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三星明年將發(fā)布128層第六代V-NAND TLC實現(xiàn)了512 Gb

jf_1689824270.4192 ? 來源:電子發(fā)燒友網 ? 作者:jf_1689824270.4192 ? 2019-11-25 09:52 ? 次閱讀
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19日,在東京舉行的“ Samsung SSD Forum 2019 Tokyo”會上。三星電子存儲器部門產品規(guī)劃團隊高級董事總經理Jinman就所展示的解決方案進行了演講。

Jinman解釋說,該公司的堆疊NAND閃存“ V-NAND”實現(xiàn)了具有最新第六代產品的128層單堆疊,并通過TLC實現(xiàn)了512 Gb(千兆位)容量。它計劃于2020年投放市場,并且正在針對在5年內達到500層或更多層的堆棧進行研究。

之后,他介紹了該公司針對云,消費者和自動駕駛的解決方案。

在云中,引入具有PCI Express Gen4(PCIe Gen4)連接的SSD作為寬帶,并且需要高度穩(wěn)定的存儲解決方案。U.2外形尺寸“ PM1733”實現(xiàn)了連續(xù)讀取6,400MB / s的高速傳輸,并引入了30.72TB的大容量模型。雙端口設計吸引了它,即使兩個控制器之一被損壞,它也將繼續(xù)運行。

低延遲SSD產品“ Z-SSD”吸引了需要低訪問延遲存儲的場景,例如云服務。通過基于SLC的柵極寬度優(yōu)化和更快的電壓上升/下降等,基于TLC的標準SSD的讀取延遲為1 / 5.5。

針對高速NAND閃存進行了優(yōu)化的NVMe SSD是市場的主要驅動力,但我們仍在繼續(xù)開發(fā)具有諸如HDD替換需求和熱插拔支持等優(yōu)勢的SAS SSD產品。

除了由公司領導的NF1之外,還推出了各種外形尺寸的產品,包括由其他公司領導的標準,并且在引入PCIe Gen4產品之后不久,帶寬就增加了一倍。該公司還宣布開發(fā)加速的PCIe Gen5 SSD。

未來的固態(tài)硬盤,例如“ SmartSSD”和“ EthernetSSD”,它們可以通過內置的FPGA代替CPU進行的處理,而“ EthernetSSD”可以通過以太網促進存儲擴展,以及那些傳統(tǒng)產品的擴展。

在消費者存儲中,引入了用于智能手機的UFS 3。與iOS設備閃存相比,Android和UFS的結合吸引了人們在編寫時沒有性能下降的問題,并且穩(wěn)定,快速。

UFS主要用于嵌入式eUFS,但三星還發(fā)布了可移動UFS卡,它不僅比競爭對手的microSD卡快,而且還具有硬件錯誤和數(shù)據丟失檢測,錯誤恢復以及假定通過諸如自動重發(fā)的功能來提高穩(wěn)定性。

它已經在韓國發(fā)布,并將于2020年在美國推出。參展商表示,該公司的某些筆記本電腦配備了UFS卡插槽。

此外,他介紹了固態(tài)硬盤已在面向消費者的游戲領域中部署,并解釋說到2020年,NVMe固態(tài)硬盤不僅將安裝在PC上,還將安裝在消費者游戲機上。對于大存儲游戲內容的播放更加流暢,而且SSD是必不可少的。

隨著移動設備的增加,我們還致力于開發(fā)更節(jié)省空間的SSD,并且我們已經將尺寸為M.2 22x30的NVMe SSD商業(yè)化。并朝著1TB的容量前進,硬幣大小且重量小于1g。

聲明:本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內容侵權或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
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