對(duì)市場(chǎng)新推出的低功耗IC及功率器件特性無法準(zhǔn)確把握？是否真正在自己的電源設(shè)計(jì)中發(fā)揮最大的作用，缺少一種簡(jiǎn)單經(jīng)濟(jì)的評(píng)價(jià)方法。對(duì)于電源產(chǎn)品設(shè)計(jì)，大功率開關(guān)管的選擇是非常關(guān)鍵也是非常困難的。 如何在系統(tǒng)調(diào)試之前對(duì)IGBT模塊特性進(jìn)行測(cè)試，尤其基于橋式拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，在不同的負(fù)載條件測(cè)試IGBT及相應(yīng)的二極管的特性？這些成為工程師非常頭疼的問題。

功率器件動(dòng)態(tài)參數(shù)/雙脈沖測(cè)試

功率器件如MOSFET和IGBT提供了快速開關(guān)速度，能夠耐受沒有規(guī)律的電壓峰值，被廣泛應(yīng)用于電源轉(zhuǎn)換產(chǎn)品的設(shè)計(jì)。尤其最新第三代半導(dǎo)體SiC和GaN快速發(fā)展和應(yīng)用可以毫不夸張的說給電源行業(yè)帶來顛覆性的變化。對(duì)于設(shè)計(jì)工程師來說卻帶來了非常大的測(cè)試挑戰(zhàn)，如何保證選用的高速功率器件能穩(wěn)定可靠的運(yùn)行在自己的電源產(chǎn)品中，我們需要了解功率器件的動(dòng)態(tài)特性：

器件在不同溫度的特性

短路特性和短路關(guān)斷

柵極驅(qū)動(dòng)特性

關(guān)斷時(shí)過電壓特性

二極管回復(fù)特性

開關(guān)損耗測(cè)試等

泰克推出了IGBT Town功率器件支持單脈沖，雙脈沖及多脈沖測(cè)試方案，集成強(qiáng)大的發(fā)生裝置，數(shù)據(jù)測(cè)試裝置及軟件。用戶可以自定義測(cè)試條件，測(cè)試項(xiàng)目包含：Toff， td（off）， tf（Ic），Eoff， Ton， td（on），tr（Ic）， Eon， di/dt， dv/dt， Err， qrr， Irr based on IEC60747。推薦解決方案：MSO54 + 5-wins + 5-PWR + TIVM02 + TIVH08 + TCP0030A + IGBT town軟件。

采用雙脈沖法，用信號(hào)發(fā)生器設(shè)置脈寬為1uS，周期為2.5uS，脈沖次數(shù)為2次，示波器采用單次觸發(fā)。

采用MSO58功率器件分析功能可以直接得出CoolGaN?的動(dòng)態(tài)參數(shù)。左下的測(cè)試提示Icoff是因?yàn)?a href="http://www.makelele.cn/tags/英飛凌/" target="_blank">英飛凌的CoolGaN?完全沒有反向恢復(fù)電流，從測(cè)試數(shù)據(jù)中可以看到基于英飛凌的CoolGaN?專用驅(qū)動(dòng)1EDF5673K下的CoolGaN? IGO60R070D1速度還是非?？斓?，而且完全沒有反向恢復(fù)損耗。

從測(cè)試結(jié)果可以看出該方案特點(diǎn)：

可靠、可重復(fù)地測(cè)試IGBT及MOSFET（包括第三代半導(dǎo)體器件SiC、GaN）功率半導(dǎo)體動(dòng)態(tài)特征；

測(cè)量的特征包括開啟、關(guān)閉、開關(guān)切換、反向恢復(fù)、柵極驅(qū)動(dòng)，開關(guān)損耗等參數(shù)；

適用于用戶對(duì)測(cè)試環(huán)境的自定義；

全部使用泰克示波器及原廠電源探頭，可準(zhǔn)確補(bǔ)償探頭延遲，專用的開關(guān)損耗算法，提供可靠的測(cè)試結(jié)果；

獨(dú)特的IsoVu 探頭，最高800MHz帶寬高達(dá)120dB共模抑制比，準(zhǔn)確測(cè)試驅(qū)動(dòng)信號(hào)的真實(shí)情況。

高功率半導(dǎo)體器件檢定測(cè)試

開發(fā)和使用MOSFET、IGBT、二極管及其他大功率器件，需要全面的器件級(jí)檢定，如擊穿電壓、通態(tài)電流和電容測(cè)量。Keithley高功率參數(shù)化曲線跟蹤儀支持所有的器件類型和測(cè)試參數(shù)。Keithley高功率參數(shù)化曲線跟蹤儀包括檢定工程師快速開發(fā)全面測(cè)試系統(tǒng)所需的一切。ACS-Basic基本版軟件提供了完整的器件特性分析，包括實(shí)時(shí)跟蹤模式及全部參數(shù)模式，實(shí)時(shí)跟蹤模式用來迅速檢查基礎(chǔ)器件參數(shù)，如擊穿電壓；全部參數(shù)模式用來提取精確的器件參數(shù)。

測(cè)試平臺(tái)搭建

Keithley提供完整解決方案

從實(shí)驗(yàn)室到工廠，從晶圓級(jí)到獨(dú)立封裝器件，從測(cè)試設(shè)置到分析結(jié)果，為最優(yōu)性價(jià)比設(shè)計(jì)的一體化完整解決方案。從實(shí)驗(yàn)室科研級(jí)別的單臺(tái)SMU源表到適用于高功率半導(dǎo)體器件檢定的完整測(cè)試方案，再到適用于自動(dòng)芯片級(jí)測(cè)試系統(tǒng)，Keithley均能為您提供最優(yōu)性價(jià)比的完整解決方案。其方案配置如下：

硬件：上至3kV/100A的功率電平，下至uV/fA級(jí)別小信號(hào)的寬動(dòng)態(tài)范圍；（SMU， 4200，PCT，S500多硬件平臺(tái)覆蓋） ；

軟件：ACS-Basic支持各種Keithley儀器，用于半導(dǎo)體器件檢定、可靠性測(cè)試、參數(shù)化測(cè)試以及元器件功能測(cè)試；

夾具：傳統(tǒng)連線測(cè)試夾具、8010高功率器件測(cè)試夾具、手動(dòng)/自動(dòng)探針測(cè)試臺(tái)。