華為Mate 40或?qū)⒉捎?nm制造工藝的處理器，性能將高出50％以上
華為的下一代Mate系列會采用Mate 40命名，雖然距離產(chǎn)品發(fā)布還有幾個月的時間，但華為的研發(fā)部門已開始對產(chǎn)品升級進(jìn)行研究。華為可能會將下一代麒麟處理器的Mate 40，Mate 40將配備5nm制造工藝的麒麟1020 SoC。
麒麟1020 SoC預(yù)計有臺積電生產(chǎn)，采用5nm制造工藝。臺積電擁有5nm芯片生產(chǎn)工藝的工廠之一。據(jù)報道，臺積電將在2020年上半年開始批量生產(chǎn)5nm芯片。5nm制造工藝的芯片將率先用于iPhone 12系列和Mate 40系列上。
臺積電的5nm工藝將有兩種版本N5和N5P。與7nm工藝相比，N5的性能提高了15％，功耗降低了30％，晶體密度提高了80％。另一方面，N5P性能比N5強(qiáng)7％，而功耗又下降了15％。5nm N5版本將在今年量產(chǎn)，而N5P將在2021年量產(chǎn)。
麒麟1020 SoC的性能將比麒麟990 SoC高出50％以上。CPU架構(gòu)從A76升級到A78，超越了高通驍龍865的Cortex-A77性能，麒麟1020 SoC也將集成5G基帶。
責(zé)任編輯：gt
聲明：本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用，如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題，請聯(lián)系本站處理。
舉報投訴
-
處理器
+關(guān)注
關(guān)注
68文章
20259瀏覽量
252557 -
臺積電
+關(guān)注
關(guān)注
44文章
5803瀏覽量
176446 -
華為
+關(guān)注
關(guān)注
218文章
36038瀏覽量
262188
發(fā)布評論請先 登錄
相關(guān)推薦
熱點推薦
S32Z2：安全可靠的高性能實時處理器
： NXP Semiconductors S32Z2實時處理器.pdf 一、概述 S32Z2處理器能夠以無與倫比的千兆赫茲速度安全地集成實時應(yīng)用程序，具備多應(yīng)用集成和內(nèi)存擴(kuò)展能力，為新型集成式和軟件定義車輛的發(fā)展提供了有力支持。它采用
S32E2：引領(lǐng)電動汽車控制與智能驅(qū)動的高性能實時處理器
將詳細(xì)介紹S32E2處理器的特點、應(yīng)用場景、使能工具以及功能安全等方面的內(nèi)容。 文件下載： NXP Semiconductors S32E2實時處理器.pdf 一、S32E2處理器概述
中國首顆全功能空間計算芯片發(fā)布 極智G-X100 5nm工藝
，極智G-X100采用5nm工藝，chiplet架構(gòu)。彩色透視端到端延遲僅為9毫秒，創(chuàng)下全球最低延遲紀(jì)錄。
MD5信息摘要算法實現(xiàn)二（基于蜂鳥E203協(xié)處理器）
本設(shè)計首先根據(jù)MD5協(xié)處理器的功能設(shè)計MD5算法IP核，軟件部分使用串口程序助手進(jìn)行64位加解密結(jié)果的輸出，E203內(nèi)核根據(jù)地址取出對應(yīng)的數(shù)據(jù)，使用相關(guān)的指令進(jìn)行傳輸顯示。通過NICE接口將
發(fā)表于 10-30 07:54
華為mate40標(biāo)準(zhǔn)版支持無線充電嗎?
華為Mate40系列無線充電技術(shù)實現(xiàn)多場景適配，40W快充與反向充電功能提升用戶體驗，體現(xiàn)品牌對充電生態(tài)的精細(xì)化布局。
【「AI芯片：科技探索與AGI愿景」閱讀體驗】+半導(dǎo)體芯片產(chǎn)業(yè)的前沿技術(shù)
%。至少將GAA納米片提升幾個工藝節(jié)點。
2、晶背供電技術(shù)
3、EUV光刻機(jī)與其他競爭技術(shù)
光刻技術(shù)是制造3nm、5nm等工藝節(jié)點的高端半導(dǎo)
發(fā)表于 09-15 14:50
【「AI芯片：科技探索與AGI愿景」閱讀體驗】+工藝創(chuàng)新將繼續(xù)維持著摩爾神話
工藝節(jié)點進(jìn)入5nm、3nm，這些連接用的金屬線的間距也在縮小，這就會導(dǎo)致金屬表面散射和晶界散射等效應(yīng)，并使金屬的電阻率顯著增加。
為確保更低的直流電壓降，便提出了使用晶背供電技術(shù)的新型芯片電源供電
發(fā)表于 09-06 10:37
云拼接處理器的性能如何？
性能方面表現(xiàn)卓越，以下從多個維度進(jìn)行深入解析。 一、硬件設(shè)計：穩(wěn)定與高效的基石 融大視覺的云拼接處理器采用嵌入式純硬件設(shè)計，這一設(shè)計理念使其區(qū)別于依賴操作系統(tǒng)的軟件方案。由于沒有傳統(tǒng)操作系統(tǒng)的復(fù)雜架構(gòu)，系統(tǒng)完
從Ascend 910D看芯粒創(chuàng)新，半導(dǎo)體行業(yè)將迎重大變局
電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/黃山明） 隨著芯片制程工藝向更先進(jìn)節(jié)點推進(jìn)，如從7nm邁向5nm，再到3nm，物理層面的技術(shù)瓶頸愈發(fā)凸顯，這使得行業(yè)在?2025?年中期
下一代高速芯片晶體管解制造問題解決了！
在半導(dǎo)體工藝演進(jìn)到2nm，1nm甚至0.7nm等節(jié)點以后，晶體管結(jié)構(gòu)該如何演進(jìn)？2017年，imec推出了叉片晶體管（forksheet），作為環(huán)柵（GAA）晶體管的自然延伸。不過，產(chǎn)
發(fā)表于 06-20 10:40
PCB表面處理丨沉錫工藝深度解讀
化學(xué)沉錫工藝作為現(xiàn)代PCB表面處理技術(shù)的新成員，其發(fā)展軌跡與電子制造業(yè)自動化浪潮緊密相連。這項在近十年悄然興起的技術(shù)，憑借其獨特的冶金學(xué)特性，在通信基礎(chǔ)設(shè)施領(lǐng)域找到了專屬舞臺——當(dāng)高速背板需要實現(xiàn)
發(fā)表于 05-28 10:57
三星在4nm邏輯芯片上實現(xiàn)40%以上的測試良率
三星電子在 HBM3 時期遭遇了重大挫折，將 70% 的 HBM 內(nèi)存市場份額拱手送給主要競爭對手 SK 海力士，更是近年來首度讓出了第一大 DRAM 原廠的寶座。這迫使三星在 HBM4 上采用
發(fā)表于 04-18 10:52
Cadence UCIe IP在Samsung Foundry的5nm汽車工藝上實現(xiàn)流片成功
我們很高興能在此宣布，Cadence 基于 UCIe 標(biāo)準(zhǔn)封裝 IP 已在 Samsung Foundry 的 5nm 汽車工藝上實現(xiàn)首次流片成功。這一里程碑彰顯了我們持續(xù)提供高性能車規(guī)級 IP 解決方案?的承諾，可滿足新一代汽
兆芯處理器開先KX-U6980S處理器榮獲工業(yè)芯“新質(zhì)”獎
+數(shù)字化“新質(zhì)獎”之工業(yè)芯“新質(zhì)”獎，贏得了行業(yè)專家和用戶的積極肯定。 開先KX-U6980S處理器 國內(nèi)工藝 生態(tài)繁榮 護(hù)航產(chǎn)業(yè)發(fā)展 開先KX-U6980S處理器是兆芯采用國內(nèi)
手機(jī)芯片進(jìn)入2nm時代，首發(fā)不是蘋果？
電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報道，2nm工藝制程的手機(jī)處理器已有多家手機(jī)處理器廠商密切規(guī)劃中，無論是臺積電還是三星都在積極布局，或將有數(shù)款芯片成為2
發(fā)表于 03-14 00:14
?2747次閱讀
工商網(wǎng)監(jiān)
評論