91欧美超碰AV自拍|国产成年人性爱视频免费看|亚洲 日韩 欧美一厂二区入|人人看人人爽人人操aV|丝袜美腿视频一区二区在线看|人人操人人爽人人爱|婷婷五月天超碰|97色色欧美亚州A√|另类A√无码精品一级av|欧美特级日韩特级

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評(píng)論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫(xiě)文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會(huì)員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

中芯國(guó)際N+1、N+2代工藝公布:性能提升20%,功耗降低57%

牽手一起夢(mèng) ? 來(lái)源:快科技 ? 作者:憲瑞 ? 2020-03-22 09:56 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

3月2日?qǐng)?bào)道稱國(guó)內(nèi)最大的晶圓代工廠中芯國(guó)際表示,疫情期間公司生產(chǎn)經(jīng)營(yíng)正常,產(chǎn)能利用率100%,在京員工零感染。

中芯國(guó)際資深副總裁張昕表示,前期產(chǎn)業(yè)鏈上游企業(yè)供貨和服務(wù)產(chǎn)生延遲,在各級(jí)政府的大力幫助和協(xié)調(diào)下,已經(jīng)得到了基本解決,當(dāng)前,中芯國(guó)際北京廠按照員工不同情況,分類管理,鼓勵(lì)員工在疫情期間盡量輪休輪班、遠(yuǎn)程辦公,必要人員返崗以保障生產(chǎn),目前生產(chǎn)正常。

中芯國(guó)際在北京建有一座300mm晶圓廠和一座控股的300mm先進(jìn)制程晶圓廠,在上海建有一座300mm晶圓廠和一座200mm晶圓廠,以及一座控股的300mm先進(jìn)制程晶圓廠在建設(shè)中;在天津和深圳各建有一座200mm晶圓廠;在江陰有一座控股的300mm凸塊加工合資廠。

根據(jù)墣產(chǎn)業(yè)研究院發(fā)布的2020年Q1季度全球晶圓代工市場(chǎng)報(bào)告,中芯國(guó)際預(yù)計(jì)Q1季度營(yíng)收8.48億美元,位列全球第五,同比增長(zhǎng)26.8%,市場(chǎng)份額4.5%。

不過(guò)與第一名的臺(tái)積電Q1季度營(yíng)收102億美元的預(yù)期相比,國(guó)內(nèi)的晶圓代工企業(yè)還有很大的差距,市場(chǎng)份額差了10倍多。

此外,中芯國(guó)際在14nm之后的先進(jìn)工藝上還在加速追趕,2月份的財(cái)報(bào)會(huì)議上,中芯國(guó)際聯(lián)席CEO梁孟松博士也首次公開(kāi)了N+1、N+2代工藝的情況。

他說(shuō)N+1工藝和14nm相比,性能提升了20%,功耗降低了57%,邏輯面積縮小了63%,SoC面積減少了55%。

N+1之后還會(huì)有N+2,這兩種工藝在功耗上表現(xiàn)差不多,區(qū)別在于 性能及成本,N+2顯然是面向高性能的,成本也會(huì)增加。

責(zé)任編輯:gt

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫(xiě)或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • 臺(tái)積電
    +關(guān)注

    關(guān)注

    44

    文章

    5803

    瀏覽量

    176463
  • 晶圓
    +關(guān)注

    關(guān)注

    53

    文章

    5416

    瀏覽量

    132343
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評(píng)論

    相關(guān)推薦
    熱點(diǎn)推薦

    探索CSD15571Q2:高性能20 - V N - Channel NexFET? Power MOSFETs

    探索CSD15571Q2:高性能20 - V N - Channel NexFET? Power MOSFETs 在電子工程師的日常設(shè)計(jì)
    的頭像 發(fā)表于 03-06 09:45 ?252次閱讀

    深入剖析LM185-2.5-N/LM285-2.5-N/LM385-2.5-N:高性能功耗電壓基準(zhǔn)源

    深入剖析LM185-2.5-N/LM285-2.5-N/LM385-2.5-N:高性能功耗電壓基準(zhǔn)源 在電子設(shè)計(jì)領(lǐng)域,電壓基準(zhǔn)源是眾多電路
    的頭像 發(fā)表于 03-02 15:30 ?143次閱讀

    LM4041-N/LM4041-N-Q1:精密微功耗并聯(lián)電壓基準(zhǔn)的深度解析

    LM4041-N/LM4041-N-Q1:精密微功耗并聯(lián)電壓基準(zhǔn)的深度解析 在電子設(shè)計(jì)領(lǐng)域,電壓基準(zhǔn)源的性能對(duì)整個(gè)系統(tǒng)的穩(wěn)定性與精確性起著決定性的作用。今天,我們來(lái)詳細(xì)探討兩款
    的頭像 發(fā)表于 03-02 14:00 ?117次閱讀

    TPS2412/13:N+1與ORing電源軌控制器的深度解析

    TPS2412/13:N+1與ORing電源軌控制器的深度解析 在電子設(shè)備的電源管理領(lǐng)域,N+1冗余電源和ORing電源軌控制是保障系統(tǒng)可靠性和穩(wěn)定性的關(guān)鍵技術(shù)。德州儀器(TI)的TPS2412
    的頭像 發(fā)表于 02-28 17:05 ?573次閱讀

    深入解析TPS2410與TPS2411:全功能N+1和ORing電源軌控制器

    深入解析TPS2410與TPS2411:全功能N+1和ORing電源軌控制器 在電子設(shè)計(jì)領(lǐng)域,電源管理是至關(guān)重要的一環(huán)。TPS2410和TPS2411作為德州儀器(TI)推出的全功能N+1
    的頭像 發(fā)表于 02-28 17:00 ?497次閱讀

    TPS2419:N+1和ORing電源軌控制器的深度解析

    TPS2419:N+1和ORing電源軌控制器的深度解析 在電子工程師的日常設(shè)計(jì)工作,電源管理始終是至關(guān)重要的一環(huán)。今天,我們就來(lái)深入探討一款功能強(qiáng)大的電源軌控制器——TPS2419,它在N+1
    的頭像 發(fā)表于 02-28 17:00 ?501次閱讀

    探索onsemi FCA20N60:高性能N溝道MOSFET的卓越表現(xiàn)

    )的FCA20N60這款N溝道SUPERFET MOSFET,它在眾多應(yīng)用展現(xiàn)出了出色的性能。 文件下載: FCA20N60-D.PDF
    的頭像 發(fā)表于 01-26 17:00 ?478次閱讀

    三星公布首批2納米芯片性能數(shù)據(jù)

    三星公布了即將推出的首2nm芯片性能數(shù)據(jù);據(jù)悉,2nm工藝采用的是全柵極環(huán)繞(GAA)晶體管技
    的頭像 發(fā)表于 11-19 15:34 ?1243次閱讀

    Toshiba推出采用最新一代工藝技術(shù)[1]的100V N溝道功率MOSFET,以提升工業(yè)設(shè)備開(kāi)關(guān)電源效率

    Toshiba推出了“TPH2R70AR5”——一款采用Toshiba最新一代工藝U-MOS11-H[1]制造的100V N溝道功率MOSFET。該MOSFET的目標(biāo)應(yīng)用包括數(shù)據(jù)中心和
    的頭像 發(fā)表于 09-28 15:17 ?715次閱讀

    國(guó)際 7 納米工藝突破:代工龍頭的技術(shù)躍遷與拓能半導(dǎo)體的封裝革命

    ? 一、國(guó)際:從工藝追趕者到生態(tài)構(gòu)建者 2025 年 8 月 2 日,
    的頭像 發(fā)表于 08-04 15:22 ?1.2w次閱讀

    蘋(píng)果A20芯片的深度解讀

    以下是基于最新行業(yè)爆料對(duì)蘋(píng)果A20芯片的深度解讀,綜合技術(shù)革新、性能提升及行業(yè)影響三大維度分析: 一、核心技術(shù)創(chuàng)新 ? ? 制程工藝突破 ? ? 全球首款
    的頭像 發(fā)表于 06-06 09:32 ?3778次閱讀

    ZSKY-20N03D-20ATO252-2L N溝道增強(qiáng)型MOSFET規(guī)格書(shū)

    電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《ZSKY-20N03D-20ATO252-2L N溝道增強(qiáng)型MOSFET規(guī)格書(shū).pdf》資料免費(fèi)下載
    發(fā)表于 05-13 18:24 ?0次下載

    DA20-220S24G2N4 DA20-220S24G2N4

    電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供AIPULNION(AIPULNION)DA20-220S24G2N4相關(guān)產(chǎn)品參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊(cè),更有DA20-220S24G2N4的引腳圖、接線圖、封裝手冊(cè)、中文資料、英文資料,DA20-220S24G2N4真
    發(fā)表于 03-24 18:56
    DA<b class='flag-5'>20-220S24G2N</b>4 DA<b class='flag-5'>20-220S24G2N</b>4

    BK20-600D24H1N4 BK20-600D24H1N4

    電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供AIPULNION(AIPULNION)BK20-600D24H1N4相關(guān)產(chǎn)品參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊(cè),更有BK20-600D24H1N4的引腳圖、接線圖、封裝手冊(cè)、中文資料、英文資料,BK20-600D24H1N4真
    發(fā)表于 03-24 18:40
    BK<b class='flag-5'>20-600D24H1N</b>4 BK<b class='flag-5'>20-600D24H1N</b>4

    BK20-600S24H1N4 BK20-600S24H1N4

    電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供AIPULNION(AIPULNION)BK20-600S24H1N4相關(guān)產(chǎn)品參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊(cè),更有BK20-600S24H1N4的引腳圖、接線圖、封裝手冊(cè)、中文資料、英文資料,BK20-600S24H1N4真
    發(fā)表于 03-24 18:40
    BK<b class='flag-5'>20-600S24H1N</b>4 BK<b class='flag-5'>20-600S24H1N</b>4