鎧俠研發(fā)新儲存單元結(jié)構(gòu)，采用浮柵電荷存儲層實現(xiàn)高集成化
近日，鎧俠株式會社（Kioxia Corporation）宣布開發(fā)出創(chuàng)新的儲存單元結(jié)構(gòu)“Twin BiCS FLASH”。該結(jié)構(gòu)將傳統(tǒng)3D閃存中圓形存儲單元的柵電極分割為半圓形來縮小單元尺寸以實現(xiàn)高集成化。
據(jù)介紹，新的單元的設(shè)計中采用浮柵電荷存儲層（Floating Gate）代替電荷陷阱型電荷存儲層（Charge Trap），尺寸也比傳統(tǒng)的圓形單元更小。鎧俠已率先在此單元設(shè)計中實現(xiàn)了高寫入斜率和寬寫入/擦除窗口。同時，鎧俠也證明這種新的單元結(jié)構(gòu)可應(yīng)用于進(jìn)一步提高容量的超多值存儲單元中。鎧俠于12月11日（當(dāng)?shù)貢r間）在美國舊金山舉行的IEEE國際電子器件會議（IEDM）上發(fā)表了上述成果。
鎧俠表示，諸如BiCS FLASH之類的3D閃存通過增加單元的堆棧層數(shù)以實現(xiàn)大容量。但是，隨著單元的堆棧層數(shù)超過100層，高縱寬比的加工越來越困難。為了解決這一問題，鎧俠在新的單元結(jié)構(gòu)中將常規(guī)圓形單元的柵電極分割為半圓形以減小單元尺寸，并且可以通過較少的單元堆疊層數(shù)實現(xiàn)更高的位密度。
據(jù)悉，東芝存儲個人零售產(chǎn)品將從2020年4月以鎧俠新形象問世，東芝存儲企業(yè)級產(chǎn)品現(xiàn)已從2019年10月更名為鎧俠正式運營。
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