在今日于北京舉辦的2019中國國際信息通信展覽會上，工信部副部長陳肇雄攜國內(nèi)三大運營商啟動5G商用儀式。這意味著中國5G跨入了新階段。

作為一項革命性的通信技術(shù)，擁有低時延、高帶寬和高速率的5G從提出開始，就受到了業(yè)界的廣泛關(guān)注。但在這種創(chuàng)新背后，給上游供應(yīng)商帶來了巨大的挑戰(zhàn)。

作為射頻領(lǐng)域的專家，Qorvo為5G的商用做好了準備。

先看手機端

按照Qorvo手機事業(yè)部高級銷售經(jīng)理DavidZhao在今年早些時候接受媒體采訪時的說法，5G給手機射頻帶來了四點挑戰(zhàn)：

1、更多頻段的支持：因為從大家熟悉的b41變成n41，n77和n78，這就需要對更多頻段的支持；

2、不同的調(diào)制方式：因為5G專注于高速連接，所以在調(diào)制方面會有新的變化，對功耗方面也有更多的要求。比如在4G時代，大家比較關(guān)注ACPR。但到了5G時代，則更需要專注于EVM（一般小于1.5%）；

3、信號路由的選擇：選擇4Ganchor+5G數(shù)據(jù)連接，還是直接走5G，這會帶來不同的挑戰(zhàn)。

4、開關(guān)速度的變化：這方面雖然沒有太多的變化，但SRS也會帶來新的挑戰(zhàn)。

面對這些挑戰(zhàn)，Qorvo正在利用其獨有的優(yōu)勢去解決。

首先，Qorvo獨有的in-house模式，確保了公司的工藝技術(shù)可以準時實施。如下圖的六大工藝優(yōu)勢與產(chǎn)品結(jié)合，就是Qorvo解決移動終端射頻前端問題的重要砝碼。尤其是BAW技術(shù)，這更是在中高頻率平臺實現(xiàn)高性能的重要路徑，也是Qorvo的核心競爭力所在。

其次，GaAs工藝是Qorvo移動終端PA的引擎。我們的耐高壓、Die倒裝的GaAs技術(shù)，可以把PA的一致性做得更好，同時能減薄模塊厚度。如果配合SOI、CMOS和SAW/BAW的倒裝工藝，則能讓PA尺寸更小，射頻集成度提高成為可能。這也是Qorvo能夠推出RFFlex和RFFusion品牌的基礎(chǔ)。依賴于我們所擁有的技術(shù)，我們在這兩系列產(chǎn)品的單芯片中集成了主要的RFEE器件。

在今年十月，Qorvo還宣布收購了Cavendish Kinetics。Qorvo移動產(chǎn)品總裁Eric Creviston 指出，Cavendish Kinetics的加入讓我們能夠在天線調(diào)諧領(lǐng)域確立市場領(lǐng)先地位。多家全球領(lǐng)先的智能手機供應(yīng)商通過采用CK的RF MEMS技術(shù)降低損耗并提高線性度，實現(xiàn)了天線性能的顯著提升。CK優(yōu)化了該技術(shù)并擴大了其適用范圍，將該技術(shù)應(yīng)用于基礎(chǔ)設(shè)施和國防等其他應(yīng)用，Qorvo將在CK所做的出色工作基礎(chǔ)上繼續(xù)努力。

再看5G基站方面

在基站方面，Qorvo也有很多撒手锏。以氮化鎵器件為例，在第二屆IC全球企業(yè)家峰會氮化鎵產(chǎn)業(yè)論壇上，Qorvo應(yīng)用市場總監(jiān)黃靖指出，5G時代，天線數(shù)量相對過去要增加，同時基站總功率也需要增加，高效率的需求是LDMOS必然被氮化鎵所取代的最主要原因。而Qorvo的基站用氮化鎵主流工藝為0.25μm，相比市場上0.4μm工藝，可在更高頻率實現(xiàn)高性能。

除了氮化鎵之外，Qorvo在發(fā)射端布局的砷化鎵產(chǎn)品，接收端提供的砷化鎵和SOI及BAW等特色工藝技術(shù)能夠為5G基站提供重要的支持。

截止到今年二月，Qorvo已提供了超過 1億件 5G無線基礎(chǔ)設(shè)施元器件。Qorvo廣泛的 5G產(chǎn)品組合包括面向 RF收發(fā)前端的解決方案，使客戶能夠利用波束成形和大規(guī)模多路輸入/多路輸出(MIMO) 基站來實現(xiàn)更大的數(shù)據(jù)容量和更寬的覆蓋范圍，并利用6 GHz 以下頻率實現(xiàn)室內(nèi)穿透性。

5G已來，我們虛位以待！