東芝開發(fā)新型閃存，半圓形存儲單元可進一步提高容量
（文章來源：IT之家）
鎧俠株式會社(Kioxia Corporation)宣布開發(fā)出創(chuàng)新的儲存單元結構“Twin BiCS FLASH”。該結構將傳統(tǒng)3D閃存中圓形存儲單元的柵電極分割為半圓形來縮小單元尺寸以實現(xiàn)高集成化。
據(jù)介紹，新的單元的設計中采用浮柵電荷存儲層(Floating Gate)代替電荷陷阱型電荷存儲層(Charge Trap)，尺寸也比傳統(tǒng)的圓形單元更小。鎧俠已率先在此單元設計中實現(xiàn)了高寫入斜率和寬寫入/擦除窗口。同時，鎧俠也證明這種新的單元結構可應用于進一步提高容量的超多值存儲單元中。鎧俠于12月11日(當?shù)貢r間)在美國舊金山舉行的IEEE國際電子器件會議(IEDM)上發(fā)表了上述成果。
鎧俠表示，諸如BiCS FLASH之類的3D閃存通過增加單元的堆棧層數(shù)以實現(xiàn)大容量。但是，隨著單元的堆棧層數(shù)超過100層，高縱寬比的加工越來越困難。為了解決這一問題，鎧俠在新的單元結構中將常規(guī)圓形單元的柵電極分割為半圓形以減小單元尺寸，并且可以通過較少的單元堆疊層數(shù)實現(xiàn)更高的位密度。
據(jù)悉，東芝存儲個人零售產(chǎn)品將從2020年4月以鎧俠新形象問世，東芝存儲企業(yè)級產(chǎn)品現(xiàn)已從2019年10月更名為鎧俠正式運營。
（責任編輯：fqj）
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