華為等多家公司積極布局第三代半導(dǎo)體
據(jù)科創(chuàng)板日報(bào)報(bào)道，其記者獲悉，不僅是小米、OPPO，華為、三星、蘋果均在GaN技術(shù)上有著較深的積累。
此外，小米GaN方案商納微方面透露，繼小米之后，“今年陸續(xù)幾家與小米同等規(guī)模的廠商，將發(fā)布GaN電源適配器”。
據(jù)集微網(wǎng)此前報(bào)道，氮化鎵(GaN)是第三代半導(dǎo)體材料之一。與第一代和第二代半導(dǎo)體材料相比，第三代半導(dǎo)體材料具有更寬的禁帶寬度、更高的擊穿電場、更高的熱導(dǎo)率、更大的電子飽和度以及更高的抗輻射能力。
國內(nèi)已經(jīng)有不少企業(yè)搶灘第三代半導(dǎo)體。據(jù)了解，包括華為海思，三安光電、聞泰科技、士蘭微、華潤微、海特高新、華微電子、揚(yáng)杰科技等在內(nèi)的多家公司均已積極布局第三代半導(dǎo)體。
日前，小米在其舉行的新品發(fā)布會上推出了氮化鎵65W充電器。據(jù)小米介紹，小米氮化鎵充電器具備65W功率，體積卻只有同樣功率的傳統(tǒng)充電器的一半，具備小巧、高效、發(fā)熱低等優(yōu)點(diǎn)。
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