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丹邦科技募資17.8億研發(fā)量子碳化合物半導(dǎo)體膜 有望在化合物半導(dǎo)體材料領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)重大技術(shù)突破

半導(dǎo)體動態(tài) ? 來源:全球半導(dǎo)體觀察 ? 作者:全球半導(dǎo)體觀察 ? 2020-04-07 11:57 ? 次閱讀
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4月6日,深圳丹邦科技股份有限公司(以下簡稱“丹邦科技”)發(fā)布2020年非公開發(fā)行股票預(yù)案公告,擬非公開發(fā)行募資17.8億元。

公告顯示,丹邦科技本次非公開發(fā)行的股票數(shù)量不超過本次非公開發(fā)行前公司總股本的30%,即發(fā)行數(shù)量合計不超過164,376,000 股(含本數(shù))。

募資17.8億

公告顯示,丹邦科技本次非公開發(fā)行股票募集資金總額不超過17.8億元,主要用于量子碳化合物厚膜產(chǎn)業(yè)化項目、新型透明PI膜中試項目、量子碳化合物半導(dǎo)體膜研發(fā)項目、以及補充流動資金,三個項目建設(shè)周期均為2.5年,建設(shè)地點位于廣東省東莞市松山湖科技產(chǎn)業(yè)園工業(yè)西三路廣東丹邦工業(yè)園。

其中,量子碳化合物厚膜產(chǎn)業(yè)化項目投資總額為12.31億元,擬使用募集資金10.3億元;新型透明PI膜中試項目投資總額為4.65億元;量子碳化合物半導(dǎo)體膜研發(fā)項目投資總額為1.21億元。

資料顯示,丹邦科技經(jīng)營范圍包括開發(fā)、生產(chǎn)經(jīng)營柔性覆合銅板、液晶聚合導(dǎo)體材料,高頻柔性電路、柔性電路封裝基板、高精密集成電路、新型電子元器件、二維半導(dǎo)體材料、聚酰亞胺薄膜、量子碳基膜、多層石墨烯膜、屏蔽隱身膜等。

公司主要產(chǎn)品包括柔性FCCL、高密度FPC芯片封裝COF基板、芯片及器件封裝產(chǎn)品及柔性封裝相關(guān)功能熱固化膠、微粘性膠膜等,主要應(yīng)用于空間狹小,可移動折疊的高精尖智能終端產(chǎn)品,在消費電子、醫(yī)療器械、特種計算機、智能顯示、高端裝備產(chǎn)業(yè)等所有微電子領(lǐng)域都得到廣泛應(yīng)用。

丹邦科技表示,本次募集資金投資項目的總體目標(biāo)即:大批量生產(chǎn)量子碳化合物厚膜、中試新型透明PI膜、研發(fā)量子碳化合物半導(dǎo)體膜,為實現(xiàn)公司成為國際領(lǐng)先的新型半導(dǎo)體材料企業(yè)的發(fā)展愿景打下堅實基礎(chǔ)。

研發(fā)量子碳化合物半導(dǎo)體膜

當(dāng)前,半導(dǎo)體新材料的突破將成為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)未來發(fā)展的關(guān)鍵。傳統(tǒng)硅基半導(dǎo)體性能已接近極限,而量子碳化合物半導(dǎo)體膜有望成為綜合性能更好的新型化合物半導(dǎo)體材料。

量子碳化合物半導(dǎo)體膜作為一種新型的化合物半導(dǎo)體材料,與GaAs、GaN以及SiC等其他化合物半導(dǎo)體材料相比,具有高頻、高效率、抗輻射、耐高低溫、耐高壓、低功耗、高熱導(dǎo)等化合物半導(dǎo)體材料的特性。

公告顯示,丹邦科技此次投資項目之一量子碳化合物半導(dǎo)體膜研發(fā)項目投資總額為1.21億元,擬使用募集資金1.2億元,主要建設(shè)內(nèi)容為利用公司現(xiàn)有廠房進(jìn)行改造并引進(jìn)設(shè)備開展新型化合物半導(dǎo)體材料——量子碳化合物半導(dǎo)體膜的研發(fā)。

從金額上看,在四個擬募投項目中,盡管“量子碳化合物半導(dǎo)體膜研發(fā)項目”的投資額最少,但該項目對于丹邦科技在新材料領(lǐng)域由高分子材料拓展至化合物半導(dǎo)體材料,具有重大戰(zhàn)略意義。

丹邦科技在PI膜分子結(jié)構(gòu)設(shè)計、成膜及燒結(jié)工藝的研發(fā)過程中,通過納米金屬材料的摻雜、雜化,并進(jìn)行離子交換和離子注入,使薄膜表面形成分布均勻的納米量子點,實現(xiàn)了薄膜帶隙的開啟與調(diào)控,使其具備二維半導(dǎo)體性能。

丹邦科技將以此為基礎(chǔ),切入化合物半導(dǎo)體材料領(lǐng)域,開展量子碳化合物半導(dǎo)體膜研發(fā)項目,擬研制耐高低溫、高壓、高頻性能、大寬幅、超柔韌、超薄層微結(jié)構(gòu)的化合物半導(dǎo)體材料。

丹邦科技表示,本次量子碳化合物半導(dǎo)體膜研發(fā)項目得以實施后,公司有望在化合物半導(dǎo)體材料領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)重大技術(shù)突破,提升公司的技術(shù)領(lǐng)先地位,亦有助于提升我國在化合物半導(dǎo)體材料領(lǐng)域的自主創(chuàng)新能力與競爭力。
責(zé)任編輯:wv

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