR3，今天市面上比較普及的DRAM技術規(guī)格是DDR4/LPDDR4。

資料顯示，相比現(xiàn)有產(chǎn)品，除了外形變化不大之外，DDR5帶來了更高的帶寬、更大的容量和更出色的安全性。

從原理上來看，DDR5是一種高速動態(tài)隨機存儲器，由于其DDR的性質(zhì)，依舊可以在系統(tǒng)時鐘的上升沿和下降沿同時進行數(shù)據(jù)傳輸。和DDR4一樣，DDR5在內(nèi)部設計了Bank（數(shù)據(jù)塊）和Bank Group（數(shù)據(jù)組）。

和DDR4相比，DDR5在數(shù)據(jù)塊和數(shù)據(jù)組的配置上更為寬裕。

在DDR4產(chǎn)品上，數(shù)據(jù)組的數(shù)量最高限制為4組，一般采用2組配置。在DDR5上，數(shù)據(jù)組的數(shù)量可以選擇2組、4組到最高8組的設計，以適應不同用戶的不同需求，并且還可以保證Bank數(shù)據(jù)塊的數(shù)量不變。

這意味著整個DDR5的Bank數(shù)量將是DDR4的至少2倍，這將有助于減少內(nèi)存控制器的順序讀寫性能下降的問題。

除了數(shù)據(jù)組翻倍外，在預取值、減少總線壓力、PDA模式、類雙通道等多方面都有不同程度的創(chuàng)新或重新設計，這為DDR5實現(xiàn)更高帶寬、更快速度和更好安全性打下基礎。

得益于最新的技術，DDR5有可能帶來單片32Gb的DDR5顆粒，這樣單內(nèi)存條支持的內(nèi)存容量有可能提升至64~128GB。而規(guī)格上，目前DDR5的內(nèi)存規(guī)格從DDR5 3200起跳，最高可到DDR5 6400。