91欧美超碰AV自拍|国产成年人性爱视频免费看|亚洲 日韩 欧美一厂二区入|人人看人人爽人人操aV|丝袜美腿视频一区二区在线看|人人操人人爽人人爱|婷婷五月天超碰|97色色欧美亚州A√|另类A√无码精品一级av|欧美特级日韩特级

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評論與回復
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學習在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認識你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

中國電科碳化硅材料產(chǎn)業(yè)基地舉行投產(chǎn)儀式 預計形成產(chǎn)值100億元

半導體動態(tài) ? 來源:全球半導體觀察 ? 作者:全球半導體觀察 ? 2020-03-02 11:49 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

2月28日,中國電科(山西)碳化硅材料產(chǎn)業(yè)基地舉行投產(chǎn)儀式。

中國電科黨組書記、董事長熊群力指出,中國電科(山西)電子信息科技創(chuàng)新產(chǎn)業(yè)園是中國電科圍繞半導體材料、裝備制造產(chǎn)業(yè)領(lǐng)域在晉的戰(zhàn)略布局。

中國電科(山西)電子信息科技創(chuàng)新產(chǎn)業(yè)園項目包括“一個中心、三個基地”?!耙粋€中心”即中國電科(山西)三代半導體技術(shù)創(chuàng)新中心、“三個基地”即中國電科(山西)碳化硅材料產(chǎn)業(yè)基地、中國電科(山西)電子裝備智能制造產(chǎn)業(yè)基地、中國電科(山西)能源產(chǎn)業(yè)基地。

項目達產(chǎn)后,預計形成產(chǎn)值100億元。通過吸引上游企業(yè),形成產(chǎn)業(yè)聚集效應,打造電子裝備制造、三代半導體產(chǎn)業(yè)生態(tài)鏈,建成國內(nèi)最大的碳化硅材料供應基地,積極推動山西經(jīng)濟的轉(zhuǎn)型升級。

其中,本次投產(chǎn)的中國電科(山西)碳化硅材料產(chǎn)業(yè)基地將建成國內(nèi)最大的碳化硅(SiC)材料供應基地。中國電科(山西)碳化硅產(chǎn)業(yè)基地一期項目于2019年4月1日開工建設(shè),同年9月26日封頂。

據(jù)此前山西綜改示范區(qū)消息,一期項目建筑面積2.7萬平方米,能容納600臺碳化硅單晶生產(chǎn)爐和18萬片N型晶片的加工檢測能力,可形成7.5萬片的碳化硅晶片產(chǎn)能,將徹底解決國外對我國碳化硅封鎖的局面,實現(xiàn)完全自主可供。項目投產(chǎn)后將成為中國前三、世界前十的碳化硅生產(chǎn)企業(yè),可實現(xiàn)年產(chǎn)值10億元。
責任編輯:wv

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
  • 碳化硅
    +關(guān)注

    關(guān)注

    26

    文章

    3471

    瀏覽量

    52390
  • 中國電科
    +關(guān)注

    關(guān)注

    0

    文章

    27

    瀏覽量

    10188
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評論

    相關(guān)推薦
    熱點推薦

    總投資6億元!氣體傳感器龍頭四方光電建設(shè)高端傳感器產(chǎn)業(yè)基地項目

    10月9日晚,四方光電(688665.SH)發(fā)布公告,根據(jù)公司的發(fā)展戰(zhàn)略規(guī)劃,為進一步完善公司產(chǎn)業(yè)布局,公司擬在武漢東湖新技術(shù)開發(fā)區(qū)光谷光電子信息產(chǎn)業(yè)園投資建設(shè)高端傳感器產(chǎn)業(yè)基地,并與武漢光谷光電子信息
    的頭像 發(fā)表于 10-10 19:02 ?1317次閱讀
    總投資6<b class='flag-5'>億元</b>!氣體傳感器龍頭四方光電建設(shè)高端傳感器<b class='flag-5'>產(chǎn)業(yè)基地</b>項目

    [新啟航]碳化硅 TTV 厚度測量技術(shù)的未來發(fā)展趨勢與創(chuàng)新方向

    一、引言 碳化硅(SiC)作為寬禁帶半導體材料的代表,在功率器件、射頻器件等領(lǐng)域發(fā)揮著關(guān)鍵作用??偤穸绕睿═TV)是衡量碳化硅襯底及外延片質(zhì)量的重要指標,其精確測量對保障碳化硅器件性
    的頭像 發(fā)表于 09-22 09:53 ?1809次閱讀
    [新啟航]<b class='flag-5'>碳化硅</b> TTV 厚度測量技術(shù)的未來發(fā)展趨勢與創(chuàng)新方向

    Wolfspeed 200mm碳化硅材料產(chǎn)品組合開啟大規(guī)模商用

    全球碳化硅 (SiC) 技術(shù)引領(lǐng)者 Wolfspeed 公司(美國紐約證券交易所上市代碼:WOLF)宣布,Wolfspeed 200mm 碳化硅材料產(chǎn)品開啟大規(guī)模商用。這一重要里程碑標志著 Wolfspeed 加速行業(yè)從硅向
    的頭像 發(fā)表于 09-11 09:12 ?1593次閱讀

    從襯底到外延:碳化硅材料的層級躍遷與功能分化

    碳化硅襯底和外延片是半導體產(chǎn)業(yè)鏈中的兩個關(guān)鍵組件,盡管兩者均由碳化硅材料構(gòu)成,但在功能定位、制備工藝及應用場景等方面存在顯著差異。以下是具體分析:定義與基礎(chǔ)作用不同
    的頭像 發(fā)表于 09-03 10:01 ?1861次閱讀
    從襯底到外延:<b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>材料</b>的層級躍遷與功能分化

    碳化硅器件的應用優(yōu)勢

    碳化硅是第三代半導體典型材料,相比之前的硅材料碳化硅有著高擊穿場強和高熱導率的優(yōu)勢,在高壓、高頻、大功率的場景下更適用。碳化硅的晶體結(jié)構(gòu)穩(wěn)
    的頭像 發(fā)表于 08-27 16:17 ?1671次閱讀
    <b class='flag-5'>碳化硅</b>器件的應用優(yōu)勢

    國內(nèi)最大!長飛先進武漢基地投產(chǎn),明治傳感助力半導體智造升級

    近日,總投資超200億元的長飛先進半導體基地項目正式運營投產(chǎn)。該項目是目前國內(nèi)規(guī)模最大的碳化硅半導體基地,年產(chǎn)36萬片6英寸
    的頭像 發(fā)表于 07-22 07:33 ?1239次閱讀
    國內(nèi)最大!長飛先進武漢<b class='flag-5'>基地</b><b class='flag-5'>投產(chǎn)</b>,明治傳感助力半導體智造升級

    碳化硅晶圓特性及切割要點

    01襯底碳化硅襯底是第三代半導體材料中氮化鎵、碳化硅應用的基石。碳化硅襯底以碳化硅粉末為主要原材料
    的頭像 發(fā)表于 07-15 15:00 ?1198次閱讀
    <b class='flag-5'>碳化硅</b>晶圓特性及切割要點

    SiC碳化硅第三代半導體材料 | 耐高溫絕緣材料應用方案

    碳化硅材料主要包括單晶和陶瓷2大類,無論是作為單晶還是陶瓷,碳化硅材料目前已成為半導體、新能源汽車、光伏等三大千億賽道的關(guān)鍵材料之一。圖片來
    的頭像 發(fā)表于 06-15 07:30 ?1351次閱讀
    SiC<b class='flag-5'>碳化硅</b>第三代半導體<b class='flag-5'>材料</b> |  耐高溫絕緣<b class='flag-5'>材料</b>應用方案

    碳化硅襯底厚度測量探頭溫漂與材料各向異性的耦合影響研究

    碳化硅襯底厚度測量中,探頭溫漂與材料各向異性均會影響測量精度,且二者相互作用形成耦合效應。深入研究這種耦合影響,有助于揭示測量誤差根源,為優(yōu)化測量探頭性能提供理論支撐。 耦合影響機制分析
    的頭像 發(fā)表于 06-11 09:57 ?783次閱讀
    <b class='flag-5'>碳化硅</b>襯底厚度測量探頭溫漂與<b class='flag-5'>材料</b>各向異性的耦合影響研究

    全球產(chǎn)業(yè)重構(gòu):從Wolfspeed破產(chǎn)到中國SiC碳化硅功率半導體崛起

    從Wolfspeed破產(chǎn)到中國碳化硅崛起:國產(chǎn)SiC碳化硅功率半導體的范式突破與全球產(chǎn)業(yè)重構(gòu) 一、Wolfspeed的隕落:技術(shù)霸權(quán)崩塌的深層邏輯 作為
    的頭像 發(fā)表于 05-21 09:49 ?1351次閱讀
    全球<b class='flag-5'>產(chǎn)業(yè)</b>重構(gòu):從Wolfspeed破產(chǎn)到<b class='flag-5'>中國</b>SiC<b class='flag-5'>碳化硅</b>功率半導體崛起

    碳化硅功率器件有哪些特點

    隨著全球?qū)G色能源和高效能電子設(shè)備的需求不斷增加,寬禁帶半導體材料逐漸進入了人們的視野。其中,碳化硅(SiC)因其出色的性能而受到廣泛關(guān)注。碳化硅功率器件在電力電子、可再生能源以及電動汽車等領(lǐng)域的應用不斷拓展,成為現(xiàn)代電子技術(shù)的
    的頭像 發(fā)表于 04-21 17:55 ?1275次閱讀

    信光隔離探頭在碳化硅(SiC)MOSFET動態(tài)測試中的應用

    碳化硅(SiC)MOSFET 是基于寬禁帶半導體材料碳化硅(SiC)制造的金屬氧化物半導體場效應晶體管,相較于傳統(tǒng)硅(Si)MOSFET,具有更高的擊穿電壓、更低的導通電阻、更快的開關(guān)速度以及更優(yōu)
    發(fā)表于 04-08 16:00

    東升西降:從Wolfspeed危機看全球SiC碳化硅功率半導體產(chǎn)業(yè)鏈重構(gòu)

    Wolfspeed作為全球碳化硅(SiC)功率半導體領(lǐng)域的先驅(qū)企業(yè),其股價暴跌(單日跌幅超50%)、財務困境與德國30歐元項目擱淺危機,折射出歐美與中國在SiC碳化硅功率半導體
    的頭像 發(fā)表于 03-31 18:03 ?1274次閱讀

    碳化硅(SiC)MOSFET替代硅基IGBT常見問題Q&amp;A

    電力電子應用中全面取代進口IGBT,助力中國電力電子行業(yè)自主可控和產(chǎn)業(yè)升級!以下是針對碳化硅MOSFET替代IGBT的常見問題及解答,結(jié)合行業(yè)現(xiàn)狀與技術(shù)發(fā)展進行綜合分析: 問題1:國產(chǎn)碳化硅
    的頭像 發(fā)表于 03-13 11:12 ?1908次閱讀
    <b class='flag-5'>碳化硅</b>(SiC)MOSFET替代硅基IGBT常見問題Q&amp;A

    全球功率半導體變革:SiC碳化硅功率器件中國龍崛起

    功率器件變革中SiC碳化硅中國龍的崛起:從技術(shù)受制到全球引領(lǐng)的歷程與未來趨勢 當前功率器件正在經(jīng)歷從傳統(tǒng)的硅基功率器件持續(xù)躍升到SiC碳化硅材料功率半導體的歷史變革: 傾佳電子楊茜致力
    的頭像 發(fā)表于 03-13 00:27 ?969次閱讀